電子模塊以及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提出一種電子模塊以及其制造方法，電子模塊包括電路板、電子元件、第一晶片型導(dǎo)通基板、第一模封層以及第一導(dǎo)電層。電路板具有上表面以及位于上表面的接墊。電子元件裝設(shè)在上表面上，且電性連接電路板。第一晶片型導(dǎo)通基板裝設(shè)在接墊上，且電性連接電路板。第一模封層位于上表面上，且包覆電子元件、第一晶片型導(dǎo)通基板、接墊以及上表面。第一導(dǎo)電層位于第一模封層上。第一導(dǎo)電層具有至少一第一孔洞，且此開(kāi)口會(huì)暴露出第一晶片型導(dǎo)通基板的頂端。本發(fā)明將晶片型導(dǎo)通基板作為元件裝設(shè)在電路板上，取代一般電路中所使用的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)，可省略模封后較耗時(shí)的連通孔鉆孔與金屬材料的填充工藝。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電子模塊以及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子模塊以及其工藝方法，且特別涉及一種包含晶片型導(dǎo)通基板的電子模塊以及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在線路板的制造過(guò)程或是封裝工藝中，通常于模封后，以激光或其他工藝，將模封材料去除至線路板焊墊或欲連接的線路，以形成導(dǎo)通孔，再填入金屬材料作為線路板焊墊與模封上的線路的連通，或者使兩層以上的線路之間可以電性導(dǎo)通。目前導(dǎo)通孔的制造方法大多采用機(jī)械鉆孔(Mechanicaldrilling)或者是激光鉆孔(Laser drilling)。之后，對(duì)導(dǎo)通孔的內(nèi)側(cè)進(jìn)行通孔電鍍(Plating through hole, PTH),例如是化學(xué)鍍覆(Chemicalplating)以及電鍍(Electroplating),以使得兩層以上的線路之間可以電性導(dǎo)通。
[0003]隨著產(chǎn)品追求輕薄短小，電路板的密度也跟著增加，導(dǎo)通孔尺寸也越來(lái)越小。然而，在進(jìn)行通孔電鍍的過(guò)程中，越小尺寸的導(dǎo)通孔，越容易發(fā)生導(dǎo)通孔堵塞的情形，可能使得導(dǎo)通孔部分未電鍍或者是鍍覆厚度不均勻等情況發(fā)生，進(jìn)而造成導(dǎo)通孔內(nèi)部存在缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個(gè)目的在于，提供一種電子模塊，其具有晶片型導(dǎo)通基板結(jié)構(gòu)。
[0005]本發(fā)明的另一個(gè)目的在于，提供一種電子模塊的制造方法，其用來(lái)制造上述電子模塊。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種電子模塊以及其制造方法，主要特征在于以晶片型導(dǎo)通基板作為模封表面的線路與電路板線路的連接。
[0007]電路板表面進(jìn)行零件組裝時(shí)，同時(shí)將晶片型導(dǎo)通基板組裝于欲連接的接墊上，接著于模封后，于晶片型導(dǎo)通基板上方，以激光或其他工藝，去除部分模封以裸露出晶片型導(dǎo)通基板的金屬墊，使其可與后續(xù)于模封上制作的線路直接連通。
[0008]本發(fā)明提供一種電子模塊，此電子模塊包括電路板、電子元件、晶片型導(dǎo)通基板、模封層以及導(dǎo)電層。電路板具有上表面以及位于上表面的接墊。電子元件裝設(shè)在上表面上且電性連接電路板，而晶片型導(dǎo)通基板裝設(shè)在接墊上并且電性連接電路板。模封層包覆電子元件、晶片型導(dǎo)通基板、接墊以及上表面。導(dǎo)電層覆蓋模封層且導(dǎo)電層具有至少一孔洞以暴露出晶片型導(dǎo)通基板的頂端。
[0009]在本發(fā)明一實(shí)施例中，該電子模塊還包括:
