專利名稱：堆迭封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種堆迭封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種可提高散熱效率的堆迭封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，隨著如攜帶式個人電腦、智慧手機(jī)及數(shù)碼相機(jī)等電子裝置，微小化、多功能化及高性能化，半導(dǎo)體裝置必須設(shè)計的更小且功能更多，因而使半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(semiconductor package)在許多電子裝置的使用上越來越普遍。例如，堆迭式封裝構(gòu)造(Package on Package,PoP)是一種很典型的立體式封裝構(gòu)造,將兩個獨(dú)立封裝完成的封裝體，加以堆迭形成單一封裝構(gòu)造，用以增加單一封裝構(gòu)造的電性功能，并節(jié)省印刷電路基板上進(jìn)行表面粘著技術(shù)(SMT)時的使用空間，此外，堆迭式封裝構(gòu)造通過獨(dú)立的兩個封裝體經(jīng)封裝與測試后再以表面粘合的方式迭合，不僅可減少制造風(fēng)險，提高產(chǎn)品良率，更可縮短封裝結(jié)構(gòu)間的線路長度，以降低訊號延遲及存取時間。然而，晶片在運(yùn)作時會產(chǎn)生高溫，因此其表面需要另外接合一散熱片(heat sink)進(jìn)行散熱，常見固定散熱片于晶片的方法是使用導(dǎo)熱膠。而堆迭式封裝構(gòu)更是容易產(chǎn)生高溫，原因在于堆迭式封裝構(gòu)會設(shè)計有二個以上的晶片，上方基板的晶片(例如記憶體晶片,Memory Die)與下方基板的晶片(例如邏輯晶片，Logic Die)所產(chǎn)生的高溫,一般僅能通過于上方基板的具有散熱片的晶片以及上方基板與下方基板間作為電性連結(jié)用的金屬導(dǎo)電材料，例如位于晶片周圍的焊球或?qū)щ娡箟K的連結(jié)，因?yàn)橐话憬饘賹?dǎo)電材料同時具有較高的導(dǎo)熱性質(zhì)，因此可將熱傳遞至基板進(jìn)行散熱，但上述方式的散熱介面少且作為電性連結(jié)用的散熱路徑長將使內(nèi)部的高溫?zé)o法有效的散去，進(jìn)而影響整體的散熱效率。近年來，堆迭式封裝構(gòu)造廣泛應(yīng)用于可攜式電子產(chǎn)品中，為了符合可攜式電子產(chǎn)品日益輕薄短小化的趨勢，堆迭式封裝構(gòu)造也需進(jìn)一步薄型化，然而薄型化的堆迭式封裝構(gòu)造難以提供足夠空間在上、下封裝體之間設(shè)置散熱金屬片，因而使得整體的散熱效率變得低落。

故，有必要提供一種堆迭封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種堆迭封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在散熱效率不佳的問題。本發(fā)明的主要目的在于提供一種堆迭封裝構(gòu)造，其可以通過封裝構(gòu)造中的導(dǎo)熱區(qū)域及導(dǎo)熱介面層，有助于熱傳導(dǎo)并增加熱交換的面積，進(jìn)而提高晶片的散熱效率。本發(fā)明的另一目的在于提供一種堆迭封裝構(gòu)造，其可以通過封裝構(gòu)造中的導(dǎo)熱墊有助于熱傳導(dǎo)，并增加熱交換的面積，進(jìn)而提高晶片的散熱效率。為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種堆迭封裝構(gòu)造，其中所述堆迭封裝構(gòu)造包含一上封裝體，一下封裝體及一導(dǎo)熱介面層，所述上封裝體包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一上表面、一背對所述上表面的下表面及一設(shè)置在所述下表面的第一圖案化金屬層，所述圖案化金屬層包含第一導(dǎo)熱區(qū)域，所述上晶片設(shè)置在所述上基板的上表面且電性連接所述上基板，所述下封裝體包含一下基板、數(shù)個電性連接元件及一下晶片，所述下基板通過所述電性連接元件電性連接所述上基板，所述下晶片包含第一表面及背對第一表面的第二表面，所述下晶片設(shè)置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面與所述下基板電性連接。