一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】，公開(kāi)了一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法。該制作方法包括：采用N型SiC單晶材料作為襯底材料，并在SiC的表面外延生長(zhǎng)出石墨烯，形成石墨烯導(dǎo)電層；刻蝕石墨烯，并保留柵極下方的元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的石墨烯；按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成P型基區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、有源區(qū)金屬層及柵極金屬層；在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬化后，在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面生成集電極金屬。本發(fā)明在不降低器件的耐壓特性的基礎(chǔ)上，降低了芯片的整體電阻，使得器件具有更小的飽和導(dǎo)通壓降。
【專利說(shuō)明】一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】，主要適用于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]IGBT作為一種新型的電力電子器件，被廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。它相對(duì)于VDMOS而言，有著更大的電流密度，更低的導(dǎo)通壓降，以及更高的耐壓；它相對(duì)于功率晶體管而言，具有更高的耐壓，更簡(jiǎn)單的控制電路，以及更高的開(kāi)關(guān)速度。但是追求IGBT更低的導(dǎo)通壓降，更高的開(kāi)關(guān)速度是電力電子系統(tǒng)不斷發(fā)展的一個(gè)強(qiáng)烈需求。改進(jìn)IGBT特性的方式主要可以分為兩大方面:器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和器件材料的選取。首先，對(duì)器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)又可以分為水平方向的改進(jìn)和垂直方向的改進(jìn)；水平方向主要針對(duì)柵極的結(jié)構(gòu)，可以為平面柵也可以為溝槽柵，垂直方向的改進(jìn)包括加入載流子存儲(chǔ)層或者電場(chǎng)截止層等。其次，對(duì)于器件材料的選取，最初選用的是外延單晶硅材料，隨后區(qū)熔單晶硅被廣泛應(yīng)用。隨著新材料的不斷發(fā)展，SiC材料憑借它的優(yōu)秀特性開(kāi)始在IGBT以及其他的功率器件領(lǐng)域嶄露頭角并迅速發(fā)展。而石墨烯材料有著接近完美的電學(xué)性能，雖然在功率器件行業(yè)并沒(méi)有它相關(guān)的應(yīng)用，但相信隨著探索性研究的不斷深入，它必將也會(huì)極大地推動(dòng)功率器件的發(fā)展。
[0003]IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻包括:溝道電阻，N漂移區(qū)電阻，JFET電阻，勢(shì)壘電阻，各接觸電阻等。通過(guò)各種方式降低這些電阻是提高器件靜態(tài)特性的重要手段。
[0004]降低器件JFET電阻是降低器件飽和導(dǎo)通壓降的一個(gè)較常見(jiàn)的方式。其中，將平面柵結(jié)構(gòu)用溝槽柵結(jié)構(gòu)代替是最為常見(jiàn)的一種實(shí)現(xiàn)方式，通過(guò)內(nèi)嵌的溝槽柵極，消除了 JFET區(qū)域。另外，在元包之間的柵極下方形成N摻雜區(qū)的方法，通俗被稱為JFET注入，也是常見(jiàn)的一種方法。
[0005]但是，目前JFET注入法存在以下問(wèn)題:
[0006]1.JFET注入雖然能夠在一定程度上降低器件的JFET電阻，但是同時(shí)也存在降低器件耐壓的風(fēng)險(xiǎn)，因而不能一味的通過(guò)這種方法來(lái)降低JFET電阻。
[0007]2.JFET注入也就是在元包之間的柵極下方的N漂移區(qū)注入磷離子形成較高濃度的N型摻雜，顯然這樣的改進(jìn)方案會(huì)造成器件耐壓的降低。
[0008]3.因?yàn)楝F(xiàn)有的溝槽型IGBT存在較大的輸入、輸出及米勒電容，所以該類型的IGBT的高頻開(kāi)關(guān)特性不佳，極大的限制了其應(yīng)用的場(chǎng)合。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法，它在不降低器件的耐壓特性的基礎(chǔ)上，降低了芯片的整體電阻，從而使得器件具有更小的飽和導(dǎo)通壓降。
[0010]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括:石墨烯導(dǎo)電層；所述石墨烯導(dǎo)電層位于元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的柵極氧化層與半導(dǎo)體層之間。[0011]本發(fā)明還提供了一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法包括:
[0012]采用N型SiC單晶材料作為襯底材料，并在所述SiC的表面外延生長(zhǎng)出石墨烯，形成石墨烯導(dǎo)電層；
[0013]刻蝕所述石墨烯，并保留柵極下方的元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的石墨烯；
[0014]按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成P型基區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、有源區(qū)金屬層及柵極金屬層；
[0015]在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬化后，在所述絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面生成集電極金屬。
[0016]進(jìn)一步地，所述在SiC的表面外延生長(zhǎng)出石墨烯包括:通過(guò)SiC外延法在所述SiC的表面外延生長(zhǎng)出一層或者多層的石墨烯。
