專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著科技的不斷進步，用戶對液晶顯示設(shè)備的需求日益增加，TFT-1XD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)也成為了手機、平板電腦等產(chǎn)品中使用的主流顯示器。此外，隨著顯示設(shè)備的普及，用戶對高色彩質(zhì)量、高對比度、高可視角度、高響應(yīng)速度且低功耗的需求越來越普遍，OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有機發(fā)光二極管)顯示器也開始逐漸進入用戶的視野，用戶對顯示器的質(zhì)量要求也越來越高。而在目前的顯示器中，薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性是影響顯示器的質(zhì)量的因素之一?，F(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板，通常采用在源極與數(shù)據(jù)線之間建立一條連接線的方式實現(xiàn)數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管之間的連接，但是當該連接線D0(Data Open，數(shù)據(jù)線斷開)時，薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間的連接則斷開，進而發(fā)生故障，造成薄膜晶體管陣列基板穩(wěn)定性差，良品率低，且修復(fù)十分困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠當薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間斷開時，實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，提高薄膜晶體管陣列基板的良品率，提升薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板，設(shè)置于所述基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于所述柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于所述柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于所述有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，其中，所述源極與所述有源層相接觸，所述漏極與所述有源層相接觸，所述漏極與所述像素電極層相接觸并電連接，所述源極包含至少一個第一修復(fù)線，所述數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，所述柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當所述源極與所述數(shù)據(jù)線斷開時，所述源極通過所述第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線連通。所述第一修復(fù)線與所述冗余區(qū)之間形成有過孔，所述第二修復(fù)線與所述冗余區(qū)之間形成有過孔。所述數(shù)據(jù)線還包括第三修復(fù)線，所述第三修復(fù)線位于所述公共電極線的上方，以使當所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，所述數(shù)據(jù)線通過所述第三修復(fù)線傳輸信號。所述數(shù)據(jù)線還包括第四修復(fù)線，所述第四修復(fù)線位于所述柵線的上方，以使當所述數(shù)據(jù)線與所述柵線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，所述數(shù)據(jù)線通過所述第四修復(fù)線傳輸信號。本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括具有上述任意特征的薄膜晶體管陣列基板。本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，該方法包括在基板上形成柵線和公共電極線；在所述柵線和公共電極線上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層；在所述有源層上形成包含至少一個第一修復(fù)線的源極、漏極、包含至少一個第二修復(fù)線的數(shù)據(jù)線和像素電極層；其中，所述柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當所述源極與所述數(shù)據(jù)線斷開時，所述源極通過所述第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線連通。在所述第一修復(fù)線與所述冗余區(qū)之間形成過孔，在所述第二修復(fù)線與所述冗余區(qū)之間形成過孔。所述數(shù)據(jù)線還包括第三修復(fù)線，所述第三修復(fù)線位于所述公共電極線的上方，以使當所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，所述數(shù)據(jù)線通過所述第三修復(fù)線傳輸信號。所述數(shù)據(jù)線還包括第四修復(fù)線，所述第四修復(fù)線位于所述柵線的上方，以使當所述數(shù)據(jù)線與所述柵線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，所述數(shù)據(jù)線通過所述第四修復(fù)線傳輸信號。本發(fā)明實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，薄膜晶體管陣列基板包括基板，設(shè)置于基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，其中，源極與有源層相接觸，漏極與有源層相接觸，漏極與像素電極層相接觸并電連接，源極包含至少一個第一修復(fù)線，數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當源極與數(shù)據(jù)線斷開時，源極通過第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與數(shù)據(jù)線連通。通過該方案，由于在陣列基板上形成了第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線，能夠當薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間斷開時，實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，提高了薄膜晶體管陣列基板的良品率，提升了薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)俯視圖一；圖2為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)截面圖一；
