靜電吸附裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種靜電吸附裝置，包括靜電吸附盤、隔絕環(huán)、熱邊緣環(huán)、硅片及接地環(huán)，其中靜電吸附盤的外周有一環(huán)形凹槽，隔絕環(huán)設置在靜電吸附盤的環(huán)形凹槽上，熱邊緣環(huán)設置在隔絕環(huán)上方，接地環(huán)與熱邊緣環(huán)相連接，硅片設置在靜電吸附盤的頂部，硅片的邊緣架設在熱邊緣環(huán)上，高熱邊緣環(huán)的高度高于硅片的高度。本發(fā)明能通過改變部件的部件尺寸和材質(zhì)，使電場固定在硅片表面平均分布，避免產(chǎn)生電場分布不勻的現(xiàn)象，提高硅片工藝時表面均勻度缺陷。
【專利說明】靜電吸附裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體集成電路制造工藝設備，特別是涉及一種靜電吸附裝置。【背景技術】
[0002]如圖1所示，為傳統(tǒng)的靜電吸附裝置剖面圖，包括靜電吸附盤11、隔絕環(huán)12、熱邊緣環(huán)(hot edge ring) 13、娃片14及接地環(huán)15,其中靜電吸附盤11的外周有一環(huán)形凹槽，隔絕環(huán)12設置在靜電吸附盤11的環(huán)形凹槽上，熱邊緣環(huán)13設置在隔絕環(huán)12上方，接地環(huán)15與熱邊緣環(huán)13相連接，硅片14設置在靜電吸附盤11的頂部，其中熱邊緣環(huán)13的高度比硅片14的高度低或相同，熱邊緣環(huán)13為石英材料。現(xiàn)有技術中對硅片的刻蝕一般為等離子刻蝕，但是由于硅片中心和邊緣的電場分布不同，刻蝕時會造成硅片中心和邊緣的刻蝕速率不一致，導致硅片表面均勻度不理想的現(xiàn)象。其中熱邊緣環(huán)13的俯視圖如圖2所示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種靜電吸附裝置，能提高硅片表面均勻度。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供的一種靜電吸附裝置，包括靜電吸附盤、隔絕環(huán)、熱邊緣環(huán)、硅片及接地環(huán)，其中靜電吸附盤的外周有一環(huán)形凹槽，隔絕環(huán)設置在靜電吸附盤的環(huán)形凹槽上，熱邊緣環(huán)設置在隔絕環(huán)上方，接地環(huán)與熱邊緣環(huán)相連接，硅片設置在靜電吸附盤的頂部，硅片的邊緣架設在熱邊緣環(huán)上，熱邊緣環(huán)的高度高于硅片的高度。
[0005]進一步的，所述熱邊緣環(huán)的高度為11.5毫米。
[0006]進一步的，所述熱邊緣環(huán)為碳化硅材質(zhì)。
[0007]進一步的，所述熱邊緣環(huán)的外圈直徑為215毫米，內(nèi)圈直徑為195毫米。
[0008]本發(fā)明的靜電吸附裝置，通過改變部件的部件尺寸和材質(zhì)，使電場固定在硅片表面平均分布，避免產(chǎn)生電場分布不勻的現(xiàn)象，提高硅片工藝時表面均勻度缺陷。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0010]圖1是傳統(tǒng)的靜電吸附裝置剖面圖；
[0011]圖2是熱邊緣環(huán)結(jié)構俯視圖；
[0012]圖3是本發(fā)明靜電吸附裝置剖面圖；
[0013]圖4是傳統(tǒng)與本發(fā)明的靜電吸附裝置硅片表面均勻度數(shù)據(jù)對比圖。
[0014]主要附圖標記說明:
[0015]靜電吸附盤11隔絕環(huán)12
[0016]熱邊緣環(huán)13硅片14
[0017]接地環(huán)15
[0018]靜電吸附盤31隔絕環(huán)32
[0019]熱邊緣環(huán)33硅片34[0020]接地環(huán)35【具體實施方式】
[0021]為使貴審查員對本發(fā)明的目的、特征及功效能夠有更進一步的了解與認識，以下配合附圖詳述如后。
[0022]如圖3所示，為本發(fā)明靜電吸附裝置剖面圖，如圖所示，包括靜電吸附盤31、隔絕環(huán)32、熱邊緣環(huán)(hot edge ring) 33、娃片34及接地環(huán)35,其中靜電吸附盤31的外周有一環(huán)形凹槽，隔絕環(huán)32設置在靜電吸附盤31的環(huán)形凹槽上，熱邊緣環(huán)33設置在隔絕環(huán)32上方，接地環(huán)35與熱邊緣環(huán)33相連接，硅片34設置在靜電吸附盤31的頂部，硅片34的邊緣架設在熱邊緣環(huán)33上，其中與現(xiàn)有技術相比，提高熱邊緣環(huán)33的高度，使其高度高于硅片34的高度，使電場的分布集中在整個硅片34表面，類似一個罩子的作用，使電場固定在硅片34表面平均分布；避免產(chǎn)生電場分布不勻的現(xiàn)象。使硅片在刻蝕時提高它的均勻度從而提高硅片良品率。其中熱邊緣環(huán)33的高度優(yōu)選為11.5毫米，外圈直徑為215毫米，內(nèi)圈直徑為195毫米，材料為碳化硅材質(zhì)。
[0023]如圖4所示，是傳統(tǒng)與本發(fā)明的靜電吸附裝置硅片表面均勻度數(shù)據(jù)對比圖，其中線A左邊為傳統(tǒng)的靜電吸附裝置硅片表面均勻度數(shù)據(jù)，線A右邊的為本發(fā)明的靜電吸附裝置硅片表面均勻度數(shù)據(jù)，從收集的數(shù)據(jù)可以看出從原來的表面均勻度7.3%左右，下降到現(xiàn)在的3.8%左右；改善表面均勻度3.5%，即明顯提高了硅片表面均勻度。
[0024]以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種靜電吸附裝置，其特征在于，包括靜電吸附盤、隔絕環(huán)、熱邊緣環(huán)、硅片及接地環(huán)，其中靜電吸附盤的外周有一環(huán)形凹槽，隔絕環(huán)設置在靜電吸附盤的環(huán)形凹槽上，熱邊緣環(huán)設置在隔絕環(huán)上方，接地環(huán)與熱邊緣環(huán)相連接，硅片設置在靜電吸附盤的頂部，硅片的邊緣架設在熱邊緣環(huán)上，熱邊緣環(huán)的高度高于硅片的高度。
2.如權利要求1所述的靜電吸附裝置，其特征在于，所述熱邊緣環(huán)的高度為11.5毫米。
3.如權利要求1所述的靜電吸附裝置，其特征在于，所述熱邊緣環(huán)為碳化硅材質(zhì)。
4.如權利要求1所述的靜電吸附裝置，其特征在于，所述熱邊緣環(huán)的外圈直徑為215毫米，內(nèi)圈直徑為195毫米。
【文檔編號】H01L21/683GK103871943SQ201210552260
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月18日 優(yōu)先權日:2012年12月18日
【發(fā)明者】鄭瑋斌, 王健, 詹智健, 吳長明 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司