所述導(dǎo)熱介面層結(jié)合在所述上基板的第一導(dǎo)熱區(qū)域與所述下晶片的第二表面之間。再者，本發(fā)明另一實(shí)施例提供另一種堆迭封裝構(gòu)造，其中所述堆迭封裝構(gòu)造包含一上封裝體、一導(dǎo)熱墊及一下封裝體，所述上封裝體包含一上基板及一上晶片，所述上基板具有一上表面及一背對所述上表面的下表面，所述導(dǎo)熱墊設(shè)置于所述上基板的上表面，所述上晶片設(shè)置在所述導(dǎo)熱墊上且電性連接所述上基板，所述下封裝體包含一下基板、數(shù)個電性連接元件及一下晶片，所述下基板通過所述電性連接元件電性連接所述上基板，所述下晶片包含一第一表面及背對第一表面的第二表面，所述下晶片設(shè)置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面與所述下基板電性連接。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下


圖1是本發(fā)明一實(shí)施例堆迭封裝構(gòu)造的示意圖。圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例堆迭封裝構(gòu)造的示意圖。圖3是本發(fā)明又一實(shí)施例堆迭封裝構(gòu)造的示意圖。圖4是本發(fā)明再一實(shí)施例堆迭封裝構(gòu)造的示意圖。圖5是本發(fā)明圖1實(shí)施例堆迭封裝構(gòu)造的組裝示意圖。圖6是本發(fā)明圖3實(shí)施例堆迭封裝構(gòu)造的組裝示意圖。
具體實(shí)施例方式以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。再者，本發(fā)明所提到的方向用語，例如上、下、頂、底、前、后、左、右、內(nèi)、外、側(cè)面、周圍、中央、水準(zhǔn)、橫向、垂直、縱向、軸向、徑向、最上層或最下層等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。請參照圖1所示，本發(fā)明一實(shí)施例的堆迭封裝構(gòu)造100造主要包含一上封裝體1，一下封裝體2及一導(dǎo)熱介面層3。所述上封裝體I包含一上基板11、一上晶片14及一上封裝膠材15，所述下封裝體2包含一下基板21、數(shù)個電性連接元件22、一下晶片23及一下封裝膠材24，本發(fā)明將于下文逐一詳細(xì)說明本實(shí)施例上述各元件的細(xì)部構(gòu)造、組裝關(guān)系及其運(yùn)作原理。請參照圖1所示，在本實(shí)施例中，所述上基板11及下基板21例如選自硬式(rigid)或可撓式(flexible)的封裝等級有機(jī)印刷電路板(printed circuitboard，PCB)，但本發(fā)明并不局限于此。所述上基板11及下基板21主要由數(shù)個金屬層(即線路層)及絕緣樹脂層交替堆迭而成。請參照圖1所示，所述上基板11包含一上表面(未標(biāo)示)、一背對所述上表面的下表面(未標(biāo)不)、一設(shè)置在下表面的第一圖案化金屬層111、一設(shè)置在上表面的第二圖案化金屬層112及一覆蓋在上、下表面的阻焊層113，所述第一圖案化金屬層111包含一第一導(dǎo)熱區(qū)域1111及一第一電路區(qū)域1112，所述阻焊層113在下表面以一凹口 110裸露所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111，且所述導(dǎo)熱介面層3可嵌設(shè)于所述凹口 110內(nèi)。再者，所述阻焊層113在上表面的第二圖案化金屬層112亦可選擇性的以另一凹口 110’裸露所述第二導(dǎo)熱區(qū)域1121，所述上晶片14的一背面朝下設(shè)置在所述第二導(dǎo)熱區(qū)域1121上，且所述上晶片14的一有源表面朝上且電性連接所述上基板11的第二電路區(qū)域1122，其中所述第二導(dǎo)熱區(qū)域1121與所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111相對應(yīng)。