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用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊的制作方法

文檔序號:7148995閱讀:223來源:國知局
專利名稱:用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體生產(chǎn)設(shè)備的設(shè)計領(lǐng)域,尤其涉及用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊。
背景技術(shù)
由于半導體集成制造的過程中需要由多個工藝分步完成,如清洗處理、干燥處理、隔離處理、PVD鍍膜等等,且每一工藝步驟均需要在密閉的環(huán)境下進行,對此現(xiàn)有技術(shù)中通常采用集成密封制造系統(tǒng),使每一步工藝在同一密閉的環(huán)境下進行。在整個半導體集成制造過程中,隔離處理一般在干燥處理和PVD鍍膜之間,在PVD鍍膜時,要求在一定的真空環(huán)境下進行,因此在隔離處理時必需將經(jīng)干燥處理后半導體基板含有的殘存雜質(zhì)進行潔凈處理,以便后續(xù)進一步的PVD鍍膜。在現(xiàn)有技術(shù)中,半導體通常采用在大型的集成密封制造系統(tǒng)中制備半導體,即清洗處理、干燥處理、隔離處理及PVD鍍膜等工藝通常是在同一密閉的環(huán)境進行,如此造成各個工藝之間的相互銜接的設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜,建造一個集成密封制造系統(tǒng)需花費大量的投入。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷,旨在提供用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊以實現(xiàn)半導體生產(chǎn)設(shè)備中的隔離機構(gòu)實現(xiàn)模塊化設(shè)計。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,包括一殼體,所述殼體橫向兩側(cè)分別設(shè)有供傳輸帶通過的入口和出口,且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔,所述殼體之入口和出口處分別設(shè)有動態(tài)夾持所述傳輸帶的滾筒組,各所述滾筒組包括貼設(shè)于傳輸帶上側(cè)的上滾筒和貼設(shè)于傳輸帶下側(cè)的下滾筒,所述殼體上還設(shè)有驅(qū)動所述滾筒組運轉(zhuǎn)的伺服電機,所述上腔的側(cè)壁設(shè)有安全氣體的進氣孔,所述下腔的側(cè)壁設(shè)有排氣孔,所述進氣孔和排氣孔配套設(shè)有進氣控制閥和排氣控制閥,該動態(tài)隔離模塊還包括隔離控制系統(tǒng),所述隔離控制系統(tǒng)包括設(shè)于所述上腔內(nèi)并實時監(jiān)測所述上腔內(nèi)氣壓的氣壓計、設(shè)于所述上腔內(nèi)并實時監(jiān)測所述上腔內(nèi)濕度的濕度計及控制所述進氣控制閥和排氣控制閥工作狀態(tài)的控制器,所述控制器分別與所述進氣控制閥、排氣控制閥、伺服電機、氣壓計及濕度計電連接。具體地,所述殼體由外至內(nèi)依次包括鋁殼外層、硅橡膠絕熱層及不銹鋼內(nèi)層。具體地,所述殼體包括相互扣合的上蓋與下蓋,所述上蓋與所述轉(zhuǎn)輸帶及上滾筒圍合成所述上腔,所述下蓋與所述轉(zhuǎn)輸帶及下滾筒圍合成所述下腔,所述上蓋與下蓋的橫向側(cè)之間具有形成所述入口和出口的間隙,所述上蓋與下蓋的縱向側(cè)之間設(shè)有公母槽連接結(jié)構(gòu),所述公母槽內(nèi)設(shè)有密封膠條。具體地,各所述上滾筒和下滾筒的表面設(shè)有彈性層,各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互接觸且過盈配合,各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙,且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間過盈配合。
