專利名稱：一種半導(dǎo)體電阻的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體電阻的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，例如隨著鐵路的快速發(fā)展，鐵軌越鋪越長，尤其是高寒高鐵的建設(shè)需要更多大容量耐寒的電阻器件，但是目前的方法制備的電阻容量小、耐寒性差。因此，尋找一種能夠消除上述缺點的電阻的制備方法成為亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供 一種半導(dǎo)體電阻的制備方法，半導(dǎo)體電阻其包括30_60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸鈉、10-50wt%的石墨、5-40wt%的礦渣粉以及20_40wt%的礦渣砂，其特征在于，包括如下步驟(a)、將按配比配好的原料攪拌均勻，在模子內(nèi)壓制成型；(b)、將壓制成型的半導(dǎo)體電阻進行通風(fēng)處理，處理溫度為20_30°C，處理時間為9-15小時；(C)、接著進入干燥爐中干燥，干燥溫度為80-100°C，干燥時間為9-12小時。有益效果本發(fā)明制備的電阻經(jīng)過測試分析，顯示電阻性能良好，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。實施例1該半導(dǎo)體電阻的制備方法包括如下步驟(a)、將按30wt%的水玻璃、10wt%的氟娃酸鈉、10wt%的石墨、10wt%的礦洛粉以及40wt%的礦渣砂的配比配好的原料攪拌均勻，在模子內(nèi)壓制成型；(b)、將壓制成型的半導(dǎo)體電阻進行通風(fēng)處理，處理溫度為20°C，處理時間為15小時；(C)、接著進入干燥爐中干燥，干燥溫度為80°C，干燥時間12小時。實施例2該該半導(dǎo)體電阻的制備方法包括如下步驟(a)、將按60wt%的水玻璃、5wt%的氟娃酸鈉、10wt%的石墨、5wt%的礦洛粉以及20wt%的礦渣砂的配比配好的原料攪拌均勻，在模子內(nèi)壓制成型；
(b)、將壓制成型的半導(dǎo)體電阻進行通風(fēng)處理，處理溫度為30°C，處理時間為9小時；(C)、接著進入干燥爐中干燥，干燥溫度為100°C，干燥時間為9小時。實施例3該半導(dǎo)體電阻的制備方法包括如下步驟(a)、將按30wt%的水玻璃、7wt%的氟娃酸鈉、13wt%的石墨、30wt%的礦洛粉以及20wt%的礦渣砂的配比配好的原料攪拌均勻，在模子內(nèi)壓制成型；(b)、將壓制成型的半導(dǎo)體電阻進行通風(fēng)處理，處理溫度為25°C，處理時間為12小時；

(C)、接著進入干燥爐中干燥，干燥溫度為90°C，干燥時間為10小時。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體電阻的制備方法，半導(dǎo)體電阻其包括30_60wt%的水玻璃、5_10wt%的氟硅酸鈉、10-50wt%的石墨、5-40wt%的礦渣粉以及20-40wt%的礦渣砂，其特征在于，包括如下步驟(a)、將按配比配好的原料攪拌均勻，在模子內(nèi)壓制成型；(b)、將壓制成型的半導(dǎo)體電阻進行通風(fēng)處理，處理溫度為20-30°C，處理時間為9-15 小時；(C)、接著進入干燥爐中干燥，干燥溫度為80-100°C，干燥時間為9-12小時。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，(a)、將按30wt%的水玻璃、7wt%的氟娃酸鈉、13wt%的石墨、30wt%的礦洛粉以及20wt% 的礦渣砂的配比配好的原料攪拌均勻，在模子內(nèi)壓制成型；(b)、將壓制成型的半導(dǎo)體電阻進行通風(fēng)處理，處理溫度為25°C，處理時間為12小時； (C)、接著進入干燥爐中干燥，干燥溫度為90°C，干燥時間為10小時。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體電阻的制備方法，半導(dǎo)體電阻其包括30-60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸鈉、10-50wt%的石墨、5-40wt%的礦渣粉以及20-40wt%的礦渣砂，其特征在于，包括如下步驟(a)、將按配比配好的原料攪拌均勻，在模子內(nèi)壓制成型；(b)、將壓制成型的半導(dǎo)體電阻進行通風(fēng)處理，處理溫度為20-30℃，處理時間為9-15小時；(c)、接著進入干燥爐中干燥，干燥溫度為80-100℃，干燥時間為9-12小時。
文檔編號H01C17/00GK103050206SQ20121057989
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者李崗, 國欣鑫, 張曉輝 申請人:青島艾德森能源科技有限公司