專利名稱：用于較薄堆疊封裝件結(jié)構(gòu)的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，更具體而言，涉及用于堆疊封裝件結(jié)構(gòu)的方法和裝置。
背景技術(shù)：
隨著使用集成電路制造的器件不斷縮小，對(duì)用于集成電路器件的較小封裝件的需求不斷增加。一種越來(lái)越多地被用來(lái)節(jié)省系統(tǒng)電路板上的空間并且減小所用的板面積的方法是用于在被稱為“堆疊封裝件(Package onPackage) ”或“PoP”器件的組合、垂直布置的封裝件結(jié)構(gòu)中提供兩個(gè)或更多個(gè)集成電路。PoP結(jié)構(gòu)通過(guò)將它們組合成單個(gè)封裝結(jié)構(gòu)來(lái)減小集成電路所需的系統(tǒng)電路板面積，并且還消除對(duì)位于電路板上的可能另外使器件彼此連接的一些連接件跡線的需要?？梢允褂猛走B接在垂直布置的封裝器件之間提供電連接。例如，存儲(chǔ)器模塊可以是安裝在PoP結(jié)構(gòu)中的上封裝件上的器件。作為非限制性實(shí)例，存儲(chǔ)器模塊可以包括一個(gè)、兩個(gè)或更多個(gè)商品存儲(chǔ)器器件，諸如，DDR DRAM、或FLASH器件。上封裝基板可以是多層電路板，并且可以由樹(shù)脂(例如，諸如FR4的紡織玻璃增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂或BT樹(shù)脂)、陶瓷、塑料、膜、或其他基板材料形成。上基板的底面可以具有遠(yuǎn)離頂部基板的底面垂直延伸的一行或多行PoP連接件。這些PoP連接件提供到安裝在PoP器件的底部封裝件上的集成電路的連接，或者當(dāng)將PoP器件最終安裝在系統(tǒng)電路板上時(shí)提供被映射(map)到系統(tǒng)板的連接。底部封裝件是具有安裝在其上的集成電路的基板。集成電路可以是“應(yīng)用處理器”或“AP”。底部封裝件的上表面具有用于接收并且電連接至PoP連接件的接合盤(land)或焊盤。例如，如果PoP連接件是從上封裝件的底面延伸的多行焊料球，底部封裝件的上表面上的接合盤或焊盤將對(duì)應(yīng)于這些連接件并且接收這些連接件。PoP結(jié)構(gòu)的底部封裝件還具有位于其上(通常在底面上)的外部連接件，該外部連接件用于在PoP結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)電路板之間形成最后連接。底部封裝件可以是球柵陣列(“BGA”)型封裝件，并且具有在底面上布置成陣列的焊料球。因此，PoP器件具有位于頂部基板和底部基板之間的PoP連接件，以及從安裝在系統(tǒng)電路板上的焊盤上的底部基板延伸的外部連接件終端。然而，隨著對(duì)更高性能和更高頻率操作器件的需求的增加，在PoP結(jié)構(gòu)中使用的布線變成顯著限制因素。用于從PoP結(jié)構(gòu)中的器件到系統(tǒng)板以及從系統(tǒng)板到POP結(jié)構(gòu)中的器件獲取信號(hào)的信號(hào)路徑非常長(zhǎng)，該信號(hào)路徑可以包括板跡線、焊料球、焊料凸塊或C4連接件、以及接合線。這些路徑產(chǎn)生IR壓降并且導(dǎo)致系統(tǒng)變慢。而且，PoP器件在便攜式應(yīng)用中的使用增加了對(duì)更薄封裝件的需求。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括:第一集成電路封裝件，包括安裝在第一基板上的至少一個(gè)集成電路器件，并且具有從所述第一基板的底面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件；以及第二集成電路封裝件，包括安裝在第二基板上的至少另一個(gè)集成電路器件，包括位于所述第二基板的上表面上連接至所述多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且包括從所述第二集成電路封裝件的第二底面延伸的多個(gè)外部連接件；其中，至少所述第二基板包括堆疊在一起且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述多個(gè)堆疊封裝連接件是焊料。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述多個(gè)外部連接件是焊料。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述第一基板包括堆疊在一起且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述第一基板包括位于芯材料的第一表面上的第一多個(gè)介電層，以及在所述芯材料的第二表面上的第二多個(gè)介電層。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述第一基板進(jìn)一步包括在所述第一基板的所述底面的中心部分中形成的腔。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述第二封裝件的所述至少另一個(gè)集成電路器件部分地延伸至在所述第一表面的所述底面的所述中心部分中形成的所述腔中。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述至少另一個(gè)集成電路器件嵌入在所述第二基板中。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述至少另一個(gè)集成電路器件使用跡線上板連接件安裝到所述第二基板。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述至少一個(gè)集成電路器件是存儲(chǔ)器。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述至少另一個(gè)集成電路器件是微處理器。