圖3為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)截面圖二；圖4為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)俯視圖二 ；圖5為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)俯視圖三；圖6為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)俯視圖四；圖7為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)截面圖三；圖8為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)截面圖四；圖9為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)截面圖五；圖10為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)截面圖六；圖11為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)截面圖七；圖12為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板的制作方法流程示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板，包括基板，設(shè)置于所述基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于所述柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于所述柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于所述有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，其中，所述源極與所述有源層相接觸，所述漏極與所述有源層相接觸，所述漏極與所述像素電極層相接觸并電連接，所述源極包含至少一個第一修復(fù)線，所述數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，所述柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當所述源極與所述數(shù)據(jù)線斷開時，所述源極通過所述第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線連通。如圖1所示，一種薄膜晶體管陣列基板1，包括基板10，設(shè)置于基板10上的柵線11和公共電極線12，設(shè)置于柵線11和公共電極線12上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于有源層上的源極15、漏極16、像素電極層17和數(shù)據(jù)線18，其中，源極15與有源層相接觸，漏極16與有源層相接觸，漏極16通過過孔101與像素電極層17電連接。源極15包含至少一個第一修復(fù)線150，數(shù)據(jù)線18包含至少一個第二修復(fù)線180，柵線11、公共電極線12、像素電極層17中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)100，以使當源極15與數(shù)據(jù)線18斷開時，源極15通過第一修復(fù)線150、冗余區(qū)100以及第二修復(fù)線180與數(shù)據(jù)線18連通。由于圖1為薄膜晶體管陣列基板I的俯視圖，故圖1中未畫出設(shè)置于柵線11和公共電極線12上的柵絕緣層和設(shè)置于柵絕緣層上的有源層。示例性的，源極15可以包含一個第一修復(fù)線150，數(shù)據(jù)線18可以包含一個第二修復(fù)線180，冗余區(qū)100可以位于像素電極層17。在形成源極15時，可以將源極15的金屬線延長到柵線11以外，那么，當使用激光熔連的方式連接源極15與數(shù)據(jù)線18時，能夠防止柵線11被擊穿；在形成數(shù)據(jù)線18時，可以預(yù)留部分區(qū)域作為第二修復(fù)線180，那么，當使用激光熔連的方式連接源極15與數(shù)據(jù)線18時，能夠防止對數(shù)據(jù)線18電阻的影響；在形成像素電極層17時，可以在第一修復(fù)線150和第二修復(fù)線180的上方形成一個與像素電極層17相同膜層的冗余區(qū)100，其中，冗余區(qū)100和第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180在空間上交疊。若不采用激光熔連的方式連接第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180以及冗余區(qū)100，可以在制作薄膜晶體管陣列基板I時，在第一修復(fù)線150與冗余區(qū)100之間形成過孔101，第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100之間形成有過孔101，從而使數(shù)據(jù)線和冗余區(qū)實現(xiàn)雙線并聯(lián)。如圖2所示，當圖中的數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管之間的連接發(fā)生DO時，即使不采取修復(fù)手段，數(shù)據(jù)線18中通過的電流也能夠通過該第二修復(fù)線180、冗余區(qū)100，第一修復(fù)線150傳輸?shù)皆礃O15實現(xiàn)電路的導(dǎo)通，保證了薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間電流導(dǎo)通，在設(shè)計上提高了整個基板在該位置上對于DO問題的抗風(fēng)險能力；若在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中未形成過孔連接，當數(shù)據(jù)線18和源極15之間的連接線出現(xiàn)DO時，可以采用激光打孔熔接的方式使第一修復(fù)線150與冗余區(qū)100連接,冗余區(qū)100與第二修復(fù)線180連接,進而與源極15和數(shù)據(jù)線18相連。經(jīng)修復(fù)后，電流可以通過第二修復(fù)線180、冗余區(qū)100、第一修復(fù)線150，從數(shù)據(jù)線18傳輸?shù)皆礃O15，實現(xiàn)TFT和數(shù)據(jù)線18的導(dǎo)通，恢復(fù)TFT器件的功能，完成修復(fù)。具體的，如圖2所示，為圖1所描述的薄膜晶體管陣列基板I的a-a處的截面圖，其中，在制作薄膜晶體管陣列基板I時，第一修復(fù)線150與冗余區(qū)100之間形成過孔101，第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100之間形成有過孔101，從而使數(shù)據(jù)線和冗余區(qū)實現(xiàn)雙線并聯(lián)。