專利名稱：一種基板制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基板制備方法。
背景技術(shù)：
目前，在半導(dǎo)體加工，特別是液晶顯示裝置的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板等基板的制備工藝中，都是在一些防護(hù)層的平滑表面沉積金屬層，然后對(duì)金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，如曝光顯影、濕法刻蝕等來形成所需要的圖形，濕法刻蝕具有穩(wěn)定性好，工藝簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
如圖1所示，金屬層2沉積于防護(hù)層I的平滑表面上，沉積均勻的金屬層2的底面在防護(hù)層I的平滑表面上密度均勻，在對(duì)金屬層2的濕法刻蝕過程中，首先對(duì)金屬層2中沒有光刻膠3保護(hù)的位置進(jìn)行刻蝕，刻蝕之后還需要對(duì)有光刻膠3保護(hù)的金屬層2的位置進(jìn)行適當(dāng)時(shí)間的過刻，以保證將金屬層2中需要刻蝕的金屬全部刻蝕掉，得到如圖2所示的圖形。由于金屬層2沉積于防護(hù)層I的平滑表面上，導(dǎo)致進(jìn)行過刻時(shí)，刻蝕液只能通過金屬的上表面以及周面進(jìn)行刻蝕，刻蝕的速率較慢，影響了基板整體的產(chǎn)出效率。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種基板制備方法，該制備方法中對(duì)防護(hù)層上方的金屬層進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)會(huì)產(chǎn)生鉆刻現(xiàn)象，從而提高濕法刻蝕的刻蝕速率，提高基板整體的產(chǎn)出效率。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案
—種基板制備方法,包括
形成防護(hù)層，對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理，使防護(hù)層的表面粗糙化；
在所述防護(hù)層的粗糙表面上生成金屬層；
對(duì)所述金屬層進(jìn)行曝光顯影、以及濕法刻蝕進(jìn)行構(gòu)圖。
優(yōu)選地，所述防護(hù)層由SiNx材料制作而成，所述對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理具體包括
用O2 (氧)離子對(duì)防護(hù)層的表面進(jìn)行低功率轟擊。
優(yōu)選地，所述用O2離子對(duì)基板表面進(jìn)行低功率轟擊中，O2離子的轟擊功率為 5 20KW，轟擊時(shí)間10 20s。
優(yōu)選地，所述防護(hù)層由有機(jī)材料制作而成，所述對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理包括
清洗防護(hù)層，并利用遠(yuǎn)紫外線對(duì)空氣進(jìn)行照射，使空氣中的O2離子變?yōu)镺3 (臭氧) 離子，O3離子與防護(hù)層表面的有機(jī)材料反應(yīng)。
優(yōu)選地，所述防護(hù)層為陣列基板的柵極絕緣層。
優(yōu)選地，所述防護(hù)層為陣列基板的鈍化層。
優(yōu)選地，所述防護(hù)層形成于陣列基板制備過程中使用的成膜參數(shù)測(cè)試基板上。
本發(fā)明提供的基板制備方法，包括
形成防護(hù)層，對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理，得到相應(yīng)圖形的防護(hù)層，并使防護(hù)層的表面粗糙化；
在所述防護(hù)層的粗糙表面上生成金屬層；
對(duì)所述金屬層進(jìn)行曝光顯影、以及濕法刻蝕進(jìn)行構(gòu)圖。
