專利名稱：包含銻氧化物的厚膜組合物及其在制備半導(dǎo)體器件中的用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種用于半導(dǎo)體器件中的厚膜組合物。特別地，提供一種用于印刷具有一個(gè)或多個(gè)絕緣層的太陽(yáng)能電池器件的正面的厚膜組合物。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種制備半導(dǎo)體器件的方法，以及一種包含所述半導(dǎo)體器件的制品。
背景技術(shù)：
本發(fā)明可用于寬范圍的半導(dǎo)體器件，盡管其在受光元件如光二極管和太陽(yáng)能電池中尤其有效。在下文中，參照作為現(xiàn)有技術(shù)的具體實(shí)施例的太陽(yáng)能電池描述本發(fā)明的背景。最常見的太陽(yáng)能電池為基于硅的那些，更特別地為通過在P型硅襯底上施加η型擴(kuò)散層或者在η型硅襯底上施加P型擴(kuò)散層而由硅制備的且具有兩個(gè)電接觸層或電極的ρ-η結(jié)。所述擴(kuò)散層(稱為發(fā)射極)形成Pn結(jié)。為了使太陽(yáng)能電池對(duì)陽(yáng)光的反射最小化，在發(fā)射極上施加防反射涂層，如氮化硅?？墒褂脤?dǎo)電組合物(例如銀漿料)將格柵狀金屬觸點(diǎn)絲網(wǎng)印刷至防反射層上以作為正面電極。位于電池正面或前面且光線由此進(jìn)入的該電接觸層通常以由“柵線(finger line) ”和“母線(bus bar) ”構(gòu)成的格柵圖案形式存在。最后，在襯底上施加背面觸點(diǎn)，例如通過施加背面銀漿料或銀/鋁漿料，隨后將鋁漿料施加至襯底的整個(gè)背面。然后，將所述器件在高溫下燒結(jié)以使所述金屬漿料轉(zhuǎn)化成金屬電極。典型的太陽(yáng)能電池及其制備方法的描述可參見例如Handbook of photovoltaic science andengineering, A.Luque 和 S.Hegedus 編輯，John ffiley&Sons, Ltd.，第 2 版,2011 或 PeterWiirfel, Physiks of Solar Cells, Wiley VCH Verlag GmbH&C0.KGaA, Weinheim,第 2 版，2009。用于形成導(dǎo)電格柵或金屬觸點(diǎn)的導(dǎo)電組合物通常包含玻璃料、導(dǎo)電物質(zhì)(例如銀顆粒)和有機(jī)介質(zhì)。防反射涂層如氮化硅、二氧化硅、二氧化鈦或氧化鋁也起絕緣鈍化層的作用，其妨礙電子由襯底流向金屬觸點(diǎn)。為了克服該問題，導(dǎo)電組合物在燒結(jié)過程中必須滲入所述防反射涂層以形成與半導(dǎo)體襯底電接觸的金屬觸點(diǎn)。在金屬觸點(diǎn)與襯底之間形成強(qiáng)粘結(jié)也是所希望的。迄今為止，高效組合物包含含氧化鉛的玻璃料，出于生態(tài)學(xué)原因，應(yīng)避免使用氧化鉛。因此，需要提供一種通過使用不含鉛或幾乎不含鉛且在燒結(jié)時(shí)滲入防反射涂層且提供與半導(dǎo)體襯底的良好電接觸的厚膜組合物而制備具有良好效率的光伏(PV)電池的經(jīng)濟(jì)方法。發(fā)明簡(jiǎn)述本發(fā)明的一個(gè)方面是一種厚膜組合物，其包含:a)金屬或其衍生物；b)含氧化鉍的玻璃料；
c)任選的添加劑；和d)有機(jī)介質(zhì)，其中所述組合物包含銻氧化物。本發(fā)明的另一方面為一種方法，其包括:(i)提供包含一個(gè)或多個(gè)沉積于其上的絕緣膜的半導(dǎo)體襯底；(ii)將包含金屬或其衍生物、含氧化鉍的玻璃料、任選的添加劑、有機(jī)介質(zhì)和銻氧化物的厚膜組合物施加至所述一個(gè)或多個(gè)絕緣膜上以形成層狀結(jié)構(gòu)；和(iii)將所述半導(dǎo)體襯底、一個(gè)或多個(gè)絕緣膜和厚膜組合物燒結(jié)，從而形成與一個(gè)或多個(gè)絕緣層接觸且與所述半導(dǎo)體襯底電接觸的電極。