由于第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100相連且第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100均導(dǎo)電，電流可以通過第二修復(fù)線180、冗余區(qū)100、第一修復(fù)線150從數(shù)據(jù)線18傳輸?shù)皆礃O15，以實現(xiàn)TFT器件和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通，由于該連接線的存在，當圖1中數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管之間的連接發(fā)生DO時，即使不采取修復(fù)手段，數(shù)據(jù)線18中通過的電流也能夠通過該第二修復(fù)線180、冗余區(qū)100，第一修復(fù)線150傳輸?shù)皆礃O15實現(xiàn)電路的導(dǎo)通，保證了薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間電流導(dǎo)通，在設(shè)計上提高了整個基板在該位置上對于DO問題的抗風(fēng)險能力。同樣的，如圖3所示，為圖1所描述的薄膜晶體管陣列基板I的a-a處的截面圖，其中包括柵絕緣層13，設(shè)置于柵絕緣層13上的有源層14、第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180，設(shè)置于第一修復(fù)線150和第二修復(fù)線180上的保護層19，以及設(shè)置于保護層19上的冗余區(qū)100。當數(shù)據(jù)線和源極出現(xiàn)DO時，在第二修復(fù)線180的上方與第一修復(fù)線150的上方通過激光打孔熔接的方式連接第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180以及冗余區(qū)100，經(jīng)修復(fù)后，電流可以通過第一修復(fù)線150、冗余區(qū)100、第二修復(fù)線180從數(shù)據(jù)線傳輸?shù)皆礃O，實現(xiàn)TFT和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通，恢復(fù)TFT器件的功能，完成修復(fù)。進一步地，如圖4所示，數(shù)據(jù)線18還包括第三修復(fù)線181，第三修復(fù)線181位于公共電極線12的上方，由于在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中已形成過孔連接了數(shù)據(jù)線18與第三修復(fù)線181，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)線和冗余區(qū)的雙線并聯(lián)。位于數(shù)據(jù)線18上的第三修復(fù)線181能夠降低公共電極線12與數(shù)據(jù)線18交疊位置發(fā)生DO的風(fēng)險。該交疊位置由于存在高度差，在成膜過程中容易出現(xiàn)膜質(zhì)不良，從而在刻蝕過程中易發(fā)生D0。若數(shù)據(jù)線18發(fā)生D0，由于在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中已形成過孔連接了數(shù)據(jù)線18與第三修復(fù)線181，實現(xiàn)了雙線并聯(lián)，即使不采取修復(fù)手段，數(shù)據(jù)線18中通過的電流也能夠通過第三修復(fù)線181實現(xiàn)電路的導(dǎo)通。由于在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中已形成過孔連接了數(shù)據(jù)線18與第三修復(fù)線181，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)線和冗余區(qū)的雙線并聯(lián)。同樣的，當數(shù)據(jù)線18與公共電極線12的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)只需隔離開數(shù)據(jù)線或公共電極線上的靜電擊穿點，數(shù)據(jù)線18就能通過第三修復(fù)線181傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。需要說明的是，若在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中未形成過孔連接，當公共電極線12與數(shù)據(jù)線18交疊位置發(fā)生DO時，可以采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線18與第三修復(fù)線181連接，此時數(shù)據(jù)線18和第三修復(fù)線181就能實現(xiàn)導(dǎo)通。故而當數(shù)據(jù)線18與公共電極線12的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)時只需先隔離開數(shù)據(jù)線18或公共電極線12上的靜電擊穿點，并采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線18與第三修復(fù)線181連接，數(shù)據(jù)線18就能通過第三修復(fù)線181傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。進一步地，如圖5所示，數(shù)據(jù)線18還包括第四修復(fù)線182，第四修復(fù)線182位于柵線11的上方，由于在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中已形成過孔連接了數(shù)據(jù)線18與第四修復(fù)線182，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)線和冗余區(qū)的雙線并聯(lián)。位于數(shù)據(jù)線18上的第四修復(fù)線182能夠降低柵線11與數(shù)據(jù)線18交疊位置發(fā)生DO的風(fēng)險。該交疊位置由于存在高度差，在成膜過程中容易出現(xiàn)膜質(zhì)不良，從而在刻蝕過程中發(fā)生D0。若數(shù)據(jù)線18在上述位置發(fā)生D0，由于在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中已形成過孔連接了數(shù)據(jù)線18與第四修復(fù)線182，實現(xiàn)了雙線并聯(lián)，即使不采取修復(fù)手段，數(shù)據(jù)線18中通過的電流也能夠通過第四修復(fù)線182實現(xiàn)電路的導(dǎo)通。同樣的，當數(shù)據(jù)線18與柵線11的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)時只需隔離開數(shù)據(jù)線上的靜電擊穿點，數(shù)據(jù)線就能通過第四修復(fù)線182傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。