半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法。該半導(dǎo)體處理裝置，包括一處理室、一基座及一噴頭。基座位于處理室中并用以承載半導(dǎo)體晶圓。噴頭用以供應(yīng)處理氣體至處理室。本發(fā)明同時還提供了一種處理半導(dǎo)體晶圓的方法。
【專利說明】半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法，特別是涉及一種用于改善半導(dǎo)體晶圓上材料沉積及/或濃度的均勻性的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在制造可靠的集成電路時，一個重要的要素是均勻地處理半導(dǎo)體晶圓。若在處理步驟中施加至晶圓上的處理不均勻，整個晶圓上材料的沉積厚度或濃度(例如，硼(BOTon)、磷(Phosphorus)、氮(Nitrogen)或其他摻雜物濃度)可能會產(chǎn)生不同。這些差異可能導(dǎo)致裝置的缺陷或需要額外的處理步驟來矯正。舉例來說，若沉積不均勻，可能需要進(jìn)行較長或較侵略性的化學(xué)機(jī)械平坦化(chemical mechanical planarization, CMP)步驟。在其他例子中，若指定特定硼、氮、磷、氮或其他摻雜物濃度時，非均勻的濃度可能使晶圓某些位置無法運(yùn)作，或成為不良品，導(dǎo)致較低的產(chǎn)量及較高的設(shè)備成本。隨著半導(dǎo)體裝置尺寸的減少、晶圓尺寸的增加及較高產(chǎn)量的需求，這些差異將成為一個重要的議題，因此期望能改善均勻性。[0003]由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法存在的缺陷，而提供一種新的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法，所要解決的技術(shù)問題是改善大尺寸晶圓的厚度均勻度，使鍍膜從邊緣至中心位置具有均勻的厚度分布，非常適于實用。
[0005]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體處理裝置包括一處理室、一基座及一噴頭。基座位于處理室內(nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓。噴頭用以供應(yīng)處理氣體至處理室。噴頭具有多個可調(diào)節(jié)的出口，用以供應(yīng)一種或多種處理氣體至處理室。
[0006]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
[0007]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些可調(diào)節(jié)出口可個別調(diào)節(jié)。
[0008]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些處理氣體可個別調(diào)節(jié)。
[0009]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該噴頭包括一出口群，該出口群的出口數(shù)少于該噴頭的該些出口的總數(shù)，且該出口群可視為一組同時調(diào)節(jié)。
[0010]前述的半導(dǎo)體處理裝置，還包括多個閥，連接于一處理供應(yīng)線路及該噴頭的該些出口之間，其中該些閥控制經(jīng)由該些出口至該處理室的該些處理氣體的供應(yīng)。
[0011]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些閥為可變閥，用以控制氣體流量。
[0012]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些出口包括至少一內(nèi)出口以及位于該內(nèi)出口周圍的一外出口。
[0013]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中當(dāng)該處理氣體通過該噴頭的該些出口時，該基座可旋轉(zhuǎn)。
[0014]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體處理裝置包括一處理室、一基座及一噴頭?；挥谔幚硎覂?nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓。噴頭用以供應(yīng)處理氣體至處理室。當(dāng)氣體通過噴頭時，基座可旋轉(zhuǎn)。
[0015]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
[0016]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該基座能以不同的速度旋轉(zhuǎn)。
[0017]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中還包括一馬達(dá)，該馬達(dá)與該基座連接并用于旋轉(zhuǎn)該基座。
[0018]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該馬達(dá)為一可變速馬達(dá)。
[0019]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該噴頭包括多個可個別調(diào)節(jié)的出口，該些出口供應(yīng)一種或多種該處理氣體至該處理室。
[0020]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些出口包括至少一內(nèi)出口以及位于該內(nèi)出口周圍的一外出口。
