專利名稱：一種新型電子器件的封裝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體封裝領域，尤其是涉及一種新型電子器件的封裝。
背景技術：
半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝過程為來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后被切割為小的晶片(Die)，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板(引線框架)架的小島上，再利用超細的金屬(金錫銅鋁)導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤(Bond Pad)連接到基板的相應引腳(Lead)，并構成所要求的電路；然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，塑封之后還要進行一系列操作，封裝完成后進行成品測試，通常經(jīng)過入檢Incoming、測試Test和包 裝Packing等工序,最后入庫出貨。根據(jù)現(xiàn)有封裝技術制造的封裝件的示例包括球柵陣列(BGA)封裝件、四方扁平封裝件(QFP)、四方扁平無引線(QFN)封裝件等。這樣的封裝件通常包括芯片、基底和包封材料層。芯片放置在基底上。現(xiàn)有技術中的基底材料通常是陶瓷，這就導致了半導體器件的重量較大，不適于現(xiàn)在電子器件要求更小、更輕的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是提供一種質(zhì)量輕、體積小的新型電子器件。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是一種新型電子器件的封裝，包括
-H-* I I
心片；基底，以用于固定所述芯片，并使所述芯片與外部電路電氣連接；所述基板采用PCB 板；包封層，用于包封所述芯片和所述基底。進一步，所述PCB板的厚度是0. 12mnT0. 19mm,長度是93mnT94mm,彎曲度是I. 4% I. 6%，鍍Ni的厚度是3 8um，鍍Pd的厚度是0. 05 0. 15um,鍍Au的厚度是0. 05
0.15um。進一步，PCB板的厚度是0. 13mnT0. 17mm，長度是93. 5mnT93. 9mm，彎曲度是1.45% 1.6%，鍍Ni的厚度是3. 0 5. 5um，鍍Pd的厚度是0. 055 0. 145um，鍍Au的厚度是
0.055^0. 145um。進一步，PCB板的厚度是0. 15mnT0. 16mm，長度是93. 7mnT93. 9mm，彎曲度是1.45% 1.6%，鍍Ni的厚度是3. 0 5. 5um，鍍Pd的厚度是0. 08 0. 15um，鍍Au的厚度是
0.08 0. 15um。進一步，電子器件的封裝工藝，包括晶片切割的步驟；倒裝鍵合的步驟，溫度150度 200度；封裝的步驟，壓力0.05 0. 15Mpa，壓力時間30 50s，真空時間30 50s，溫度63度 66度；硬化的步驟；激光印刷的步驟；制品切割的步驟；電特性測試；外觀檢查的步驟。 本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是由于采用上述技術方案，實現(xiàn)半導體器件向質(zhì)量更輕、體積更小的方向發(fā)展。滿足當今電子行業(yè)快速發(fā)展的要求。


圖I是本發(fā)明的封裝工藝原理框圖。
具體實施例方式如圖I所示，本發(fā)明一種新型電子器件的封裝，包括芯片；基底，以用于固定所述芯片，并使所述芯片與外部電路電氣連接；所述基板采用PCB 板；包封層，用于包封所述芯片和所述基底。作為本發(fā)明的一個實施例，所述PCB板的厚度是0. 12mm，長度是93. 5mm，彎曲度是
I.5%，鍍Ni的厚度是5. Oum,鍍Pd的厚度是0. 14um,鍍Au的厚度是0. IOum0電子器件的封裝工藝，包括晶片切割的步驟；倒裝鍵合的步驟，溫度150度-200度；封裝的步驟，壓力0. 05 0. 15Mpa，壓力時間30 50s，真空時間30 50s，溫度63度 66度；硬化的步驟；激光印刷的步驟；制品切割的步驟；電特性測試；外觀檢查的步驟。作為本發(fā)明的一個實施例，PCB板的厚度是0. 18mm，長度是93. 8mm，彎曲度是
I.5%，鍍Ni的厚度是8. Oum,鍍Pd的厚度是0. 05um,鍍Au的厚度是0. 05um。電子器件的封裝工藝，包括晶片切割的步驟；倒裝鍵合的步驟，溫度150度-200度；封裝的步驟，壓力0. 05 0. 15Mpa，壓力時間30 50s，真空時間30 50s，溫度63度 66度；硬化的步驟；激光印刷的步驟；制品切割的步驟；
電特性測試；外觀檢查的步驟。作為本發(fā)明的一個實施例，PCB板的厚度是0. 19mm，長度是93. 9mm，彎曲度是
I.5%，鍍Ni的厚度是6. 5um,鍍Pd的厚度是0. 15um,鍍Au的厚度是0. 15um。電子器件的封裝工藝，包括晶片切割的步驟；倒裝鍵合的步驟，溫度150度 200度；封裝的步驟，壓力0. 05 0. 15Mpa，壓力時間30 50s，真空時間30 50s，溫度63度 66度；硬化的步驟；激光印刷的步驟；制品切割的步驟；電特性測試；外觀檢查的步驟。以上對本發(fā)明的一個實施例進行了詳細說明，但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實施例，不能被認為用于限定本發(fā)明的實施范圍。凡依本發(fā)明申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本發(fā)明的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種新型電子器件的封裝，其特征在于包括芯片； 基底，以用于固定所述芯片，并使所述芯片與外部電路電氣連接；所述基板采用PCB板； 包封層，用于包封所述芯片和所述基底。
2.封裝如權利要求I所述的電子器件的PCB板，其特征在于所述PCB板的厚度是0.1 2_ 0. 19mm,長度是93mm 94mm,彎曲度是I. 4% I. 6%,鍛Ni的厚度是3 8um,鍛Pd的厚度是0. 05 0. 15um，鍍Au的厚度是0. 05 0. 15um。
3.根據(jù)權利要求2所述的電子器件的PCB板，其特征在于PCB板的厚度是0.13_ 0. 17mm，長度是 93. 5mnT93. 9_，彎曲度是 I. 45% 1. 6%，鍍 Ni 的厚度是 3. 0 5. 5um,鍍Pd的厚度是0. 055 0. 145um，鍍Au的厚度是0. 055 0. 145um。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的電子器件的PCB板，其特征在于PCB板的厚度是0.15_ 0. 16mm，長度是 93. 7mnT93. 9_，彎曲度是 I. 45% 1. 6%，鍍 Ni 的厚度是 3. 0 5. 5um,鍍Pd的厚度是0. 08 0. 15um,鍍Au的厚度是0. 08 0. 15um。
5.制造如權利要求I所述的電子器件的封裝工藝，其特征在于包括晶片切割的步驟； 倒裝鍵合的步驟，溫度150度 200度； 封裝的步驟，壓力0. 05 0. 15Mpa，壓力時間3(T50s，真空時間3(T50s，溫度63度 66度； 硬化的步驟； 激光印刷的步驟； 制品切割的步驟； 電特性測試； 外觀檢查的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種新型電子器件的封裝，包括芯片；基底，以用于固定所述芯片，并使所述芯片與外部電路電氣連接；所述基板采用PCB板；包封層，用于包封所述芯片和所述基底。本發(fā)明的有益效果是實現(xiàn)半導體器件向質(zhì)量更輕、體積更小的方向發(fā)展。
文檔編號H01L21/58GK102956572SQ201210529468
公開日2013年3月6日 申請日期2012年12月10日 優(yōu)先權日2012年12月10日
發(fā)明者周劍 申請人:天津威盛電子有限公司