[0010]至少一焊料，位于該第一孔洞之中，并且電性連接該第一晶片型導(dǎo)通基板；
[0011]至少一第二晶片型導(dǎo)通基板，電性連接該焊料；
[0012]一第二模封層，位于該第一導(dǎo)電層上，并覆蓋該第二晶片型導(dǎo)通基板以及部分該第一導(dǎo)電層，且該第二模封層具有至少一第二孔洞以暴露出該第二晶片型導(dǎo)通基板；
[0013]一第二導(dǎo)電層，覆蓋在該第二模封層以及該第二晶片型導(dǎo)通基板上，且電性連接該第二晶片型導(dǎo)通基板，該第二導(dǎo)電層通過(guò)該第一晶片型導(dǎo)通基板、該焊料以及該第二晶片型導(dǎo)通基板電性連接該電路板，該焊料、該第一晶片型導(dǎo)通基板以及該第二晶片型導(dǎo)通基板電性絕緣該第一導(dǎo)電層。
[0014]在本發(fā)明一實(shí)施例中，該第一晶片型導(dǎo)通基板或該第二晶片型導(dǎo)通基板包括一絕緣材料層以及一金屬柱，該絕緣材料包圍該金屬柱。
[0015]在本發(fā)明一實(shí)施例中，該第一晶片型導(dǎo)通基板包括一中空絕緣柱以及一導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層覆蓋該中空絕緣柱的內(nèi)側(cè)側(cè)壁。
[0016]在本發(fā)明一實(shí)施例中，該第二晶片型導(dǎo)通基板包括一中空絕緣柱以及一導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層覆蓋該中空絕緣柱的內(nèi)側(cè)側(cè)壁。
[0017]在本發(fā)明一實(shí)施例中，該第二導(dǎo)電層為一天線圖案層，而該第一導(dǎo)電層為一屏蔽
金屬層。
[0018]在本發(fā)明一實(shí)施例中，該電子模塊還包括至少一側(cè)邊金屬層，該側(cè)邊金屬層位于該第一模封層的側(cè)邊外表面，并且電性連接該第一導(dǎo)電層或該電路板接地墊或該電路板的接地面。
[0019]本發(fā)明提供一種電子模塊的制造方法。首先，提供電路板，其具有上表面以及位于上表面的接墊。之后，設(shè)置電子元件在上表面上，且電子元件電性連接電路板。再來(lái)，設(shè)置第一晶片型導(dǎo)通基板在接墊上，且此第一晶片型導(dǎo)通基板電性連接電路板。之后，形成模封層在上表面上，且此模封層包覆電子元件、晶片型導(dǎo)通基板、接墊以及平面。再來(lái)，形成導(dǎo)電層于模封層上，并且在導(dǎo)電層上鉆出第一孔洞，以暴露出第一晶片型導(dǎo)通基板的頂端。
[0020]在本發(fā)明一實(shí)施例中，該電子模塊的制造方法還包括:
[0021]形成至少一焊料于該第一孔洞之中；
[0022]設(shè)置至少一第二晶片型導(dǎo)通基板連接于該焊料；
[0023]加熱該焊料，使得該第二晶片型導(dǎo)通基板固定在該焊料上，并借由該焊料電性連接該第一晶片型導(dǎo)通基板；
[0024]形成一第二模封層于該第一導(dǎo)電層上，且該第二模封層包覆該第二晶片型導(dǎo)通基板；
[0025]于該第二模封層上鉆出至少一第二孔洞，且該第二孔洞暴露出該第二晶片型導(dǎo)通基板的頂端；以及
[0026]形成一第二導(dǎo)電層于該第二模封層以及該第二晶片型導(dǎo)通基板上，且電性連接該第二晶片型導(dǎo)通基板，該焊料電性連接該第一晶片型導(dǎo)通基板以及該第二晶片型導(dǎo)通基板，且該第二導(dǎo)電層通過(guò)該第二晶片型導(dǎo)通基板、該焊料以及該第一晶片型導(dǎo)通基板電性連接該電路板，該第一導(dǎo)電層電性絕緣該第一晶片型導(dǎo)通基板、該第二晶片型導(dǎo)通基板與該焊料。
[0027]在本發(fā)明一實(shí)施例中，該電子模塊的制造方法還包括:
[0028]形成至少一焊料于該第一孔洞之中；
[0029]設(shè)置至少一第二晶片型導(dǎo)通基板連接于該焊料；
[0030]加熱該焊料，使得該第二晶片型導(dǎo)通基板固定在該焊料上，并借由該焊料電性連接該第一晶片型導(dǎo)通基板；
[0031]形成一第二模封層于該第一導(dǎo)電層上，且該第二模封層包覆該第二晶片型導(dǎo)通基板；[0032]于該第二模封層上鉆出至少一第二孔洞，且該第二孔洞暴露出該第二晶片型導(dǎo)通基板的頂端；以及
