專利名稱：單晶硅太陽能電池及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及太陽能電池領域，特別涉及一種單晶硅太陽能電池及其制作方法。
背景技術：
太陽能電池利用光電效應將光轉換成電能?；镜奶柲茈姵亟Y構，包括單P-N結、P-1-N/N-1-P結、以及多結結構。典型的單P-N結結構包括:P型摻雜層和N型摻雜層。單P-N結太陽能電池有同質(zhì)結和異質(zhì)結兩種結構:同質(zhì)結結構的P型摻雜層和N型摻雜層都由相似材料(材料的能帶隙相等)構成，異質(zhì)結結構包括具有至少兩層不同帶隙的材料。P-1-N/N-1-P結構包括P型摻雜層、N型摻雜層和夾于P層和N層之間的本征半導體層(未摻雜I層)。多結結構包括具有不同帶隙的多個半導體層，所述多個半導體層互相堆疊。在太陽能電池中，光在P-N結附近被吸收，產(chǎn)生光生電子和光生空穴，所述光生電子和光生空穴擴散進入P-N結并被內(nèi)建電場分開，光生電子被推進N區(qū)，空穴被推進P區(qū)。在PN結兩側形成正、負電荷積累，產(chǎn)生光生電動勢從而生成穿過所述器件和外部電路系統(tǒng)的電流。目前，單晶硅太陽能電池由于其較大的光電轉換效率得到廣泛的生產(chǎn)和應用，單晶硅太陽能電池一般是在P型單晶硅片上摻雜N型離子形成PN結。單晶硅太陽能電池的轉換效率受:到很多因素的影響，有待進一步的提聞。更多關于單晶硅太陽能電池的制作方法請參考公開號為CN102315327A的中國專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種單晶硅太陽能電池及其制作方法，提高單晶硅太陽能電池的轉換效率。為解決上述問題，本發(fā)明的技術方案提出了一種單晶硅太陽能電池的制作方法，包括:提供基片，所述基片為第一類型單晶硅片；對所述基片的表面進行第二類型摻雜，形成第一類型單晶硅層和位于所述第一類型單晶硅層上表面的第二類型單晶硅層；在所述第二類型單晶硅層的表面形成第一應力層；在所述第一應力層表面形成第一電極，在所述第一類型單晶硅層的下表面形成第二電極?？蛇x的，所述第一類型單晶硅層為P型層，所述第二類型單晶硅層為N型層，所述第一應力層具有張應力?？蛇x的，所述第一類型單晶硅層為N型層，所述第二類型單晶硅層為P型層，所述第一應力層具有壓應力?？蛇x的，所述第一應力層包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜?？蛇x的，所述第一應力層的形成工藝包括熱化學氣相沉積或等離子體增強化學氣相沉積。可選的，形成所述具有張應力的第一應力層的形成方法包括:采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，其中，NH2和SiH4作為反應氣體，惰性氣體作為載氣，反應溫度為2000C 500°C，反應壓強為IOOmTorr 200mTorr，并且提供一個功率為IOW 100W，頻率為IOMHz 15MHz的射頻功率源?？蛇x的，形成所述具有壓應力的第一應力層的形成方法包括:采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，其中，NH2和SiH4作為反應氣體，惰性氣體作為載氣，反應溫度為2000C 500°C，反應壓強為IOOmTorr 200mTorr，并且提供一個功率為IOW 100W，頻率為50KHz 500kHz的低頻功率源?？蛇x的,所述第一應力層的厚度為0.5nnTl00nm,所述第一應力層的應力的數(shù)值范圍為 200MPa lOOOMPa?？蛇x的，還包括在第一類型單晶硅層的下表面形成第二應力層?？蛇x的，還包括:在第一應力層表面形成抗反射層之后，再在所述抗反射層表面形成第一電極?？蛇x的，還包括:在第二類型單晶硅層表面形成抗反射層后，再在所述抗反射層表面形成第一應力層?？蛇x的，第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層中，摻雜離子濃度的范圍為IElO/cm3 1E20/cm3。為解決上述問題，本發(fā)明還提出了一種單晶硅太陽能電池，包括:第一類型單晶硅層和位于所述第一類型單晶硅層上表面的第二類型單晶硅層；位于所述第二類型單晶硅層的表面的第一應力層；位于所述第一應力層表面的第一電極；位于第一類型單晶娃層下表面的第二電極?？蛇x的，所述第一類型單晶硅層為P型層，所述第二類型單晶硅層為N型層，所述第一應力層具有張應力?？