[0021]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體處理裝置包括一處理室、一基座及一噴頭。基座位于處理室內(nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓。噴頭用以供應(yīng)處理氣體至處理室。噴頭具有多個可調(diào)節(jié)的出口，用以供應(yīng)一個或多個處理氣體至處理室。當(dāng)氣體通過噴頭的出口時，基座可旋轉(zhuǎn)。
[0022]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
[0023]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些可調(diào)節(jié)的出口可個別調(diào)節(jié)。
[0024]前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些出口包括至少二個出口，設(shè)置為一內(nèi)出口及位于該內(nèi)出口周圍的一外出口。
[0025]前述的半導(dǎo)體處理裝置，還包括:多個可變閥，連接于一處理供應(yīng)線路及該噴頭的該些出口之間，其中該些可變閥調(diào)節(jié)處理氣體經(jīng)由該些出口至該處理室的總量，該基座能以不同的速度旋轉(zhuǎn)。
[0026]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種處理半導(dǎo)體晶圓的方法包括:提供一半導(dǎo)體晶圓于基座上；供應(yīng)一處理氣體至半導(dǎo)體晶圓，以施行一處理步驟；以及調(diào)節(jié)處理氣體至半導(dǎo)體晶圓的供應(yīng)，以改善處理步驟的均勻性。
[0027]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
[0028]前述的處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其中調(diào)節(jié)步驟包括當(dāng)該處理氣體供應(yīng)至該半導(dǎo)體晶圓時，旋轉(zhuǎn)該基座。
[0029]前述的處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其中供應(yīng)該處理氣體的步驟包括通過一噴頭供應(yīng)該處理氣體，該噴頭包括多個可調(diào)節(jié)的出口，用以供應(yīng)該處理氣體。
[0030]前述的處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其中調(diào)節(jié)步驟包括調(diào)節(jié)該噴頭的該些出口。[0031 ] 前述的處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其中該些出口包括至少一內(nèi)出口及位于該內(nèi)出口周圍的一外出口。
[0032]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法至少具有下列優(yōu)點及有益效果:本發(fā)明改善了大尺寸晶圓的厚度均勻度，使鍍膜從邊緣至中心位置具有均勻的厚度分布。
[0033]綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法。該半導(dǎo)體處理裝置，包括一處理室、一基座及一噴頭。基座位于處理室中并用以承載半導(dǎo)體晶圓。噴頭用以供應(yīng)處理氣體至處理室。本發(fā)明同時還提供了一種處理半導(dǎo)體晶圓的方法。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。
[0034]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]圖1是本發(fā)明一示范性處理室的內(nèi)部的側(cè)面透視示意圖。
[0036]圖2是本發(fā)明一示范性噴頭的仰視圖。
[0037]圖3A是本發(fā)明一示范性沉積厚度的示意圖。
[0038]圖3B是本發(fā)明一示范性沉積厚度的示意圖。
[0039]圖4是本發(fā)明一示范性處理室的內(nèi)部的側(cè)面透視示意圖。
[0040]圖5是本發(fā)明一示范性噴頭的仰視圖。
[0041]圖6是本發(fā)明一示范性噴頭的仰視圖及一示范性氣流系統(tǒng)的方框圖。
[0042]圖7是本發(fā)明一示范性噴頭的仰視圖及一示范性氣流系統(tǒng)的方框圖。
[0043]圖8是本發(fā)明一不范性處理系統(tǒng)的系統(tǒng)圖。
[0044]圖9是本發(fā)明一不范性處理系統(tǒng)的系統(tǒng)圖。
[0045]圖10是本發(fā)明一示范性校準(zhǔn)處理的流程圖。
[0046]10:處理室
[0047]12:噴頭
[0048]14:基座
[0049]16:擴(kuò)散器
[0050]20:半導(dǎo)體晶圓
[0051]100:處理裝置
[0052]110:處理室
[0053]112:多噴頭
[0054]114:旋轉(zhuǎn)基座
[0055]122、122a、122b、122c、122d:出口
[0056]130a、130b、130c:同心區(qū)域
[0057]132:氣體箱
[0058]134a、134b、134c、136a、136b、136c、138a、138b、138c:線路
[0059]140、158a、158b、158c:出口[0060]150:控制器
[0061]151:記憶體
