專利名稱：陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(AdvancedSuper Dimension Switch,簡稱 ADS),通過同一狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維 場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-1XD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。ADS液晶顯示器與其他顯示器相比具有擴大視角的優(yōu)點，在當(dāng)前平板顯示器市場占據(jù)了重要的地位。然而對于ADS液晶顯示器來說，陣列基板及其制造工藝決定了其產(chǎn)品的性能和價格。該陣列基板在傳統(tǒng)的工藝在Array段工藝過程中，會隨著像素區(qū)內(nèi)的TFT沉積形成的同時形成防靜電的ESD(Electro-Static discharge,靜電釋放)組件回路,但是ESD回路往往形成于Array工藝的后期(像素電極沉積之后)，因此在Array工藝中，ESD組件還不能發(fā)揮其防靜電的作用，造成諸多此階段由靜電引發(fā)的各種不良。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，使ESD組件充分發(fā)揮其疏散電荷的作用，有效的降低了 ESD的發(fā)生率。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種陣列基板的制造方法，包括步驟A、在基板的一側(cè)依次形成第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的圖形，其中所述絕緣層上設(shè)置有至少一個過孔；步驟B、在形成所述第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的基板上依次形成柵金屬層和鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵電極和柵線，所述柵金屬層通過所述至少一個過孔與所述第一導(dǎo)電層連接，形成將靜電疏散的通路。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種陣列基板，包括基板；基板的一側(cè)依次形成有第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的圖形，其中所述絕緣層上設(shè)置有至少一個過孔；在形成有所述第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的基板上依次形成有柵金屬層和鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵電極和柵線，所述柵金屬層通過所述至少一個過孔與所述第一導(dǎo)電層連接，形成將靜電疏散的通路。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明的實施例具有如下有益效果可以在Array工藝中提前多步工藝完成ESD回路的形成，使ESD組件充分發(fā)揮其疏散電荷的作用，有效的降低了ESD的發(fā)生率，減少了 ESD所造成的諸多電學(xué)不良。


圖1表示本發(fā)明的一個實施例中陣列基板的制造方法的流程圖；圖2表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟SlOl后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；圖3表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S102后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；圖4表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S103后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；圖5表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S104后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；圖6表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S105后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；圖7表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S106后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；圖8表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S107后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖； 圖9表示本發(fā)明的實施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合實施例和附圖，對本發(fā)明實施例做進一步詳細地說明。在此，本發(fā)明的示意性實施例及說明用于解釋本發(fā)明，但并不作為對本發(fā)明的限定。在現(xiàn)有的TFT-1XD工藝中，ESD組件有效的起到將工藝中產(chǎn)生的電荷均勻擴散的作用，但是傳統(tǒng)的ESD回路均是在ITO (氧化銦錫)層沉積后(即Array工藝結(jié)束后)才得以形成，因此在Array工藝過程中ESD組件不能發(fā)揮其擴散電荷的作用。本發(fā)明的實施例以ADS模式產(chǎn)品為例，改變源漏電極、有源層、柵金屬層的沉積順序，相比于傳統(tǒng)的Array工藝可以提前形成ESD回路，有效的減少了 Array段ESD對膜層以及像素造成的破壞。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，首先在基板的一側(cè)依次形成第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的圖形，其中絕緣層上設(shè)置有至少一個過孔；然后在形成絕緣層的基板上依次形成柵金屬層和鈍化層，其中柵金屬層包括柵電極和柵線，柵金屬層通過至少一個過孔與第一導(dǎo)電層連接，形成將靜電疏散的通路。具體地，結(jié)合圖1 圖8來描述本發(fā)明的一個實施例中陣列基板的制造方法100的流程，該制造方法100包括以下步驟步驟SlOl、在基板I的一側(cè)上形成第一導(dǎo)電層2的圖形；步驟S102、在形成第一導(dǎo)電層2的基板I上形成源漏電極3的圖形；步驟S103、在形成源漏電極3的基板I上形成有源層4的圖形；步驟S104、在形成有源層4的基板I上形成絕緣層5，該絕緣層5上包括至少一個過孔9。