本發(fā)明的另一方面為一種制品，其包括:a)半導(dǎo)體襯底；b)位于所述半導(dǎo)體襯底上的一個(gè)或多個(gè)絕緣層；和c)與所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層接觸且與所述半導(dǎo)體襯底電接觸的電極，所述電極包含氧化秘、導(dǎo)電金屬和鋪氧化物。本發(fā)明的厚膜導(dǎo)電組合物包含四種必要組分:金屬、氧化鉍、銻氧化物和有機(jī)介質(zhì)。所述厚膜組合物可包含其他添加劑，包括金屬、金屬氧化物或任何可在燒結(jié)過程中產(chǎn)生這些金屬或金屬氧化物的化合物。下文將討論各組分。本說明書中所述的所有表面積均是指通過BET法根據(jù)DIN ISO 9277，2003-05測(cè)定的表面積。金屬提供導(dǎo)電性的金屬優(yōu)選選自:Cu、Ag、Pd、Zn、N1、Sn、Al、Bi;Cu、Ag、Zn、N1、Sn、Al、B1、Pd、In、Sb的合金及其混合物。所述金屬可呈片狀、球狀、粒狀、晶狀、粉狀或其他不規(guī)則形式及其混合物。所述導(dǎo)電金屬可以以膠態(tài)懸浮液的形式提供。優(yōu)選所述金屬選自Ag、Cu、Zn、Sn。尤其優(yōu)選為Ag。其可呈銀金屬、銀衍生物或其混合物的形式。示例性衍生物包括:例如銀的合金，氧化銀(Ag2O)，銀鹽如氯化銀(AgCl)、硝酸銀(AgNO3)、乙酸銀(AgOOCCH3)、三氟乙酸銀(AgOOCF3)、正磷酸銀(Ag3PO4)。也可使用可與其他厚膜漿料組分相容的其他形式的銀。在一個(gè)實(shí)施方案中，所述金屬或其衍生物占該厚膜組合物固體組分的約60-約95重量％。在另一實(shí)施方案中，所述導(dǎo)電金屬或其衍生物占該厚膜組合物固體組分的約75-約
92重量％。對(duì)比表面積和粒度沒有任何特別的限制。優(yōu)選金屬顆粒的比表面積等于或大于
1.8m2/g，優(yōu)選為2.0-17.0m2/go優(yōu)選所述金屬的粒度(D50)為0.05_10m，優(yōu)選為0.2_6m。除非本文另有說明，否則本文所述的所有粒度或平均粒度為通過激光衍射測(cè)定的D50粒徑。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的那樣，D50直徑表示半數(shù)的各粒子(以重量計(jì))小于特定直徑的尺寸。該直徑提供了具有合適燒結(jié)行為的金屬以及當(dāng)形成太陽(yáng)能電池時(shí)所述厚膜導(dǎo)電組合物在防反射層上的鋪展。玻璃料所述玻璃料(玻璃粒子)在所述導(dǎo)電漿料組合物中起無(wú)機(jī)粘合劑的作用，且在燒結(jié)過程中起焊劑材料的作用以將所述金屬沉積至襯底上。玻璃的具體類型并不重要，條件是其包含氧化鉍。優(yōu)選所述玻璃料為基本不含鉛的玻璃料或者為氧化鉛含量基于所述玻璃組合物總重量為小于0.5重量％的玻璃料。優(yōu)選不含鉛的玻璃料。玻璃粒子優(yōu)選具有約0.1-約10 μ m,更優(yōu)選小于約5 μ m,甚至更優(yōu)選小于I μ m的粒徑(D50)，且優(yōu)選以基于所述厚膜組合物的固體組分總重量為0.1-10重量％，更優(yōu)選0.2-5重量％的量包含于所述組合物中。所述玻璃料為含氧化鉍的玻璃料，優(yōu)選所述玻璃料的Bi2O3含量為50-85重量％，更優(yōu)選Bi2O3含量為55-85重量％,基于所述玻璃組合物的總重量。合適的玻璃為娃酸秘、硼硅酸鉍或硼硅酸鋅。尤其優(yōu)選包含Bi2O3作為主要組分的硼硅酸鉍玻璃。典型的玻璃料進(jìn)一步包含0.0-10重量%的Sb2O3,0.0-10重量%的SiO2,0.0-7重量％，尤其是2-6.5重量%的 Al2O3, 3-10 重量 ％ 的 ZnO，0.0-10.0 重量 ％ 的 Li2O, 0.0-8.0 重量 ％ 的 P2O5,0.0-10 重量 ％的B2O, 0.0-10重量%的In2O3, 2.0-15重量%的TeO和0.0-10重量%的MgO,全部基于所述玻璃組合物的總重量，且具有280-500° C，優(yōu)選300-450° C的軟化溫度。