技術總結
本發(fā)明公開了一種自對準多重圖形化方法及硅基硬掩模組合物的應用，該方法采用了該硅基硬掩模組合物來作為RELACS材料，在半導體襯底上形成光刻膠圖形之后，將這種含硅的RELACS材料覆蓋在光刻膠圖形上，然后進行混合烘焙，從而在光刻膠圖形的表面形成交聯(lián)層，接著利用該交聯(lián)層形成側墻，在后續(xù)工藝步驟中可以側墻為掩模以將圖形轉(zhuǎn)印到半導體襯底上，形成希望得到的圖形。與利用現(xiàn)有RELACS材料實現(xiàn)的自對準雙重圖形化方法相比，本發(fā)明可以解決現(xiàn)有自對準雙重圖形化方法所獲得圖形的側壁垂直度不高，以及現(xiàn)有自對準雙重圖形化方法中底部抗反射涂層會被過多的刻蝕，以致底部抗反射涂層下方的半導體襯底可能會受到損傷的問題。

技術研發(fā)人員：郝靜安;胡華勇
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201210553343
技術研發(fā)日：2012.12.18
技術公布日：2017.06.13