具體地,所述殼體內(nèi)設(shè)有分別支撐各所述上滾筒和下滾筒的上支撐塊和下支撐塊,各所述上支撐塊設(shè)有部分收容所述上滾筒的弧形收容槽,所述下支撐塊設(shè)有部分收容所述下滾筒的弧形收容槽,各所述弧形收容槽分別與各所述上滾筒和下滾筒過盈配合,且各所述上支撐塊和下支撐塊與所述殼體密封連接。具體地,各所述上支撐塊兩端設(shè)有軸承,各所述上滾筒的兩端安裝于所述軸承內(nèi),且各所述上支撐塊與所述殼體于豎直方向上滑動連接,各所述上支撐塊上側(cè)及所述殼體頂部之間設(shè)有彈簧,所述彈簧壓設(shè)于所述上支撐塊與所述殼體頂部之間。具體地,各所述上滾筒和/或下滾筒表面設(shè)有壓力傳感器。具體地,所述殼體縱向側(cè)面設(shè)有與所述控制器相互通信的人機接口和顯示屏。具體地,所述進氣孔為兩個,且兩個進氣孔均配備有進氣控制閥,兩所述進氣控制閥均與所述控制電連接。本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,通過在所述殼體的兩側(cè)開設(shè)供所述傳輸帶通過的入口和出口,并于所述入口和出口處設(shè)置動態(tài)夾持所述傳輸帶的滾筒組,使得所述傳輸帶由所述入口和出口通過所述殼體時,所述殼體與傳輸帶呈現(xiàn)動態(tài)密封的效果。在本發(fā)明中,所述滾筒組的運轉(zhuǎn)的快慢由伺服電機轉(zhuǎn)動的快慢進行控制,安全氣體進入量和廢氣的排出量由相應(yīng)的進氣控制閥和排氣控制閥進行控制,而伺服電機、進氣控制閥及排氣控制閥的工作狀態(tài)則統(tǒng)一由所述控制器進行控制,而所述控制器產(chǎn)生控制信號的依據(jù)是設(shè)置于所述上腔內(nèi)的氣壓計和濕度計實時監(jiān)測所得的數(shù)據(jù)進行調(diào)控。由此可見,本發(fā)明的動態(tài)隔離模塊可實現(xiàn)對放置于所述傳輸帶上的半導體基板的連續(xù)隔離作用,且隔離過程中可對殼體內(nèi)的氣體質(zhì)量實施實時的控制,以檢測半導體基板的潔凈程度,同時實現(xiàn)了半導體集成制造生產(chǎn)線中隔離處理的模塊化設(shè)計。


圖1是本發(fā)明一優(yōu)選實施例的外部結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是圖1去除殼體后的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是圖2的正向視圖;圖4是圖1截面A-A的剖視圖;圖5是圖3截面B-B的剖視圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。請參照圖廣5,用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,包括一殼體1,所述殼體I橫向兩側(cè)分別設(shè)有供傳輸帶2通過的入口 11和出口 12,其中所述傳輸帶2上放置的制造半導體的基板,且所述傳輸帶2將所述殼體I分隔成上腔13與下腔14,所述殼體I之入口 11和出口 12處分別設(shè)有動態(tài)夾持所述傳輸帶2的滾筒組3,各所述滾筒組3包括貼設(shè)于傳輸帶2上側(cè)的上滾筒31和貼設(shè)于傳輸帶2下側(cè)的下滾筒32,所述殼體I上還設(shè)有驅(qū)動所述滾筒組3運轉(zhuǎn)的伺服電機4,所述上腔13的側(cè)壁設(shè)有安全氣體的進氣孔15,所述下腔14的側(cè)壁設(shè)有排氣孔16,所述進氣孔15和排氣孔16配套設(shè)有進氣控制閥(圖中沒有畫出)和排氣控制閥(圖中沒有畫出),該動態(tài)隔離模塊還包括隔離控制系統(tǒng),所述隔離控制系統(tǒng)包括設(shè)于所述上腔13內(nèi)并實時監(jiān)測所述上腔13內(nèi)氣壓的氣壓計、設(shè)于所述上腔內(nèi)并實時監(jiān)測所述上腔內(nèi)濕度的濕度計及控制所述進氣控制閥和排氣控制閥工作狀態(tài)的控制器,所述控制器分別與所述進氣控制閥、排氣控制閥、伺服電機、氣壓計及濕度計電連接。