在形成防護(hù)層時(shí)，對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理，可以使防護(hù)層的表面比較粗糙，在對(duì)防護(hù)層的粗糙表面上形成的金屬層進(jìn)行過刻時(shí)，刻蝕液可以通過防護(hù)層的粗糙表面上的坑洼處進(jìn)行滲透，使刻蝕液可對(duì)金屬層的底面進(jìn)行刻蝕，發(fā)生側(cè)面刻蝕，側(cè)面刻蝕的發(fā)生能夠提高刻蝕液對(duì)金屬層的刻蝕速率，進(jìn)而提高基板整體的產(chǎn)出效率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中金屬層曝光之后的結(jié)構(gòu)示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕完成之后的結(jié)構(gòu)不意圖3為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)位于防護(hù)層粗糙表面上的金屬層側(cè)面刻蝕的原理圖4為本發(fā)明提供的基板制備方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
如圖4所示，本發(fā)明提供了一種基板制備方法，包括
步驟S401 :形成防護(hù)層01，對(duì)防護(hù)層01進(jìn)行處理，使防護(hù)層的表面粗糙化；如圖3 所示防護(hù)層01的粗糙表 面011。
步驟S402 :在所述防護(hù)層01的粗糙表面011上生成金屬層02 ；
步驟S403 :對(duì)所述金屬層02進(jìn)行曝光顯影、以及濕法刻蝕進(jìn)行構(gòu)圖。
在形成防護(hù)層時(shí)，對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理后，使防護(hù)層01的表面比較粗糙，如圖3中所示防護(hù)層01的粗糙表面011，在對(duì)防護(hù)層01的粗糙表面011上形成的金屬層02進(jìn)行過刻時(shí)，刻蝕液可以通過防護(hù)層01的粗糙表面011上的坑洼處進(jìn)行滲透，如圖3中所示位置a， 使刻蝕液可對(duì)金屬層02的底面進(jìn)行刻蝕，發(fā)生側(cè)面刻蝕，側(cè)面刻蝕的發(fā)生能夠提高刻蝕液對(duì)金屬層02的刻蝕速率，進(jìn)而提高基板整體的產(chǎn)出效率。
當(dāng)然，上述防護(hù)層01的制備材料可以有多種選擇，且根據(jù)上述防護(hù)層01的材料不同，其處理方式也不同
方式一上述防護(hù)層01可以由SiNx材料制作而成，此時(shí)，步驟S401中描述的對(duì)防護(hù)層01進(jìn)行處理具體包括
用O2離子對(duì)防護(hù)層01的表面進(jìn)行低功率轟擊，從而使防護(hù)層的表面粗糙化，得到防護(hù)層01的粗糙表面011。
使用O2離子對(duì)防護(hù)層的表面進(jìn)行低功率轟擊，可以在保證防護(hù)層01在不受到過度的損傷的情況下將其表面粗糙化，O2離子在防護(hù)層01的表面轟出的坑洼均勻，實(shí)現(xiàn)粗糙表面011的粗糙程度達(dá)到要求，滿足在對(duì)金屬層02的過刻過程中加快刻蝕速率的目的。
優(yōu)選地，上述技術(shù)方案中使用O2離子對(duì)防護(hù)層01的表面進(jìn)行低功率轟擊時(shí)，O2離子的轟擊功率為5 20KW，轟擊時(shí)間l(T20s。限于轟擊設(shè)備的最低啟動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)，本技術(shù)方案中O2離子的轟擊功率不能低于5KW，而同時(shí)，為保證防護(hù)層01在O2離子轟擊時(shí)不受到過度損傷，O2離子的轟擊功率不能高于20KW，O2離子的轟擊功率可以為5KW、7KW、10KW、15KW.20KW 等，當(dāng)然轟擊時(shí)間可以為10s、12s、15s、17s、20s等，02離子的轟擊功率和轟擊時(shí)間的選擇可以多樣化，只要能夠在保證防護(hù)膜01在不受過度損傷的情況下得到滿足粗糙程度的粗糙表面011即可，這里不再一一列舉。
方式二 上述防護(hù)層01還可以由有機(jī)材料制作而成，此時(shí)，步驟S401中描述的對(duì)防護(hù)層01進(jìn)行處理具體包括
在對(duì)防護(hù)層01進(jìn)行清洗，并使用遠(yuǎn)紫外光線對(duì)空氣進(jìn)行照射，使空氣中的O2離子變?yōu)镺3離子，O3離子與防護(hù)層01表面的有機(jī)物產(chǎn)生反應(yīng)，進(jìn)而制造出粗糙的表面。
具體的，上述技術(shù)方案中基板制備方法可以應(yīng)用在多種基板上
優(yōu)選方案一，上述防護(hù)層01可以為陣列基板的柵極絕緣層。
優(yōu)選方案二，上述防護(hù)層01還可以為陣列基板的鈍化層。
因此，根據(jù)優(yōu)選方案一和優(yōu)選方案二可知，上述基板制備方法可以應(yīng)用到陣列基板的制備方法中。當(dāng)然，還可以應(yīng)用到觸控膜制備、彩膜基板制備等工藝中，這里不再贅述。