需要說明的是，若在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中未形成過孔連接，當柵線11與數(shù)據(jù)線18交疊位置發(fā)生DO時，可以采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線18與第四修復(fù)線182連接，此時數(shù)據(jù)線18和第四修復(fù)線182實現(xiàn)導(dǎo)通。當數(shù)據(jù)線18與柵線11的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)時只需先隔離開數(shù)據(jù)線18上的靜電擊穿點，并采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線18與第四修復(fù)線182連接，數(shù)據(jù)線18就能通過第四修復(fù)線182傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。需要補充的是，如圖6所示，數(shù)據(jù)線18可以同時包括第三修復(fù)線181和第四修復(fù)線182，第三修復(fù)線181位于公共電極線12的上方，第四修復(fù)線182位于柵線11的上方。若第三修復(fù)線與第四修復(fù)同時存在，可以通過形成過孔實現(xiàn)雙線并聯(lián)，也可以在后期像素結(jié)構(gòu)形成后，當發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線或者靜電擊穿問題時，采用激光熔連修復(fù)的方法解決。
具體實施方式
上述實施例已進行了詳細的描述，此處不再贅述。如圖7所示，為圖6所描述的薄膜晶體管陣列基板I的b-b處的截面圖，其中包括設(shè)置于柵線11和公共電極線12上的柵絕緣層13，設(shè)置于柵絕緣層13上的有源層14、數(shù)據(jù)線18，設(shè)置于數(shù)據(jù)線18上的保護層19以及設(shè)置于保護層19上的第三修復(fù)線和第四修復(fù)線及過孔101。若數(shù)據(jù)線18發(fā)生D0，由于在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中已形成過孔連接了數(shù)據(jù)線18與第三修復(fù)線181和第四修復(fù)線182，實現(xiàn)了雙線并聯(lián)連接，即使不采取修復(fù)手段，數(shù)據(jù)線18中通過的電流也能夠通過第三修復(fù)線181和第四修復(fù)線182實現(xiàn)電路的導(dǎo)通。同樣的，當數(shù)據(jù)線18與柵線11或者數(shù)據(jù)線18與公共電極線12的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)時只需隔離開數(shù)據(jù)線18上的靜電擊穿點等，數(shù)據(jù)線18就能通過第三修復(fù)線181與第四修復(fù)線182傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。需要補充的是，若在制作薄膜晶體管陣列基板I的工藝過程中未形成過孔連接了數(shù)據(jù)線18與第三修復(fù)線181和第四修復(fù)線182，當柵線11與數(shù)據(jù)線18交疊位置發(fā)生DO或者靜電擊穿時，可以采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線18能通過第三修復(fù)線181與第四修復(fù)線182傳輸信號，即可修復(fù)DO或者靜電擊穿的故障，具體實施方式
上述實施例已進行了詳細的描述，此處不再贅述。需要補充的是，本發(fā)明實施例中提到的第三修復(fù)線與第四修復(fù)線均優(yōu)選為像素電極膜層，由于像素電極與數(shù)據(jù)線一般不在同一膜層，DO或者靜電擊穿都不可能在并聯(lián)的兩條通路同時發(fā)生，故采用本結(jié)構(gòu)可以更好的實現(xiàn)對于DO與靜電擊穿問題的修復(fù)與預(yù)防。需要補充的是，本發(fā)明實施例可以適應(yīng)性地調(diào)整漏極與像素電極層之間連接所用的過孔的位置，可以將過孔設(shè)置于遠離第一修復(fù)線、冗余區(qū)、第二修復(fù)線的區(qū)域，以便降低電路金屬密度。進一步地，冗余區(qū)100還可以和柵線11位于同一層，在基板上形成柵線11的同時預(yù)留出冗余區(qū)100，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，提高了薄膜晶體管陣列基板的良品率，提升了薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性。進一步地，冗余區(qū)100還可以和公共電極線12位于同一層，在基板上形成公共電極線12的同時預(yù)留出冗余區(qū)100，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，提高了薄膜晶體管陣列基板的良品率，提升了薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性。由于柵線11和公共電極線12位于同一層，下面將兩種情況合并進行描述。如圖8所示，為冗余區(qū)100和柵線11位于同一層的情況下，圖1所描述的薄膜晶體管陣列基板I的a-a處的截面圖，在制作薄膜晶體管陣列基板I時，在第一修復(fù)線150與冗余區(qū)100之間形成過孔101，第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100之間形成有過孔101，由于第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100相連且第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100均導(dǎo)電，電流可以通過冗余區(qū)100從數(shù)據(jù)線18傳輸?shù)皆礃O15，以實現(xiàn)TFT器件和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通，當數(shù)據(jù)線和源極的連接線出現(xiàn)DO時，即使不采取修復(fù)手段，也能實現(xiàn)薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接線斷線的修復(fù)。需要補充的是，由于冗余區(qū)100是在形成柵線的時候就形成的，所以若在數(shù)據(jù)線形成后檢測到連接線出現(xiàn)DO問題，即可立即采用激光打孔熔接技術(shù)實現(xiàn)修復(fù)，不需要等到薄膜晶體管基板完全形成才修復(fù)。需要補充的是，如圖9所示，若不采用過孔的方式連接第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180以及冗余區(qū)100，此時冗余區(qū)100和第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180均不接觸。