本發(fā)明涉及電子器件，尤其涉及金/硅共晶芯片焊接方法及晶體管。

背景技術(shù)：
功率半導體的芯片通常采用金/硅共晶焊的方式實現(xiàn)和芯片載體的物理連接，具體實現(xiàn)過程是：如圖1和圖2所示，首先在具有金屬材質(zhì)的芯片載體21的表面電鍍金層，然后在高于金/硅共晶溫度(363℃)下將具有硅基體的芯片23在芯片載體21上的焊接區(qū)域22進行摩擦，金/硅反應形成液態(tài)的金/硅合金，冷卻后，形成的金/硅合金層24實現(xiàn)芯片23和芯片載體21之間的物理連接。但是要實現(xiàn)芯片與芯片載體的良好連接，一般要求芯片載體上鍍金層厚度至少為2.5微米；而且受電鍍技術(shù)限制，芯片載體通常只能整體鍍金，即芯片載體的所有外表面(包括如圖1所示的頂面211、側(cè)面212和底面213)同時鍍金，只在芯片載體上單面鍍金，或者在焊接區(qū)域22局部鍍金，現(xiàn)有電鍍技術(shù)很難實現(xiàn)。然而焊接區(qū)域面積只占芯片載體的總外表面面積的百分之幾，鍍金成本是按照鍍金面積(立方體六個面面積之和)計算的，這樣導致芯片載體成本昂貴。而且隨著金價不斷上漲，芯片載體的成本也會不斷上漲，這樣在功率電子產(chǎn)品上應用金/硅共晶焊的成本越來越高。因此，提供一種焊接方法，在保證芯片和芯片載體良好連接的前提下，進一步降低金/硅共晶焊的成本成為本領(lǐng)域人員需要解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供一種金/硅共晶芯片焊接方法及晶體管，用來解決現(xiàn)有金/硅共晶焊接方法中由于芯片載體上電鍍金層較厚造成的晶體管成本上升的技術(shù)問題。為達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一方面，提供了一種金/硅共晶芯片焊接方法，包括：在芯片載體的表面電鍍厚度小于等于1微米的金層。在焊接區(qū)域的所述金層上鍵合多個金凸起。在共晶溫度下將芯片在焊接區(qū)域進行摩擦，使所述金凸起與所述芯片表體反應形成硅金焊點而實現(xiàn)所述芯片在所述載體上的封裝。在第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述金層為純金或鈀金。在第二種可能的實現(xiàn)方式中，當所述金層為純金時，所述金層的厚度為0.3-1.0微米；當所述金層為鈀金時，鈀層部分的厚度為0.05-0.2微米，金層部分的厚度為0.05-0.2微米。在第三種可能的實現(xiàn)方式中，所述金凸起為點狀凸起、線狀凸起、帶狀凸起中的一種或多種。在第四種可能的實現(xiàn)方式中，所述線狀凸起的直徑為大于等于15微米。在第五種可能的實現(xiàn)方式中，所述帶狀凸起的厚度大于等于6微米。另一方面，提供了一種晶體管，包括芯片、芯片載體和連接所述芯片和所述芯片載體的中間層，所述焊中間層為利用上述焊接方法獲得的焊接層。在第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述晶體管為以硅為基體的晶體管。本發(fā)明實施例提供的金/硅共晶芯片焊接方法及晶體管，由于首先在芯片載體的表面電鍍厚度小于等于1微米的金層，然后在焊接區(qū)域的金層上鍵合多個金凸起，最后在共晶溫度下將芯片在焊接區(qū)域進行摩擦形成焊接層。這樣相當于只是在焊接區(qū)域局部加厚了金層厚度，金凸起提供了金/硅共晶焊所需的大部分金，較大程度上減少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，相應也就降低了晶體管的成本。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的芯片載體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的芯片與芯片載體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的金/硅共晶芯片焊接方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的芯片載體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的芯片載體的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的芯片載體的另一結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。如圖3所示為本發(fā)明提供的金/硅共晶芯片焊接方法的流程圖，包括：步驟11、參見圖4-圖6，在芯片載體21的表面電鍍厚度小于等于1微米的金層。因為電鍍可以實現(xiàn)均勻并且較薄的鍍層，所以這里的芯片載體采用可以電鍍的金屬材質(zhì)，例如鉬合金、鎢合金、銅合金、銅-鉬合金或其中的一種或多種合金的組合。其中金層可以為為純金層或鈀層與金層構(gòu)成的鈀金層。當所述金層為純金...