蛇x的，所述第一類型單晶硅層為N型層，所述第二類型單晶硅層為P型層，所述第一應力層具有壓應力?？蛇x的，所述第一應力層包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜?？蛇x的,所述第一應力層的厚度為0.5nnTl00nm,所述第一應力層的應力的數(shù)值范圍為 200MPa lOOOMPa。可選的，還包括位于第一類型單晶硅層的表面的第二應力層?？蛇x的，還包括:位于所述第一電極和第一應力層之間的抗反射層或者位于所述第二類型單晶硅層和第一應力層之間的抗反射層。可選的，第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層中，摻雜離子濃度的范圍為1E10/cm3 1E20/cm3。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:本發(fā)明的技術方案，在所述單晶硅太陽能電池的第二類型單晶硅層表面形成第一應力層。所述第二類型單晶硅層內(nèi)的載流子在第二類型單晶硅層內(nèi)向第一電極流動的過程中在三維方向內(nèi)作立體運動，所述第二類型單晶硅層表面的第一應力層能夠使第二類型單晶硅層受到應力作用，提高第二類型單晶硅層內(nèi)載流子的遷移率，從而降低光生電子或光生空穴在經(jīng)過PN結后，向第一電極漂移的過程中被復合的幾率，提高到達第一電極處的電子或空穴的數(shù)量，提高太陽能電池的總的電流密度，從而提高單晶硅太陽能電池的轉換效率。進一步的，如果所述第一類型單晶硅層為P型層，第二類型單晶硅層為N型層，則所述第二類型單晶硅層表面的第一應力層具有張應力。所述第二類型單晶硅層內(nèi)的電子在第二類型單晶硅層內(nèi)向第一電極流動的過程中在三維方向內(nèi)作立體運動，所述具有張應力的第一應力層使N型層受到張應力作用，可以提高所述N型層內(nèi)電子的遷移率，從而降低P型層內(nèi)產(chǎn)生的光生電子，在經(jīng)過PN結后，在N型層內(nèi)向第一電極漂移的過程中，被復合的幾率，提高到達第一電極處的電子數(shù)量，從而提高單晶硅薄膜太陽能電池的轉換效率。如果所述第一類型單晶硅層為P型層，第二類型單晶硅層為N型層，則所述第二類型單晶硅層表面的第一應力層具有壓應力。所述第二類型單晶硅層內(nèi)的空穴在第二類型單晶硅層內(nèi)向第一電極流動的過程中在三維方向內(nèi)作立體運動，所述具有壓應力的第一應力層使P型層受到壓應力作用，提高所述P型層內(nèi)空穴的遷移率，從而降低N型層內(nèi)產(chǎn)生的光生空穴，在經(jīng)過PN結后，在P型層內(nèi)向第一電極漂移的過程中，被復合的幾率，提高到達第一電極處的空穴數(shù)量，從而提高單晶硅薄膜太陽能電池的轉換效率。進一步的，本發(fā)明的技術方案還可以在第一類型單晶硅層的下表面形成第二應力層，同時提高第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層內(nèi)的載流子遷移率，進一步提高單晶硅太陽能電池的轉換效率。進一步的，所述第一應力層采用的材料為氧化硅或氮化硅，所述氧化硅或氮化硅薄膜具有較低的折射率系數(shù)，不僅能夠第二類型受到應力作用，還有助于降低單晶硅太陽能電池表面對陽光的反射，提高太陽能電池的吸光率，不用再形成抗反射層，從而可以節(jié)約工藝步驟。


圖1是本發(fā)明的實施例中單晶硅太陽能電池的制作方法的流程示意圖；圖2至圖6是本發(fā)明的實施例中單晶硅太陽能電池的制作方法的剖面示意圖。
具體實施例方式如背景技術中所述，目如單晶娃太陽能電池的轉換效率有待進一步的提聞。研究發(fā)現(xiàn)，光生載流子的復合直接影響太陽能電池的開路電壓。所以載流子在向電極運動的過程中，提高載流子的遷移速率可以有效降低光生載流子的復合率從而提高太陽能電池的轉換效率。本發(fā)明提出了一種單晶硅太陽能電池及其制作方法，在所述單晶硅太陽能電池的第二類型單晶硅層表面形成第一應力層，使第二類型單晶硅層內(nèi)的載流子遷移率得到提聞，從而提聞太陽能電池的轉換效率。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的可實施方式的一部分，而不是其全部。在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發(fā)明的保護范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。