所述厚膜組合物可包含一種或多種玻璃料，例如其可包含兩種不同的玻璃料。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，所述玻璃料也可包含其量為0.1-10重量％的銻氧化物，基于所述玻璃組合物的總重量。所述玻璃料可按照標(biāo)準(zhǔn)玻璃熔融技術(shù)通過將合適量的各成分的粉末混合、將所述粉末混合物在空氣或含氧氣氛下加熱以形成熔體、將所述熔體驟冷、將所述驟冷的材料研磨并球磨以及篩分經(jīng)研磨的材料以提供具有所需粒度的粉末。氧化物的混合物的燒結(jié)通常在800-1200° C的峰值溫度下進(jìn)行。所述熔融混合物例如可在蒸餾水中驟冷以形成顆粒。將所得顆粒研磨以形成粉末。經(jīng)研磨的粉末通常具有0.1-5.0 μ m的D50。添加劑作為添加劑，本發(fā)明的厚膜組合物中可存在其他金屬或金屬氧化物，其可選自:(a)金屬，其中所述金屬選自Zn、Al、T1、Sn、Ru、Co、In、Ag、B1、Sb和Mg ; (b)金屬氧化物,其中所述金屬選自Zn、Sn、Sb、Ru和Co ； (c)任何能在燒結(jié)時(shí)產(chǎn)生金屬氧化物(b)的化合物；和(d)其混合物。尤其優(yōu)選的添加劑為氧化鋅或者任何在燒結(jié)時(shí)產(chǎn)生氧化鋅的化合物。所述其他金屬/金屬氧化物添加劑的粒度沒有任何特別的限制，但是希望平均粒度不超過10 μ m,優(yōu)選不超過5 μ m。所述組合物中的金屬/金屬氧化物添加劑(包括銻氧化物)通常占全部組合物的0.2-5 重量 ％。在本發(fā)明的范圍之內(nèi)，所述導(dǎo)電漿料組合物中包含其他添加劑。例如，希望其包含增稠劑(增粘劑)、穩(wěn)定劑、分散劑、粘度調(diào)節(jié)劑等化合物，單獨(dú)或組合。這類組分是本領(lǐng)域所熟知的。如果包含這類組分，則其量可通過常規(guī)試驗(yàn)確定且取決于所需的導(dǎo)電漿料性能。銻氧化物本發(fā)明厚膜導(dǎo)電組合物包含銻氧化物。所述氧化物可為任何銻氧化物或者任何在燒結(jié)時(shí)轉(zhuǎn)化成銻氧化物的化合物。優(yōu)選sb203。銻氧化物的量?jī)?yōu)選為0.2-2重量％，優(yōu)選0.2-1.0重量％，基于所述厚膜組合物的固體組分總重量。優(yōu)選的Sb2O3的粒度優(yōu)選等于或小于I μ m0所述銻氧化物可作為添加劑添加或者可為玻璃料的一部分或者二者。優(yōu)選銻氧化物作為添加劑添加。有機(jī)介質(zhì)
具體的有機(jī)介質(zhì)、載體或粘合劑并不重要，且可為本領(lǐng)域所已知的物質(zhì)。可使用任何不同種類的有機(jī)載體，其可含或可不含增稠劑、穩(wěn)定劑和/或其他常規(guī)添加劑。有機(jī)介質(zhì)通常為處于溶劑中的聚合物溶液。此外，少量添加劑如表面活性劑可為有機(jī)介質(zhì)的一部分。最常用于該目的的聚合物為乙基纖維素。也可使用聚合物的其他實(shí)例，包括乙基羥乙基纖維素、木松香、乙基纖維素與酚醛樹脂的混合物、低級(jí)醇的聚甲基丙烯酸酯和乙二醇單乙酸酯的單丁醚。在厚膜組合物中最廣泛使用的溶劑為酯醇和萜，如α-或β_萜品醇或其與其他溶劑如煤油、鄰苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、己二醇和高沸點(diǎn)醇和醇酯的混合物。此外，所述載體中可包含用于促進(jìn)在施加至襯底之后快速硬化的揮發(fā)性液體。將這些以及其他溶劑的各種組合配制，以滿足所需的粘度和揮發(fā)性要求。有機(jī)介質(zhì)優(yōu)選以5-25重量％，更優(yōu)選8-15重量％的量存在于所述組合物中，基于所述厚膜組合物的固體組分總重量。通常通過機(jī)械混合將無(wú)機(jī)組分與有機(jī)介質(zhì)混合以形成稱為“漿料”的粘稠組合物，其具有適于印刷的稠度和流變性能?？墒褂么罅坎煌亩栊哉吵砦镔|(zhì)作為有機(jī)介質(zhì)。有機(jī)介質(zhì)必須為其中無(wú)機(jī)組分可以以適當(dāng)?shù)姆€(wěn)定性程度分散的那些。