引線框架加工方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種引線框架加工方法，可包括：在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層；在介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔；在鉆出了若干個(gè)孔的第二導(dǎo)電層上貼膜；對(duì)膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和孔，其中曝光顯影處理后的剩余膜覆蓋第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域；在孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)；去除第二導(dǎo)電層上的剩余膜；去除第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案有利于提高引線框架的制作精度。
【專利說明】引線框架加工方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板加工制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及引線框架加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲或銅絲)實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件。其中，引線框架起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，目前絕大部分的半導(dǎo)體集成芯片中都需要使用引線框架，引線框架是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)器件。
[0003]當(dāng)前，傳統(tǒng)引線框架生產(chǎn)工藝為沖制型和刻蝕型兩大類，目前以沖制型生產(chǎn)為主流。例如二極管、三極管的引線框架有幾百個(gè)品種，其中的絕大部分為沖制型生產(chǎn)工藝。集成電路所用引線框架，沖制工藝可對(duì)100針腳(pin)以下的品種進(jìn)行量產(chǎn)，可滿足多種塑料封裝形式的使用需要。刻蝕型引線框架主要應(yīng)用于新品開發(fā)和引線節(jié)距在0.65mm以下的框架生產(chǎn)，可生產(chǎn)170pin-230pin左右的引線框架。
[0004]在生產(chǎn)和實(shí)踐過程中發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，采用傳統(tǒng)沖制型和刻蝕型工藝制作引線框架，在制作精度方面受到一定限制，在一些更高要求的場景下已經(jīng)難以滿足需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種引線框架加工方法，以期進(jìn)一步提高引線框架的制作精度。
[0006]本發(fā)明提供一種引線框架加工方法，包括:
[0007]在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層；
[0008]在所述第一導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層；
[0009]在所述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層；
[0010]在所述第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至所述第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔；
[0011]在鉆出了所述若干個(gè)孔的所述第二導(dǎo)電層上貼膜；
[0012]對(duì)所述膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和所述孔，其中，所述曝光顯影處理后的剩余膜覆蓋所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域；
[0013]在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚所述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)；
[0014]去除所述第二導(dǎo)電層上的剩余膜；
[0015]去除所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0016]可選的，所述方法還包括:
[0017]去除所述載體材料和所述第一導(dǎo)電層。
[0018]可選的，所述在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層，包括:通過化學(xué)鍍或?yàn)R射在載體材料的第一面上形成第一金屬種子層；在所述第一金屬種子層上加工出第一子導(dǎo)電
層。
[0019]可選的，所述第一金屬種子層包括:鎳、鐵、銅和鈦的至少一種。[0020]可選的，所述在所述第一金屬種子層上加工出第一子導(dǎo)電層，包括:通過電鍍?cè)谒龅谝唤饘俜N子層上形成第一子導(dǎo)電層。
[0021]可選的，所述在鉆出了所述若干個(gè)孔的所述第二導(dǎo)電層上貼膜之前還可包括:通過化學(xué)鍍或者濺射在鉆出的所述若干個(gè)孔的孔壁上形成第二金屬種子層。
[0022]可選的，在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚所述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)可包括:通過電鍍或化學(xué)鍍?cè)谒隹變?nèi)填滿導(dǎo)電物質(zhì)并增厚所述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0023]可選的，所述去除所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)包括:差分蝕刻掉所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0024]可選的，所述在所述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層包括:
[0025]在所述介質(zhì)層上層壓銅箔層。
[0026]可選的，所述第二導(dǎo)電層的厚度為f 10微米。
