用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構，包括：第一導體；以及第二導體，其被構造為支撐所述第一導體，其中，所述第一導體和所述第二導體相互耦接，所述第一導體和所述第二導體相互接觸的接觸面中至少有一個接觸面上噴涂有涂覆層，所述涂覆層用于電流絕緣所述第一導體和所述第二導體。該結構以具有電流絕緣性質的涂覆層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的薄膜，其電流絕緣能力能夠得到進一步的保障，因為涂覆層不會發(fā)生偏移等諸多情況；此外，由于傳統(tǒng)的鍍層技術的成熟，使得對涂覆層厚度以及位置的控制均較為精確，從而能夠確保該耦合結構具有良好的射頻特性。
【專利說明】用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及微波系統(tǒng)，更具體地，涉及用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構及其制造方法。
【背景技術】
[0002]如今，在諸如基站的通信設備的天線的設計中，通常需要設計較大的具有良好的射頻特性的接觸面，這就對組成用于微波系統(tǒng)的耦合結構的導體及其組裝方式提出了相應的射頻要求。
[0003]現(xiàn)有技術中，一種做法便是將這種用于微波系統(tǒng)的耦合結構的導體直接設計為金屬導體并利用金屬連接件(例如金屬鉚釘)來將兩個導體相互連接。但是，在該種設計中，由于金屬連接件不易拆卸，一旦拆卸就損壞了，這給該耦合結構的維修帶來了問題；另一方面，由于金屬表面的粗糙程度、滲入期間的雜物以及不均勻的壓力分布均會影響該耦合結構的射頻性能，進而直接導致該稱合結構的被動互調(Passive Inter Modulation,PIM)特性顯著上升。
[0004]而另一種做法試圖通過在兩個構成該耦合結構的導體之間添加一層薄膜來消除之前存在的問題，但是由于薄膜的位置難以固定，可能發(fā)生偏移，從而影響其電流絕緣性能；此外，導體表面的毛刺等不平坦部分也可能導致該薄膜破裂，從而形成壞的接觸點，導致被動互調的產生；再者，該種耦合結構的制造由于需要組裝該薄膜，而該工序費時費力，造成了制造該耦合結構的生產率較為低下的結果。
[0005]綜上所述，傳統(tǒng)的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構及其制造方法較為耗時，制造效率低下，而且成本較高，此外，由傳統(tǒng)的制造方法制造出來的產品的射頻特性也較差，不能滿足一些要求較高的應用場景的需求。

【發(fā)明內容】

[0006]根據(jù)上述對【背景技術】以及存在的技術問題的理解，如果能夠提供一種制造方便，成本低廉而且射頻特性良好的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構及其制造方法，將是非常有益的。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出了一種用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構，包括:第一導體；以及第二導體，其被構造為支撐所述第一導體，其中，所述第一導體和所述第二導體相互耦接，所述第一導體和所述第二導體相互接觸的接觸面中至少有一個接觸面上噴涂有涂覆層，所述涂覆層用于電流絕緣所述第一導體和所述第二導體。所述耦合結構以具有電流絕緣性質的涂覆層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的薄膜，其電流絕緣能力能夠得到進一步的保障，因為涂覆層不會發(fā)生偏移等諸多情況；此外，由于傳統(tǒng)的鍍層技術的成熟，使得對涂覆層厚度以及位置的控制均較為精確，從而能夠確保該耦合結構具有良好的射頻特性。
[0008]其中，所述涂覆層的厚度在20um-200um之間，而其材料能夠是環(huán)氧樹脂、環(huán)氧聚酯混合物、異氰尿酸三縮水甘油酯(TGIC)-聚酯、丙烯酸氨基甲酸酯等熱固化樹脂材料。優(yōu)選地，所述涂覆層的材料為環(huán)氧樹脂。
[0009]在一個實施例中，所述第一導體表面全部噴涂有所述涂覆層。這樣便于生產中的噴涂工序的進行，因為不用控制具體噴涂的面，而是將所述第一導體的全部表面均噴涂有所述涂覆層。
[0010]在一個實施例中，所述耦合結構還包括連接件，其中，在所述第一導體和所述第二導體接觸的部分上分別具有第一孔口和與所述第一孔口相對應的第二孔口，所述連接件穿過所述第一孔口和所述第二孔口，以耦接所述第一導體和所述第二導體。以這樣的方式能夠確保所述耦合結構的連接。
[0011]在一個實施例中，所述連接件由復合材料制成。如此，便能輔助所述涂覆層在所述第一導體和所述第二導體之間形成電流絕緣；此外，由于該由復合材料制成的連接件的拆卸不會對該連接件本身造成任何損壞，從而能夠無損地拆卸所述耦合結構，并能在需要維修時拆卸所述耦合結構，待修復所產生的問題后再次組裝起來。
[0012]本發(fā)明的第二方面提出了一種應用于基站的天線，其特征在于，所述天線包含根據(jù)本發(fā)明的第一方面所述的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構。所述天線具有本發(fā)明的第一方面所述的耦合結構的所有優(yōu)點。