其中,所述隔離控制系統(tǒng)的工作原理如下:所述控制器通過所述氣壓計和濕度計實時獲取所述上腔13內(nèi)氣壓參數(shù)和濕度參數(shù),并由上述氣體質(zhì)量參數(shù)判斷所述上腔13內(nèi)潔凈程度,進而控制所述進氣控制閥、排氣控制閥及伺服電機的工作狀態(tài)。此外,還可使所述控制器與伺服電機4進行通信連接,具體的通信連接方式可以是RS232通信,使所述控制器實時判斷所述伺服電機4是否正常工作。當所述伺服電機4正常工作時,所述控制器使所述進氣控制閥進氣,使安全氣體進入所述殼體I內(nèi)部,與此同時打開所述排氣控制閥進行排氣,同時整個過程中不斷監(jiān)測所述上腔13內(nèi)的氣體壓強和氣體濕度以檢測放置于所述傳輸帶2上的半導體基板的潔凈程度,以確認所述伺服電機4的運轉(zhuǎn)速度及所述進氣控制閥和排氣控制閥的開閉狀態(tài)。在本發(fā)明中,所述滾筒組3運轉(zhuǎn)的快慢由伺服電機4轉(zhuǎn)動的快慢進行控制,安全氣體進入量由相應(yīng)的進氣控制閥的開閉程度進行控制,而伺服電機4和進氣控制閥的工作狀態(tài)則統(tǒng)一由所述控制器進行控制,而所述控制器產(chǎn)生控制信號的依據(jù)是設(shè)置于所述上腔13內(nèi)的氣壓計和濕度計實時監(jiān)測所得的數(shù)據(jù)進行調(diào)控。由此可見,本發(fā)明的動態(tài)隔離模塊可實現(xiàn)對放置于所述轉(zhuǎn)輸帶2上的半導體基板實現(xiàn)連續(xù)隔離處理,且隔離處理中可對殼體內(nèi)的氣體質(zhì)量實施實時的控制,同時實現(xiàn)了半導體集成制造生產(chǎn)線中隔離處理的模塊化設(shè)計。在本實施例中,所述殼體I由外至內(nèi)依次包括鋁殼外層17、硅橡膠絕熱層18及不銹鋼內(nèi)層19。其中,所述硅橡膠絕熱層18可采用硅系高分子材料制作而成。上述技術(shù)方案中,提供一種與絕熱效果較佳的殼體I結(jié)構(gòu),以此減少整個動態(tài)隔離模塊在工作過程中向外界散發(fā)熱量,用以改善工作環(huán)境,避免工作環(huán)境溫度過高,同時提高整個動態(tài)隔離模塊的隔離效果。在本實施例中,所述殼體I包括相互扣合的上蓋101與下蓋102,所述上蓋101與所述傳輸帶2及上滾筒31圍合成所述上腔13,所述下蓋102與所述傳輸帶2及下滾筒32圍合成所述下腔14,所述上蓋101與下蓋102的橫向側(cè)之間具有形成所述入口 11和出口12的間隙,所述上蓋101與下蓋102的縱向側(cè)之間設(shè)有公母槽連接結(jié)構(gòu),所述公母槽內(nèi)設(shè)有密封膠條。上述技術(shù)方案中,提供一種便于實施的殼體I結(jié)構(gòu),該殼體I由分開的上蓋101和下蓋102構(gòu)成,所述上蓋101和下蓋102的縱向側(cè)采用公母槽連接結(jié)構(gòu)并配合密封膠條的密封,如此能夠使所述殼體I便于實施,同時又具備良好的密封效果。在本實施例中,各所述上滾筒31和下滾筒32的表面設(shè)有彈性層,各所述上滾筒31和下滾筒32的兩端部表面相互接觸且過盈配合,各所述上滾筒31和下滾筒32之間有供所述傳輸帶2通過的間隙,且各所述上滾筒31和下滾筒32與傳輸帶2之間過盈配合。其中,所述彈性層采用硅橡膠制作而成。上述技術(shù)方案給了所述滾筒組3的具體密封方式,通過將所述上滾筒31、下滾筒32及傳輸帶2相互接觸部分設(shè)置成彈性接觸,如此,當所述傳輸帶2隨同所述滾筒組3運轉(zhuǎn)過程中,可時刻保持良好的密封效果,實現(xiàn)動態(tài)密封。
在本實施例中,所述殼體I內(nèi)設(shè)有分別支撐各所述上滾筒31和下滾筒32的上支撐塊51和下支撐塊52,各所述上支撐塊51設(shè)有部分收容所述上滾筒31的弧形收容槽6,所述下支撐塊52設(shè)有部分收容所述下滾筒32的弧形收容槽6,各所述弧形收容槽6分別與各所述上滾筒31和下滾筒32過盈配合,且各所述上支撐塊51和下支撐塊52與所述殼體I密封連接。上述技術(shù)方案中給出了所述滾筒組3具體的密封安裝方式,其通過采用與所述殼體I密封連接的上支撐塊51與下支撐塊52,并于所述上支撐塊51與所述下支撐塊52內(nèi)開設(shè)有與所述上滾筒31和下滾筒32過盈配合的弧形收容槽6進行部分的收容,以實現(xiàn)所述上支撐塊51與所述上滾筒31之間的密封連接,所述下支撐塊52與所述下滾筒31之間的密封連接,從而實現(xiàn)所述滾筒組3與所述殼體I的密封連接關(guān)系。其中,所述弧形收