另一方面，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括:第一集成電路封裝件，包括安裝在第一基板上的至少一個(gè)集成電路器件，并且具有從所述第一基板的底面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件，以及在所述底面上形成的并且延伸到所述第一基板中的腔，所述堆疊封裝連接件與所述腔間隔開(kāi)布置；以及第二集成電路封裝件，包括安裝在第二基板上的至少另一個(gè)集成電路器件，包括位于所述第二基板的上表面上的連接至所述多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且進(jìn)一步包括從所述第二集成電路封裝件的底面延伸的多個(gè)外部連接件；其中，所述至少另一個(gè)集成電路器件中的至少一部分延伸至所述第一基板的所述底面上的腔中。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述第二基板包括堆疊在一起且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述第一基板包括位于芯材料的第一表面上的第一多個(gè)介電層，以及位于所述芯材料的第二表面上的第二多個(gè)介電層。在所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，所述第二基板包括位于第二芯材料的第一表面上的第三多個(gè)介電層，以及位于所述第二芯材料的第二表面上的第四多個(gè)介電層。又一方面，本發(fā)明提供了一種方法，包括:提供第一集成電路封裝件，所述第一集成電路封裝件包括位于第一基板上的上表面上的一個(gè)或多個(gè)集成電路，并且提供從所述第一基板的下表面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件；提供第二集成電路封裝件，包括:提供第二基板，在所述第二基板的上表面上具有一個(gè)或多個(gè)其他集成電路，所述第二基板包括布置在所述第二基板的上表面上用于接收所述多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且進(jìn)一步包括:提供從所述第二基板的底面延伸的多個(gè)外部連接件；以及通過(guò)將所述第一集成電路封裝件的所述堆疊封裝連接件接合至所述第二基板上的所述多個(gè)接合盤，將所述第一集成電路封裝件安裝到所述第二基板的所述上表面；其中，提供所述第二基板包括:提供相互堆疊且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。在所述的方法中，提供所述第二基板進(jìn)一步包括:提供具有覆蓋一個(gè)表面的導(dǎo)體的第一介電層；在所述第一介電層中形成第一層通孔；在所述第一層通孔中形成第一層導(dǎo)電材料；在所述第一層通孔中的所述導(dǎo)電材料上方形成第一層導(dǎo)電跡線；以及在所述導(dǎo)電跡線上方設(shè)置第二介電層。所述的方法進(jìn)一步包括:在所述第二介電層中形成第二層通孔；在所述第二介電層中的所述第二層通孔中形成導(dǎo)電材料；在所述第二層通孔中的所述導(dǎo)電材料上方形成第二層導(dǎo)電跡線；以及圖案化覆蓋所述一個(gè)表面的所述導(dǎo)體，以用于容納外部連接件。所述的方法進(jìn)一步包括:將所述一個(gè)或多個(gè)集成電路倒裝芯片安裝到所述第二基板的所述第二層導(dǎo)電跡線。所述的方法進(jìn)一步包括:將所述一個(gè)或多個(gè)集成電路嵌入到所述第二基板內(nèi)。


為了更完整地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下說(shuō)明作為參考，其中:圖1以三維視圖示出了其上安裝有PoP器件的印刷電路板的一部分；圖2以橫截面視圖示出了實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)；圖3以橫截面視圖示出了另一個(gè)實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)；圖4以橫截面視圖示出了可選實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)；圖5以橫截面視圖不出了另一個(gè)可選實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)；圖6以橫截面視圖示出了又一個(gè)可選實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)；圖7示出了圖2的實(shí)施例的橫截面視圖并且示出了該實(shí)施例的信號(hào)路徑；圖8以橫截面視圖不出了另一個(gè)實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)；圖9以橫截面視圖示出了用于形成實(shí)施例基板的中間工藝步驟；圖10以橫截面視圖示出了另外的加工之后的圖9的實(shí)施例基板；圖11以橫截面視圖示出了另外的加工之后的圖10的實(shí)施例；圖12以橫截面視圖示出了另外的加工之后的圖11的實(shí)施例；圖13以另一個(gè)橫截面視圖示出了另外的加工之后的圖12的實(shí)施例；圖14以另一個(gè)橫截面視圖示出了實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)；圖15以流程圖示出了方法實(shí)施例；以及圖16以流程圖示出了可選方法實(shí)施例。附圖、示意圖和圖表都是說(shuō)明性的且不是限制性的，而是本發(fā)明的實(shí)施例的實(shí)例，將其簡(jiǎn)化用于說(shuō)明目的，并且不按比例繪制。