[0013]本發(fā)明的第三方面提出了一種用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構的制造方法，包括:
[0014]a.在用于形成用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構的第一導體和支撐所述第一導體的第二導體的接觸面中的至少一個接觸面上噴涂涂覆層，其中，所述涂覆層用于電流絕緣所述第一導體和所述第二導體；以及
[0015]b.將所述第一導體和所述第二導體相互f禹接。
[0016]利用該方法制成的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構射頻特性良好，而且制作過程簡單，成本也相對低廉。
[0017]在一個實施例中，在所述步驟a中將所述第一導體表面全部噴涂有所述涂覆層。
[0018]在一個實施例中，在所述步驟b中還包括:
[0019]在所述第一導體和所述第二導體上分別開有至少一個第一孔口和與所述至少一個第一孔口相對應的至少一個第二孔口，至少一個連接件穿過所述第一孔口和所述至少一個第二孔口耦接所述第一導體和所述第二導體。
[0020]在一個實施例中，所述連接件由復合材料制成。如此，便能輔助所述涂覆層在所述第一導體和所述第二導體之間形成電流絕緣；此外，由于該由復合材料制成的連接件的拆卸不會對該連接件本身造成任何損壞，從而能夠無損地拆卸所述耦合結構，并能在需要維修時拆卸所述耦合結構，待修復所產生的問題后再次組裝起來。
[0021]綜上所述，依據(jù)本發(fā)明的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構及其制造方法相較于傳統(tǒng)的耦合結構及其制造方法，其具有以下優(yōu)點，即由于用涂覆層代替了傳統(tǒng)的薄膜隔離，制造所需的時間以及人力成本均大幅減低，而且所制造出的耦合結構也更為可靠，具有更好的射頻特性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]通過參照附圖閱讀以下所作的對非限制性實施例的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯。
[0023]圖1示出了依據(jù)本發(fā)明的一個耦合結構的剖面圖100 ;以及
[0024]圖2示出了依據(jù)本發(fā)明的制造方法的一個實施方式的流程圖200。
[0025]在圖中，貫穿不同的示圖，相同或類似的附圖標記表示相同或相似的裝置(模塊)或步驟。
【具體實施方式】
[0026]圖1示出了依據(jù)本發(fā)明的一個耦合結構的剖面圖100。如圖所示，該用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構包括:第一導體110以及第二導體120，該第二導體120被構造為支撐第一導體110,其中，第一導體110和第二導體120相互稱接,第一導體110和第二導體120相互接觸的接觸面中至少有一個接觸面上噴涂有涂覆層130，該涂覆層用于電流絕緣第一導體110和第二導體120。該耦合結構以具有電流絕緣性質的涂覆層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的薄膜，其電流絕緣能力能夠得到進一步的保障，因為涂覆層不會發(fā)生偏移等諸多情況；此夕卜，由于傳統(tǒng)的鍍層技術的成熟，使得對涂覆層厚度以及位置的控制均較為精確，從而能夠確保該耦合結構具有良好的射頻特性。
[0027]其中，該涂覆層的厚度在20um-200um之間，而其材料能夠是環(huán)氧樹脂、環(huán)氧聚酯混合物、異氰尿酸三縮水甘油酯(TGIC)-聚酯、丙烯酸氨基甲酸酯等熱固化樹脂材料。優(yōu)選地，所述涂覆層的材料為環(huán)氧樹脂。
[0028]此外，可選地，如圖1所示，第一導體110表面全部噴涂有該涂覆層130。這樣便于生產中的噴涂工序的進行，因為不用控制具體噴涂的面，而是將第一導體110的全部表面均噴涂有該種涂覆層，易于加工。
[0029]可選地，該耦合結構還包括連接件140，其中，在第一導體110和第二導體120接觸的部分上分別具有第一孔口和與該第一孔口相對應的第二孔口，該連接件140連接件穿過第一孔口和第二孔口，以耦接第一導體110和第二導體120。以這樣的方式能夠確保該耦合結構的連接。
[0030]其中，該連接件能夠由復合材料制成。如此，便能輔助涂覆層130在第一導體110和第二導體120之間形成電流絕緣；此外，由于該由復合材料制成的連接件的拆卸不會對該連接件本身造成任何損壞，從而能夠無損地拆卸所述耦合結構，并能在需要維修時拆卸所述耦合結構，待修復所產生的問題后再次組裝起來。
[0031]利用如圖1所示的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構同樣能夠制造用于無線通信的基站的射頻部分，例如制造相應的天線等，該種天線具有上述的耦合結構的所有優(yōu)點。
[0032]為了生產出該類的耦合結構，必然需要制造方法的支撐，圖2示出了一種用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構的制造方法的；流程圖，由圖中可以看出，該方法包括以下步驟:
[0033]在步驟210中，首先在用于形成用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構的第一導體和支撐第一導體的第二導體的接觸面中的至少一個接觸面上噴涂涂覆層，其中，該涂覆層的作用是電流絕緣第一導體和第二導體；以及