[0033]形成一第二導(dǎo)電層于該第二模封層以及該第二晶片型導(dǎo)通基板上，且電性連接該第二晶片型導(dǎo)通基板，該焊料電性連接該第一晶片型導(dǎo)通基板以及該第二晶片型導(dǎo)通基板，且該第二導(dǎo)電層通過(guò)該第二晶片型導(dǎo)通基板、該焊料以及該第一晶片型導(dǎo)通基板電性連接該電路板，該第一導(dǎo)電層電性絕緣該第一晶片型導(dǎo)通基板、該第二晶片型導(dǎo)通基板與該焊料。
[0034]綜上所述，本發(fā)明提供了一種電子模塊以及其制造方法，此電子模塊于元件組裝工藝時(shí)，將晶片型導(dǎo)通基板作為元件裝設(shè)在電路板上，取代一般電路中所使用的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)，可省略模封后較耗時(shí)的連通孔鉆孔與金屬材料的填充工藝。由于晶片型導(dǎo)通基板為一完整的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，因此可以減少導(dǎo)通孔內(nèi)部缺陷形成的機(jī)會(huì)，使得電路板的導(dǎo)通效果提升。
[0035]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，但是此等說(shuō)明與附圖僅用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的權(quán)利范圍作任何的限制。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的電子模塊的剖面示意圖。
[0037]圖1A至圖1F為圖1中的電子模塊的制造方法示意圖。
[0038]圖1G為本發(fā)明一實(shí)施例的電子模塊單元的剖面示意圖。
[0039]圖2A為本發(fā)明另一實(shí)施例的電子模塊的剖面示意圖。
[0040]圖2B為本發(fā)明另一實(shí)施例的電子模塊單元的剖面示意圖。
[0041]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0042]1、2電子模塊
[0043]1’、2’電子模塊單元
[0044]110電路板
[0045]112上表面
[0046]114 接墊
[0047]120電子元件
[0048]130第一晶片型導(dǎo)通基板
[0049]132第一金屬柱
[0050]134第一絕緣材料層
[0051]140第一模封層
[0052]150第一導(dǎo)電層
[0053]152 第一孔洞
[0054]154、154’側(cè)邊金屬層
[0055]210 焊料
[0056]220第二晶片型導(dǎo)通基板
[0057]222第二金屬柱
[0058]224第二絕緣材料層[0059]230第二模封層
[0060]232 第二孔洞
[0061]240第二導(dǎo)電層
[0062]300激光光束
【具體實(shí)施方式】
[0063]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的電子模塊I的剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖1，電子模塊I包括電路板110、至少一個(gè)電子兀件120、至少一個(gè)第一晶片型導(dǎo)通基板130、第一模封層140、第一導(dǎo)電層150、至少一焊料210、至少一個(gè)第二晶片型導(dǎo)通基板220、第二模封層230以及第二導(dǎo)電層240。電路板110具有上表面112以及至少一接墊114。第一晶片型導(dǎo)通基板130裝設(shè)在接墊114上，電子元件120以及第一晶片型導(dǎo)通基板130分別電性連接電路板110。電路板110例如是印刷電路板(Printed circuit board, PCB)、雙面線路板(Doubleside wiring board)、多層線路板(Multilayer wiring board)。當(dāng)電路板 110 為多層線路板時(shí)，電子元件120設(shè)置于電路板110的外層線路層上，并且電性連接此外層線路層，而電路板110中的至少兩層線路層之間可用通孔(Through hole)或者是盲孔(Blind hole)來(lái)電性連接。本發(fā)明不限制電路板110所具有的線路層的層數(shù)以及線路層之間用來(lái)電性連通的方法。另外，電子元件120可以是主動(dòng)元件，例如是裸晶(Die)或封裝后的晶片(Packagedchip),而電子元件120也可以是被動(dòng)元件,例如是電阻器、電感器或電容器。
