專利名稱：大規(guī)模集成電路基板用電子級超細e-玻璃粉的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種無堿玻璃粉的制備方法，特別是一種大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉的制備方法。
背景技術(shù)：
大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉是國家電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)材料，隨著電子整機產(chǎn)品輕薄化、多功能化、模塊化、智能化、綠色環(huán)?；l(fā)展，以及電子產(chǎn)品無鉛化要求，從而對各種元器件、PCB基材尤其是大規(guī)模集成電路用的IC基板提出了越來越高的耐熱性及可靠性要求。覆銅箔板(Copper Clad Laminates,簡寫為CCL或覆銅板)是制造 印制線路板(Printed Circuit Board,簡稱PCB)的基板材料。對覆銅板而言,提高耐熱性的重要途徑是降低板材的熱膨脹系數(shù)。目前降低板材熱膨脹系數(shù)最有效、最經(jīng)濟的方法就是在覆銅板中引入無機粉體材料。為此，研究在覆銅板板材中添加超細無機粉填料的技術(shù)課題，是國內(nèi)當(dāng)今覆銅板和無機粉體填料行業(yè)制造商重點攻克的技術(shù)難題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種方法設(shè)計更為合理、可以提高在覆銅板使用中的加工性能的大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉的制備方法。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。本發(fā)明是一種大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉的制備方法，其特點是，其步驟如下
(1)選取無堿玻璃塊為原料，所述的無堿玻璃塊中SiO2的質(zhì)量含量55-65%，Al2O3的質(zhì)量含量13-15%，B2O3的質(zhì)量含量6. 5-8. 5%，CaO與MgO的質(zhì)量含量12_15%，F(xiàn)e2O3的質(zhì)量含量< 0. 1%，K2O與Na2O的質(zhì)量含量< 0. 1% ;無堿玻璃塊的電導(dǎo)率< 120l^S/cm，直徑為18±2mm ;
(2)將原料投入對輥機進行預(yù)破碎至直徑為5mm以下，然后用大于10000GS的磁選設(shè)備進行磁選；再用精密球磨機系統(tǒng)進行研磨，研磨使用的磨介為氧化鋁球，磨介直徑分別為直徑為15-25 mm的占40_60%，直徑為35_45mm的占25_35%，直徑為25 -35 mm的占15-25% ；
(3)研磨后先得到半成品A，其粒度D50=4.5-5. 5 u m, DlOO ^ 20 u m ；
(4)然后繼續(xù)研磨得到半成品B，其粒度D50=l.5-2. 5um, DlOO ^ 10 u m ；
(5)最后用半成品A和B進行復(fù)配，半成品A占復(fù)配混合物重量的30-45%;然后進行精密分級，分級機分級時的轉(zhuǎn)速為4000-5000 rpm,分級后得到粒徑D50=l. 2-2. 8 u m,D90 ^ 8 u m> DlOO ^ 12 u m 的成品。本發(fā)明電子級超細E-玻璃粉可以應(yīng)用于大規(guī)模集成電路用基板一覆銅板材料中，其主要用途及效果如下(I)提高在覆銅板使用中的加工性能；(2 )提高耐熱性及耐濕熱性；(3)降低板材低熱膨脹系數(shù)，提高板材尺寸穩(wěn)定性；(4)降低生產(chǎn)成本；(5)提高板材下游廠家的使用加工性能，提供板材鉆孔加工定位精度與內(nèi)壁平滑性。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明電子級E-玻璃粉產(chǎn)品具有優(yōu)秀的電氣絕緣性能，其熔點和硬度均低于普通的二氧化硅硅微粉，因此具有優(yōu)良的加工性能。
具體實施例方式以下進一步描述本發(fā)明的具體技術(shù)方案，以便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步地理解本發(fā)明，而不構(gòu)成對其權(quán)利的限制。實施例1，一種大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉的制備方法，其步驟如下
(1)選取無堿玻璃塊為原料，所述的無堿玻璃塊中SiO2的質(zhì)量含量55%，Al2O3的質(zhì)量含量13%，B2O3的質(zhì)量含量6. 5%，CaO與MgO的質(zhì)量含量12%，F(xiàn)e2O3的質(zhì)量含量彡0. 1%，K2O與Na2O的質(zhì)量含量< 0. 1% ;無堿玻璃塊的電導(dǎo)率< 120MS/cm,直徑為18±2mm ；
(2)將原料投入對輥機進行預(yù)破碎至直徑為5mm以下，然后用大于10000GS的磁選設(shè)備進行磁選；再用精密球磨機系統(tǒng)進行研磨，研磨使用的磨介為氧化鋁球，磨介直徑分別為直徑為15 mm的占40%，直徑為40mm的占35%，直徑為25 mm的占25% ；
(3)研磨后先得到半成品A，其粒度D50=4.5-5. 5 u m, DlOO ^ 20 u m ；
(4)然后繼續(xù)研磨得到半成品B，其粒度D50=l.5-2. 5um, DlOO ^ 10 u m ；