更詳細(xì)來說，在本實(shí)施例中，且所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111及第二導(dǎo)熱區(qū)域1121為金屬材料(例如銅)，也就是由所述第一圖案化金屬層111及第二圖案化金屬層112的一部份直接做為所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111及第二導(dǎo)熱區(qū)域1121，所述阻焊層113為防焊綠漆(solder mask),其覆蓋于所述第一圖案化金屬層111及第二圖案化金屬層112上并裸露一部份，以保護(hù)所述第一圖案化金屬層111及第二圖案化金屬層112避免因刮傷造成短、斷路現(xiàn)象，其中所述裸露的第二電路區(qū)域1122可做為數(shù)個焊墊，其可通過焊線(未標(biāo)示)與所述打線型的上晶片14電性連接。另外，所述上晶片14也可以直接以倒裝晶片的方式設(shè)置在所述上基板11的上表面的數(shù)個焊墊，此時不設(shè)置所述第二導(dǎo)熱區(qū)域1121，因此并不以本實(shí)施例為限。再者，所述上封裝膠材15例如為環(huán)氧樹脂及絕緣顆粒(如氧化鋁或二氧化硅)的混合物，所述上封裝膠材15用以包覆保護(hù)所述上晶片14、焊線及所述上基板11的上表面。所述下基板21通過所述電性連接元件22電性連接所述上基板11，所述下晶片23包含第一表面231及背對第一表面231的第二表面232,所述電性連接兀件22可選自金屬球或金屬柱狀物，例如為錫球。所述下晶片23設(shè)置在所述下基板21上且所述下晶片的第一表面231以倒裝晶片的方式通過數(shù)個凸 塊(未標(biāo)示)與所述下基板21電性連接。所述下封裝膠材24例如為環(huán)氧樹脂及絕緣顆粒(如氧化鋁或二氧化硅)的混合物，所述下封裝膠材24用以包覆保護(hù)所述下晶片23、凸塊、所述下基板21的上表面及所述電性連接元件22的一部份，并裸露出所述電性連接元件22的上半部及所述下晶片23的背面。再者，所述導(dǎo)熱介面層3結(jié)合在所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111與所述下晶片23的第二表面232之間，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，其中所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111的面積與下晶片23的面積的比值為I至1.3之間，若比值小于I則散熱效果偏低，若比值大于1. 3則不易滿足封裝結(jié)構(gòu)小型化的需求，所述第二導(dǎo)熱區(qū)域1121可與第一導(dǎo)熱區(qū)域1111的面積相同或不同。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二導(dǎo)熱區(qū)域1121與第一導(dǎo)熱區(qū)域1111的面積相近，可使得第一圖案化金屬層111及第二圖案化金屬層112的熱膨脹系數(shù)(CTE)接近，可減少因?yàn)闇囟茸兓a(chǎn)生的翹曲(warpage)的問題。在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱介面層3包含至少一層導(dǎo)熱膠或還包含至少一層石墨烯層或金屬導(dǎo)熱材料層或合金導(dǎo)熱材料層，其使用的厚度例如介于50至100微米之間；所述金屬導(dǎo)熱材料層例如為銦、銦合金或銦與其他金屬的復(fù)合層，其使用的厚度例如介于150至250微米之間。當(dāng)本發(fā)明的導(dǎo)熱介面層3選用金屬導(dǎo)熱材料層時，所述下晶片23的背面可以選擇預(yù)先制作一背金屬層(未繪示)，以增加與所述金屬導(dǎo)熱材料層的接合性質(zhì)。根據(jù)本實(shí)施例，所述上基板11通過所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111熱性連接所述導(dǎo)熱介面層3，可增加所述上封裝體I與下封裝體2的熱接觸面積及縮短導(dǎo)熱路徑，同時所述上晶片14下方連接所述第二導(dǎo)熱區(qū)域1121，所述下晶片23上方連接所述導(dǎo)熱介面層3，可迅速將兩晶片產(chǎn)生的熱能匯出至所述上基板11，進(jìn)而提高兩晶片的散熱效率，此外，透過基板導(dǎo)入導(dǎo)熱區(qū)域的設(shè)計可在不增加堆迭封裝構(gòu)造的整體厚度之下又能提高堆迭封裝構(gòu)造的散熱效率。