容槽6的弧度優(yōu)選的設(shè)定在0±+討之間,在本實施例中,所述弧形收容槽6的弧度為π。
O在本實施例中,各所述上支撐塊51兩端設(shè)有軸承511,各所述上滾筒31的兩端安裝于所述軸承511內(nèi),且各所述上支撐塊51與所述殼體I于豎直方向上滑動連接,各所述上支撐塊51上側(cè)及所述殼體I頂部之間設(shè)有彈簧7,所述彈簧7壓設(shè)于所述上支撐塊51與所述殼體I頂部之間。如此,通過在各所述上支撐塊51兩端設(shè)置軸承511,并將所述上滾筒31安裝于所述軸承511內(nèi),如此在位置關(guān)系上,可使所述上支撐塊51與所述上滾筒31相對固定,即可將所述上支撐塊51與所述上滾筒31視為一整體。因此,將所述上支撐塊51與所述殼體I之間的連接關(guān)系設(shè)置成于豎直方向上滑動連接,可使所述上滾筒31于豎直方向具有位移的自由度。當不同厚度規(guī)格的基板經(jīng)過時,所述上滾筒31可隨同所述上支撐塊51于豎直方向上滑動,以適應(yīng)放置所述傳輸帶2上不同厚度規(guī)格的基板。同時,為使所述上滾筒31能夠保持對傳輸帶具備良好的壓緊作用,各所述上支撐塊51上側(cè)及所述殼體I頂部之間設(shè)有受壓的彈簧7,利用所述彈簧7受壓時呈現(xiàn)的對外張力,所述上滾筒31時刻具備向下的作用下,以保證所述上滾筒31與所述傳輸帶2之間的密封效果。此外,各所述下滾筒32則安裝于所述殼體I的側(cè)壁,亦采用軸承安裝的方式,在此不作贅述。在本實施例中,各所述上滾筒31和/或下滾筒32表面設(shè)有壓力傳感器。其中,如此,可通過所述壓力傳感器實時的監(jiān)測所述滾筒組3與所述傳輸帶2的壓緊程度,以獲得所述滾筒組3與所述傳輸帶2之間密封效果的判斷,并以此判斷所述滾筒組的損壞程度,考慮是否更換新的滾筒。在本實施例中,所述殼體I縱向側(cè)面設(shè)有與所述控制器相互通信的人機接口和顯示屏。如此,可通過所述控制器將所述上腔13內(nèi)的氣壓參數(shù)、氣溫參數(shù)及溫度參數(shù)傳送至所述人機接口并由所述顯示屏顯示出來,以便工作人員掌控整個動態(tài)隔離模塊的工作狀態(tài)。在本實施例中,所述進氣孔15為兩個,且兩個進氣孔15均配備有進氣控制閥,兩所述進氣控制閥均與所述控制電連接。如此,本發(fā)明的動態(tài)隔離模塊在工作過程中,可根據(jù)實際的使用情況,采用一個進氣孔15進氣,或兩個進氣孔15 —同進氣,以適應(yīng)不同的進氣量的調(diào)節(jié)需求。以上所述僅為本發(fā)明較 佳的實施例而已,其結(jié)構(gòu)并不限于上述列舉的形狀,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,包括一殼體,其特征在于:所述殼體橫向兩側(cè)分別設(shè)有供傳輸帶通過的入口和出口,且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔,所述殼體之入口和出口處分別設(shè)有動態(tài)夾持所述傳輸帶的滾筒組,各所述滾筒組包括貼設(shè)于傳輸帶上側(cè)的上滾筒和貼設(shè)于傳輸帶下側(cè)的下滾筒,所述殼體上還設(shè)有驅(qū)動所述滾筒組運轉(zhuǎn)的伺服電機,所述上腔的側(cè)壁設(shè)有安全氣體的進氣孔,所述下腔的側(cè)壁設(shè)有排氣孔,所述進氣孔和排氣孔配套設(shè)有進氣控制閥和排氣控制閥,該動態(tài)隔離模塊還包括隔離控制系統(tǒng),所述隔離控制系統(tǒng)包括設(shè)于所述上腔內(nèi)并實時監(jiān)測所述上腔內(nèi)氣壓的氣壓計、設(shè)于所述上腔內(nèi)并實時監(jiān)測所述上腔內(nèi)濕度的濕度計及控制所述進氣控制閥和排氣控制閥工作狀態(tài)的控制器,所述控制器分別與所述進氣控制閥、排氣控制閥、伺服電機、氣壓計及濕度計電