[0062]152a、152b、152c:供應(yīng)閥
[0063]153:馬達(dá)
[0064]154a、154b、154c:氣體供應(yīng)源
[0065]l56a、l56b、I56C:供應(yīng)閥
[0066]160:接合處
[0067]S1-S6:步驟
【具體實施方式】
[0068]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法其【具體實施方式】、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0069]有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過【具體實施方式】的說明，應(yīng)當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0070]請參閱圖1所示，是本發(fā)明一示范性處理室的內(nèi)部的側(cè)面透視示意圖。處理室10包括噴頭12及基座14。噴頭12運(yùn)送處理氣體(例如四乙基原硅酸鹽(Tetraethyl orthosilicate, TE0S)、三乙基硼(Triethylborane, TEB)及憐酸三乙酯(TriEthylPhosphate, ΤΕΡ0)混合物)至處理室10。如圖2所示，圖2是本發(fā)明一示范性噴頭的仰視圖。噴頭12可具有擴(kuò)散器16用以散布?xì)怏w流。擴(kuò)散器16是一個靜態(tài)不可調(diào)節(jié)的裝置，連接于單一控制的氣體供應(yīng)源，此氣體供應(yīng)源依序供應(yīng)氣體至噴頭12。
[0071]一處理步驟中，基座14固定于處理室10中，并承載半導(dǎo)體晶圓20在固定的位置。在移動晶圓20至處理室10時，基座14是可移動的，但在半導(dǎo)體處理過程中基座保持靜態(tài)且不移動。
[0072]圖3A是本發(fā)明一示范性沉積厚度的示意圖。其繪示了在處理室10內(nèi)的沉積步驟后，整個晶圓沉積厚度的一范例。在此例子中，沉積步驟為氧化物沉積，例如是二氧化硅(Si02)沉積。值得注意的是，在給定的半徑下有多種不同厚度的氧化物。舉例來說，在給定半徑圓周的晶圓中，左下角附近氧化物的厚度比上部附近的厚度厚。
[0073]圖3B是本發(fā)明一示范性沉積厚度的示意圖。其繪示了從晶圓中心的不同徑向距離的沉積厚度。在晶圓的邊緣附近(圖的右端)，氧化物的平均厚度實質(zhì)上大于晶圓中心附近(圖的左端)氧化物的平均厚度。在晶圓中心至邊緣之間的平均厚度是非均勻性的。此種中心至邊緣之間的非均勻性已成為一個重要的問題，且由于現(xiàn)今半導(dǎo)體工藝使用較大尺寸的晶圓，比以往較小尺寸的晶圓更難以在小視窗中控制。從這些圖中可以看出沉積厚度并不均勻且變化超過1000埃(A) ?因此，晶圓內(nèi)(within wafer, WIW)的均勻性并不佳。
[0074]圖4是本發(fā)明一示范性處理室的內(nèi)部的側(cè)面透視示意圖。其繪示了處理裝置100的一實施例，處理裝置100可以改善沉積物或處理氣體濃度的均勻性。處理裝置100包括處理室110。處理室110包括多噴頭112及旋轉(zhuǎn)基座114。如圖5所示，圖5是本發(fā)明一示范性噴頭的仰視圖。多噴頭112包括多個出口 122a、122b、122c、122cl...(統(tǒng)稱出口 122)。多個出口 122用以提供處理氣體更好的運(yùn)送調(diào)節(jié)，從而控制鋪在晶圓上的沉積物或濃度的均勻性。在處理步驟中旋轉(zhuǎn)基座114可旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)基座114的旋轉(zhuǎn)，使得鋪在晶圓上的沉積物或濃度的均勻性能得到控制。在沉積過程中旋轉(zhuǎn)晶圓，使給定半徑圓周上的均勻性更佳。
[0075]可理解的是，一些實施例可包括多噴頭112及旋轉(zhuǎn)基座114其中之一。也就是說，一些實施例可包括多噴頭112，一些實施例可包括旋轉(zhuǎn)基座114，及一些實施例可包括多噴頭112及旋轉(zhuǎn)基座114兩者。
[0076]出口數(shù)目及調(diào)節(jié)出口 122的方式有多種。此些出口可被個別調(diào)節(jié)或以群來調(diào)節(jié)。舉例來說，如圖6所示，圖6是本發(fā)明一示范性噴頭的仰視圖及一示范性氣流系統(tǒng)的方框圖。此些出口 122可區(qū)分為同心區(qū)域130a、130b及130c。
[0077]同心區(qū)域130a、130b及130c使得晶圓邊緣與中心之間處理氣體的分布得以調(diào)整，同時保持相對簡單更符合成本效益。結(jié)合能改善給定的徑向距離均勻性的旋轉(zhuǎn)基座，以及能改善不同半徑上均勻性的同心圓配置，進(jìn)而協(xié)同地改善整個晶圓的均勻性。
[0078]每個同心區(qū)域130a、130b及130c可個別供應(yīng)處理氣體，例如從氣體箱132經(jīng)由線路134a、134b、134c、136a、136b、136c、138a、138b及138c的四乙基原硅酸鹽，三乙基硼及磷酸三乙酯。線路134a供應(yīng)第一處理氣體至區(qū)域130a，線路136b提供第二處理氣體至區(qū)域130b，及線路138c供應(yīng)第三處理氣體至區(qū)域130c。在此方式中，各處理氣體可在各同心區(qū)域130a、130b及130c中個別調(diào)節(jié)。在一些實施例中，處理氣體可作為混合氣體供應(yīng)至此些同心區(qū)域130a、130b及130c，以減少調(diào)節(jié)閥所需數(shù)目。