根據(jù)所述實施例，本領域的普通技術人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下可獲得的所有其它實施方式，都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。請參考圖1，為本實施例中單晶硅太陽能電池的制作方法的流程示意圖，包括:步驟S1:提供基片，所述基片 為第一類型單晶硅片；步驟S2:對所述基片的表面進行第二類型摻雜，形成第一類型單晶硅層和位于所述第一類型單晶硅層上表面的第二類型單晶硅層；步驟S3:在所述第二類型單晶硅層的表面形成第一應力層；步驟S4:在所述第一應力層表面形成抗反射層；步驟S5:在所述抗反射層表面形成第一電極，在第一類型單晶硅層的下表面形成第二電極。請參考圖2，提供基片100，所述基片100為第一類型單晶硅片。具體的，所述基片100為P型單晶硅片或N型單晶硅片，本實施例中采用的基片為P型單晶硅片，后續(xù)在所述P型單晶硅片上進行N摻雜，形成N型層。在本發(fā)明的其他實施例中，所述基片也可以選用N型單晶硅片，后續(xù)在所述N型單晶硅片上進行P摻雜，形成P型層。所述P型單晶片是在形成硅片的時候?qū)λ龉杵M行硼離子摻雜，還可以是對所述硅片進行硼、鎵或銦中的一種或幾種離子的摻雜。所述基片的摻雜離子的濃度范圍為ΙΕΙΟ/cm3 lE20/cm3。請參考圖3，對所述基片100 (請參考圖1)的表面進行第二類型摻雜，形成第一類型單晶硅層101和位于所述第一類型單晶硅層101上表面的第二類型單晶硅層102。具體的，如果所述基片100為P型單晶硅片，則對所述基片進行N型摻雜，形成的第一類型單晶硅層101為P型層，位于所述第一類型單晶硅層101上表面的第二類型單晶硅層102為N型層；如果所述基片為N型單晶硅片，則對所述基片進行P型摻雜，形成的第一類型單晶硅層101為N型層，位于所述第一類型單晶硅層101上表面的第二類型單晶硅層102為P型層。本實施例中，所述基片100為P型單晶硅片，所以對所述基片進行N型摻雜，形成的第一類型單晶硅層101為P型層，第二類型單晶硅層102為N型層，所述P型層和N型層相互接觸，形成PN結。本實施例中，所述N型摻雜的離子為磷。具體方法為:把基片放在管式擴散爐石英容器內(nèi)，在850°C、00°C高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和硅片反應，得到磷原子。經(jīng)過一段時間，磷原子從四周進入基片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向基片內(nèi)部滲透擴散，形成N型層和P型層的交界面，也就是PN結。在本發(fā)明的其他實施例中，所述N型摻雜離子還可以是磷、砷或銻中的一種或幾種。所述第二類型單晶硅層102的摻雜離子的濃度范圍為lE10/cnTlE20/cm3，形成的PN結結深為
0.3 μ m^0.5 μ m0所述N型擴散的深度不能太厚，因為擴散需要濃度梯度才會使得雜質(zhì)向基片內(nèi)擴散。如果所述擴散形成的PN結太深，會造成表面處嚴重的能級簡并，使得太陽能電池的開壓下降，電池效率下降。在本發(fā)明的其他實施例中，也可以將N型單晶硅片作為基片，對所述N型單晶硅片進行P型離子摻雜，形成P型層。所述P型摻雜離子包括硼、鎵或銦中的一種或幾種離子。P型離子擴散形成的P型層中，摻雜濃度范圍為lE10/CnTlE20/Cm3，形成的PN結結深為 0.3 μ m 0.5 μ m。
本實施例中，由于光生電子由第一類型單晶硅層101向第二類型單晶硅層102做漂移運動，光生空穴由第二類型單晶硅層102向第一類型單晶硅層101做運動。因為電子質(zhì)量比空穴質(zhì)量小得多，所以相同時間電子比空穴運動的路程要長，如果第一類型單晶硅層101厚度小于第二型單晶硅層102的厚度，空穴還沒有運動到第一類型單晶硅層就會被復合掉，所以第一類型單晶硅層101的厚度大于第二類型單晶硅層102的厚度。在對所述基片進行第二類型摻雜之前，首先對所述基片進行清洗，去除基片表面的雜質(zhì)，從而避免雜質(zhì)影響單晶硅太陽能電池的性能。在清洗之后，還可以對所述基片表面制備絨面，用堿溶液對基片表面進行各向異性腐蝕，在所述基片表面形成絨面，所述絨面能夠提高基片表面和太陽光的接觸面積并且減少太陽光的反射。制備絨面之后，再進 行第二類型摻雜。請參考圖4，在所述第二類型單晶硅層102表面形成第一應力層103。