請參照圖2所示，本發(fā)明另一實(shí)施例的堆迭封裝構(gòu)造相似于本發(fā)明圖1實(shí)施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但本實(shí)施例的差異特征在于所述導(dǎo)熱介面層3為多層結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包含石墨烯層，或?yàn)殂~層與石墨烯層的組合，上述石墨烯層中的石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一個碳原子厚度的二維材料，所述阻焊層113同樣在下表面以一凹口 110形成一第一導(dǎo)熱區(qū)域1111。上述材料選擇的優(yōu)點(diǎn)在于由于石墨烯的熱傳導(dǎo)具有異向性，其z方向的熱傳導(dǎo)為15W/mK，其x-y平面的熱傳導(dǎo)高達(dá)5300W/mK，因此，將所述導(dǎo)熱介面層3可迅速的將所述下晶片23所產(chǎn)生的熱能沿水平方向以輻射狀朝向各側(cè)邊傳導(dǎo)，再將熱能均勻的匯出至所述上基板11，不僅增加熱能的均勻傳導(dǎo)，也增進(jìn)了熱交換的有效面積，進(jìn)而提高兩晶片的熱匯出效能。請參照圖3所示，本發(fā)明又一實(shí)施例的堆迭封裝構(gòu)造相似于本發(fā)明圖1實(shí)施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但本實(shí)施例的差異特征在于所述堆迭封裝構(gòu)造100包含一上封裝體I及一下封裝體2，所述上封裝體I包含一上基板11、一上晶片14、一上封裝膠材15及一導(dǎo)熱墊16,所述上基板11具有一上表面(未標(biāo)不)及一背對所述上表面的下表面(未標(biāo)示)，其中所述導(dǎo)熱墊16設(shè)置于所述上基板11的上表面，所述上晶片14設(shè)置在所述導(dǎo)熱墊16上且電性連接所述上基板11的一第二圖案化金屬層112。所述下封裝體2包含一下基板21、數(shù)個電性連接元件22、一下晶片23及一下封裝膠材24，所述下基板21通過所述電性連接元件22電性連接所述上基板11，所述下晶片23設(shè)置在所述下基板21上且與所述下基板21電性連接，在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱墊16為石墨烯層。根據(jù)本實(shí)施例，通過將所述導(dǎo)熱墊16設(shè)置于所述上基板11的上表面，有助于將所述導(dǎo)熱墊16水平傳導(dǎo)的熱發(fā)散至所述上封裝膠材15或焊線，并增加有效的散熱面積，進(jìn)而提聞晶片散熱的效果。請參照圖4所示，本發(fā)明再一實(shí)施例的堆迭封裝構(gòu)造相似于本發(fā)明圖3實(shí)施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但本實(shí)施例的差異特征在于所述堆迭封裝構(gòu)造100包含一上封裝體1、一下封裝體2、及一導(dǎo)熱環(huán)4，其中所述上基板11在上表面同樣設(shè)置一導(dǎo)熱墊16，所述上晶片14周邊設(shè)置有所述導(dǎo)熱環(huán)4于所述上導(dǎo)熱墊16上。在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱墊16與導(dǎo)熱環(huán)4為石墨烯層。根據(jù)本實(shí)施例，通過將所述導(dǎo)熱墊16設(shè)置于所述上基板11的上表面，同時將所述導(dǎo)熱環(huán)4圍繞在所述上晶片14外，能夠增加熱能傳導(dǎo)的速度，并提高散熱效果。請參照圖5并配合圖1，其顯示依照本發(fā)明的圖1實(shí)施例的堆迭封裝構(gòu)造的組裝示意圖。本實(shí)施例的堆迭封裝構(gòu)造的組裝步驟