[0079]請參閱圖7所示，是本發(fā)明一示范性噴頭的仰視圖及一示范性氣流系統(tǒng)的方框圖。在一些實施例中，多噴頭112的各出口 140a...140s (統(tǒng)稱出口 140)可個別調(diào)節(jié)。為了簡化，在出口 140中僅繪示三個線路，但線路可個別連結(jié)至所有的出口 140。
[0080]請參閱圖8所示，是本發(fā)明一示范性處理系統(tǒng)的系統(tǒng)圖。處理裝置100可以控制器150控制，以便執(zhí)行處理步驟?？刂破?50可包括記憶體151，用于存儲校準(zhǔn)信息及處理指令?？刂破?50可為特定用途的處理器/電腦，或為編程為執(zhí)行控制功能的一般處理器?？刂破饕部蔀殡娔X可執(zhí)行的指令，當(dāng)藉由處理器執(zhí)行時，使處理器執(zhí)行控制器的功能。電腦可執(zhí)行的指令可存儲于一個或多個電腦可讀媒體(computerreadable mediums,例如RAM、ROM等)的整體或部分。
[0081]控制器150連接至馬達(dá)153，用以控制旋轉(zhuǎn)基座114的旋轉(zhuǎn)?？刂破?50連接至供應(yīng)閥152a、152b及152c (統(tǒng)稱供應(yīng)閥152)，用以分別調(diào)節(jié)來自氣體供應(yīng)源154a、154b及154c (統(tǒng)稱氣體供應(yīng)源154)的氣體的供應(yīng)。控制器150連接至供應(yīng)閥156a、156b及156c(統(tǒng)稱供應(yīng)閥156)，用以分別控制多噴頭112的出口 158a、158b及158c (統(tǒng)稱出口 158)的氣體供應(yīng)。供應(yīng)閥156a、156b及156c各包括一個閥，以個別調(diào)節(jié)一種供應(yīng)氣體。也就是說，若有三個氣體供應(yīng)源及三個多噴頭的出口，供應(yīng)閥156a、156b及156c包括9個閥。各區(qū)域中的各供應(yīng)氣體可獨立控制，使得在工藝中的控制更佳。舉例來說，可量測晶圓中與供應(yīng)氣體其中之一相關(guān)的元素濃度非理想的區(qū)域。操作此供應(yīng)氣體在晶圓上此區(qū)域，達(dá)成更佳的工藝控制。此些閥152、156及氣體供應(yīng)源154、出口 158可提供不同的氣體流或分開控制開/關(guān)。[0082]請參閱圖9所示，是本發(fā)明一示范性處理系統(tǒng)的系統(tǒng)圖。源自氣體供應(yīng)源154a、154b、154c的線路在接合處160連通，用以供應(yīng)混合氣體至單一供應(yīng)閥156a、156b及156c。接合處160可設(shè)計為用以混合供應(yīng)氣體的腔室，也可為一管道或其他結(jié)構(gòu)。此外，此些供應(yīng)氣體在到達(dá)供應(yīng)閥156之前，部分可在一處混合，而其他部分的則在另一處混合。
[0083]相比較于圖8所繪示的處理裝置，圖9的處理裝置具有較少的閥及較少的供應(yīng)線路，提供了較簡單及較低成本的配置及安裝。當(dāng)混合供應(yīng)氣體的同質(zhì)性比起個別調(diào)節(jié)混合供應(yīng)氣體更為重要時，圖9的處理裝置更為適合。
[0084]圖8及圖9所繪示的實施例僅為示范性，其各種組合是可預(yù)期的。供應(yīng)閥及供應(yīng)線路實際的配置與數(shù)量是依據(jù)處理裝置的特定設(shè)計目標(biāo)。
[0085]圖10是本發(fā)明一示范性校準(zhǔn)處理的流程圖。其敘述了處理裝置100的校準(zhǔn)方法。在步驟SI中，加載晶圓至處理裝置100中，例如藉由定位基座114在操作位置，或藉由放置晶圓至基座114上。在步驟S2中，執(zhí)行例如是沉積氧化物的處理步驟。在步驟S3中，量測上述處理步驟的均勻性。舉例來說，當(dāng)處理步驟是沉積時，可量測沉積的厚度。在步驟S4中，判斷均勻性是否可接受。若否，則工藝前進(jìn)至步驟S5。若是，則工藝前進(jìn)至步驟S6。
[0086]在步驟S5中，處理步驟為調(diào)整。舉例來說，可減少流經(jīng)厚區(qū)域中的多噴頭氣流，可增加流至薄區(qū)域中的多噴頭氣流，以及可增加或降低旋轉(zhuǎn)基座的旋轉(zhuǎn)。然后繼續(xù)實行步驟SI。
[0087]在步驟S6中，校準(zhǔn)信息(例如，流經(jīng)多噴頭各區(qū)域的氣流、旋轉(zhuǎn)基座的旋轉(zhuǎn)等)被儲存并完成工藝。
[0088]校準(zhǔn)信息儲存后，可作為參考，以改善經(jīng)由處理裝置施行的處理工藝的均勻性。
[0089]上述半導(dǎo)體處理裝置的示范性優(yōu)點，包括改良一種應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓上處理的濃度或厚度的均勻性。此半導(dǎo)體處理裝置可用于沉積氧化物及其它薄膜(例如氮化硅(SiN)、
二氧化硅(Si02)等)，以及調(diào)節(jié)處理工藝中硼(B)、磷(P)、氮(N)及其他摻雜物的濃度。