[0064]第一晶片型導(dǎo)通基板130可更包括第一金屬柱132以及第一絕緣材料層134,第一絕緣材料層134會(huì)包覆第一金屬柱132。第一晶片型導(dǎo)通基板130也可以是中空絕緣柱并且具有導(dǎo)電材料覆蓋在中空絕緣柱的內(nèi)側(cè)側(cè)壁。另外，第一晶片型導(dǎo)通基板130也可以為金屬柱但不被絕緣材料包圍。
[0065]第一模封層140包覆電子元件120、第一晶片型導(dǎo)通基板130、接墊114以及上表面112。第一晶片型導(dǎo)通基板130的高度會(huì)比多個(gè)電子元件120中，最高的電子元件120的高度來(lái)得高。而第一模封層140的高度略高于第一晶片型導(dǎo)通基板130的高度。
[0066]第一導(dǎo)電層150覆蓋在第一模封層140的上方，且第一導(dǎo)電層150具有至少一個(gè)第一孔洞152。詳細(xì)而言，第一孔洞152的數(shù)量會(huì)對(duì)應(yīng)第一晶片型導(dǎo)通基板130的數(shù)量。也就是說(shuō)，多個(gè)第一孔洞152會(huì)暴露出每個(gè)第一晶片型導(dǎo)通基板130的頂端。此外，第一孔洞152的尺寸會(huì)大于第一晶片型導(dǎo)通基板130中第一金屬柱132的尺寸，以使第一晶片型導(dǎo)通基板130和第一導(dǎo)電層150電性絕緣。另外，第一導(dǎo)電層150可以作為電磁干擾的屏蔽結(jié)構(gòu)，以避免外界電磁干擾影響電子模塊I內(nèi)部電子元件120的運(yùn)作，降低電磁干擾對(duì)運(yùn)作中的電子元件120的影響程度。
[0067]焊料210位于第一孔洞152之中，并且電性連接第一晶片型導(dǎo)通基板130。焊料210的數(shù)量會(huì)對(duì)應(yīng)第一孔洞152的數(shù)量以及第一晶片型導(dǎo)通基板130的數(shù)量，即每個(gè)第一晶片型導(dǎo)通基板130的上方會(huì)具有一個(gè)焊料210。此外，焊料210的體積會(huì)小于第一孔洞152的容積，以使焊料210和第一導(dǎo)電層150電性絕緣。第二晶片型導(dǎo)通基板220位于焊料210的上方，并且電性連接焊料210。整體而言，第一晶片型導(dǎo)通基板130會(huì)通過(guò)焊料210與第二晶片型導(dǎo)通基板220電性連接，使得第一晶片型導(dǎo)通基板130、焊料210以及第二晶片型導(dǎo)通基板220形成一整個(gè)導(dǎo)體，并且和第一導(dǎo)電層150電性絕緣。[0068]第二晶片型導(dǎo)通基板220的結(jié)構(gòu)與第一晶片型導(dǎo)通基板130大致相同，第二晶片型導(dǎo)通基板220包括第二金屬柱222以及第二絕緣材料層224，第二絕緣材料層224會(huì)包覆第二金屬柱222的表面。此外，在圖1中電子元件120的數(shù)量為兩個(gè)，第一、第二晶片型導(dǎo)通基板130、220、接墊114以及焊料210的數(shù)量皆為三個(gè)，然而，本實(shí)施例不限定電子元件120、第一、第二晶片型導(dǎo)通基板130、220、接墊114以及焊料210的數(shù)量。
[0069]第一晶片型導(dǎo)通基板130、第二晶片型導(dǎo)通基板220本身即為完整的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，可以取代在傳統(tǒng)電路板上的導(dǎo)通孔。所以，無(wú)須鉆出導(dǎo)通孔，也無(wú)須對(duì)導(dǎo)通孔進(jìn)行電鍍，因此可以減少導(dǎo)通孔內(nèi)導(dǎo)電物質(zhì)填充不均勻，而影響導(dǎo)電效果的情形。