[0017]進(jìn)一步地，所述通過(guò)SiC外延法在SiC的表面外延生長(zhǎng)出一層或者多層的石墨烯包括:首先把經(jīng)過(guò)氧化或H2刻蝕處理過(guò)的SiC單晶片置于超高真空和溫度范圍在18000C -2400°C之間的高溫環(huán)境下，利用電子束轟擊所述SiC單晶片，除去SiC單晶片表面的氧化物；然后在高溫條件下將SiC單晶片表面層中的Si原子蒸發(fā)，使SiC單晶片表面剩余的碳原子發(fā)生重構(gòu)，即在SiC單晶片表面外延生長(zhǎng)出石墨烯。
[0018]進(jìn)一步地，所述刻蝕石墨烯包括:采用氫等離子刻蝕所述石墨烯。
[0019]進(jìn)一步地，所述按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成P型基區(qū)包括:按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求先淀積柵極氧化層和柵極多晶硅；再刻蝕所述柵極多晶硅和所述柵極氧化層，形成P型基區(qū)的注入窗口 ；再向所述P型基區(qū)的注入窗口注入高能硼離子，并退火，形成P型基區(qū)。
[0020]進(jìn)一步地，所述按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成N型發(fā)射區(qū)包括:按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求先淀積氧化層并刻蝕所述氧化層形成N型發(fā)射極的注入窗口，再向所述N型發(fā)射極的注入窗口注入高能磷離子，并退火，形成N型發(fā)射區(qū)。
[0021]進(jìn)一步地，在所述按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成N型發(fā)射區(qū)后，先淀積氧化層，再刻蝕所述氧化層形成發(fā)射極接觸窗口。
[0022]進(jìn)一步地，所述按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成有源區(qū)金屬層及柵極金屬層包括:先淀積金屬，再刻蝕所述金屬形成有源區(qū)金屬層和柵極金屬層。
[0023]進(jìn)一步地，所述在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬化后，在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面生成集電極金屬包括:在所述絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的正面金屬化后，芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行P型注入形成P型集電區(qū)；在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面金屬化后，將所述P型集電區(qū)接金屬電極形成集電極金屬。
[0024]本發(fā)明的有益效果在于:
[0025]本發(fā)明提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法以SiC為初始材料，在元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的柵極氧化層與半導(dǎo)體層之間添加一層石墨烯導(dǎo)電層，利用石墨烯材料的導(dǎo)電特性能夠降低器件內(nèi)寄生的結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電阻效應(yīng)，從而在不降低器件的耐壓特性的基礎(chǔ)上，降低了芯片的整體電阻，使得器件具有更小的飽和導(dǎo)通壓降。另外，由于本發(fā)明只是通過(guò)增加電阻率低的石墨烯來(lái)降低器件的整體電阻，并沒(méi)有引入大的電容，因而保證了器件的高頻開(kāi)關(guān)特性。本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理、效果顯著、實(shí)用性強(qiáng)?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法的流程圖。
[0027]圖2為通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法在N型SiC單晶材料上形成石墨烯導(dǎo)電層后得到的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖3為通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法刻蝕石墨烯后得到的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖4為通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法淀積柵極氧化層和柵極多晶硅后得到的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖5為通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法刻蝕柵極氧化層和柵極多晶硅后得到的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖6為通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法進(jìn)行離子注入和擴(kuò)散分別形成P型基區(qū)和N型發(fā)射區(qū)后得到的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖7為通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法得到的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]1-N型SiC單晶材料，2- P型集電區(qū)，3-P型基區(qū)，4-N型發(fā)射區(qū)，5-柵極多晶硅，6-柵極氧化層，7-發(fā)射極電極，8-集電極電極，10-柵極金屬電極，11-石墨烯。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法的【具體實(shí)施方式】及工作原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0035]本發(fā)明提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括:石墨烯導(dǎo)電層；石墨烯導(dǎo)電層位于元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的柵極氧化層與半導(dǎo)體層之間。