具體實(shí)施例方式在下面詳細(xì)論述實(shí)例和說(shuō)明性實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明構(gòu)思。所論述的具體實(shí)施例僅僅是制造和使用本申請(qǐng)所公開(kāi)的構(gòu)思的說(shuō)明性具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍，并且也不用于限制所附權(quán)利要求的范圍。本申請(qǐng)的實(shí)施例(現(xiàn)在將詳細(xì)地描述其實(shí)例)提供用于具有減小的厚度和更短的信號(hào)通路長(zhǎng)度的PoP結(jié)構(gòu)的新方法和裝置。實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)的更短布線距離在形成用于高頻或高性能器件的封裝件中特別有利，然而，有利的實(shí)施例使用不限于這些應(yīng)用。使用實(shí)施例獲取的更薄PoP結(jié)構(gòu)對(duì)于提供更薄的總形狀因數(shù)是有利的，對(duì)于諸如智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、電子閱讀器、PDA、便攜式視頻和音樂(lè)播放器、照相機(jī)、手持網(wǎng)頁(yè)瀏覽器或視頻接收器等手持和便攜式設(shè)備而言，對(duì)更薄的總形狀因數(shù)的需求日益增加。圖1以三維視圖示出了常規(guī)PoP結(jié)構(gòu)13的四分之一部分，常規(guī)PoP結(jié)構(gòu)13包括:作為底部封裝件的球柵陣列(“BGA”)封裝件15 ;以及安裝在PoP結(jié)構(gòu)中的BGA封裝件上方的上封裝件17。從圖1中的上封裝件17的底面延伸的外部連接件與BGA封裝件15的上表面上的接合盤或焊盤相連接。本申請(qǐng)中描述的實(shí)施例具有從上封裝件的底部延伸到PoP結(jié)構(gòu)的底部封裝件的上表面上的接合盤的連接件。在一些實(shí)施例中，這些連接件可以作為焊料球形成。然而，實(shí)施例和對(duì)實(shí)施例的各種應(yīng)用不限于此。銅連接件諸如銅柱、支柱或螺柱、可控塌陷芯片連接件(“C4”)、銅或焊料凸塊、以及其他導(dǎo)電材料柱全都可以代替附圖中作為示例連接件示出的焊料球，或者與附圖中作為示例連接件示出的焊料球一起使用。而且，本文使用的術(shù)語(yǔ)“焊料”包括含鉛和無(wú)鉛焊料。含鉛焊料(諸如Pb/Sn成分)以及無(wú)鉛焊料(包括但不限于例如實(shí)施例SnAgCu( “SAC”)成分)在術(shù)語(yǔ)“焊料”的范圍內(nèi)，其還包括其他焊料成分，諸如共晶體。可以使用各種電鍍和涂布來(lái)改善可焊性，減少氧化，提高粘合性，改進(jìn)回流工藝或者改進(jìn)連接件的其他特性。所有這些變化都被視為本文論述的實(shí)施例的可選實(shí)施例，并且這些可選實(shí)施例也都落在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。在圖1中，在系統(tǒng)板21上安裝PoP結(jié)構(gòu)13。系統(tǒng)板21可以是例如印刷電路板?？梢允褂们蜻B接件安裝PoP結(jié)構(gòu)，以在熱回流工藝中連接至系統(tǒng)板21上的接合盤。在回流工藝中，首先以與對(duì)應(yīng)于BGA球形成的系統(tǒng)板21上的接合盤對(duì)準(zhǔn)的形式放置BGA球，移動(dòng)PoP結(jié)構(gòu)以使BGA球與系統(tǒng)板21上的接合盤接觸，并且使用熱處理以使BGA球熔化和回流并且與電路板機(jī)械接合，完成PoP結(jié)構(gòu)與電路板的電連接和機(jī)械連接?？梢允褂谜持鴦┮赃M(jìn)一步增加機(jī)械強(qiáng)度，并且可以使用底部填充材料來(lái)提供對(duì)PoP結(jié)構(gòu)13和系統(tǒng)板21之間的連接件的應(yīng)力釋放。當(dāng)器件的輸入和輸出連接件的數(shù)量增加時(shí)，常規(guī)PoP結(jié)構(gòu)中的這些器件的使用形成更厚的結(jié)構(gòu)。當(dāng)PoP結(jié)構(gòu)變得更厚時(shí)，從上封裝件上的器件到系統(tǒng)板的路徑的距離增加了。信號(hào)路徑可以包括接合焊盤、接合線、上封裝件上的跡線、穿過(guò)上封裝件的通孔、至下封裝件的焊料球或銅柱連接件、至下封裝件上的集成電路的焊料凸塊和焊盤、至系統(tǒng)電路板的另一通孔和另一焊料球。該路徑可以具有由路徑中的電流-電阻(“IR”)引起的明顯電壓降。而且，封裝件高度在設(shè)計(jì)其中需要較薄封裝件的非常薄的手持和便攜式設(shè)備中成為一個(gè)問(wèn)題。如圖1中的典型PoP結(jié)構(gòu)的厚度可以大于1.2毫米。該厚度對(duì)于某些薄器件應(yīng)用可能太大。圖2以橫截面視圖示出了改進(jìn)的PoP結(jié)構(gòu)30的第一實(shí)施例。在圖2中，提供具有基板29的上封裝件27。該基板可以是紡織玻璃增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂“芯”?？梢允褂闷渌宀牧?，包括但不限于例如BT樹(shù)脂。在印刷電路板結(jié)構(gòu)中使用的材料(諸如FR4)可以用于基板29。該芯具有分離導(dǎo)電跡線的介電材料層，以形成多層電路板。例如，在介電層上方示出用于接收接合線35的焊盤36。通孔和接觸件可以用于垂直地連接跡線，以提供布線和映射連接。為通過(guò)基板的信號(hào)提供垂直路徑可以使用通孔，諸如，通孔37，其作為延伸穿過(guò)基板29的孔形成，然后用導(dǎo)電材料填充該孔或形成該孔的襯墊，以完成垂直連接路徑。然后，上封裝件27的底面上的跡線提供用于進(jìn)一步將信號(hào)連接至通孔37并且直至上封裝件27的上面的路徑。上封裝件27在上表面和下表面上都具有焊料掩模層33。在圖2中還示出了鈍化層39，其可以是例如通過(guò)熱固性模塑料的壓縮模塑形成的用于保護(hù)通孔37、接合線35、以及焊盤36免受濕氣和熱應(yīng)力的重疊模塑層(overmolded layer)?？梢允褂闷渌丿B模塑材料，諸如，樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂。作為說(shuō)明性而非限制性的實(shí)例，上封裝件27可以承載(carry)諸如存儲(chǔ)器器件的商品集成電路器件31。在該實(shí)施例中，器件31可以是FLASH、SRAM或DRAM器件。這些作為兩個(gè)堆疊管芯堆疊示出?？