其中包括冗余區(qū)100，設(shè)置于冗余區(qū)100上的柵絕緣層13，設(shè)置于柵絕緣層13上的有源層14，源極15所包含的第一修復(fù)線150和數(shù)據(jù)線18所包含的第二修復(fù)線180。當數(shù)據(jù)線和源極的連接線出現(xiàn)DO時，在第二修復(fù)線180的上方與第一修復(fù)線150的上方通過激光打孔熔接的方式連接第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180以及冗余區(qū)100，經(jīng)修復(fù)后，電流可以通過第一修復(fù)線150、冗余區(qū)100、第二修復(fù)線180從數(shù)據(jù)線傳輸?shù)皆礃O，實現(xiàn)TFT和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通，恢復(fù)TFT器件的功能，完成修復(fù)。示例性的，若不僅僅是用一層冗余區(qū)進行薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，如圖10所示，在第一修復(fù)線150與冗余區(qū)100之間形成過孔101，第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100之間形成有過孔101，由于第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100相連且第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100均導(dǎo)電，電流可以通過冗余區(qū)100從數(shù)據(jù)線18傳輸?shù)皆礃O15，以實現(xiàn)TFT器件和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通。而且像素電極層17形成的冗余區(qū)位于保護層19之上，若通過過孔實現(xiàn)雙線并聯(lián)后仍然發(fā)生D0，我們還能夠通過激光打孔熔接的方式熔接由像素電極層17形成的冗余區(qū)實現(xiàn)修復(fù)，從而增加了薄膜晶體管的可靠性。圖11采用了兩次過孔，實現(xiàn)了像素電極層與柵線多層冗余并聯(lián)的方式，由此提高了器件的性能。如圖11所示，在第一修復(fù)線150與冗余區(qū)100之間形成過孔101，第二修復(fù)線180與冗余區(qū)100之間形成有過孔101，電流可以通過冗余區(qū)100從數(shù)據(jù)線18傳輸?shù)皆礃O15，以實現(xiàn)TFT器件和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通。同時在像素電極層17和第一修復(fù)線150、第二修復(fù)線180之間形成過孔，若薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接線發(fā)生D0，即使不采取修復(fù)手段，也能實現(xiàn)電路的導(dǎo)通，增加了薄膜晶體管的可靠性。需要補充的是，本發(fā)明實施例不僅僅只限于使用一種冗余區(qū)進行薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，該冗余區(qū)只要為除數(shù)據(jù)線膜層以外的導(dǎo)電膜層、過孔采用的導(dǎo)通材料只要為在冗余區(qū)膜層形成之后沉積的導(dǎo)電膜層即可，上述位于不同膜層的冗余區(qū)，可以根據(jù)不同的需求選擇任意一種或兩種以上組合預(yù)留冗余區(qū)，即冗余區(qū)可以在多個膜層上任意組合使用，從而修復(fù)薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間的連接。同時，本發(fā)明實施例也不僅限于是用一種修復(fù)手段，既可以在制作薄膜晶體管陣列基板的工藝過程中形成過孔，保證電路的連通，也可以在發(fā)生DO后，使用激光打孔熔接的方式恢復(fù)電路的連通，本發(fā)明不做限制。進一步地,該薄膜晶體管陣列基板的制作方法還可用于TN(Twisted Nematic,扭曲向列技術(shù))模式及ADS(ADvanced SuperDimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的產(chǎn)品。但對于ADS模式，由于器件本身的設(shè)置，存在兩層ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)膜層，其中像素電極所在的膜層為第二 ITO層，因此，對于ADS模式的像素結(jié)構(gòu)，還可以在其第一 ITO電極層上再做一個冗余區(qū)，即可實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的斷線修復(fù)，提升產(chǎn)品的良率，其制作方法與實現(xiàn)方式與上述實施例基本相同，此處不再贅述。本發(fā)明實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板，包括基板，設(shè)置于基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，其中，源極與有源層相接觸，漏極與有源層相接觸，漏極與像素電極層相接觸并電連接，源極包含至少一個第一修復(fù)線，數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當源極與數(shù)據(jù)線斷開時，源極通過第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與數(shù)據(jù)線連通。通過該方案，由于在陣列基板上形成了第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線，能夠當薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間斷開時，實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，提高了薄膜晶體管陣列基板的良品率，提升了薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性。本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管顯示器裝置，包括具有上述任意特征的薄膜晶體管陣列基板。