首先，備置一上基板11，其中所述上基板11的下、上表面各具有一第一圖案化金屬層111及一第二圖案化金屬層112，并以所述第一圖案化金屬層111及第二圖案化金屬層112的一部份做為一第一導(dǎo)熱區(qū)域1111及一第二導(dǎo)熱區(qū)域1121，接著再在上、下表面覆蓋一阻焊層113，所述阻焊層113于下、上表面各具有一凹口 110、110’，以裸露出所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111及第二導(dǎo)熱區(qū)域1121。隨后，再將一打線型上晶片14迭置于所述上基板11上表面的第二導(dǎo)熱區(qū)域1121上，并將所述上晶片14電性連接所述第二圖案化金屬層112的一第二電路區(qū)域1122，并以一上封裝膠材15進(jìn)行封裝，以形成一上封裝體I。接著，備置一下基板21，所述下基板21設(shè)置數(shù)個電性連接元件22，將一下晶片23具有的一第一表面231通過數(shù)個凸塊設(shè)置在所述下基板21上并電性連接所述下基板21。接著，利用一下封裝膠材24包覆保護(hù)所述下晶片23、凸塊、所述下基板21的上表面及所述電性連接元件22的一部份，并裸露出所述電性連接元件22的上半部及所述下晶片23的一第二表面232，以形成一下封裝體2。最后，將一導(dǎo)熱介面層3貼覆在所述下晶片23的第二表面232，再組合所述上封裝體I及下封裝體2，以通過所述電性連接元件22電性連接所述上、下基板11、21，以形成一堆迭封裝構(gòu)造100。其中，所述上封裝體I及下封裝體2組合之前，所述導(dǎo)熱介面層3可先貼覆于所述第一導(dǎo)熱區(qū)域1111上或者貼覆于所述下晶片23的第二表面232上，所述導(dǎo)熱介面層3的組合方式并不以本實(shí)施例所局限。請參照圖6并配合圖3，其顯示依照本發(fā)明的圖3實(shí)施例的堆迭封裝構(gòu)造的組裝示意圖。本實(shí)施例的堆迭封裝構(gòu)造的組裝如下步驟首先，備置一上基板11，其中所述上基板11的下、上表面各具有一第一圖案化金屬層111及一第二圖案化金屬層112，并以石墨烯層做為一導(dǎo)熱墊16，接著再設(shè)置一阻焊層113，所述阻焊層113于上表面具有一凹口 110’，以裸露出所述導(dǎo)熱墊16。隨后，將一打線型上晶片14迭置于所述上基板11上表面的導(dǎo)熱墊16上，利用一上封裝膠材15進(jìn)行封裝，以形成一上封裝體I。接著，備置一下基板21，所述下基板21設(shè)置數(shù)個電性連接元件22，將一下晶片23通過數(shù)個凸塊設(shè)置在所述下基板21上并電性連接所述下基板21。接著，利用一下封裝膠材24包覆保護(hù)所述下晶片23、凸 塊、所述下基板21的上表面及所述電性連接元件22的一部份，并裸露出所述電性連接元件22的上半部及所述下晶片23具有的一第二表面232，以形成一下封裝體2。最后，組合所述上封裝體I及下封裝體2，以通過所述電性連接元件22電性連接所述上、下基板11、21，以形成一堆迭封裝構(gòu)造100。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述堆迭封裝構(gòu)造包含 一上封裝體，包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一上表面、一背對所述上表面的下表面及一設(shè)置在所述下表面的第一圖案化金屬層，所述圖案化金屬層包含第一導(dǎo)熱區(qū)域，所述上晶片設(shè)置在所述上基板的上表面且電性連接所述上基板； 一下封裝體，包含一下基板、數(shù)個電性連接元件及一下晶片，所述下基板通過所述電性連接元件電性連接所述上基板，所述下晶片包含第一表面及背對第一表面的第二表面，所述下晶片設(shè)置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面與所述下基板電性連接；及 一導(dǎo)熱介面層，結(jié)合在所述上基板的第一導(dǎo)熱區(qū)域與所述下晶片的第二表面之間。
2.如權(quán)利要求1所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一導(dǎo)熱區(qū)域?yàn)榻饘俨牧稀?br> 3.如權(quán)利要求1所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一導(dǎo)熱區(qū)域的面積與下晶片的面積的比值為I至1. 3之間。