優(yōu)選方案三，上述防護(hù)層01還可以形成于陣列基板制備過程中使用的成膜參數(shù)測(cè)試基板上。成膜參數(shù)測(cè)試基板用來確認(rèn)陣列基板制備過程中各層金屬層的成膜參數(shù)，一般來說，一張成膜參數(shù)測(cè)試基板在所用過程中會(huì)經(jīng)過反復(fù)的沉積金屬層、刻蝕，以實(shí)現(xiàn)對(duì)其最大的利用率。但是，經(jīng)過多次沉積刻蝕后，成膜參數(shù)測(cè)試基板表面的金屬殘留物會(huì)很難刻蝕干凈，而利用上述基板制備方法中的方案，在可以在基板中的底層防護(hù)層增加粗糙結(jié)構(gòu)， 從而可以在對(duì)其進(jìn)行刻蝕時(shí)產(chǎn)生側(cè)面刻蝕，加快刻蝕的速度，以保證對(duì)使得玻璃基板利用率的進(jìn)一步提聞。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基板制備方法，其特征在于，包括形成防護(hù)層，對(duì)所述防護(hù)層進(jìn)行處理，使所述防護(hù)層的表面粗糙化；在所述防護(hù)層的粗糙表面上生成金屬層；對(duì)所述金屬層進(jìn)行曝光顯影、以及濕法刻蝕來完成構(gòu)圖工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護(hù)層由SiNx材料制作而成，所述對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理具體包括用O2離子對(duì)防護(hù)層的表面進(jìn)行低功率轟擊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板制備方法，其特征在于，所述用O2離子對(duì)基板表面進(jìn)行低功率轟擊時(shí)，O2離子的轟擊功率為5 20KW，轟擊時(shí)間為l(T20s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護(hù)層由有機(jī)材料制作而成，所述對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理包括清洗防護(hù)層，并利用遠(yuǎn)紫外線對(duì)空氣進(jìn)行照射，使空氣中的O2離子變?yōu)镺3離子，O3離子與防護(hù)層表面的有機(jī)材料反應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求Γ4任一項(xiàng)所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護(hù)層為陣列基板的柵極絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求Γ4任一項(xiàng)所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護(hù)層為陣列基板的鈍化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求Γ4任一項(xiàng)所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護(hù)層形成于陣列基板制備過程中使用的成膜參數(shù)測(cè)試基板上。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基板制備方法，包括形成防護(hù)層，對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理，得到相應(yīng)圖形的防護(hù)層，并使防護(hù)層的表面粗糙化；在所述防護(hù)層的粗糙表面上生成金屬層；對(duì)所述金屬層進(jìn)行曝光顯影、以及濕法刻蝕進(jìn)行構(gòu)圖。在形成防護(hù)層時(shí)，對(duì)防護(hù)層進(jìn)行處理，可以使防護(hù)層的表面比較粗糙，在對(duì)防護(hù)層的粗糙表面上形成的金屬層進(jìn)行過刻時(shí)，刻蝕液可以通過防護(hù)層的粗糙表面上的坑洼處進(jìn)行滲透，使刻蝕液可對(duì)金屬層的底面進(jìn)行刻蝕，發(fā)生側(cè)面刻蝕，側(cè)面刻蝕的發(fā)生能夠提高刻蝕液對(duì)金屬層的刻蝕速率，進(jìn)而提高基板整體的產(chǎn)出效率。
文檔編號(hào)H01L21/02GK103000495SQ201210533950
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司