該薄膜晶體管陣列基板通過基板，設(shè)置于基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，其中，源極與有源層相接觸，漏極與有源層相接觸，漏極與像素電極層相接觸并電連接，源極包含至少一個第一修復(fù)線，數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當源極與數(shù)據(jù)線斷開時，源極通過第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與數(shù)據(jù)線連通。使用該種薄膜晶體管陣列基板的顯示器裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接線斷線的修復(fù)，提高了薄膜晶體管陣列基板的良品率，從而提升了薄膜晶體管顯示器裝置的穩(wěn)定性。本發(fā)明實施例所提供的顯示裝置，薄膜晶體管陣列基板包括基板，設(shè)置于基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，其中，源極與有源層相接觸，漏極與有源層相接觸，漏極與像素電極層相接觸并電連接，源極包含至少一個第一修復(fù)線，數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當源極與數(shù)據(jù)線斷開時，源極通過第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與數(shù)據(jù)線連通。通過該方案，由于在陣列基板上形成了第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線，能夠當薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間斷開時，實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，提高了薄膜晶體管陣列基板的良品率，提升了薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性。本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，該方法包括在基板上形成柵線和公共電極線；在所述柵線和公共電極線上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層；在所述有源層上形成包含至少一個第一修復(fù)線的源極、漏極、包含至少一個第二修復(fù)線的數(shù)據(jù)線和像素電極層；其中，所述柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當所述源極與所述數(shù)據(jù)線斷開時，所述源極通過所述第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線連通。與上述實施例中的薄膜晶體管陣列基板相對應(yīng)，如圖12所示，薄膜晶體管陣列基板的制作方法包括SlOl、在基板上形成柵線和公共電極線。S102、在柵線和公共電極線上形成柵絕緣層。S103、在柵絕緣層上形成有源層。S104、在有源層上形成包含至少一個第一修復(fù)線的源極、漏極、包含至少一個第二修復(fù)線的數(shù)據(jù)線和像素電極層。其中，柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當源極與數(shù)據(jù)線斷開時，源極通過第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與數(shù)據(jù)線連通。在形成源極時，形成一處冗余區(qū)作為第一修復(fù)線，那么，當使用技術(shù)激光打孔熔接連接源極與數(shù)據(jù)線時，能夠防止源極下方的柵線被擊穿；在形成數(shù)據(jù)線時，可以預(yù)留部分區(qū)域作為第二修復(fù)線，那么，當使用技術(shù)激光打孔熔接連接源極與數(shù)據(jù)線時，能夠防止對數(shù)據(jù)線電阻的影響；在形成像素電極層時，可以形成一個與像素電極層相應(yīng)的冗余區(qū)。柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當源極與數(shù)據(jù)線斷開時，源極通過第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與數(shù)據(jù)線連通，為方便使用現(xiàn)有技術(shù)激光修復(fù)源極與數(shù)據(jù)線之間的斷線，冗余區(qū)和第一修復(fù)線、第二修復(fù)線存在空間上的交疊。當數(shù)據(jù)線和源極的連接線出現(xiàn)DO時，在圖1叉號所指示的第一修復(fù)線和第二修復(fù)線處采用激光打孔熔接的方式使與第一修復(fù)線和第二修復(fù)線存在空間上交疊的冗余區(qū)與第一修復(fù)線和第二修復(fù)線相連，進而與源極、數(shù)據(jù)線相連。經(jīng)修復(fù)后，電流可以通過冗余區(qū)從數(shù)據(jù)線傳輸?shù)皆礃O，實現(xiàn)和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通，恢復(fù)TFT器件的功能，完成修復(fù)。S105、在第一修復(fù)線與冗余區(qū)之間形成過孔，在第二修復(fù)線與冗余區(qū)之間形成過孔。冗余區(qū)和第一修復(fù)線、第二修復(fù)線存在空間上的交疊，當數(shù)據(jù)線和源極的連接線出現(xiàn)DO時，能夠采用激光打孔熔接的方式使冗余區(qū)與源極所包含的第一修復(fù)線、數(shù)據(jù)線所包含的第二修復(fù)線相連。若不采用激光打孔熔接的方式使冗余區(qū)與源極、數(shù)據(jù)線相連，也可以在制作薄膜晶體管陣列基板時，在第一修復(fù)線與冗余區(qū)之間形成過孔，第二修復(fù)線與冗余區(qū)之間形成有過孔，以實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)。由于第一修復(fù)線、第二修復(fù)線與冗余區(qū)之間形成了過孔，第一修復(fù)線、第二修復(fù)線與冗余區(qū)相連且第一修復(fù)線、第二修復(fù)線與冗余區(qū)均導(dǎo)電，電流可以通過冗余區(qū)從數(shù)據(jù)線傳輸?shù)皆礃O，數(shù)據(jù)線與冗余區(qū)實現(xiàn)雙線并聯(lián)，若源極與數(shù)據(jù)線之間連接線發(fā)生D0，即使不采取修復(fù)手段也能保證TFT器件和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通。S106、數(shù)據(jù)線還包括第三修復(fù)線，第三修復(fù)線位于公共電極線的上方，以使當數(shù)據(jù)線與公共電極線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，數(shù)據(jù)線通過第三修復(fù)線傳輸信號。數(shù)據(jù)線還包括第三修復(fù)線，第三修復(fù)線位于公共電極線的上方，在制作薄膜晶體管陣列基板時，在第三修復(fù)線與數(shù)據(jù)線之間形成過孔，數(shù)據(jù)線與第三修復(fù)線之間實現(xiàn)雙線并聯(lián)，故當數(shù)據(jù)線與公共電極線的交疊區(qū)發(fā)生DO或靜電擊穿時，能夠通過修復(fù)手段修復(fù)故障，通過第三修復(fù)線傳輸信號。