[0070]第二模封層230位于第一導(dǎo)電層150的上方,覆蓋第一導(dǎo)電層150以及第二晶片型導(dǎo)通基板220，而第二模封層230的高度會(huì)略高于第二晶片型導(dǎo)通基板220的高度。此夕卜，由于焊料210的體積小于第一孔洞152的容積，所以第二模封層230可通過(guò)第一孔洞152剩余的容積與第一模封層140相連接，而第一模封層140以及第二模封層230連接形成一整體模封體時(shí)包圍住第一晶片型導(dǎo)通基板130、焊料210以及第二晶片型導(dǎo)通基板220。
[0071]另外,第一模封層140、第二模封層230的材料皆為絕緣材料,且第一模封層140以及第二模封層230的材料可為相同或相近的材料，例如兩者為環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy Resin)。因此，第一模封層140以及第二模封層230可使得第一晶片型導(dǎo)通基板130、焊料210以及第二晶片型導(dǎo)通基板220電性絕緣第一導(dǎo)電層150。
[0072]另外，第二模封層230更包括至少一第二孔洞232。第二孔洞232的數(shù)量會(huì)對(duì)應(yīng)第二晶片型導(dǎo)通基板220的數(shù)量，即多個(gè)第二孔洞232會(huì)暴露出每個(gè)第二晶片型導(dǎo)通基板220的頂端。第二導(dǎo)電層240覆蓋第二模封層230以及第二晶片型導(dǎo)通基板220，并且電性連接第二晶片型導(dǎo)通基板220的第二金屬柱222。第二導(dǎo)電層240會(huì)通過(guò)第一晶片型導(dǎo)通基板130、焊料210以及第二晶片型導(dǎo)通基板220電性連接電路板110。
[0073]第二導(dǎo)電層240可為天線圖案層，以作為電子模塊I的天線，并用以收發(fā)無(wú)線信號(hào)。由于第二導(dǎo)電層240會(huì)通過(guò)第二晶片型導(dǎo)通基板220、焊料210以及第一晶片型導(dǎo)通基板130電性連接電路板110，因此第二導(dǎo)電層240所接收的無(wú)線信號(hào)可以傳至電路板110，并且通過(guò)電路板110上的線路傳遞至電子元件120。此時(shí)，第二模封層230可以作為第一導(dǎo)電層150以及第二導(dǎo)電層240之間的絕緣層，以避免電磁屏蔽結(jié)構(gòu)與天線圖案的間產(chǎn)生電磁干擾。
[0074]然而，在第一導(dǎo)電層150以及第二導(dǎo)電層240之間的模封層會(huì)產(chǎn)生電容的效應(yīng)，可能會(huì)導(dǎo)致寄生電容，進(jìn)而影響電子模塊I的效能。因此，第二模封層230以及第二晶片型導(dǎo)通基板220的高度以及第二模封層230所選用的材料會(huì)視天線層的設(shè)計(jì)以及電子模塊I的應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)，以降低寄生電容的影響。
[0075]以上所述為電子模塊I的結(jié)構(gòu)，接下來(lái)將介紹電子模塊I的制造方法。圖1A至圖1G為圖1中的電子模塊I的制造方法示意圖。請(qǐng)參閱圖1A，首先，提供電路板110。電路板110具有上表面112以及接墊114，而接墊114裸露于上表面112。再來(lái)，可以通過(guò)表面粘著技術(shù)(Surface Mount Technology)將電子元件120與第一晶片型導(dǎo)通基板130設(shè)置于接墊114上，以電性連接電路板。。而第一晶片型導(dǎo)通基板130的高度會(huì)高過(guò)電路板110上最聞電子兀件120的聞度。
[0076]在其它實(shí)施例中，電子元件120可用覆晶(Flip chip)或是打線接合(Wirebonding)的方式固定在上表面112。另外,第一晶片型導(dǎo)通基板130可以是以第一絕緣層134，環(huán)繞包覆第一金屬柱132。不過(guò)，第一晶片型導(dǎo)通基板130也可以是中空絕緣柱的內(nèi)側(cè)側(cè)壁具有金屬材料覆蓋層。此外，第一晶片型導(dǎo)通基板130也可以是切割現(xiàn)有印刷電路板(PCB)來(lái)制成。