梢园惭b更多管芯，以增加所提供的存儲(chǔ)器的尺寸，或者可選地可以僅使用一個(gè)管芯。也可以在基板29上安裝其他類型的器件。在圖2中，示出了將器件31連接至基板29上的焊盤(諸如36)的接合線(諸如35)。然而，在可選布置中，底部存儲(chǔ)器管芯可以是“倒裝芯片”，并且可以使用焊料凸塊、或銅連接件接合至基板29的中心部分上的接合盤。在一些實(shí)施例中，可以作為元件形成若干垂直堆疊管芯的存儲(chǔ)器模塊，使用例如通孔連接件連接堆疊存儲(chǔ)器器件以形成存儲(chǔ)器模塊，并且模塊中的底部管芯可以是倒裝芯片安裝到基板29。所有這些布置都是被視為實(shí)施例的一部分的可選實(shí)施例，并且落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。連接件38形成用于圖2的結(jié)構(gòu)的PoP連接件。這些連接件38可以是焊料或其他導(dǎo)電材料。如圖2中所示，它們可以是焊料球，但是實(shí)施例不限于焊料球的使用，連接件可以是銅柱、銅螺柱、可控塌陷芯片連接件(“C4”)、或用于將元件連接至下面的板或器件的其他連接件。而且，在本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)“焊料”不限于任何特定類型，并且可以使用含鉛或無(wú)鉛焊料?？梢允褂勉U和錫(Pb/Sn)或Pb的焊料球和其他材料。在可選實(shí)施例中，可以使用包括作為非限制性實(shí)例的錫、銀和銅(“SAC”)的無(wú)鉛成分。共晶成分可以用于形成連接件。連接件38的形狀也不限于“球”形，并且可以使用圓柱形、柱形、卵形、塔形、正方形、長(zhǎng)方形和其他形狀。在圖2的實(shí)施例中，PoP連接件38在基板29的外圍布置成行。這種布置在上封裝件27的底面的中心部分中留下間隔，用于將在其下面安裝的芯片放置在由連接件38提供的垂直間隔內(nèi)，并且鄰近上封裝件27的底面。以此方式，減小PoP結(jié)構(gòu)30的厚度T2。如在下面進(jìn)一步描述的，在其他實(shí)施例中，還可以通過(guò)多種其他修改進(jìn)一步減小這種垂直間隔。在圖2中，應(yīng)該注意，可以在除了 PoP結(jié)構(gòu)30之外的應(yīng)用中使用上封裝件。例如，可以將連接件38安裝到電路板上，并且存儲(chǔ)器器件31可以用于其他應(yīng)用。因此，上封裝件27具有除了用于本文所論述的實(shí)施例之外的效用。在圖2中，在上封裝件27下面示出“無(wú)芯”底部封裝件25。該封裝件形成PoP結(jié)構(gòu)的“BGA”部分并且承載應(yīng)用處理器或“AP”42。AP 42可以是但不限于微處理器。用于AP42的可選實(shí)施例包括專用集成電路(“ASIC”)、數(shù)字信號(hào)處理器(“DSP”)、無(wú)線電收發(fā)器1C、或執(zhí)行所選的期望功能的其他功能器件的使用。如果AP 42是處理器或微處理器，則可以看出，存儲(chǔ)器器件31可以是與AP 42相關(guān)的程序存儲(chǔ)器、或高速緩沖存儲(chǔ)器；因此，PoP結(jié)構(gòu)30的使用提供在器件中使用的“系統(tǒng)”。然后，PoP結(jié)構(gòu)30的系統(tǒng)包括若干集成電路，但是僅需要一部分的系統(tǒng)電路板。在無(wú)芯基板41上建立底部封裝件25。該封裝件具有上封裝件27的一些部件；例如，示出具有通孔和接觸件的導(dǎo)電跡線和介電層，并且使用焊接掩模以保護(hù)基板41的上表面和下表面。但是，現(xiàn)在省略了在上封裝件27中使用的基板29或“芯”。如將在下面進(jìn)一步描述的，本文公開(kāi)的PoP結(jié)構(gòu)的一些實(shí)施例使用一種用于制造具有減小的厚度的無(wú)芯基板(如圖2中的41)的新方法。相對(duì)于常規(guī)PoP器件達(dá)到的厚度，PoP結(jié)構(gòu)30的厚度T2減小了。通過(guò)省略“芯”減小厚度具有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。縮短了從諸如31和42的器件到系統(tǒng)板連接件的路徑長(zhǎng)度。由于每個(gè)路徑都是由通過(guò)該路徑的電流乘以路徑的電阻的乘積(“IR”)導(dǎo)致的電壓降，較短的路徑具有降低的“IR”降。而且，較短的路徑實(shí)現(xiàn)了較短的信號(hào)行程中的延遲時(shí)間，并因此實(shí)現(xiàn)了較高的工作頻率。而且，作為使用無(wú)芯基板的結(jié)果，封裝件在物理上變得更薄，這實(shí)現(xiàn)了更薄的系統(tǒng)封裝件。在圖2中，示出了使用“倒裝芯片”方法安裝到無(wú)芯基板41的AP 42 ;S卩，AP 42的表面上的接合焊盤被“翻轉(zhuǎn)”，所以其是“面朝下的”，并且接合焊盤通過(guò)導(dǎo)電材料連接至基板41上的跡線。在該具體實(shí)施例中，其不是限制性的而是一個(gè)可選性的實(shí)施例，使用“跡線上板”或“B0T”連接件。在AP 42的接合焊盤上形成銅連接件。這些被直接連接至基板41的上表面上的銅跡線，形成電連接。與更常規(guī)的“S0P”或“焊盤上焊料”方法相比，使用BOT方法實(shí)現(xiàn)了更細(xì)間距(接合焊盤之間的間隔更小)的連接。SOP方法需要在跡線上形成的焊盤之間具有更多的間隔，以允許焊盤上的焊料與隨后在AP 42上使用的焊料凸塊一起回流。然而，SOP實(shí)施例可以用于將AP 42安裝到基板41，并且對(duì)于某些應(yīng)用，該方法可能具有優(yōu)點(diǎn)。所有這些可選實(shí)施例都在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。示出了位于AP 42下面的BOT連接件之間的底部填充材料44。通常使用毛細(xì)管型底部填充(“CUF”)方法作為液體分配底部填充物。樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂液體在AP 42下面流動(dòng)并且填充連接件之間的空間?？梢允褂檬覝亍V、或熱固化以固化該材料。