[0036]由圖1可知，本發(fā)明提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法包括:
[0037]采用N型SiC單晶材料作為襯底材料，并通過(guò)SiC外延法在SiC的表面外延生長(zhǎng)出一層或者多層的石墨烯材料，形成石墨烯導(dǎo)電層；具體的，首先把經(jīng)過(guò)氧化或4刻蝕處理過(guò)的SiC單晶片置于超高真空和溫度范圍在1800°C -2400°c之間的高溫環(huán)境下，利用電子束轟擊SiC單晶片，除去SiC單晶片表面的氧化物；然后在高溫條件下將SiC單晶片表面層中的Si原子蒸發(fā)，使SiC單晶片表面剩余的碳原子發(fā)生重構(gòu)，即在SiC單晶片表面外延生長(zhǎng)出石墨烯。在本實(shí)施例中，高溫環(huán)境為溫度是2200°C的環(huán)境。當(dāng)其工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)控時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)單層或多層石墨烯的制備。這里需要說(shuō)明的是，SiC單晶硅基片的晶型包括6H，4H及3C。
[0038]采用氫等離子刻蝕SiC表面的石墨烯材料，并保留柵極下方的元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的石墨烯；
[0039]按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成P型基區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、有源區(qū)金屬層及柵極金屬層；具體的，按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求先淀積柵極氧化層和柵極多晶硅；再刻蝕柵極多晶硅和柵極氧化層，形成P型基區(qū)的注入窗口 ；再向P型基區(qū)的注入窗口注入高能硼離子，并退火，形成P型基區(qū)。
[0040]再淀積氧化層并刻蝕氧化層形成N型發(fā)射極的注入窗口，再向N型發(fā)射極的注入窗口注入高能磷離子，并退火，形成N型發(fā)射區(qū)。
[0041]再淀積厚氧化層，再刻蝕厚氧化層形成發(fā)射極接觸窗口。
[0042]接著淀積金屬，再刻蝕金屬形成有源區(qū)金屬層和柵極金屬層；將有源區(qū)金屬層充當(dāng)發(fā)射極電極7，將柵極金屬層充當(dāng)柵極金屬電極10。
[0043]在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬化后，在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面生成集電極金屬；具體的，在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的正面金屬化后，芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行P型注入形成P型集電區(qū)；在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面金屬化后，將P型集電區(qū)接金屬電極形成集電極電極8。
[0044]通過(guò)本發(fā)明提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由圖2可知，首先采用N型SiC單晶材料I作為襯底材料，并通過(guò)SiC外延法在SiC的表面外延生長(zhǎng)出石墨烯11，形成石墨烯導(dǎo)電層；由圖3可知，采用氫等離子刻蝕SiC表面的石墨烯11，并保留柵極下方的元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的石墨烯11 ;由圖4可知，按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求淀積柵極氧化層6和柵極多晶硅5 ;由圖5和圖6可知，再刻蝕柵極多晶硅5和柵極氧化層6，形成P型基區(qū)的注入窗口 ；再向P型基區(qū)的注入窗口注入高能硼離子，并退火，形成P型基區(qū)3 ;接著淀積氧化層并刻蝕氧化層形成N型發(fā)射極的注入窗口，再向N型發(fā)射極的注入窗口注入高能磷離子，并退火，形成N型發(fā)射區(qū)4。接著淀積厚氧化層，再刻蝕厚氧化層形成發(fā)射極接觸窗口。再淀積金屬，再刻蝕金屬形成有源區(qū)金屬層和柵極金屬層。在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的正面金屬化后，芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行P型注入形成P型集電區(qū)2 ;由圖7可知，在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面金屬化后，將P型集電區(qū)2接金屬電極形成集電極電極8。
[0045]這里需要說(shuō)明的是，通過(guò)本發(fā)明制作的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極結(jié)構(gòu)可以為平面柵；其垂直的結(jié)構(gòu)可以添加電場(chǎng)截止層，也可以添加載流子存儲(chǔ)層。
[0046]因?yàn)楸景l(fā)明在添加石墨烯導(dǎo)電層之后，并沒(méi)有改變器件元胞其余位置的結(jié)構(gòu)以及摻雜分布，所以不會(huì)降低器件的耐壓能力。
[0047]本發(fā)明提供的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法以SiC為初始材料，在元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的柵極氧化層與半導(dǎo)體層之間添加一層石墨烯導(dǎo)電層，利用石墨烯材料的導(dǎo)電特性能夠降低器件內(nèi)寄生的結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電阻效應(yīng)，從而在不降低器件的耐壓特性的基礎(chǔ)上，降低了芯片的整體電阻，使得器件具有更小的飽和導(dǎo)通壓降。另外，由于本發(fā)明只是通過(guò)增加電阻率低的石墨烯來(lái)降低器件的整體電阻，并沒(méi)有引入大的電容，因而保證了器件的高頻開(kāi)關(guān)特性。本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理、效果顯著、實(shí)用性強(qiáng)。