[0077]接下來(lái)，請(qǐng)參閱圖1B,形成第一模封層140于電路板110上,第一模封層140會(huì)覆蓋電子元件120、第一晶片型導(dǎo)通基板130、接墊114以及上表面112。之后，形成第一導(dǎo)電層150于第一模封層140上。第一導(dǎo)電層150可以作為電子模塊I防電磁干擾的屏蔽結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖1C，再來(lái)，在對(duì)應(yīng)第一晶片型導(dǎo)通基板130的位置上，對(duì)第一導(dǎo)電層150以及第一模封層140使用激光或其它鉆孔技術(shù)進(jìn)行鉆孔，以形成第一孔洞152，并暴露出第一晶片型導(dǎo)通基板130的頂端。
[0078]接著，請(qǐng)參閱圖1D，在每個(gè)第一孔洞152中，形成焊料210，并使用例如是SMT技術(shù)在每個(gè)焊料210上設(shè)置第二晶片型導(dǎo)通基板220。之后，加熱焊料210，使得第二晶片型導(dǎo)通基板220固定在焊料210上，并且借由焊料210電性連接第一晶片型導(dǎo)通基板130。
[0079]第二晶片型導(dǎo)通基板220的結(jié)構(gòu)以及制造方式和第一晶片型導(dǎo)通基板130大致相同，在此不多做贅述。另外，不同于習(xí)知技術(shù)中，須在上下兩模封層內(nèi)以通孔電鍍方式來(lái)導(dǎo)通兩層以上線路的作法，本發(fā)明中的第一晶片型導(dǎo)通基板130以及第二晶片型導(dǎo)通基板220為完整的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所以不需采用通孔電鍍，也不會(huì)有導(dǎo)通孔內(nèi)部鍍覆不均勻的情況發(fā)生。
[0080]請(qǐng)參閱圖1E,之后,形成第二模封層230于第一導(dǎo)電層150上。第二模封層230會(huì)包覆第二晶片型導(dǎo)通基板220，并且填充第一孔洞152，使得第一晶片型導(dǎo)通基板130、焊料210以及第二晶片型導(dǎo)通基板220和第一導(dǎo)電層150電性絕緣。之后，在對(duì)應(yīng)第二晶片型導(dǎo)通基板220的位置上，對(duì)第二模封層230進(jìn)行鉆孔，以形成第二孔洞232，并暴露出第二晶片型導(dǎo)通基板220的頂端。
[0081 ] 請(qǐng)接著參閱圖1F，形成第二導(dǎo)電層240于第二模封層230上，且第二導(dǎo)電層240電性導(dǎo)通第二晶片型導(dǎo)通基板220，并通過(guò)第二晶片型導(dǎo)通基板220、焊料210以及第一晶片型導(dǎo)通基板130電性連接電路板110。之后，可以圖案化第二導(dǎo)電層240以形成天線圖案層。在其它實(shí)施例中，可以在形成第二導(dǎo)電層240的同時(shí)一并形成天線圖案層，例如是圖案遮蔽(mask)搭配金屬噴涂。
[0082]圖1G為本發(fā)明一實(shí)施例的電子模塊單元I’的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參閱圖1F以及圖1G，電子模塊I可以依照實(shí)際需求再切割成小型的電子模塊單元I’。如圖1F所示，電子模塊I可以是利用激光光束300的方式進(jìn)行切割，以形成多個(gè)電子模塊單元I’(如圖1G所示)。
[0083]請(qǐng)參閱圖1G，之后可再依據(jù)實(shí)際需求，形成側(cè)邊金屬層154于電子模塊單元I’的側(cè)邊外表面。此側(cè)邊金屬層154會(huì)和第一導(dǎo)電層150電性連接，并且會(huì)延伸到第二模封層230、第一模封層140以及電路板110的側(cè)邊。另外，側(cè)邊金屬層154會(huì)和電路板110的接地墊(圖中未示)或者是接地面(圖中未示)相連接，以形成金屬遮蔽結(jié)構(gòu)。另外，側(cè)邊金屬層154會(huì)和第二導(dǎo)電層240電性絕緣。