S107、數(shù)據(jù)線還包括第四修復(fù)線，第四修復(fù)線位于柵線的上方，以使當數(shù)據(jù)線與柵線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，數(shù)據(jù)線通過第四修復(fù)線傳輸信號。數(shù)據(jù)線還包括第四修復(fù)線，第四修復(fù)線位于柵線的上方，在制作薄膜晶體管陣列基板時，在第四修復(fù)線與數(shù)據(jù)線之間形成過孔，數(shù)據(jù)線與第四修復(fù)線之間實現(xiàn)雙線并聯(lián)，故當數(shù)據(jù)線與柵線的交疊區(qū)發(fā)生DO或靜電擊穿時，能夠通過修復(fù)手段修復(fù)故障，通過第四修復(fù)線傳輸信號。結(jié)合步驟S106和S107，對數(shù)據(jù)線所包含的第三修復(fù)線和第四修復(fù)線進行說明。數(shù)據(jù)線包括第三修復(fù)線，第三修復(fù)線位于公共電極線的上方，位于數(shù)據(jù)線上的第三修復(fù)線能夠降低公共電極線與數(shù)據(jù)線交疊位置發(fā)生DO的風(fēng)險。若數(shù)據(jù)線發(fā)生D0，由于在制作薄膜晶體管陣列基板的制作薄膜晶體管陣列基板的工藝過程中已形成過孔連接，數(shù)據(jù)線與第三修復(fù)線之間實現(xiàn)雙線并聯(lián)。即使不采取修復(fù)手段，數(shù)據(jù)線中通過的電流也能夠通過第三修復(fù)線實現(xiàn)電路的導(dǎo)通，另一方面，若第三修復(fù)線發(fā)生D0，也可以通過數(shù)據(jù)線實現(xiàn)信號電流的傳輸，從而達到降低DO發(fā)生風(fēng)險的目的。當數(shù)據(jù)線18與公共電極線11的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)只需隔離開數(shù)據(jù)線或公共電極線上的靜電擊穿點，數(shù)據(jù)線18就能通過第三修復(fù)線181傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。需要說明的是，若在制作薄膜晶體管陣列基板的工藝過程中未形成過孔連接，當公共電極線與數(shù)據(jù)線交疊位置發(fā)生DO時，可以采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線與第三修復(fù)線連接，而當數(shù)據(jù)線與公共電極線的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)時只需先隔離開數(shù)據(jù)線18或公共電極線12上的靜電擊穿點，并采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線18與第三修復(fù)線181連接，數(shù)據(jù)線就能通過第三修復(fù)線傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。第三修復(fù)線的存在可以簡化維修工序并提高維修成功率，修復(fù)后數(shù)據(jù)線可通過第三修復(fù)線傳輸信號。進一步地，數(shù)據(jù)線還包括第四修復(fù)線，第四修復(fù)線位于柵線的上方，位于數(shù)據(jù)線上的第四修復(fù)線能夠降低柵線與數(shù)據(jù)線交疊位置發(fā)生DO的風(fēng)險。由于在制作薄膜晶體管陣列基板的工藝過程中已形成過孔連接，第四修復(fù)線與數(shù)據(jù)線雙線冗余，若數(shù)據(jù)線發(fā)生D0，即使不采取修復(fù)手段，數(shù)據(jù)線中通過的電流也能夠通過第四修復(fù)線實現(xiàn)電路的導(dǎo)通，另一方面，若第四修復(fù)線發(fā)生D0，也可以通過數(shù)據(jù)線信號電流的傳輸，從而達到降低DO發(fā)生風(fēng)險的目的。當數(shù)據(jù)線18與柵線12的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)只需隔離開數(shù)據(jù)線上的靜電擊穿點，數(shù)據(jù)線18就能通過第四修復(fù)線182傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。需要說明的是，若在制作薄膜晶體管陣列基板的工藝過程中未形成過孔連接，當柵線與數(shù)據(jù)線交疊位置發(fā)生DO時，可以采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線與第四修復(fù)線連接，故當數(shù)據(jù)線與柵線的交疊區(qū)發(fā)生靜電擊穿時，激光修復(fù)時只需先隔離開數(shù)據(jù)線18上的靜電擊穿點后，并采用激光打孔熔接的方式使數(shù)據(jù)線18與第四修復(fù)線182連接，數(shù)據(jù)線就能通過第四修復(fù)線傳輸信號，實現(xiàn)對于該位置靜電擊穿不良的修復(fù)。第四修復(fù)線的存在可以簡化維修工序并提高維修成功率，修復(fù)后數(shù)據(jù)線可通過第四修復(fù)線傳輸信號。需要補充的是，數(shù)據(jù)線可以同時包括第三修復(fù)線和第四修復(fù)線，第三修復(fù)線位于公共電極線的上方，第四修復(fù)線位于柵線的上方，以使當數(shù)據(jù)線與公共電極線或柵線的交疊區(qū)發(fā)生DO或者靜電擊穿時，在利用激光手段修復(fù)后，能夠?qū)崿F(xiàn)對故障的修復(fù)，其中，使用第三修復(fù)線與第四修復(fù)線進行修復(fù)的方法在上述實施例中已進行了詳細描述，此處不再贅述。進一步地,該薄膜晶體管陣列基板的制作方法還可用于TN(Twisted Nematic,扭曲向列技術(shù))模式及ADS(ADvanced SuperDimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的產(chǎn)品。但對于ADS模式，由于器件本身的設(shè)置，存在兩層ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)膜層，其中像素電極所在的膜層為第二 ITO層，因此，對于ADS模式的像素結(jié)構(gòu)，還可以在其第一 ITO層上做一個冗余區(qū)，即可實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的斷線修復(fù)，提升產(chǎn)品的良率，其制作方法與實現(xiàn)方式與上述實施例基本相同，此處不再贅述。本發(fā)明實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，薄膜晶體管陣列基板包括基板，設(shè)置于基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，其中，源極與有源層相接觸，漏極與有源層相接觸，漏極與像素電極層相接觸并電連接，源極包含至少一個第一修復(fù)線，數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當源極與數(shù)據(jù)線斷開時，源極通過第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與數(shù)據(jù)線連通。