穿硅孔堆疊結(jié)構(gòu)以及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種由多個(gè)基底疊合而成的穿硅孔堆疊結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)基底都包含多個(gè)漸縮式的穿硅孔，每個(gè)漸縮式穿硅孔較粗的一端會(huì)具有一凹部，較細(xì)的一端則從基底中凸出，基底會(huì)以其每個(gè)漸縮式穿硅孔的較細(xì)端裝入另一漸縮式穿硅孔式的較粗端對(duì)應(yīng)凹部中并與其接合的方式來(lái)逐一堆疊。
【專(zhuān)利說(shuō)明】穿硅孔堆疊結(jié)構(gòu)以及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大體上關(guān)于一種半導(dǎo)體技術(shù)，特別是關(guān)于一種漸縮式的穿硅孔(throughsilicon via, TSV)堆疊結(jié)構(gòu)以及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]就公知的半導(dǎo)體芯片而言，集成電路會(huì)形成在具有電性終端(如一接墊結(jié)構(gòu))的半導(dǎo)體芯片或基底的有源面上。為了達(dá)成高密度的電互連結(jié)構(gòu)，業(yè)界開(kāi)發(fā)出了立體式的芯片堆疊結(jié)構(gòu)(3-D chip)，其電性終端不僅會(huì)設(shè)在半導(dǎo)體芯片的有源面上，也會(huì)設(shè)在對(duì)應(yīng)的晶背上。在這樣的立體堆疊結(jié)構(gòu)中，穿娃孔(through silicon via, TSV)就是用來(lái)連接多個(gè)垂直堆疊的芯片或晶圓的結(jié)構(gòu)，以使其得以組裝成具有高功率、高密度、以及微縮尺寸的立體芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)/模塊或是晶圓接合結(jié)構(gòu)。穿硅孔結(jié)構(gòu)，顧名思義，就是一種穿過(guò)芯片內(nèi)部的導(dǎo)電性貫孔結(jié)構(gòu)，其會(huì)貫通芯片的底面與底面，其不需使用任何的介板(interposer)或打線(xiàn)(bonding wire)即可形成多層的垂直電性連結(jié)，也不會(huì)經(jīng)過(guò)芯片邊緣的側(cè)壁部位，故可以大幅縮短電路徑。穿硅孔結(jié)構(gòu)也能進(jìn)一步地借由大幅減少封裝結(jié)構(gòu)的高度與尺寸的方式來(lái)增強(qiáng)電子裝置的積集度與效能，進(jìn)而增加電子裝置的速度并減少其能耗。
[0003]為了連接彼此堆疊的芯片，芯片上的穿硅孔結(jié)構(gòu)需要加以對(duì)齊。然而，隨著半導(dǎo)體業(yè)界中電路尺寸微縮的趨勢(shì)，穿硅孔結(jié)構(gòu)的大小也變得越來(lái)越小。因此，要將芯片或基底上的每個(gè)穿硅孔與另一芯片或基底上對(duì)應(yīng)的穿硅孔準(zhǔn)確地對(duì)準(zhǔn)變得越為困難。
[0004]在美國(guó)專(zhuān)利
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