底部填充物提供機(jī)械強(qiáng)度和應(yīng)力釋放。位于無(wú)芯基板41的上表面上的接合盤或焊盤51接收PoP連接件38，其在該實(shí)施例中是焊料球。這些連接件可以連接至將器件31例如連接至AP 42或者連接至外部連接件48 (在該實(shí)施例中示出為焊料球)的跡線用于連接到系統(tǒng)。可以在基板41中形成通孔，或者可以通過(guò)通孔與基板內(nèi)的內(nèi)部跡線、通過(guò)另一個(gè)通孔與基板41的另一個(gè)表面上的跡線形成垂直連接。外部連接件48可以是諸如焊料球的焊料連接件。這些焊料球可以布置成行和列的柵格圖案，并且可以覆蓋基板41的大部分底面。外部連接件從而形成“球柵陣列”或“BGA”，并且底部封裝件25可以被稱為BGA封裝件。底部封裝件25還可以具有除了 PoP結(jié)構(gòu)30以外的效用；即，底部封裝件25提供用于AP 42的封裝件，例如，其可以用于在PoP封裝件上具有存儲(chǔ)器器件的PoP結(jié)構(gòu)中，或者底部封裝件25可以被安裝到?jīng)]有PoP封裝件的電路板。圖3以橫截面示圖示出可選實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)60。圖2的多個(gè)元件在圖3中再次示出，并且對(duì)于這些元件，使用相同的參考數(shù)字。在圖3中，現(xiàn)在還在無(wú)芯基板79上形成上封裝件67。該基板由多個(gè)介電層形成，該多個(gè)介電層可以例如使用下面描述的方法實(shí)施例形成。這些層承載導(dǎo)電跡線并且包含通孔，使得使用到導(dǎo)電跡線的通孔和接觸件，多層電路板可以由無(wú)芯基板79形成。示出在基板79的上表面和下表面之間提供電連接的通孔77。無(wú)芯基板79比圖2中的基板29更薄；因此，PoP結(jié)構(gòu)60具有小于圖2的T2的厚度T3，在圖2中，僅下封裝件是無(wú)芯的。此處，上封裝件67和下封裝件25都是無(wú)芯的。圖3的其余元件與圖2相同。圖3的在AP 42上方且在上封裝件67下方的間隔49是可選的；該空間可以更小或者同樣如在圖2中不提供間隔。在該實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)的厚度T3也小于使用常規(guī)PoP結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)的厚度。在圖4中，以另一個(gè)橫截面視圖示出進(jìn)一步可選的PoP結(jié)構(gòu)80。多個(gè)元件與圖2中的相同，并且對(duì)于相同的元件使用相同的參考數(shù)字。在圖4中，上封裝件27與圖2中的相同，在有芯基板29上具有器件31、接合線35、焊盤36、焊接掩模33、以及通孔37?，F(xiàn)在將下封裝件標(biāo)記為85，以區(qū)分與圖2相比實(shí)施例中的差異。下封裝件85具有無(wú)芯基板91，其具有嵌入其中的芯片42。該AP 42可以是與圖2中相同類型的器件，但是在該實(shí)施例中，AP 42被嵌入在基板91中；S卩，AP 42的主體位于無(wú)芯基板91的厚度內(nèi)，而不是設(shè)置在其頂部上。從而，與PoP結(jié)構(gòu)的常規(guī)方法相比，制造出的PoP連接件38可以更薄，并且PoP結(jié)構(gòu)80可以具有小得多的厚度T4。示出AP 42作為BOT連接器件安裝在于無(wú)芯基板91中形成的腔內(nèi)，使得AP 42的上表面和位于基板91上方的焊接掩模93的上表面可以基本共面，但是該部件不是必需的。可選地，AP 42還可以在焊接掩模表面的上方垂直延伸。圖4中的上封裝件27與圖2中的上封裝件27相同，使用相同的參考數(shù)字并且在此不需要作進(jìn)一步說(shuō)明。圖5以橫截面視圖示出PoP結(jié)構(gòu)實(shí)施例100。在該實(shí)施例中，例如，將上封裝件重新編號(hào)為107，以區(qū)分該實(shí)施例與圖2的上封裝件27。在圖5中，上封裝件107由芯基板109形成，該芯基板109可以是例如紡織玻璃增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂基板。在基板109的底部上形成腔105。該“腔向下”型布置允許安裝在下封裝件25上的AP 42的主體部分地延伸至上封裝件107的主體內(nèi)的腔中，所以厚度T5相對(duì)于常規(guī)PoP結(jié)構(gòu)具有的厚度能夠再次大大地減小。AP 42所需的垂直面積減小還允許減小PoP連接件38的厚度。圖5的其余元件包括為如圖2中的無(wú)芯基板封裝件的下封裝件25、位于上封裝件上的器件31、AP 42、外部連接件48都與圖2中的相同，并且使用相同的數(shù)字。實(shí)施例100的其余部件與PoP結(jié)構(gòu)30相同。圖6以橫截面視圖示出了另一個(gè)實(shí)施例110。在圖6中，PoP結(jié)構(gòu)110具有與圖5中上封裝件107相同的“腔向下”型上封裝件。下封裝件125現(xiàn)在是有芯基板，諸如，具有紡織玻璃增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂111的FR4基板。圖6的其余部件與圖5中的相同并因此使用相同的參考數(shù)字。結(jié)構(gòu)110的厚度T6通過(guò)使用如圖5中的腔105而降低；但是，PoP下封裝件125現(xiàn)在是常規(guī)的“有芯”基板111。腔向下型上封裝件107的使用再次允許結(jié)構(gòu)110的厚度T6小于在常規(guī)PoP結(jié)構(gòu)中可以實(shí)現(xiàn)的厚度。圖7示出圖2的實(shí)施例60并且進(jìn)一步示出實(shí)施例中的器件的示例信號(hào)路徑20。信號(hào)路徑20示出從器件31通過(guò)接合線35到上基板、到銅跡線、通過(guò)通孔77到基板的下表面的路徑。該信號(hào)路徑繼續(xù)通過(guò)焊料球連接件38到下封裝件25的無(wú)芯基板中的跡線、到AP 42、然后通過(guò)下封裝件中的通孔到焊料球48并且到印刷電路板上。