專利名稱：一種oled器件的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件領域，尤其涉及具有透明復合陰極的OLED器件。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光器件(英文全稱為Organic Light-Emitting Diode,簡稱為OLED)按照出光方式分為底發(fā)射器件(英文全稱為Bottom OrganicLight-emitting Device,簡稱為BEOLED)和頂發(fā)射器件(英文全稱為TOPOrganic Light-emitting Device,簡稱為TE0LED)。BEOLED所用的陽極是透明的，一般通過濺射的方式將的透明的銦錫氧化物·IT0(或銦鋅氧化物IZO等)生長在透明基板上作為陽極，器件內(nèi)部發(fā)出的光相繼經(jīng)過透明陽極、透明基板射出。采用這種方式制作的顯示屏由于驅(qū)動電路和顯示區(qū)域要同時制作在透明基板上，導致顯示區(qū)域面積相對減小，顯示屏的開口率降低。與普通的底發(fā)射器件相t匕，頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件(TEOLED)由于其本身的結(jié)構(gòu)特點，光可以從頂部電極射出，在有源驅(qū)動OLED中，像素驅(qū)動電路、總線等可以制作在顯示區(qū)域的下方，從而避免了驅(qū)動電路與顯示區(qū)域互相競爭的問題，使得器件的開口率大大提高，進而實現(xiàn)顯示屏的高分辨率。頂發(fā)射器件還可以制作在硅基襯底上，從而可制成硅上有機微顯示器。在頂發(fā)射器件的主要難點是選擇合適的陰極材料，既要具有較低的功函數(shù)，以保證有效的電荷注入，又要獲得較好的透光率，且具有較低的電阻。通常使用透明的ITO(或IZ0)或者半透明的金屬作為頂部陰極，由于制作ITO(或IZ0)需要用到濺射的方法，高能ITO(或IZ0)粒子對于底層的有機層破壞性很強，因此更好的替代方案是采用半透明的金屬來替代ITO(或IZ0)作為頂部陰極。其優(yōu)點是容易生長、破壞性小；缺點是金屬的透光性比較差，不利于光的耦合輸出，微腔效應較為明顯，在顯示器的應用上，發(fā)光強度和顏色隨視角的改變是最大的缺點。因此我們需要在半透明的金屬層上制備一層增透膜，減少光能在光學元件表面的反射，增加透射光的光通量，而且該增透膜可以改變光的反射角度和透射能量的分布。中國專利CN101944570A公開了一種有機發(fā)光顯示器，其中陰極上含有折射率至少為1. 7的有機覆蓋層以增加透光率，其有機覆蓋層具體為三胺衍生物、亞芳基二胺衍生物、CBP和或Alq3,并限定該有機層的厚度為30nm-90nm。該方案所選的有機覆蓋層材料沒有考慮有機材料能隙對出射光的影響，如專利中所述的Alq3由于能隙較小，材料本身成黃綠色，影響了藍光的出射光；而且所公開的有機覆蓋層材料隨著波長的增加，折射率多在1.5-1. 8的范圍內(nèi)，雖然在一定程度上提高了器件的光通量，但未達最優(yōu)效果，也沒有考慮器件由于光學特性而導致在不同視角觀察引起的色度變化。
發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明所要解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)中頂發(fā)射OLED器件中透光率低以及不同視角色度變化大的問題，提供一種具有透明復合陰極的0LED。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下
本發(fā)明公開了一種OLED器件，包括基板以及依次設置在所述基板上的陽極、有機層和陰極，其特征在于，所述陰極為透明復合陰極，包括透明金屬層和設置在所述金屬層上的增透層，所述增透層的材料為茚並芴衍生物或并二芴衍生物。所述增透層的材料選自下述結(jié)構(gòu)式中的一種或多種
權(quán)利要求
1.一種OLED器件，包括基板(I)以及依次設置在所述基板(I)上的陽極(3)、有機層和陰極(9)，其特征在于，所述陰極(9)為透明復合陰極，包括透明金屬層和設置在所述金屬層上的增透層，所述增透層的材料為茚並芴衍生物或并二芴衍生物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述增透層的材料選自下述結(jié)構(gòu)式中的一種或多種
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述透明金屬層為Ag層或由低功函數(shù)金屬與Ag構(gòu)成的合金層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述透明金屬層包括Ag層和由低功函數(shù)金屬與Ag構(gòu)成的合金層，所述增透層靠近所述Ag層設置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的OLED器件，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬為Mg、L1、K中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任一所述的OLED器件，其特征在于所述合金層中，所述低功函數(shù)金屬與Ag含量的摩爾比為3:1-10:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求3-6任一所述的OLED器件，其特征在于所述透明金屬層的厚度為15-40nm，所述增透層的厚度為30_100nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3-7—所述的OLED器件，其特征在于所述透明金屬層是Ag層，厚度為15-18nm，所述增透層的厚度為30_90nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于所述透明金屬層是Ag層，厚度為18-25nm ;所述增透層的厚度為30_50nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于所述透明金屬層是所述合金層，厚度為20-25nm ;所述增透層的厚度為30_100nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于所述透明金屬層是所述合金層，厚度為25-30nm ;所述增透層的厚度為30_80nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于所述透明金屬層包括所述合金層和所述Ag層，且所述合金層的厚度3-7nm，所述Ag層的厚度為15_25nm ;所述增透層的厚度為50-100nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于所述透明金屬層包括所述Ag層和所述合金層,所述合金層的厚度7-llnm,所述Ag層的厚度為20_30nm ;所述增透層的厚度為30-60nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13任一所述的OLED器件，其特征在于，所述有機層包括發(fā)光層和功能層，所述功能層包括空穴注入層、電子阻擋層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層中的一種或幾種組合。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的OLED器件，其特征在于，所述陽極(3)與所述基板(I)之間還設置有反射層(2)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種OLED器件，包括基板以及依次設置在所述基板上的陽極、有機層和陰極，所述陰極為透明復合陰極，包括透明金屬層和設置在所述金屬層上的增透層，所述增透層材料選自茚並芴衍生物或并二芴衍生物。所述增透層所選用的材料能隙大，避免了材料本身對出射光的吸收，具有極佳的透光性；而且含有N、S等雜原子，能夠提供較大的折射率，有利于光通過金屬層射出，提高OLED器件的發(fā)光效率，改善器件的視角特性。在所述透明復合陰極中，由于低功函數(shù)金屬含量適度，可以有效降低陰極的功函數(shù)，具有較好的電子注入效率，并大量吸收可見光，使得所述的OLED器件具有很高的透光效率和色純度。
文檔編號H01L51/52GK103022376SQ20121051730
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月6日
發(fā)明者邱勇, 劉嵩, 李建仁 申請人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司, 清華大學, 北京維信諾科技有限公司