通過該方案，由于在陣列基板上形成了第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線，能夠當薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間斷開時，實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，提高了薄膜晶體管陣列基板的良品率，提升了薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性。本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，具有上述實施例所描述的任意特征的薄膜晶體管陣列基板。該顯示裝置可以為液晶顯示裝置，包括相對平行設(shè)置的彩膜基板和上述實施例所提出的薄膜晶體管陣列基板，以及填充于所述彩膜基板和薄膜晶體管陣列基板之間的液晶；該顯示裝置也可以為OLED顯示裝置，包括上述實施例所提出的薄膜晶體管陣列基板，以及蒸鍍于該陣列基板之上的有機發(fā)光材料及封裝蓋板。本發(fā)明實施例提供的液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件，本發(fā)明不做限制。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板，設(shè)置于所述基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于所述柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于所述柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于所述有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，其中，所述源極與所述有源層相接觸，所述漏極與所述有源層相接觸，所述漏極與所述像素電極層相接觸并電連接，其特征在于，所述源極包含至少一個第一修復(fù)線，所述數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，所述柵線、 公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當所述源極與所述數(shù)據(jù)線斷開時，所述源極通過所述第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一修復(fù)線與所述冗余區(qū)之間形成有過孔，所述第二修復(fù)線與所述冗余區(qū)之間形成有過孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線還包括第三修復(fù)線，所述第三修復(fù)線位于所述公共電極線的上方，以使當所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，所述數(shù)據(jù)線通過所述第三修復(fù)線傳輸信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線還包括第四修復(fù)線，所述第四修復(fù)線位于所述柵線的上方，以使當所述數(shù)據(jù)線與所述柵線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，所述數(shù)據(jù)線通過所述第四修復(fù)線傳輸信號。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的薄膜晶體管陣列基板。
6.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成柵線和公共電極線；在所述柵線和公共電極線上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層；在所述有源層上形成包含至少一個第一修復(fù)線的源極、漏極、包含至少一個第二修復(fù)線的數(shù)據(jù)線和像素電極層；其中，所述柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)，以使當所述源極與所述數(shù)據(jù)線斷開時，所述源極通過所述第一修復(fù)線、冗余區(qū)以及第二修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括在所述第一修復(fù)線與所述冗余區(qū)之間形成過孔，在所述第二修復(fù)線與所述冗余區(qū)之間形成過孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7中所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線還包括第三修復(fù)線，所述第三修復(fù)線位于所述公共電極線的上方，以使當所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，所述數(shù)據(jù)線通過所述第三修復(fù)線傳輸信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求8中所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線還包括第四修復(fù)線，所述第四修復(fù)線位于所述柵線的上方，以使當所述數(shù)據(jù)線與所述柵線之間發(fā)生靜電擊穿或數(shù)據(jù)線斷開時，所述數(shù)據(jù)線通過所述第四修復(fù)線傳輸信號。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠當薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間斷開時，實現(xiàn)對薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線之間連接的修復(fù)，提高薄膜晶體管陣列基板的良品率，提升薄膜晶體管陣列基板的穩(wěn)定性。該薄膜晶體管陣列基板包括基板，設(shè)置于基板上的柵線和公共電極線，設(shè)置于柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上的有源層，設(shè)置于有源層上的源極、漏極、數(shù)據(jù)線和像素電極層，源極與有源層相接觸，漏極與有源層相接觸，漏極與像素電極層相接觸并電連接，源極包含至少一個第一修復(fù)線，數(shù)據(jù)線包含至少一個第二修復(fù)線，柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應(yīng)的冗余區(qū)。
文檔編號H01L27/32GK102998869SQ20121054605
公開日2013年3月27日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者張明, 李琳, 田川, 宗志強 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司