信號(hào)路徑的垂直部分由于通過(guò)無(wú)芯基板的使用和實(shí)施例的BOT安裝實(shí)現(xiàn)的厚度減小而縮短，這大大降低了信號(hào)路徑的IR降，改進(jìn)了器件性能。圖8以又一個(gè)橫截面視圖示出了具有減少的翹曲特性的實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)130。再次地，使用諸如像FR4的紡織玻璃增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂的有芯基板29形成上封裝件27，同時(shí)該實(shí)施例中的下封裝件135也是有芯基板，在此處編號(hào)為136。該基板136具有不對(duì)稱的電路層系統(tǒng)；在該實(shí)例中，上表面具有垂直堆疊的兩層電介質(zhì)和銅跡線137、139，同時(shí)在該有芯基板136的底面上，示出單個(gè)介電層141。在測(cè)試中，已顯示這種布置相對(duì)于具有“對(duì)稱”分層的類似結(jié)構(gòu)減少封裝件翹曲。實(shí)施例在基板136的上表面或者下表面上可以具有其他層，但是在所有實(shí)施例中，基板136的上表面都比基板136的下表面具有更多數(shù)量的介電層。在熱循環(huán)以及組裝PoP結(jié)構(gòu)期間，這種不對(duì)稱層布置減小了其他可能發(fā)生的基板翹曲。圖8中所示的其余部件與先前實(shí)施例中的那些相同，并且對(duì)于相同的元件再次使用相同的數(shù)字。例如，包括器件31、接合線35、焊盤36、焊接掩模33、通孔37、以及有芯基板29的上封裝件27與圖2中的相同。下基板135與圖7中的有芯基板125相似，除了介電材料層137、139和141按照如上所述的不對(duì)稱方式布置之外。連接件48、AP 42和PoP連接件38按照之前那樣布置。圖8的另一方面在于現(xiàn)在作為焊盤上焊料或“S0P”連接件示出從AP42到下封裝件135的連接。將這些編號(hào)為143，以區(qū)分它們與上述其他實(shí)施例中的BOT連接件43。然而，在可選實(shí)施例中，這種不對(duì)稱層基板布置還可以與如在上面附圖中的先前實(shí)施例中的用于AP 42的BOT連接件一起使用。SOP連接件143在基板135上具有帶焊料的焊盤，并且AP 42具有焊料凸塊，使通過(guò)使用熱回流工藝形成焊料連接件成為可能。在將AP 42是倒裝芯片安裝到基板136之后再次提供底部填充物44。SOP連接需要連接件之間的更大距離(更大間距)，并且因此不能實(shí)現(xiàn)使用BOT連接可以實(shí)現(xiàn)的AP 42上的終端的細(xì)間距分辨率。BOT連接可以支持例如小于30微米的最小間距距離。現(xiàn)在描述用于制造供實(shí)施例使用的無(wú)芯基板的方法實(shí)施例。在圖9中，以橫截面視圖示出用于形成無(wú)芯基板的中間結(jié)構(gòu)150。在工藝的中間階段中示出在任一表面上具有兩個(gè)相同的組件的載具158，其可以是玻璃或金屬載具。預(yù)浸潰材料(“預(yù)浸潰”)層153是樹(shù)脂浸潰紙或者布料，在一個(gè)表面上提供有諸如銅層的導(dǎo)電材料層155。暫時(shí)將導(dǎo)電層155粘附到載具158上用于加工?？梢允褂眉す忏@孔或其他鉆孔機(jī)構(gòu)形成開(kāi)口 156，以在所選位置暴露出下面的導(dǎo)電層155。這些開(kāi)口將成為通孔。在圖10中，示出在另外的加工步驟之后的結(jié)構(gòu)150。為了從圖9過(guò)渡到圖10，應(yīng)用無(wú)電鍍銅，使用光刻來(lái)圖案化無(wú)電鍍層，實(shí)施電鍍，并且實(shí)施另外的圖案化以在預(yù)浸潰層153的表面上限定出通孔156和跡線159。這些跡線159在用于無(wú)芯基板的多層結(jié)構(gòu)中形成內(nèi)部連接。圖11以橫截面視圖中示出另外的加工之后的結(jié)構(gòu)150。為了過(guò)渡到圖11中所示的階段，將另一預(yù)浸潰層162層壓到預(yù)浸潰層153。實(shí)施另外的金屬工藝。再次，使用激光在區(qū)域164中形成開(kāi)口，其是通孔。實(shí)施無(wú)電鍍，之后進(jìn)行光刻圖案化和電鍍銅層，然后圖案化該銅層以在預(yù)浸潰層162的外表面上形成跡線165。這些跡線165將形成接合盤用于連接到AP 42集成電路，并且在將該無(wú)芯基板用于實(shí)施例PoP結(jié)構(gòu)中的一種時(shí)用于將要在上表面上形成的PoP連接件。圖12以橫截面視圖示出另外的加工之后的圖10的兩個(gè)無(wú)芯基板中的一個(gè)?；灞磺懈罨蛘咔袉涡纬瑟?dú)立單元并且從載具158去除，不再示出該載具。然后，圖案化底部導(dǎo)電層155，以在預(yù)浸潰層153的底面上形成用于BGA球的接合盤，諸如浸潰層162、通孔164、以及跡線165、159的其余元件按照先前那樣布置。圖13不出一些另外的加工步驟之后的圖12的無(wú)芯基板。在無(wú)芯基板的上表面和下表面上都形成焊接掩模層167。然后，圖案化焊接掩模以在跡線上方形成開(kāi)口，并且在球接合盤上電鍍凸塊下金屬化層169。跡線165準(zhǔn)備好用于安裝作為BOT器件的集成電路AP42。圖14以橫截面視圖示出使用無(wú)芯基板形成如上面圖2中所示的底部封裝件25的完成的組件。在無(wú)芯基板41的中心部分上安裝集成電路AP 42。在底面上安裝外部連接件48，其可以是焊料球。因此，底部封裝件25是BGA封裝件，并且準(zhǔn)備好用于組裝到如圖2中所示的PoP結(jié)構(gòu)30中。圖15以流程圖示出用于形成如上所示的無(wú)芯基板的方法實(shí)施例。在步驟62中，提供上封裝件，該上封裝件具有安裝在第一基板的上表面上的1C、以及從第一基板的底面延伸的PoP連接件。在步驟64中，提供下封裝件，該下封裝件具有位于第二基板上的至少一個(gè)1C、以及位于上表面上用于接收PoP連接件的接合盤。在步驟66中，在第二基板的底部上提供用于連接至電路板的外部連接件陣列。在步驟68中，將上封裝件和下封裝件堆疊并接合在一起，并且第二基板是電介質(zhì)和導(dǎo)體層壓層且沒(méi)有插入芯的無(wú)芯基板。圖16以流程圖示出可選方法實(shí)施例。