[0084]形成側(cè)邊金屬層154的方法包括在第二導(dǎo)電層240的上方形成遮蔽層(圖中未示)，例如是油墨層，覆蓋第二導(dǎo)電層240以及第二模封層230，以保護(hù)第二導(dǎo)電層240以及第二模封層230。再來(lái),可以利用派鍍(Sputtering)、印刷(Printing)或噴涂(Spraying)等方式在電子模塊單元I’的側(cè)面形成側(cè)邊金屬層154。由于油墨層會(huì)保護(hù)第二導(dǎo)電層240以及第二模封層230，噴涂的金屬不會(huì)碰觸到第二導(dǎo)電層240以及第二模封層230，因此第二導(dǎo)電層240和側(cè)邊金屬層154會(huì)電性絕緣。側(cè)邊金屬層154形成之后，再將油墨層去除。
[0085]本發(fā)明的技術(shù)核心在于利用晶片型導(dǎo)通基板來(lái)取代現(xiàn)有技術(shù)中使用挖孔再涂填金屬的導(dǎo)通孔方法。
[0086]圖2A為本發(fā)明另一實(shí)施例電子模塊2的剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖2A，電子模塊2僅包含電路板110、至少一個(gè)電子元件120、至少一個(gè)第一晶片型導(dǎo)通基板130、第一模封層140以及第一導(dǎo)電層150。而電子模塊2的結(jié)構(gòu)大致與電子模塊I下層結(jié)構(gòu)相同，在此不多做贅述。
[0087]圖2B為本發(fā)明另一實(shí)施例的電子模塊單元2’的剖面示意圖。電子模塊單元2’即為電子模塊2依照實(shí)際需求再切割成小型的電子模塊單元2’。并且可以在電子模塊單元2’的側(cè)面形成側(cè)邊金屬層154’，且此側(cè)邊金屬層154’會(huì)和第一導(dǎo)電層150以及電路板110電性連接，以形成一電磁遮蔽結(jié)構(gòu)。此外，電子模塊單元2’的結(jié)構(gòu)大致與電子模塊2下層結(jié)構(gòu)相同，在此不多做贅述。
[0088]綜上所述，本發(fā)明提供了一種電子模塊以及其制造方法，此電子模塊將晶片型導(dǎo)通基板作為元件裝設(shè)在電路板上，并且用以連接天線圖案層以及電路板。此種晶片型導(dǎo)通基板為完整的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，因此可以取代一般電路中所使用的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)，故本發(fā)明無(wú)須鉆出導(dǎo)通孔，也無(wú)須對(duì)導(dǎo)通孔進(jìn)行電鍍，因此可以減少導(dǎo)通孔內(nèi)部缺陷形成的機(jī)會(huì)，使得電路板的導(dǎo)通效果提升。
[0089]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，其并非用以限定本發(fā)明的權(quán)利要求范圍。任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)及潤(rùn)飾的等效替換，仍為本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電子模塊，其特征在于，該電子模塊包括: 一電路板，具有一上表面以及裸露于該上表面的至少一接墊； 至少一電子元件，裝設(shè)在該上表面并電性連接該電路板； 至少一第一晶片型導(dǎo)通基板，裝設(shè)在該接墊上，并電性連接該電路板； 一第一模封層，包覆該電子元件、該第一晶片型導(dǎo)通基板、該接墊以及該上表面；以及一第一導(dǎo)電層，覆蓋該第一模封層，并具有至少一第一孔洞，且該第一孔洞暴露出該第一晶片型導(dǎo)通基板的頂端。