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,其特征在于:所述殼體由外至內(nèi)依次包括鋁殼外層、硅橡膠絕熱層及不銹鋼內(nèi)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,其特征在于:所述殼體包括相互扣合的上蓋與下蓋,所述上蓋與所述傳輸帶及上滾筒圍合成所述上腔,所述下蓋與所述傳輸帶及下滾筒圍合成所述下腔,所述上蓋與下蓋的橫向側(cè)之間具有形成所述入口和出口的間隙,所述上蓋與下蓋的縱向側(cè)之間設(shè)有公母槽連接結(jié)構(gòu),所述公母槽內(nèi)設(shè)有密封膠條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,其特征在于:各所述上滾筒和下滾筒的表面設(shè)有彈性層,各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互接觸且過盈配合,各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙,且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間過盈配合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,其特征在于:所述殼體內(nèi)設(shè)有分別支撐各所述上滾筒和下滾筒的上支撐塊和下支撐塊,各所述上支撐塊設(shè)有部分收容所述上滾筒的弧形收容槽,所述下支撐塊設(shè)有部分收容所述下滾筒的弧形收容槽,各所述弧形收容槽分別與各所述上滾筒和下滾筒過盈配合,且各所述上支撐塊和下支撐塊與所述殼體密封連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,其特征在于:各所述上支撐塊兩端設(shè)有軸承,各所述上滾筒的兩端安裝于所述軸承內(nèi),且各所述上支撐塊與所述殼體于豎直方向上滑動連接,各所述上支撐塊上側(cè)及所述殼體頂部之間設(shè)有彈簧,所述彈簧壓設(shè)于所述上支撐塊與所述殼體頂部之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,其特征在于:各所述上滾筒和/或下滾筒表面設(shè)有壓力傳感器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,其特征在于:所述殼體縱向側(cè)面設(shè)有與所述控制器相互通信的人機接口和顯示屏。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,其特征在于:所述進氣孔為兩個,且兩個進氣孔均配備有進氣控制閥,兩所述進氣控制閥均與所述控制電連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導體集成制造的設(shè)計領(lǐng)域,尤其涉及用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊。本發(fā)明提供了用于半導體集成制造生產(chǎn)線中的動態(tài)隔離模塊,通過在所述殼體的兩側(cè)開設(shè)供所述傳輸帶通過的入口和出口,并于所述入口和出口處設(shè)置動態(tài)夾持所述傳輸帶的滾筒組,使得所述傳輸帶由所述入口和出口通過所述殼體時,所述殼體與傳輸帶呈現(xiàn)動態(tài)密封的效果。本發(fā)明的動態(tài)隔離模塊可實現(xiàn)對半導體基板實現(xiàn)連續(xù)動態(tài)隔離的作用,且隔離過程中可對殼體內(nèi)的氣體質(zhì)量實施實時的控制,同時實現(xiàn)了半導體集成化制造生產(chǎn)線中隔離工藝的模塊化設(shè)計。
文檔編號H01L21/67GK103077910SQ201210570740
公開日2013年5月1日 申請日期2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月25日
發(fā)明者王奉瑾 申請人:王奉瑾
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