在步驟72中，提供具有位于第一基板上的IC以及從底面延伸的PoP連接件的上封裝件，以及在第一基板的中心部分中提供腔。在步驟74中，提供下封裝件，該下封裝件具有位于第二基板上的至少一個(gè)1C，在第二基板的上表面上具有用于接收PoP連接件的接合盤。在步驟76中，在第二基板的底面上提供外部連接件陣列。在步驟78中，將上封裝件和下封裝件堆疊在一起以形成PoP結(jié)構(gòu)，將PoP連接件接合到第二基板的上表面上的接合盤，并且第二基板上的IC延伸到第一基板的底面上的腔中。當(dāng)與常規(guī)方法相比時(shí)，每種方法都提供具有減小的信號(hào)長(zhǎng)度和更薄的PoP結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。在測(cè)試媒介中，對(duì)于在常規(guī)PoP結(jié)構(gòu)中具有大于1.2毫米的厚度的封裝件，實(shí)施例的使用使厚度減小30%并且降低到I毫米以下的PoP結(jié)構(gòu)成為可能。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括:第一集成電路封裝件，具有安裝在第一基板上的至少一個(gè)集成電路器件，并且具有從第一基板的底面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件；以及第二集成電路封裝件，包括安裝在第二基板上的至少另一個(gè)集成電路器件，具有位于第二基板的上表面上連接至多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且具有從第二集成電路封裝件的第二底面延伸的多個(gè)外部連接件；其中，至少第二基板包括堆疊在一起且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。在另一個(gè)實(shí)施例中，包括以上結(jié)構(gòu)，其中多個(gè)堆疊封裝連接件是焊料。在另一實(shí)施例中，多個(gè)外部連接件是焊料。在又一個(gè)實(shí)施例中，第一基板包括堆疊在一起且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。在又一個(gè)實(shí)施例中，以上半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括:在芯材料的第一表面上具有第一多個(gè)介電層的第一基板，以及位于芯材料的第二表面上的第二多個(gè)介電層。在又一個(gè)實(shí)施例中，第一基板進(jìn)一步包括在第一基板的底面的中心部分中形成的腔。在另一個(gè)可選實(shí)施例中，在以上結(jié)構(gòu)中，第二封裝件的至少另一個(gè)集成電路器件部分地延伸至在第一基板的底面的中心部分中形成的腔中。在又一個(gè)實(shí)施例中，至少另一個(gè)集成電路器件嵌入在第二基板中。在又一個(gè)實(shí)施例中，至少另一個(gè)集成電路器件使用跡線上板連接件安裝到第二基板上。在另一個(gè)實(shí)施例中，在以上半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，至少一個(gè)集成電路器件是存儲(chǔ)器。在又一個(gè)實(shí)施例中，至少另一個(gè)集成電路器件是微處理器。在另一個(gè)可選實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括:第一集成電路封裝件，具有安裝在第一基板上的至少一個(gè)集成電路器件，以及具有從第一基板的底面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件，以及在底面上形成的并且延伸至第一基板內(nèi)的腔，堆疊封裝連接件與腔間隔開(kāi)布置；以及第二集成電路封裝件，具有安裝在第二基板上的至少另一個(gè)集成電路器件，包括位于第二基板的上表面上連接至多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且進(jìn)一步包括從第二集成電路封裝件的底面延伸的多個(gè)外部連接件；其中，至少另一個(gè)集成電路器件中的至少一部分延伸至第一基板的底面上的腔中。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種方法包括:提供第一集成電路封裝件，該第一集成電路封裝件包括位于第一基板的上表面上的一個(gè)或多個(gè)集成電路，以及提供從第一基板的下表面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件；通過(guò)提供在第二基板的上表面上具有一個(gè)或多個(gè)其他集成電路的第二基板提供第二集成電路封裝件，該第二基板包括布置在第二基板的上表面上用于接收多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且進(jìn)一步提供從第二基板的底面延伸的多個(gè)外部連接件；以及通過(guò)將第一集成電路封裝件的堆疊封裝連接件接合至第二基板上的多個(gè)接合盤，將第一集成電路封裝件安裝到第二基板的上表面；其中，提供第二基板包括:提供相互堆疊且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。在另一個(gè)實(shí)施例中，實(shí)施以上方法，其中，提供第二基板包括:提供具有覆蓋一個(gè)表面的導(dǎo)體的第一介電層；在第一介電層中形成第一層通孔；在第一層通孔中形成第一層導(dǎo)電材料；在第一層通孔中的導(dǎo)電材料上方形成第一層導(dǎo)電跡線；以及在導(dǎo)電跡線上方設(shè)置第二介電層。在另一個(gè)實(shí)施例中，該方法繼續(xù)進(jìn)行:通過(guò)在第二介電層中形成第二層通孔；在第二介電層中的第二層通孔中形成導(dǎo)電材料；在第二層通孔中的導(dǎo)電材料上方形成第二層導(dǎo)電跡線；以及圖案化覆蓋一個(gè)表面的導(dǎo)體以用于接收外部連接件。