2.如權(quán)利要求1所述的電子模塊，其特征在于，該電子模塊還包括: 至少一焊料，位于該第一孔洞之中，并且電性連接該第一晶片型導(dǎo)通基板； 至少一第二晶片型導(dǎo)通基板，電性連接該焊料； 一第二模封層，位于該第一導(dǎo)電層上，并覆蓋該第二晶片型導(dǎo)通基板以及部分該第一導(dǎo)電層，且該第二模封層具有至少一第二孔洞以暴露出該第二晶片型導(dǎo)通基板； 一第二導(dǎo)電層，覆蓋在該第二模封層以及該第二晶片型導(dǎo)通基板上，且電性連接該第二晶片型導(dǎo)通基板，該第二導(dǎo)電層通過(guò)該第一晶片型導(dǎo)通基板、該焊料以及該第二晶片型導(dǎo)通基板電性連接該電路板，該焊料、該第一晶片型導(dǎo)通基板以及該第二晶片型導(dǎo)通基板電性絕緣該第一導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求2所述的電子模塊，其特征在于，該第一晶片型導(dǎo)通基板或該第二晶片型導(dǎo)通基板包括一絕緣材料層以及一金屬柱，該絕緣材料包圍該金屬柱。
4.如權(quán)利要求1所述的電子模塊，其特征在于，該第一晶片型導(dǎo)通基板包括一中空絕緣柱以及一導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層覆蓋該中空絕緣柱的內(nèi)側(cè)側(cè)壁。
5.如權(quán)利要求2所述的電子模塊，其特征在于，該第二晶片型導(dǎo)通基板包括一中空絕緣柱以及一導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層覆蓋該中空絕緣柱的內(nèi)側(cè)側(cè)壁。
6.如權(quán)利要求2所述的電子模塊，其特征在于，該第二導(dǎo)電層為一天線圖案層，而該第一導(dǎo)電層為一屏蔽金屬層。
7.如權(quán)利要求1所述的電子模塊，其特征在于，該電子模塊還包括至少一側(cè)邊金屬層，所述側(cè)邊金屬層位于該第一模封層的側(cè)邊外表面，并且電性連接該第一導(dǎo)電層或該電路板接地墊或該電路板的接地面。
8.一種電子模塊的制造方法，其特征在于，該電子模塊的制造方法包括: 提供一電路板，具有一上表面以及至少一接墊； 設(shè)置至少一電子元件于該上表面，并且該電子元件電性連接該電路板； 設(shè)置至少一第一晶片型導(dǎo)通基板于該接墊上，且該第一晶片型導(dǎo)通基板電性連接該電路板； 形成一第一模封層于該上表面，該第一模封層包覆該電子兀件、該第一晶片型導(dǎo)通基板、該接墊以及部分該上平面； 形成一第一導(dǎo)電層于該第一模封層上；以及 于該第一導(dǎo)電層上鉆出至少一第一孔洞，且該第一孔洞暴露出該第一晶片型導(dǎo)通基板的頂端。
9.如權(quán)利要求8所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，該電子模塊的制造方法還包括:形成至少一焊料于該第一孔洞之中； 設(shè)置至少一第二晶片型導(dǎo)通基板連接于該焊料； 加熱該焊料，使得該第二晶片型導(dǎo)通基板固定在該焊料上，并借由該焊料電性連接該第一晶片型導(dǎo)通基板； 形成一第二模封層于該第一導(dǎo)電層上，且該第二模封層包覆該第二晶片型導(dǎo)通基板；于該第二模封層上鉆出至少一第二孔洞，且該第二孔洞暴露出該第二晶片型導(dǎo)通基板的頂端；以及 形成一第二導(dǎo)電層于該第二模封層以及該第二晶片型導(dǎo)通基板上，且電性連接該第二晶片型導(dǎo)通基板，該焊料電性連接該第一晶片型導(dǎo)通基板以及該第二晶片型導(dǎo)通基板，且該第二導(dǎo)電層通過(guò)該第二晶片型導(dǎo)通基板、該焊料以及該第一晶片型導(dǎo)通基板電性連接該電路板，該第一導(dǎo)電層電性絕緣該第一晶片型導(dǎo)通基板、該第二晶片型導(dǎo)通基板與該焊料。
10.如權(quán)利要求9所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，該電子模塊的制造方法還包括在形成該第二導(dǎo)電層之后，圖案化該 第二導(dǎo)電層。
【文檔編號(hào)】H01L23/498GK103887272SQ201210566365
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月24日
【發(fā)明者】鄭宗榮 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司