專利名稱：一種基于噴砂的扁平封裝件制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基于噴砂的扁平封裝件制作エ藝，屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
集成電路是信息產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)的核心，是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)。集成電路封裝是集成電路產(chǎn)業(yè)的主要組成部分，它的發(fā)展一直伴隨著其功能和器件數(shù)的增加而邁進(jìn)。自20世紀(jì)90年代起，它進(jìn)入了多引腳數(shù)、窄間距、小型薄型化的發(fā)展軌道。無載體柵格陣列封裝(即AAQFN)是為適應(yīng)電子產(chǎn)品快速發(fā)展而誕生的一種新的封裝形式，是電子整機(jī)實(shí)現(xiàn)微小型化、輕量化、網(wǎng)絡(luò)化必不可少的產(chǎn)品。
無載體柵格陣列封裝元件，底部沒有焊球，焊接時(shí)引腳直接與PCB板連接，與PCB的電氣和機(jī)械連接是通過在PCB焊盤上印刷焊膏，配合SMT回流焊エ藝形成的焊點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)的。該技術(shù)封裝可以在同樣尺寸條件下實(shí)現(xiàn)多引腳、高密度、小型薄型化封裝，具有散熱性、電性能以及共面性好等特點(diǎn)。AAQFN封裝產(chǎn)品適用于大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的封裝。AAQFN封裝的器件大多數(shù)用于手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)及通信設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、微機(jī)、筆記本電腦和各類平板顯示器等高檔消費(fèi)品市場(chǎng)。掌握其核心技木，具備批量生產(chǎn)能力，將大大縮小國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平的差距，該產(chǎn)品有著廣闊市場(chǎng)應(yīng)用前景。但是由于技術(shù)難度等限制，目前AAQFN產(chǎn)品在市場(chǎng)上的推廣有一定難度，尤其是在可靠性方面，直接影響產(chǎn)品的使用及壽命，已成為AAQFN封裝件的技術(shù)攻關(guān)難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供一種基于噴砂的扁平封裝件制作エ藝，使集成電路框架與塑封體結(jié)合更加牢固，不受外界環(huán)境影響，直接提高產(chǎn)品的封裝可靠性，并在一定程度上降低成本。本發(fā)明采用的技術(shù)方案一種基于噴砂的扁平封裝件制作エ藝，具體按照以下步驟進(jìn)行
第一步、減薄減薄厚度為50 ii m 200 V- m,粗糙度Ra 0.1Oum 0. 30um ；
第二步、劃片厚度在150 iim以上晶圓采用普通QFN劃片エ藝，厚度在150 以下晶圓，使用雙刀劃片機(jī)及其エ藝；
第三步、上芯采用粘片膠上芯；
第四歩、壓焊；
第五步、一次塑封用傳統(tǒng)塑封料進(jìn)行塑封；
第六步、后固化；
第七步、框架背面蝕刻凹槽使用框架，用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕亥IJ，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內(nèi)；
第八步、噴砂、刷綠漆；
第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝。
所述的步驟中第三步可采用膠膜片(DAF)代替粘片膠；所述的步驟中第四步、第五步、第六步、第九步均與常規(guī)AAQFNエ藝相同。本發(fā)明的有益效果使用框架，在生產(chǎn)流程中能夠很大程度上的簡(jiǎn)化生產(chǎn)エ藝，降低成本以及減少報(bào)廢率，然后在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，井能在一次塑封的塑封料和框架間形成更加有效的防拖拉結(jié)構(gòu)，顯著提高封裝件的可靠性，且此法易行，生產(chǎn)效率高。



圖1引線框架剖面 圖2上芯后廣品首I]面 圖3壓焊后產(chǎn)品剖面 圖4 一次塑封后產(chǎn)品剖面 圖5框架背面蝕刻后產(chǎn)品剖面 圖6嗔砂刷綠漆后廣品首Ij面圖。圖中1-引線框架、2-粘片膠、3-芯片、4-鍵合線、5-塑封體、6-蝕刻凹槽。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)ー步說明，以方便技術(shù)人員理解。如圖1-6所示采用本發(fā)明所述的方法用于單芯片封裝，產(chǎn)品包括引線框架1、粘片膠2、芯片3、鍵合線4、塑封體5、蝕刻凹槽6 ;其中芯片3與引線框架I通過粘片膠2相連，鍵合線4直接從芯片3打到引線框架I上，引線框架I上是粘片膠2，粘片膠2上是芯片3，芯片3上的焊點(diǎn)與內(nèi)引腳間的焊線是鍵合線4，塑封體5包圍了引線框架1、粘片膠2、芯片3、鍵合線4、蝕刻凹槽6并一起構(gòu)成了電路的整體,塑封體5對(duì)芯片3的鍵合線4起到了支撐和保護(hù)作用，芯片3、鍵合線4、引線框架I構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道。一種基于噴砂的扁平封裝件制作エ藝，具體按照以下步驟進(jìn)行
實(shí)施例1
第一步、減薄減薄厚度為100 Ii m,粗糙度Ra 0.1Oum ；
第二步、劃片采用厚度為IOOiim的晶圓，使用雙刀劃片機(jī)及其エ藝；
第三步、上芯采用粘片膠2上芯；