在又一個(gè)實(shí)施例中，在以上方法中，該方法包括:將一個(gè)或多個(gè)集成電路倒裝芯片安裝到第二基板的第二層導(dǎo)電跡線上。在又一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括將一個(gè)或多個(gè)集成電路嵌入到第二基板中。本申請(qǐng)的范圍預(yù)期不限于說(shuō)明書(shū)中描述的結(jié)構(gòu)、方法和步驟的具體示例性實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)示例實(shí)施例的公開(kāi)內(nèi)容可以很容易地想到，可以應(yīng)用現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與本文描述的相應(yīng)實(shí)施例基本上相同的功能或者實(shí)現(xiàn)基本上相同的結(jié)果的工藝或步驟，因此這些可選實(shí)施例被視為實(shí)施例的一部分。因此，所附權(quán)利要求預(yù)期在其范圍內(nèi)包括這樣的處理或步驟。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括: 第一集成電路封裝件，包括安裝在第一基板上的至少一個(gè)集成電路器件，并且具有從所述第一基板的底面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件；以及 第二集成電路封裝件，包括安裝在第二基板上的至少另一個(gè)集成電路器件，包括位于所述第二基板的上表面上連接至所述多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且包括從所述第二集成電路封裝件的第二底面延伸的多個(gè)外部連接件； 其中，至少所述第二基板包括堆疊在一起且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)堆疊封裝連接件是焊料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)外部連接件是焊料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一基板包括堆疊在一起且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一基板包括位于芯材料的第一表面上的第一多個(gè)介電層，以及在所述芯材料的第二表面上的第二多個(gè)介電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述至少另一個(gè)集成電路器件嵌入在所述第二基板中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述至少另一個(gè)集成電路器件使用跡線上板連接件安裝到所述第二基板。
8.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括: 第一集成電路封裝件，包括安裝在第一基板上的至少一個(gè)集成電路器件，并且具有從所述第一基板的底面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件，以及在所述底面上形成的并且延伸到所述第一基板中的腔，所述堆疊封裝連接件與所述腔間隔開(kāi)布置；以及 第二集成電路封裝件，包括安裝在第二基板上的至少另一個(gè)集成電路器件，包括位于所述第二基板的上表面上的連接至所述多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且進(jìn)一步包括從所述第二集成電路封裝件的底面延伸的多個(gè)外部連接件； 其中，所述至少另一個(gè)集成電路器件中的至少一部分延伸至所述第一基板的所述底面上的腔中。
9.一種方法，包括: 提供第一集成電路封裝件，所述第一集成電路封裝件包括位于第一基板上的上表面上的一個(gè)或多個(gè)集成電路，并且提供從所述第一基板的下表面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件； 提供第二集成電路封裝件，包括:提供第二基板，在所述第二基板的上表面上具有一個(gè)或多個(gè)其他集成電路，所述第二基板包括布置在所述第二基板的上表面上用于接收所述多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，并且進(jìn)一步包括:提供從所述第二基板的底面延伸的多個(gè)外部連接件；以及 通過(guò)將所述第一集成電路封裝件的所述堆疊封裝連接件接合至所述第二基板上的所述多個(gè)接合盤，將所述第一集成電路封裝件安裝到所述第二基板的所述上表面； 其中，提供所述第二基板包括:提供相互堆疊且沒(méi)有插入芯的多個(gè)介電層和導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括:將所述一個(gè)或多個(gè)集成電路嵌入到所述第二基板內(nèi)。
全文摘要
用于較薄堆疊封裝件(“PoP”)結(jié)構(gòu)的方法和裝置。一種結(jié)構(gòu)包括第一集成電路封裝件，該第一集成電路封裝件包括安裝在第一基板上的至少一個(gè)集成電路器件和從底面延伸的多個(gè)堆疊封裝連接件；以及第二集成電路封裝件，該第二集成電路封裝件包括安裝在第二基板上的至少另一個(gè)集成電路器件和位于上表面上連接至多個(gè)堆疊封裝連接件的多個(gè)接合盤，以及從底面延伸的多個(gè)外部連接件；其中，至少第二基板由多層層壓電介質(zhì)和導(dǎo)體形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，在第一基板的底面上形成腔，并且另一個(gè)集成電路的一部分部分地延伸至腔中。公開(kāi)了用于制造PoP結(jié)構(gòu)的方法。
文檔編號(hào)H01L23/538GK103208487SQ201210546170
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者吳俊毅 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司