[0027]由上可見，在本發(fā)明實(shí)施例提供的引線框架加工方案中，在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層；在介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔；在鉆出了若干個(gè)孔的第二導(dǎo)電層上貼膜；對(duì)膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和孔，其中曝光顯影處理后的剩余膜覆蓋第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域；在孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)；去除第二導(dǎo)電層上的剩余膜；去除第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。其中，本發(fā)明實(shí)施例方案中引線框架的形成方式是先形成介質(zhì)層，再形成表面線路圖形和層間互聯(lián)，并且表面線路圖形和層間互聯(lián)都可以是以線路加工方式來形成，且利用第一導(dǎo)電層作為參照，在第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔，這樣在有利于控制加工精確度，進(jìn)而有利于提高引線框架的制作精度和降低成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供一種引線框架加工方法的流程示意圖；
[0030]圖疒圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的引線框架加工示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供一種引線框架加工方法，以期進(jìn)一步提高引線框架的制作精度。
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033]本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三” “第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例例如能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0034]本發(fā)明引線框架加工方法的一個(gè)實(shí)施例，其中，一種引線框架加工方法可以包括:在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層；在上述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔；在鉆出了上述若干個(gè)孔的第二導(dǎo)電層上貼膜；對(duì)上述膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和上述孔，其中，上述曝光顯影處理后的剩余膜覆蓋第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域；在上述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)；去除第二導(dǎo)電層上的剩余膜；去除第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0035]請(qǐng)參見圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種引線框架加工方法的流程示意圖。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種引線框架加工方法可以包括以下內(nèi)容:
[0036]101、在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層。
[0037]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層可以包括:通過化學(xué)鍍或?yàn)R射在載體材料的第一面上形成第一金屬種子層，在第一金屬種子層上加工(例如電鍍或化學(xué)鍍等)出第一子導(dǎo)電層?；蛘撸芍苯油ㄟ^化學(xué)鍍?cè)谳d體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層。
[0038]其中，第一金屬種子層可包括:鎳、鐵、銅和鈦中的至少一種，當(dāng)然第一金屬種子層也可包括其它金屬。其中，第一子導(dǎo)電層可包括:錫、鎳和銅中的至少一種，當(dāng)然第一子導(dǎo)電層也可包括其它金屬。
[0039]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一金屬種子層的作用之一是為了導(dǎo)電以實(shí)現(xiàn)電鍍，第一金屬種子層的特點(diǎn)可以是，具備與載體材料(如PET膜)的合適的結(jié)合狀態(tài)，其結(jié)合狀態(tài)既要滿足后面的加工需要而不容易分離，又要滿足最后容易與載體材料的剝離撕掉。第一子導(dǎo)電層的作用之一是為了作為后續(xù)鉆孔的參照，以防止鉆孔過深而鉆透。
[0040]102、在第一導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層。
[0041]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，可第一導(dǎo)電層上涂敷一層介質(zhì)層，并可在一定溫度下烘烤一定時(shí)間以半固化或固化介質(zhì)層，以形成引線框架的介質(zhì)層。其中介質(zhì)層可以是環(huán)氧樹月旨、酚醛樹脂、聚酰亞胺、氰酸酯和雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂中的至少一種等，當(dāng)然介質(zhì)層也可包括其它絕緣介質(zhì)。
[0042]其中，在第一導(dǎo)電層上涂敷一層介質(zhì)層的方式可包括:滾涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷或簾
IygNO
[0043]103、在上述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層。
[0044]其中，第二導(dǎo)電層的厚度例如為f 10微米或其它厚度，例如第二導(dǎo)電層的厚度為2微米、2.5微米、3微米、3.5微米、4微米、6微米、8微米或10微米或12微米或其它厚度。
[0045]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，在上述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層可包括:在上述介質(zhì)層上層壓銅箔層(或其它導(dǎo)電材料)?；蛘撸赏ㄟ^濺射或化學(xué)鍍?cè)谏鲜鼋橘|(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層。
[0046]104、在第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔。[0047]105、在鉆出了上述若干個(gè)孔的第二導(dǎo)電層上貼膜。
[0048]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在鉆出了上述若干個(gè)孔的第二導(dǎo)電層上貼膜之前還可包括:通過化學(xué)鍍或?yàn)R射在鉆出的若干個(gè)孔的孔壁上形成第二金屬種子層。