所述介質(zhì)的流變性能必須使得其能賦予所述組合物以良好的施加性能，包括:穩(wěn)定的固體分散體、適于絲網(wǎng)印刷的粘度和觸變性、合適的襯底和漿料固體潤(rùn)濕性、良好的干燥速率和良好的燒結(jié)性能。厚膜組合物的制備在一個(gè)實(shí)施方案中，所述厚膜組合物可通過將導(dǎo)電金屬粉、玻璃料、任選的添加劑和有機(jī)介質(zhì)以任何順序混合而制備。在一些實(shí)施方案中，首先將無(wú)機(jī)材料混合，然后將其添加至有機(jī)介質(zhì)中。需要的話，可通過加入溶劑而調(diào)節(jié)粘度?？墒褂锰峁└呒羟械幕旌戏椒?。根據(jù)本發(fā)明，一種方法，其包括:(i)提供包含一個(gè)或多個(gè)沉積于半導(dǎo)體襯底至少一個(gè)表面上的絕緣膜的半導(dǎo)體襯底；(ii)將厚膜組合物施加至所述一個(gè)或多個(gè)絕緣膜的至少一部分上以形成層狀結(jié)構(gòu)，其中所述厚膜組合物包含:a)金屬或其衍生物；b)含氧化鉍的玻璃料；c)任選的添加劑；和d)有機(jī)介質(zhì)；(iii)將所述半導(dǎo)體襯底、一個(gè)或多個(gè)絕緣膜和厚膜組合物燒結(jié)，從而形成與所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層接觸且與所述半導(dǎo)體襯底電接觸的電極。在一個(gè)實(shí)施方案中，由包含具有結(jié)的半導(dǎo)體襯底和在其主表面上形成的氮化硅絕緣膜的制品制備半導(dǎo)體器件。所述方法包括如下步驟:以預(yù)定形狀和厚度，在預(yù)定位置處，將具有滲透絕緣層能力的本發(fā)明厚膜組合物施加(例如涂覆或絲網(wǎng)印刷)至絕緣膜上，然后燒結(jié)以使得厚膜組合物與所述絕緣膜反應(yīng)并滲入絕緣層中，由此與硅襯底發(fā)生電接觸。詳細(xì)地，在半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)表面上制備具有介電層的太陽(yáng)能電池包括若干步驟。在形成太陽(yáng)能電池正面的金屬化的第一步是在半導(dǎo)體器件上提供防反射或介電層。所述半導(dǎo)體器件通常為常用于制備硅太陽(yáng)能電池的單晶硅或多晶硅晶片。其具有P型區(qū)域、η型區(qū)域和ρ-η結(jié)。正面上的鈍化或介電涂層可例如由SiNx、Si0x、Alx0y、Ti0x、Hf0x或其組合制成，如Alx0y/Si0x/SiNx、Alx0y/SiNx、Si0x/SiNx或Si0x/Si0x介電堆。所述介電層的沉積例如可通過使用諸如在氫氣存在下的等離子CVD (化學(xué)氣相沉積)或?yàn)R射、ALD (原子層沉積)、熱生長(zhǎng)(SiOx)的方法進(jìn)行。二氧化硅膜通過熱氧化、濺射或熱CFD或等離子CFD形成。二氧化鈦膜可通過將含鈦有機(jī)液體材料涂覆至半導(dǎo)體襯底上并燒結(jié)，或者通過熱CVD形成。所述介電層通常具有至多200nm的原子單層厚度。在第二步中，將由本發(fā)明厚膜導(dǎo)電組合物制成的晶片的正面電極以所謂的柵線形式，例如通過絲網(wǎng)印刷施加至所述電池正面的防反射涂層上，隨后干燥。隨后絲網(wǎng)印刷正面母線，從而形成所謂的包含薄平行柵線(集電線)和兩條或更多條以與所述柵線呈直角相交的母線的H圖案。所述母線具有與柵線重疊并與之接觸的兩條或更多條連續(xù)線或分開的焊盤。此外，將市售鋁漿料和背面銀漿料(例如)絲網(wǎng)印刷至襯底的背面上，并依次干燥。可首先將鋁漿料施加至介電層上，隨后施加所述厚膜組合物以形成焊盤或者相反。其他可能的沉積方法為模版印刷、擠出、噴墨、激光轉(zhuǎn)印、柔性版印刷。在此期間，加熱所述厚膜組合物以移除有機(jī)介質(zhì)并燒結(jié)金屬粉末。加熱可在空氣或含氧氣氛下進(jìn)行。該步驟通常稱為“燒結(jié)”。通常設(shè)定燒結(jié)溫度程序，從而能從干燥的厚膜組合物中燒盡有機(jī)粘合劑材料，以及所存在的任何其他有機(jī)材料。