第四步、壓焊與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第五步、一次塑封用傳統(tǒng)塑封料9920進(jìn)行塑封，與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第六步、后固化與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第七步、框架背面蝕刻凹槽使用框架，用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕亥IJ，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內(nèi)；
第八步、噴砂、刷綠漆；
第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝與常規(guī)AAQFNエ藝相同。實(shí)施例2
第一步、減薄減薄厚度為130 V- m,粗糙度Ra 0. 20um ；
第二步、劃片采用厚度為130 iim的晶圓，使用雙刀劃片機(jī)及其エ藝；第三步、上芯采用粘片膠2上芯；
第四步、壓焊與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第五步、一次塑封用傳統(tǒng)塑封料9920進(jìn)行塑封，與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第六步、后固化與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第七步、框架背面蝕刻凹槽使用框架，用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕亥IJ，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內(nèi)；
第八步、噴砂、刷綠漆；
第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝與常規(guī)AAQFNエ藝相同。 實(shí)施例3
第一步、減薄減薄厚度為170 V- m,粗糙度Ra 0. 30um ；
第二步、劃片采用厚度為170 iim的晶圓，同普通QFN劃片エ藝相同；
第三步、上芯采用粘片膠2上芯；
第四步、壓焊與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第五步、一次塑封用傳統(tǒng)塑封料9920進(jìn)行塑封，與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第六步、后固化與常規(guī)AAQFNエ藝相同；
第七步、框架背面蝕刻凹槽使用框架，用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕亥IJ，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內(nèi)；
第八步、噴砂、刷綠漆；
第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝與常規(guī)AAQFNエ藝相同。本發(fā)明通過具體實(shí)施過程進(jìn)行說明的，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，還可以對(duì)本發(fā)明專利進(jìn)行各種變換及等同代替，因此，本發(fā)明專利不局限于所公開的具體實(shí)施過程，而應(yīng)當(dāng)包括落入本發(fā)明專利權(quán)利要求范圍內(nèi)的全部實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種基于噴砂的扁平封裝件制作工藝，其特征在于具體按照以下步驟進(jìn)行第一步、減薄減薄厚度為50 μ m 200 μ m,粗糙度Ra O.1Oum O. 30um ；第二步、劃片150 μ m以上晶圓采用普通QFN劃片工藝，厚度在150 μ m以下晶圓，使用雙刀劃片機(jī)及其工藝；第三步、上芯采用粘片膠上芯；第四步、壓焊；第五步、一次塑封用傳統(tǒng)塑封料進(jìn)行塑封；第六步、后固化；第七步、框架背面蝕刻凹槽使用框架，用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內(nèi)；第八步、噴砂、刷綠漆；第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于噴砂的扁平封裝件制作工藝，其特征在于所述的步驟中第三步可采用膠膜片(DAF)代替粘片膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于噴砂的扁平封裝件制作工藝，其特征在于所述的步驟中第四步、第五步、第六步、第九步均與常規(guī)AAQFN工藝相同。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于噴砂的扁平封裝件制作工藝，屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明使用框架，在生產(chǎn)流程中能夠很大程度上的簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，降低成本以及減少報(bào)廢率，然后在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，并能在一次塑封的塑封料和框架間形成更加有效的防拖拉結(jié)構(gòu)，顯著提高封裝件的可靠性，且此法易行，生產(chǎn)效率高。
文檔編號(hào)H01L21/56GK103021885SQ201210527400
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月10日
發(fā)明者郭小偉, 劉建軍, 崔夢(mèng), 李萬霞, 魏海東 申請(qǐng)人:華天科技(西安)有限公司