4.如權(quán)利要求1所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述上基板還包含一設(shè)置在所述上表面的第二圖案化金屬層，所述第二圖案化金屬層包含一第二導(dǎo)熱區(qū)域，所述第二導(dǎo)熱區(qū)域與所述第一導(dǎo)熱區(qū)域相對應(yīng)，且所述上晶片設(shè)置在所述第二導(dǎo)熱區(qū)域上。
5.如權(quán)利要求4所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二導(dǎo)熱區(qū)域與所述第一導(dǎo)熱區(qū)域的材料相同。
6.如權(quán)利要求1所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述導(dǎo)熱介面層包含至少一層導(dǎo)熱膠。
7.如權(quán)利要求6所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述導(dǎo)熱介面層還包含至少一層石墨烯層或金屬導(dǎo)熱材料層或合金導(dǎo)熱材料層。
8.如權(quán)利要求1所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述上基板還具有一位于所述下表面的阻焊層，所述阻焊層以一凹口裸露所述第一導(dǎo)熱區(qū)域，所述導(dǎo)熱介面層位于所述凹口內(nèi)。
9.一種堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述堆迭封裝構(gòu)造包含 一上封裝體，包含一上基板及一上晶片，所述上基板具有一上表面及一背對所述上表面的下表面； 一導(dǎo)熱墊，設(shè)置于所述上基板的上表面，所述上晶片設(shè)置在所述導(dǎo)熱墊上且電性連接所述上基板 '及 一下封裝體，包含一下基板、數(shù)個電性連接元件及一下晶片，所述下基板通過所述電性連接元件電性連接所述上基板，所述下晶片包含一第一表面及背對第一表面的第二表面，所述下晶片設(shè)置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面與所述下基板電性連接。
10.如權(quán)利要求9所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述堆迭封裝構(gòu)造還包含一導(dǎo)熱環(huán)，所述導(dǎo)熱環(huán)設(shè)置在所述導(dǎo)熱墊上，且環(huán)繞在所述上晶片周邊。
11.如權(quán)利要求9所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述導(dǎo)熱墊為石墨烯層。
12.如權(quán)利要求9所述堆迭封裝構(gòu)造，其特征在于所述導(dǎo)熱環(huán)為石墨烯層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種堆迭封裝構(gòu)造包含一上封裝體，一下封裝體及一導(dǎo)熱介面層，所述上封裝體包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一第一圖案化金屬層，所述圖案化金屬層包含第一導(dǎo)熱區(qū)域，所述上晶片設(shè)置在所述上基板且電性連接所述上基板，所述下封裝體包含一下基板、數(shù)個電性連接元件及一下晶片，所述下基板通過所述電性連接元件電性連接所述上基板，所述下晶片設(shè)置在所述下基板上且所述下晶片與所述下基板電性連接。所述導(dǎo)熱介面層結(jié)合在所述上基板的第一導(dǎo)熱區(qū)域與所述下晶片之間；通過所述封裝構(gòu)造中的第一導(dǎo)熱區(qū)域及導(dǎo)熱介面層，有助于熱傳導(dǎo)并增加熱交換的面積，進(jìn)而提高晶片的散熱效率。
文檔編號H01L23/36GK103050454SQ201210517049
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月6日
發(fā)明者黃東鴻 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司