[0049]其中，第二金屬種子層可包括:錫、鎳、鐵、銅和鈦中的至少一種，當(dāng)然第二金屬種子層也可包括其它金屬。
[0050]106、對(duì)上述膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和上述孔。
[0051]其中，上述曝光顯影處理后的剩余膜覆蓋第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域。
[0052]107、在上述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚上述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0053]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚上述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)可包括:通過電鍍或化學(xué)鍍或其它方式在上述孔內(nèi)填滿導(dǎo)電物質(zhì)并增厚上述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0054]可以理解，通過電鍍和/或化學(xué)鍍方式在上述孔內(nèi)填滿導(dǎo)電物質(zhì)，以形成引線框架的層間互聯(lián)，這樣有利于很好的控制層間互聯(lián)的形成精度，較現(xiàn)有技術(shù)在精度方面有很大提聞。
[0055]108、去除第二導(dǎo)電層上的剩余膜。
[0056]109、去除第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0057]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，去除第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)可以包括:差分蝕刻掉第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)?；蛘?，也可通過其它方式來去除第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)，以形成引線框架的表面線路圖形和層間互聯(lián)。
[0058]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在去除第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)之后還可進(jìn)一步去除上述載體材料和第一導(dǎo)電層。當(dāng)然，還可去掉線路圖形上的干膜或保護(hù)膜
坐寸ο
[0059]為便于更好的理解和實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的上述方案，下面結(jié)合附圖進(jìn)行應(yīng)用場景舉例。
[0060]請(qǐng)一并參見圖2?圖12，其中，圖2?圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種引線框架加工示意圖。
[0061]其中，圖2示出一種載體材料201。圖3示出在載體材料201上通過化學(xué)鍍或?yàn)R射形成第一金屬種子層202，而后在第一金屬種子層202上加工(例如電鍍或化學(xué)鍍等)出第一子導(dǎo)電層203。其中，第一金屬種子層202例如可包括鎳、鐵、銅和鈦中的至少一種，當(dāng)然，第一金屬種子層202也可包括其它金屬。其中，第一子導(dǎo)電層203可包括:錫、鎳和銅中的至少一種，當(dāng)然第一子導(dǎo)電層203也可包括其它金屬。
[0062]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一金屬種子層202的作用之一是為了導(dǎo)電以實(shí)現(xiàn)電鍍，第一金屬種子層202的特點(diǎn)可以是，具備與載體材料(如聚對(duì)苯二甲酸類塑料膜等)的合適的結(jié)合狀態(tài)，其結(jié)合狀態(tài)既要滿足后面的加工需要而不容易分離，又要滿足最后容易與載體材料的剝離撕掉。第一子導(dǎo)電層203的作用之一是為了作為后續(xù)鉆孔的參照，以防止鉆孔過深而鉆透。
[0063]圖4不出在第一子導(dǎo)電層203上設(shè)置介質(zhì)層204。
[0064]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，可第一子導(dǎo)電層203上涂敷一層介質(zhì)層204，并可以在一定溫度下烘烤一定時(shí)間以半固化或固化介質(zhì)層，以形成引線框架的介質(zhì)層。其中，介質(zhì)層204可以是環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺、氰酸酯和雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂中的至少一種等，當(dāng)然，介質(zhì)層204也可包括其它的絕緣介質(zhì)。
[0065]圖5示出在介質(zhì)層204上設(shè)置第二導(dǎo)電層205。
[0066]其中，第二導(dǎo)電層205的厚度例如為f 10微米或其它厚度，例如第二導(dǎo)電層205的厚度為2微米、2.5微米、3微米、3.5微米、4微米、6微米、8微米或10微米或12微米或
其它厚度。
[0067]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層205例如可為銅箔層，可通過層壓的方式將銅箔層層壓到介質(zhì)層204上。或者，可通過濺射或化學(xué)鍍?cè)诮橘|(zhì)層204上形成第二導(dǎo)電層205。
[0068]參見圖6，圖6示出了在第二導(dǎo)電層205上鉆出貫通至第一子導(dǎo)電層203的若干個(gè)孔 206。
[0069]圖7示出在鉆出了若干個(gè)孔206的第二導(dǎo)電層205上貼膜207，并對(duì)膜207進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和孔206。其中，上述曝光顯影處理后的剩余膜207覆蓋第二導(dǎo)電層205的非線路圖形區(qū)域。
[0070]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在鉆出了上述若干個(gè)孔206的第二導(dǎo)電層205上貼膜之前還可包括:通過化學(xué)鍍或?yàn)R射在鉆出的若干個(gè)孔206的孔壁上形成第二金屬種子層(圖中為示出)。
[0071]其中，第二金屬種子層可包括:錫、鎳、鐵、銅和鈦中的至少一種，當(dāng)然第二金屬種子層也可包括其它金屬。