在所述第二類型單晶硅層102表面，形成第一應力層103，所述第一應力層103包括氮化硅薄膜、氧化硅薄膜等透明不導電的薄膜。所述第一應力層103的形成工藝可以是等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)或熱化學氣相沉積。本實施例中，所述第二類型單晶硅層102為N型層，在所述N型層表面形成具有張應力的第一應力層103。本實施例中，所述第一應力層103為氮化硅薄膜，采用的形成工藝是等離子體增強化學氣相沉積，其中，反應氣體為NH2和SiH4,利用Ar等惰性氣體作為載氣，SiH4和NH2的氣體流量比為0.Γ4,反應溫度為200°C飛00°C，反應壓強為IOOmTorr 200mTorr，并且提供一個功率為IOW 100W的射頻功率源，頻率為
13.56MHzο所述第一應力層103的厚度為0.5nnTl00nm，具有張應力，張應力數(shù)值范圍為200MPa lOOOMPa。所述第二類型單晶硅層內(nèi)102內(nèi)的電子在向第一電極流動的過程中，在三維方向內(nèi)作立體運動。所述具有張應力的第一應力層103使N型層受到水平面內(nèi)的張應力的作用，使N型層內(nèi)電子的遷移率得到提高，從而降低光生電子經(jīng)過PN結后在N型層內(nèi)漂移過程中被復合的幾率，提高到達第一電極處的電子數(shù)量，提高太陽能電池的總的電流密度，從而提高太陽能電池的轉換效率。在本發(fā)明的其他實施例中，所述第二類型單晶硅層102也可以是P型層，在所述P型層表面形成具有壓應力的第一應力層103。所述具有壓應力的第一應力層包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，所述具有壓應力的第一應力層的形成工藝包括等離子體增強化學氣相沉積或者熱化學氣相沉積。在本發(fā)明的一個實施例中，所述具有壓應力的第一應力層為氮化硅薄膜，采用的形成工藝為等離子體增強化學氣相沉積，其中，反應氣體為NH2和SiH4，利用Ar等惰性氣體作為載氣，SiH4和NH2的氣體流量比為0.Γ4,反應溫度為200°C 500°C，反應壓強為IOOmTorr 200mTorr，提供一個功率為IOW 100W的低頻功率源，頻率為IOOKHz。所述第一應力層的厚度為0.5nnTl00nm，具有壓應力，壓應力的數(shù)值范圍為200MPa lOOOMPa。所述第二類型單晶硅層內(nèi)的空穴在第二類型單晶硅層內(nèi)向第一電極流動的過程中，在三維方向內(nèi)作立體運動，所述具有壓應力的第一應力層，使P型層受到水平面內(nèi)的壓應力的作用，使P型層內(nèi)光生空穴的遷移率得到提高，從而降低光生空穴在經(jīng)過PN結后，在P型層內(nèi)漂移過程中被復合的幾率，提高到達第一電極處的空穴數(shù)量，從而提高太陽能電池的轉換效率。
在本發(fā)明的其他實施例中，還可以在第一類型單晶硅層表面形成第一應力層，在第二類型單晶硅層的下表面形成第二應力層，使第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層均受到應力作用，同時提高第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層內(nèi)載流子的遷移率，進一步提聞太陽能電池的轉換效率。請參考圖5,在所述第一應力層103表面形成抗反射層104。所述抗反射層104為低折射率系數(shù)的透明材料，例如Ti02、SiN、Si0、Al203、Si02或CeO2等。具體的，可以采用PECVD、磁控濺射或電子束蒸發(fā)等方法形成所述抗反射層104，所述抗反射層104的厚度范圍為500Α ι oooA。在本發(fā)明的其他實施例中，由于所述第一應力層103所采用的氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜具有較低的折射率系數(shù)，可以降低對陽光的反射，可以作為第二類型單晶硅層表面的抗反射層，提高太陽能電池對太陽光的吸收率。所以可以不用再額外形成所述抗反射層104，從而可以減少工藝步驟。在本發(fā)明的其他實施例中，也可以在第二類型單晶硅層102表面先形成抗反射層，然后再在所述抗反射層表面形成第一應力層，所述抗反射層104除了抗反射的作用外，還可以對第二類型單晶硅層表面起到鈍化表面的作用，降低載流子的復合率。由于所述抗反射層的厚度較低，所以第二類型單晶硅層同樣可以受到第一應力層的應力作用，提高載流子的遷移率。