此時(shí)，燒結(jié)通常在帶式爐中進(jìn)行，其中晶片達(dá)到700-900° C的峰值溫度，并持續(xù)1-5秒鐘。燒結(jié)可在高傳輸速率下進(jìn)行，例如100-500cm/分鐘，所得停留時(shí)間為0.05-5分鐘。可使用多個(gè)溫度區(qū)域，例如3-11個(gè)區(qū)域以控制所需的熱分布。正面電極和背電極可依次燒結(jié)或同時(shí)燒結(jié)。在正面上，本發(fā)明的厚膜組合物燒結(jié)并在燒結(jié)過程中滲穿絕緣膜，由此實(shí)現(xiàn)與發(fā)射極的電接觸。該類方法通常稱為“燒穿(fire through)”。該燒穿狀態(tài)(即漿料熔融并穿過絕緣膜的程度)取決于所述絕緣膜的質(zhì)量和厚度、漿料的組成和燒結(jié)條件。在燒結(jié)過程中，母線與柵線形成電接觸。在燒結(jié)方法中，鋁由鋁漿料擴(kuò)散至背面上的硅襯底中，由此形成包含高濃度鋁摻雜劑的P+層。該層通常稱為背場(chǎng)(BSF)層，且有助于改善太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)化效率。背面鋁漿料可同時(shí)燒結(jié)。在燒結(jié)過程中，背面鋁和背面銀之間的界面呈合金狀態(tài)，由此實(shí)現(xiàn)電連接。部分由于需要形成P+層，背電極的大多數(shù)區(qū)域被鋁電極占據(jù)。同時(shí)，由于無(wú)法與鋁電極焊接，在背面的有限區(qū)域上形成銀或銀/鋁背電極，以作為通過銅帶等與太陽(yáng)能電池互連的電極。硅晶片與鋁漿料的局部接觸也可通過在燒結(jié)鋁漿料之后進(jìn)行激光燒結(jié)接觸(LFC)而提供。將所述晶片在高于鋁熔點(diǎn)的溫度下燒結(jié)，從而在鋁和硅之間的局部接觸處，即在硅晶片背場(chǎng)的未被介電鈍化層所覆蓋的那些部分上形成鋁-硅熔體。在該方法中，所述半導(dǎo)體襯底可為單晶或多晶硅電極。包含所述半導(dǎo)體襯底的制品可用于制備光伏器件。
實(shí)施例
下文描述厚膜組合物的示例性制備和評(píng)價(jià)。實(shí)施例1此處所述的玻璃料通過常規(guī)玻璃制備技術(shù)制備。稱量各成分，然后以表I所示的所需比例混合，并在爐中加熱以在陶瓷坩堝中形成熔體。正如本領(lǐng)域所熟知的那樣，進(jìn)行加熱至800-1200° C的峰值溫度且持續(xù)使所述熔體完全變成液體和均質(zhì)的時(shí)間。然后，將熔融玻璃在蒸餾水中驟冷。然后將所得玻璃研磨以形成其50體積％分布設(shè)定為1-5 μ m的所需目標(biāo)的粉末。所述玻璃料具有根據(jù)ISO 9277為1.0-2.5m2/g的BET。玻璃料制備領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可使用替代的合成技術(shù)，例如但不限于水驟冷、溶膠-凝膠、噴霧熱解或其他合適的制備粉末玻璃形式的方法。具有300-600° C的低軟化點(diǎn)的玻璃料試樣示于表I中。表I
權(quán)利要求
1.一種厚膜組合物，其包含: a)金屬或其衍生物； b)含氧化鉍的玻璃料； c)任選的添加劑；和 d)有機(jī)介質(zhì)， 其中所述組合物包含銻氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的厚膜組合物，進(jìn)一步包含氧化鋅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的厚膜組合物，其中所述玻璃料基本不含鉛或者所述玻璃料的氧化鉛含量基于玻璃組合物總重量為小于0.5重量％。