步驟S105、在形成絕緣層5的基板上形成柵金屬6的圖形，其中柵金屬層6包括柵電極和柵線，柵金屬層6通過至少一個過孔9與第一導(dǎo)電層2連接，形成將靜電疏散的通路。步驟S106、在形成柵金屬層6的基板I上形成鈍化層7的圖形。步驟S107、在基板I的另一側(cè)形成用于作為有效顯示區(qū)域(AA)的公共電極的第二導(dǎo)電層8的圖形。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第一導(dǎo)電層2和第二導(dǎo)電層8的材料為透明導(dǎo)電材料?？蛇x地，透明導(dǎo)電材料為銦錫氧化物。本發(fā)明通過改變Array工藝中各膜層的沉積順序及刻蝕步驟，達到了使TFT-1XD工藝中用于防止靜電發(fā)生的ESD回路提前形成的效果，從而解決了 ESD組件在Array工藝后期才能形成，不能盡早發(fā)生作用，導(dǎo)致ESD高發(fā)的技術(shù)問題。具體地，首先提前實現(xiàn)ESD回路，有效降低了靜電對產(chǎn)品造成的破壞。而且過孔9的下端的金屬層的材料可選用Ι ，相對于傳統(tǒng)的金屬更為穩(wěn)定不易被氧化。其次過孔9處沉積金屬，從導(dǎo)電性角度考慮，要優(yōu)于傳統(tǒng)的過孔處沉積ITO的導(dǎo)電性。最后相對于傳統(tǒng)的工藝，大量減少了過孔的數(shù)量，減少了由于過孔處接觸問題造成不良的幾率。參見圖9,表不本發(fā)明的實施例中陣列基板900的結(jié)構(gòu)不意圖，該陣列基板900包括基板I ;在基板I的一側(cè)依次形成有第一導(dǎo)電層2、源漏電極3、有源層4和絕緣層5的圖 形，其中絕緣層5上設(shè)置有至少一個過孔9 ；在形成絕緣層5的基板I上依次形成柵金屬層6和鈍化層7，其中柵金屬層6包括柵電極和柵線，柵金屬層6通過至少一個過孔9與第一導(dǎo)電層2連接，形成將靜電疏散的通路。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，在基板I的另一側(cè)形成有用于作為有效顯示區(qū)域的公共電極的第二導(dǎo)電層8的圖形?？蛇x地，第一導(dǎo)電層2和第二導(dǎo)電層8的材料為透明導(dǎo)電材料。例如透明導(dǎo)電材料為銦錫氧化物(ITO)。本發(fā)明的實施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的陣列基板。該顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 步驟A、在基板的一側(cè)依次形成第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的圖形，其中所述絕緣層上設(shè)置有至少一個過孔； 步驟B、在形成所述第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的基板上依次形成柵金屬層和鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵電極和柵線，所述柵金屬層通過所述至少一個過孔與所述第一導(dǎo)電層連接，形成將靜電疏散的通路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步驟A包括 步驟Al、在所述基板的一側(cè)形成第一導(dǎo)電層的圖形； 步驟A2、在形成所述第一導(dǎo)電層的基板上形成源漏電極的圖形； 步驟A3、在形成所述源漏電極的基板上形成有源層的圖形； 步驟A4、在形成所述有源層的基板上形成絕緣層，所述絕緣層上包括至少一個過孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1 2任一所述的制造方法，其特征在于，所述方法還包括 在所述基板的另一側(cè)形成用于作為有效顯示區(qū)域的公共電極的第二導(dǎo)電層的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的材料為透明導(dǎo)電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為銦錫氧化物。
6.—種陣列基板,其特征在于,包括 基板； 所述基板的一側(cè)依次形成有第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的圖形，其中所述絕緣層上設(shè)置有至少一個過孔； 在形成有所述第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的基板上依次形成有柵金屬層和鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵電極和柵線，所述柵金屬層通過所述至少一個過孔與所述第一導(dǎo)電層連接，形成將靜電疏散的通路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，在所述基板的另一側(cè)形成有用于作為有效顯示區(qū)域的公共電極的第二導(dǎo)電層的圖形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的材料為透明導(dǎo)電材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為銦錫氧化物。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求6 9任一所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，其中制造方法包括步驟A、在基板的一側(cè)依次形成第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的圖形，其中所述絕緣層上設(shè)置有至少一個過孔；步驟B、在形成所述第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的基板上依次形成柵金屬層和鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵電極和柵線，所述柵金屬層通過所述至少一個過孔與所述第一導(dǎo)電層連接，形成將靜電疏散的通路?？梢栽贏rray工藝中提前多步工藝完成ESD回路的形成，使ESD組件充分發(fā)揮其疏散電荷的作用，有效的降低了ESD的發(fā)生率。
文檔編號H01L27/12GK103021943SQ20121054610
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者于海峰, 封賓, 林鴻濤 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司