(5)最后用半成品A和B進行復(fù)配，半成品A占復(fù)配混合物重量的30%;然后進行精密分級，分級機分級時的轉(zhuǎn)速為4000 rpm,分級后得到粒徑D50=l. 2-2. 8 u m, D90 ^ 8 u m,DlOO ( 12iim 的成品。實施例2，一種大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉的制備方法，其步驟如下
(1)選取無堿玻璃塊為原料，所述的無堿玻璃塊中SiO2的質(zhì)量含量65%，Al2O3的質(zhì)量含量15%，B2O3的質(zhì)量含量8. 5%，CaO與MgO的質(zhì)量含量15%，F(xiàn)e2O3的質(zhì)量含量彡0. 1%，K2O與Na2O的質(zhì)量含量< 0. 1% ;無堿玻璃塊的電導(dǎo)率< 120MS/cm,直徑為18±2mm ；
(2)將原料投入對輥機進行預(yù)破碎至直徑為5mm以下，然后用大于10000GS的磁選設(shè)備進行磁選；再用精密球磨機系統(tǒng)進行研磨，研磨使用的磨介為氧化鋁球，磨介直徑分別為直徑為25 mm的占60%，直徑為45mm的占25%，直徑為35 mm的占15% ；
(3)研磨后先得到半成品A，其粒度D50=4.5-5. 5 u m, DlOO ^ 20 u m ；
(4)然后繼續(xù)研磨得到半成品B，其粒度D50=l.5-2. 5um, DlOO ^ 10 u m ；
(5)最后用半成品A和B進行復(fù)配，半成品A占復(fù)配混合物重量的45%;然后進行精密分級，分級機分級時的轉(zhuǎn)速為5000 rpm,分級后得到粒徑D50=l. 2-2. 8 u m, D90 ^ 8 u m,DlOO ( 12iim 的成品。實施例3，一種大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉的制備方法，其步驟如下
(1)選取無堿玻璃塊為原料，所述的無堿玻璃塊中SiO2的質(zhì)量含量60%，Al2O3的質(zhì)量含量14%，B2O3的質(zhì)量含量7. 5%，CaO與MgO的質(zhì)量含量13%，F(xiàn)e2O3的質(zhì)量含量彡0. 1%，K2O與Na2O的質(zhì)量含量< 0. 1% ;無堿玻璃塊的電導(dǎo)率< 120MS/cm,直徑為18±2mm ；
(2)將原料投入對輥機進行預(yù)破碎至直徑為5mm以下，然后用大于10000GS的磁選設(shè)備進行磁選；再用精密球磨機系統(tǒng)進行研磨，研磨使用的磨介為氧化鋁球，磨介直徑分別為直徑為20 mm的占50%，直徑為40mm的占30%，直徑為30 mm的占20% ；
(3)研磨后先得到半成品A，其粒度D50=4.5-5. 5 u m, DlOO ^ 20 u m ；
(4)然后繼續(xù)研磨得到半成品B，其粒度D50=l.5-2. 5um, DlOO ^ 10 u m ； (5)最后用半成品A和B進行復(fù)配，半成品A占復(fù)配混合物重量的35%;然后進行精密分級，分級機分級時的轉(zhuǎn)速為4200 rpm,分級后得到粒徑D50=l. 2-2. 8 u m, D90 ^ 8 u m,DlOO ( 12iim 的成品。
權(quán)利要求
1.一種大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉的制備方法，其特征在于，其步驟如下 (O選取無堿玻璃塊為原料，所述的無堿玻璃塊中SiO2的質(zhì)量含量55-65%，Al2O3的質(zhì)量含量13-15%，B2O3的質(zhì)量含量6. 5-8. 5%，CaO與MgO的質(zhì)量含量12-15%，F(xiàn)e2O3的質(zhì)量含量< O. 1%，K2O與Na2O的質(zhì)量含量< O. 1% ;無堿玻璃塊的電導(dǎo)率< 12(^S/cm，直徑為18±2mm ; (2)將原料投入對輥機進行預(yù)破碎至直徑為5mm以下，然后用大于10000GS的磁選設(shè)備進行磁選；再用精密球磨機系統(tǒng)進行研磨，研磨使用的磨介為氧化鋁球，磨介直徑分別為直徑為15-25 mm的占40-60%，直徑為35_45mm的占25-35%，直徑為25 -35 mm的占15-25% ； (3)研磨后先得到半成品A，其粒度D50=4.5-5. 5 μ m, DlOO ^ 20 μ m ； (4)然后繼續(xù)研磨得到半成品B,其粒度D50=l.5-2. 5 μ m, DlOO ^ 10 μ m ； (5)最后用半成品A和B進行復(fù)配，半成品A占復(fù)配混合物重量的30-45%;然后進行精密分級，分級機分級時的轉(zhuǎn)速為4000-5000 rpm,分級后得到粒徑D50=l. 2-2. 8 μ m、D90 ^ 8 μ m> DlOO ^ 12 μ m 的成品。
全文摘要
本發(fā)明是一種大規(guī)模集成電路基板用電子級超細E-玻璃粉的制備方法，選取無堿玻璃塊為原料，所述的無堿玻璃塊中SiO2的質(zhì)量含量55-65%，Al2O3的質(zhì)量含量13-15%，B2O3的質(zhì)量含量6.5-8.5%，CaO與MgO的質(zhì)量含量12-15%；將原料投入對輥機進行預(yù)破碎后磁選，再用精密球磨機系統(tǒng)進行研磨，研磨后先得到半成品A和B，半成品A和B進行復(fù)配，后進行精密分級，分級后得到粒徑D50=1.2-2.8μm、D90≤8μm、D100≤12μm的成品。本發(fā)明電子級E-玻璃粉產(chǎn)品具有優(yōu)秀的電氣絕緣性能，其熔點和硬度均低于普通的二氧化硅硅微粉，因此具有優(yōu)良的加工性能。
文檔編號H01L23/15GK103011606SQ20121054981
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月18日
發(fā)明者阮建軍, 毛艷 申請人:連云港東海硅微粉有限責(zé)任公司