請參考圖6,在所述抗反射層104表面形成第一電極105,在第一類型單晶娃層101的下表面形成第二電極106。形成所述第一電極105和第二電極106的具體工藝對于本領域的技術人員是熟知的，在此不再贅述。根據(jù)上述制作方法，本發(fā)明的實施例還提供了一種采用上述制作方法形成的單晶硅太陽能電池。請參考圖6，為本發(fā)明實施例提供的單晶硅太陽能電池的剖面示意圖。具體的，包括:第一類型單晶硅層101和位于所述第一類型單晶硅層101上表面的第二類型單晶硅層102 ;位于所述第二類型單晶硅層102表面的第一應力層103 ;位于所述具有張應力的第一應力層103表面的抗反射層104 ;位于所述抗反射層104表面的第一電極105和位于所述第一類型單晶娃層101下表面的第二電極106。所述第一類型單晶硅層101為P型層，離子摻雜濃度為lE10/cnTlE20/cm3，摻雜離子包括硼、鎵或銦中的一種或幾種；所述第二類型單晶硅層102為N型層，離子摻雜濃度為lE10/CnTlE20/Cm3，摻雜離子包括磷、砷或銻中的一種或幾種。所述第一應力層103包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，厚度為0.5nnTl00nm，應力的數(shù)值范圍為200MPa lOOOMPa。所述抗反射層的材料為TiO2、SiN、SiO、A1203、SiO2或CeO2。在本發(fā)明的其他實施例中，所述抗反射層可以位于第一應力層103第二類型單晶硅層102之間。在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一類型單晶硅層101的下表面和第二電極106之間具有第二應力層，使第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層均受到應力作用，同時提高第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層內(nèi)載流子的遷移率，提高太陽能電池的總的電流密度，進一步提高太陽能電池的轉換效率。 通過上述實施例的說明，應能使本領域?qū)I(yè)技術人員更好地理解本發(fā)明，并能夠再現(xiàn)和使用本發(fā)明。本領域的專業(yè)技術人員根據(jù)本文中所述的原理可以在不脫離本發(fā)明的實質(zhì)和范圍的情況下對上述實施例作各種變更和修改是顯而易見的。因此，本發(fā)明不應被理解為限制于本文所示的上述實施例，其保護范圍應由所附的權利要求書來界定。
權利要求
1.一種單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括: 提供基片，所述基片為第一類型單晶硅片； 對所述基片的表面進行第二類型摻雜，形成第一類型單晶硅層和位于所述第一類型單晶硅層上表面的第二類型單晶硅層； 在所述第二類型單晶硅層的表面形成第一應力層； 在所述第一應力層表面形成第一電極，在所述第一類型單晶硅層的下表面形成第二電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一類型單晶硅層為P型層，所述第二類型單晶硅層為N型層，所述第一應力層具有張應力。
3.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一類型單晶硅層為N型層，所述第二類型單晶硅層為P型層，所述第一應力層具有壓應力。
4.根據(jù)權利要求2所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述具有張應力的第一應力層的形成方法包括:采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，其中，NH2和SiH4作為反應氣體，惰性氣體作為載氣，反應溫度為200°C飛00°C，反應壓強為IOOmTorr 200mTorr，并且提供一個功率為IOW 100W，頻率為IOMHz 15MHz的射頻功率源。
5.根據(jù)權利要求3所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述具有壓應力的第一應力層的形成方法包括:采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，其中，NH2和SiH4作為反應氣體，惰性氣體作為載氣，反應溫度為200°C飛00 °C，反應壓強為IOOmTorr 200mTorr，并且提供一個功率為IOW 100W，頻率為50KHz 500kHz的低頻功率源。