4.根據(jù)前述權(quán)利 要求中任一項(xiàng)的厚膜組合物，其包含:60-95重量％的金屬，和0.2-2重量％的銻氧化物，基于所述厚膜組合物的固體組分總重量。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的厚膜組合物，其包含:0.2-5重量％的金屬添加劑和包括銻氧化物的金屬氧化物添加劑，基于所述厚膜組合物的固體組分總重量。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的厚膜組合物，其中所述導(dǎo)電金屬包括銀。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的厚膜組合物，其中所述有機(jī)介質(zhì)包含聚合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的厚膜組合物，其中所述有機(jī)介質(zhì)進(jìn)一步包含一種或多種選自溶齊U、穩(wěn)定劑、表面活性劑和增稠劑的其他添加劑。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的厚膜組合物，其包含一種或多種玻璃料，所述玻璃料包含50-85重量％，更優(yōu)選55-85重量％的Bi2O3,0.0-10重量％的Sb2O3,0.0-10重量％的SiO2,0.0-7重量％，尤其是2-6.5重量%的Al2O3, 3-10重量%的ZnO, 0.0-10.0重量%的Li2O, 0.0-8.0 重量 ％ 的 P2O5,0.0-10 重量 ％ 的 B2O, 0.0-10 重量 ％ 的 In2O3, 2.0-15 重量 ％ 的TeO和0.0-10重量％的MgO，所有重量百分比均基于玻璃組合物的總重量。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的厚膜組合物，其包含一種或多種選自如下組的添加劑:(a)金屬,其中所述金屬選自Zn、Al、T1、Sn、Ru、Co、In、Ag、B1、Sb和Mg ； (b)金屬氧化物，其中所述金屬選自Zn、Sn、Sb、Ru和Co ； (c)任何能在燒結(jié)時(shí)產(chǎn)生金屬氧化物(b)的化合物；和(d)其混合物。
11.一種方法，其包括: (i)提供包含一個(gè)或多個(gè)沉積于其上的絕緣膜的半導(dǎo)體襯底； (ii)將根據(jù)權(quán)利要求ι- ο中任一項(xiàng)的厚膜組合物施加至所述一個(gè)或多個(gè)絕緣膜上以形成層狀結(jié)構(gòu)；和 (iii)將所述半導(dǎo)體襯底、一個(gè)或多個(gè)絕緣膜和厚膜組合物燒結(jié)，從而形成與所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層接觸且與所述半導(dǎo)體襯底電接觸的電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中將所述厚膜組合物以圖案形式施加至所述絕緣膜上。
13.一種制品，其包括: a)半導(dǎo)體襯底； b)位于所述半導(dǎo)體襯底上的一個(gè)或多個(gè)絕緣層；和 c)與所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層接觸且與所述半導(dǎo)體襯底電接觸的電極，所述電極包含氧化秘和鋪氧化物。
14.根據(jù) 權(quán)利要求13的方法，其中所述制品為太陽(yáng)能電池。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于印刷具有一個(gè)或多個(gè)絕緣層的太陽(yáng)能電池器件正面的厚膜組合物。所述組合物包含含氧化鉍的玻璃料和作為所述玻璃料的一部分或者添加劑的銻氧化物。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種通過使用所述厚膜組合物制備半導(dǎo)體器件的方法，以及包含所述半導(dǎo)體器件的制品，尤其是太陽(yáng)能電池。所述太陽(yáng)能電池顯示出提高的效率。
文檔編號(hào)H01B1/20GK103177788SQ20121056669
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者M·赫爾特斯, M·內(nèi)伊德特 申請(qǐng)人:赫勞斯貴金屬有限兩和公司