[0034]在步驟220中，將所一導體和第二導體相互耦接。如此便能制造出依據(jù)本發(fā)明的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構。
[0035]利用該方法制成的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構射頻特性良好，而且制作過程簡單，成本也相對低廉。
[0036]也能夠不僅僅在用于形成用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構的第一導體和支撐第一導體的第二導體的接觸面中的至少一個接觸面上噴涂涂覆層，而是將第一導體表面全部噴涂有涂覆層，這樣的設計是為了便于加工。
[0037]此外，為了更好地實現(xiàn)第一導體和第二導體的連接，還能夠包括以下步驟，即在第一導體和第二導體上分別開有至少一個第一孔口和與至少一個第一孔口相對應的至少一個第二孔口，至少一個連接件穿過第一孔口和至少一個第二孔口來耦接第一導體和第二導體。在此，該連接件能夠由復合材料制成。如此，便能輔助改涂覆層在第一導體和第二導體之間形成電流絕緣；此外，由于該由復合材料制成的連接件的拆卸不會對該連接件本身造成任何損壞，從而能夠無損地拆卸所述耦合結構，并能在需要維修時拆卸所述耦合結構，待修復所產生的問題后再次組裝起來。
[0038]綜上所述，依據(jù)本發(fā)明的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構及其制造方法相較于傳統(tǒng)的耦合結構及其制造方法，其具有以下優(yōu)點，即由于用涂覆層代替了傳統(tǒng)的薄膜隔離，制造所需的時間以及人力成本均大幅減低，而且所制造出的耦合結構也更為可靠，具有更好的射頻特性。
[0039]本領域技術人員應能理解，上述實施例均是示例性而非限制性的。在不同實施例中出現(xiàn)的不同技術特征可以進行組合，以取得有益效果。本領域技術人員在研究附圖、說明書及權利要求書的基礎上，應能理解并實現(xiàn)所揭示的實施例的其他變化的實施例。在權利要求書中，術語“包括”并不排除其他裝置或步驟；不定冠詞“一個”不排除多個；術語“第一”、“第二”用于標示名稱而非用于表示任何特定的順序。權利要求中的任何附圖標記均不應被理解為對保護范圍的限制。權利要求中出現(xiàn)的多個部分的功能可以由一個單獨的硬件或軟件模塊來實現(xiàn)。某些技術特征出現(xiàn)在不同的從屬權利要求中并不意味著不能將這些技術特征進行組合以取得有益效果。
【權利要求】
1.一種用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構，包括: 第一導體；以及 第二導體，其被構造為支撐所述第一導體，其中，所述第一導體和所述第二導體相互耦接，所述第一導體和所述第二導體相互接觸的接觸面中至少有一個接觸面上噴涂有涂覆層，所述涂覆層用于電流絕緣所述第一導體和所述第二導體。
2.根據(jù)權利要求1所述的耦合結構，其特征在于，所述第一導體表面全部噴涂有所述涂覆層。
3.根據(jù)權利要求1所述的耦合結構，其特征在于，所述耦合結構還包括連接件，其中，在所述第一導體和所述第二導體接觸的部分上分別具有第一孔口和與所述第一孔口相對應的第二孔口，所述連接件穿過所述第一孔口和所述第二孔口，以耦接所述第一導體和所述第二導體。
4.根據(jù)權利要求3所述的耦合結構，其特征在于，所述連接件由復合材料制成。
5.根據(jù)權利要求1所述的耦合結構，其特征在于，所述涂覆層的材料為環(huán)氧樹脂。
6.一種應用于基站的天線，其特征在于，所述天線包含根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構。
7.一種用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構的制造方法，包括: a.在用于形成用于微波系統(tǒng)的表面噴涂導體的耦合結構的第一導體和支撐所述第一導體的第二導體的接觸面中的至少一個接觸面上噴涂涂覆層，其中，所述涂覆層用于電流絕緣所述第一導體和所述第二導體；以及 b.將所述第一導體和所述第二導體相互耦接。
8.根據(jù)權利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟a中將所述第一導體表面全部噴涂有所述涂覆層。
9.根據(jù)權利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟b中還包括: 在所述第一導體和所述第二導體上分別開有至少一個第一孔口和與所述至少一個第一孔口相對應的至少一個第二孔口，至少一個連接件穿過所述第一孔口和所述至少一個第二孔口耦接所述第一導體和所述第二導體。
10.根據(jù)權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述連接件由復合材料制成。
【文檔編號】H01P5/00GK103855451SQ201210514719
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年12月5日 優(yōu)先權日:2012年12月5日
【發(fā)明者】D·D·科耐克, 周晨光, P·勒卡姆, T·朱利恩 申請人:上海貝爾股份有限公司