6.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一應力層包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜。
7.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一應力層的形成工藝包括熱化學氣相沉積或等離子體增強化學氣相沉積。
8.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一應力層的厚度為0.5nnTl00nm，所述第一應力層的應力的數(shù)值范圍為200MPa lOOOMPa。
9.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括在第一類型單晶硅層的下表面形成第二應力層。
10.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括:在第一應力層表面形成抗反射層之后，再在所述抗反射層表面形成第一電極。
11.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括:在第二類型單晶硅層表面形成抗反射層后，再在所述抗反射層表面形成第一應力層。
12.根據(jù)權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層中，摻雜離子濃度的范圍為lE10/cnTlE20/cm3。
13.一種單晶硅太陽能電池， 其特征在于，包括: 第一類型單晶硅層和位于所述第一類型單晶硅層上表面的第二類型單晶硅層； 位于所述第二類型單晶硅層的表面的第一應力層； 位于所述第一應力層表面的第一電極； 位于第一類型單晶硅層下表面的第二電極。
14.根據(jù)權利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，所述第一類型單晶硅層為P型層，所述第二類型單晶硅層為N型層，所述第一應力層具有張應力。
15.根據(jù)權利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，所述第一類型單晶硅層為N型層，所述第二類型單晶硅層為P型層，所述第一應力層具有壓應力。
16.根據(jù)權利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，所述第一應力層包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜。
17.根據(jù)權利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，所述第一應力層的厚度為0.5nnTl00nm，所述第一應力層的應力的數(shù)值范圍為200MPa lOOOMPa。
18.根據(jù)權利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，還包括位于第一類型單晶硅層的下表面的第二應力層。
19.根據(jù)權利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，還包括:位于所述第一電極和第一應力層之間的抗反射層或者位于所述第二類型單晶硅層和第一應力層之間的抗反射層。
20.根據(jù)權利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層中，摻雜離子濃度的范圍為IE 10/cnTlE20/cm3。
全文摘要
一種單晶硅太陽能電池及其制作方法，所述單晶硅太陽能電池的制作方法包括提供基片，所述基片為第一類型單晶硅片；對所述基片的表面進行第二類型摻雜，形成第一類型單晶硅層和位于所述第一類型單晶硅層上表面的第二類型單晶硅層；在所述第二類型單晶硅層的表面形成第一應力層；在所述第一應力層表面形成第一電極，在所述第一類型單晶硅層的下表面形成第二電極。所述單晶硅太陽能電池的制作方法能夠有效提高單晶硅太陽能電池中載流子的遷移率，提高單晶硅太陽能電池的轉換效率。
文檔編號H01L31/18GK103107237SQ20121052974
公開日2013年5月15日 申請日期2012年12月6日 優(yōu)先權日2012年12月6日
發(fā)明者楊瑞鵬, 張開軍, 付建明, 溫顯 申請人:杭州賽昂電力有限公司