[0072]圖8示出了在上述孔206內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚上述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，例如可通過電鍍或化學(xué)鍍或其它方式在孔206內(nèi)填滿導(dǎo)電物質(zhì)并增厚上述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)(例如圖8中的208所示)。
[0073]可以理解，通過電鍍和/或化學(xué)鍍方式在上述孔內(nèi)填滿導(dǎo)電物質(zhì)，以形成引線框架的層間互聯(lián)，這樣有利于很好的控制層間互聯(lián)的形成精度，較現(xiàn)有技術(shù)在精度方面有很大提聞。
[0074]圖9示出了去除第二導(dǎo)電層205上的剩余膜207。
[0075]圖10示出差分蝕刻掉第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)，以形成引線框架的表面線路圖形和層間互聯(lián)。
[0076]圖11不出去除了載體材料201。圖12不出去除了第一金屬種子層202和第一導(dǎo)電層203，剩下部分形成引線框架。
[0077]可以理解，上述附圖中示出的結(jié)構(gòu)僅為舉例說明需要，在實(shí)際應(yīng)用中當(dāng)然還可能根據(jù)需要進(jìn)行靈活的調(diào)整。
[0078]由上可見，在本發(fā)明實(shí)施例提供的引線框架加工方案中，在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層；在介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔；在鉆出了若干個(gè)孔的第二導(dǎo)電層上貼膜；對(duì)膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和孔，其中曝光顯影處理后的剩余膜覆蓋第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域；在孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)；去除第二導(dǎo)電層上的剩余膜；去除第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。其中，本發(fā)明實(shí)施例方案中引線框架的形成方式是先形成介質(zhì)層，再形成表面線路圖形和層間互聯(lián)，并且表面線路圖形和層間互聯(lián)都可以是以線路加工方式來形成，且利用第一導(dǎo)電層作為參照，在第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔，這樣在有利于控制加工精確度，進(jìn)而有利于提高引線框架的制作精度和降低成本。
[0079]需要說明的是，對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。在上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實(shí)施例的相關(guān)描述。
[0080]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的引線框架加工方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種引線框架加工方法，其特征在于，包括: 在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層； 在所述第一導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層； 在所述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層； 在所述第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至所述第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔； 在鉆出了所述若干個(gè)孔的所述第二導(dǎo)電層上貼膜； 對(duì)所述膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和所述孔，其中，所述曝光顯影處理后的剩余膜覆蓋所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域； 在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚所述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)； 去除所述第二導(dǎo)電層上的剩余膜； 去除所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述方法還包括: 去除所述載體材料和所述第一導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層，包括:通過化學(xué)鍍或?yàn)R射在載體材料的第一面上形成第一金屬種子層；在所述第一金屬種子層上加工出第一子導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于， 所述第一金屬種子層包括:鎳、鐵、銅和鈦的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一金屬種子層上加工出第一子導(dǎo)電層，包括:通過電鍍?cè)谒龅谝唤饘俜N子層上形成第一子導(dǎo)電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在鉆出了所述若干個(gè)孔的所述第二導(dǎo)電層上貼膜之前還包括:通過化學(xué)鍍或?yàn)R射在鉆出的所述若干個(gè)孔的孔壁上形成第二金屬種子層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚所述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)，包括:通過電鍍或化學(xué)鍍?cè)谒隹變?nèi)填滿導(dǎo)電物質(zhì)并增厚所述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)包括:差分蝕刻掉所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述在所述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層包括: 在所述介質(zhì)層上層壓銅箔層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述第二導(dǎo)電層的厚度為f 10微米。
【文檔編號(hào)】H01L21/48GK103887180SQ201210558294
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月20日
【發(fā)明者】陳沖, 劉德波, 孔令文, 彭勤衛(wèi), 楊志剛 申請(qǐng)人:深南電路有限公司