[0090]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其包括: 一處理室； 一基座，位于該處理室內(nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓；以及 一噴頭，用以供應(yīng)一處理氣體至該處理室，該噴頭具有多個可調(diào)節(jié)出口，用以供應(yīng)一種或多種處理氣體至該處理室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該些可調(diào)節(jié)出口可個別調(diào)節(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該些處理氣體可個別調(diào)節(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該噴頭包括一出口群，該出口群的出口數(shù)少于該噴頭的該些出口的總數(shù)，且該出口群可視為一組同時調(diào)節(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其還包括多個閥，連接于一處理供應(yīng)線路及該噴頭的該些出口之間，其中該些閥控制經(jīng)由該些出口至該處理室的該些處理氣體的供應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該些閥為可變閥，用以控制氣體流量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該些出口包括至少一內(nèi)出口以及位于該內(nèi)出口周圍的一外出口。`
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中當(dāng)該處理氣體通過該噴頭的該些出口時，該基座可旋轉(zhuǎn)。
9.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其包括: 一處理室； 一基座，位于該處理室內(nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓；以及 一噴頭，用以供應(yīng)一處理氣體至該處理室，其中當(dāng)該處理氣體通過該噴頭時，該基座可旋轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該基座能以不同的速度旋轉(zhuǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其還包括一馬達(dá)，該馬達(dá)與該基座連接并用于旋轉(zhuǎn)該基座。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該馬達(dá)為一可變速馬達(dá)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該噴頭包括多個可個別調(diào)節(jié)的出口，該些出口供應(yīng)一種或多種該處理氣體至該處理室。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該些出口包括至少一內(nèi)出口以及位于該內(nèi)出口周圍的一外出口。
15.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其包括: 一處理室； 一基座，位于該處理室內(nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓；以及 一噴頭，用以供應(yīng)一處理氣體至該處理室，該噴頭具有多個可調(diào)節(jié)的出口，該些出口供應(yīng)一種或多種該處理氣體至該處理室，其中當(dāng)該處理氣體通過該噴頭的該些出口時，該基座可旋轉(zhuǎn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該些可調(diào)節(jié)的出口可個別調(diào)節(jié)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其中該些出口包括至少二個出口，設(shè)置為一內(nèi)出口及位于該內(nèi)出口周圍的一外出口。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于其還包括: 多個可變閥，連接于一處理供應(yīng)線路及該噴頭的該些出口之間，其中該些可變閥調(diào)節(jié)處理氣體經(jīng)由該些出口至該處理室的總量，該基座能以不同的速度旋轉(zhuǎn)。
19.一種處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于其包括以下步驟: 提供一半導(dǎo)體晶圓于一基座上； 供應(yīng)一處理氣體至該半導(dǎo)體晶圓，以實施一處理步驟；以及 調(diào)節(jié)該處理氣體至該半導(dǎo)體晶圓的供應(yīng)，以改善該處理步驟的均勻性。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于其中調(diào)節(jié)步驟包括當(dāng)該處理氣體供應(yīng)至該半導(dǎo)體晶圓時，旋轉(zhuǎn)該基座。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于其中供應(yīng)該處理氣體的步驟包括通過一噴頭供應(yīng)該處理氣體，該噴頭包括多個可調(diào)節(jié)的出口，用以供應(yīng)該處理氣體。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所 述的處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于其中調(diào)節(jié)步驟包括調(diào)節(jié)該噴頭的該些出口。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于其中該些出口包括至少一內(nèi)出口及位于該內(nèi)出口周圍的一外出口。
【文檔編號】H01L21/02GK103871815SQ201210532591
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月11日
【發(fā)明者】羅興安 申請人:旺宏電子股份有限公司