[0048]最后所應(yīng)說(shuō)明的是，以上【具體實(shí)施方式】?jī)H用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括:石墨烯導(dǎo)電層；所述石墨烯導(dǎo)電層位于元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的柵極氧化層與半導(dǎo)體層之間。
2.一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，包括: 采用N型SiC單晶材料作為襯底材料，并在所述SiC的表面外延生長(zhǎng)出石墨烯，形成石墨烯導(dǎo)電層； 刻蝕所述石墨烯，并保留柵極下方的元胞區(qū)之間的非溝道區(qū)域的石墨烯； 按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成P型基區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、有源區(qū)金屬層及柵極金屬層； 在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬化后，在所述絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面生成集電極金屬。
3.如權(quán)利要求2所述的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，所述在SiC的表面外延生長(zhǎng)出石墨烯包括:通過(guò)SiC外延法在所述SiC的表面外延生長(zhǎng)出一層或者多層的石墨烯。
4.如權(quán)利要求3所述的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，所述通過(guò)SiC外延法在SiC的表面外延生長(zhǎng)出一層或者多層的石墨烯包括:首先把經(jīng)過(guò)氧化或H2刻蝕處理過(guò)的SiC單晶片置于超高真空和溫度范圍在1800°C -2400°C之間的高溫環(huán)境下，利用電子束轟擊所述SiC單晶片，除去SiC單晶片表面的氧化物；然后在高溫條件下將SiC單晶片表面層中的Si原子蒸發(fā)，使SiC單晶片表面剩余的碳原子發(fā)生重構(gòu)，即在SiC單晶片表面外延生長(zhǎng)出石墨烯。
5.如權(quán)利要求2所述的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，所述刻蝕石墨烯包括:采用氫等離子刻蝕所述石墨烯。
6.如權(quán)利要求2所述的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，所述按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成P型基區(qū)包括:按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求先淀積柵極氧化層和柵極多晶硅；再刻蝕所述柵極多晶硅和所述柵極氧化層，形成P型基區(qū)的注入窗口 ；再向所述P型基區(qū)的注入窗口注入高能硼離子，并退火，形成P型基區(qū)。
7.如權(quán)利要求2所述的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，所述按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成N型發(fā)射區(qū)包括:按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求先淀積氧化層并刻蝕所述氧化層形成N型發(fā)射極的注入窗口，再向所述N型發(fā)射極的注入窗口注入高能磷離子，并退火，形成N型發(fā)射區(qū)。
8.如權(quán)利要求2或7所述的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，在所述按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成N型發(fā)射區(qū)后，先淀積氧化層，再刻蝕所述氧化層形成發(fā)射極接觸窗口。
9.如權(quán)利要求2所述的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，所述按照制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝要求形成有源區(qū)金屬層及柵極金屬層包括:先淀積金屬，再刻蝕所述金屬形成有源區(qū)金屬層和柵極金屬層。
10.如權(quán)利要求2所述的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法，其特征在于，所述在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬化后，在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面生成集電極金屬包括:在所述絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的正面金屬化后，芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行P型注入形成P型集電區(qū)；在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背面金屬化后，將所述P型集電區(qū)接金屬電極形成集電極金屬。
【文檔編號(hào)】H01L29/78GK103872101SQ201210551729
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月18日
【發(fā)明者】褚為利, 朱陽(yáng)軍, 盧爍今, 胡愛(ài)斌 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所, 江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心, 江蘇中科君芯科技有限公司