專(zhuān)利名稱(chēng)：一種陣列基板及制備方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著TFT-LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，越來(lái)越多的新技術(shù)不斷地被提出和應(yīng)用，例如高分辨率、高開(kāi)口率、GOA(Gate onArray，陣列基板行驅(qū)動(dòng))技術(shù)等。目前，對(duì)于TFT-1XD而言，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(ADvanced Super Dimension Switch,簡(jiǎn)稱(chēng)為ADS)型陣列基板通常需要柵金屬層掩膜，有源層掩膜，柵絕緣層掩膜，第一電極層掩膜，源漏金屬層掩膜，鈍化層掩膜、以及第二電極層掩膜7次構(gòu)圖工藝來(lái)制造，而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。 當(dāng)然,對(duì)于例如TN(Twisted Nematic,扭曲向列型)陣列基板，即第二電極層設(shè)置在彩膜基板的情況，則需要5-6次構(gòu)圖工藝，在此不再贅述。然而，構(gòu)圖工藝的次數(shù)過(guò)多將直接導(dǎo)致產(chǎn)品的成本上升以及量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能降低，因此如何能夠進(jìn)一步減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)也就成為了人們?nèi)找骊P(guān)注的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及制備方法、顯示裝置，通過(guò)將第一電極的圖案層和數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層在一次構(gòu)圖工藝中形成來(lái)減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供了一種陣列基板的制備方法，包括步驟1、在基板上形成包括柵電極的圖案層；步驟2、在完成前述步驟的基板上形成包括柵絕緣層的圖案層；步驟3、在完成前述步驟的基板上形成包括有源層的圖案層；步驟4、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT溝道的圖案層；步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案層；步驟6、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。一方面，提供了一種陣列基板，包括設(shè)置在基板上的柵金屬層，柵絕緣層、有源層、包括第一電極圖案層的第一電極層、及包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極圖案層的源漏金屬層；其中，所述第一電極層設(shè)置于所述源漏金屬層下方。另一方面，提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及制備方法、顯示裝置，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一電極的圖案層和數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層，與現(xiàn)有技術(shù)中的通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝分別形成所述第一電極的圖案層和數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層相比，減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第一示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第二示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第三示意圖； 圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第四示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第五示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第六示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第七示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第八示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作陣列基板的第九示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作包括鈍化層的陣列基板的示意圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例一提供的制作包括第二電極層的陣列基板的示意圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例二提供的制作陣列基板的第一示意圖；圖14為本發(fā)明實(shí)施例二提供的制作陣列基板的第二示意圖；圖15為本發(fā)明實(shí)施例二提供的制作陣列基板的第三示意圖；圖16為本發(fā)明實(shí)施例二提供的制作陣列基板的第四示意圖；圖17為本發(fā)明實(shí)施例二提供的制作陣列基板的第五示意圖；圖18為本發(fā)明實(shí)施例三提供的制作陣列基板的示意圖。附圖標(biāo)記11-柵金屬層，Ila-柵極，Ilb-柵線(xiàn)引線(xiàn)；12_柵絕緣層，12a-第一過(guò)孔；13a_非晶娃圖案層，13b-n+非晶娃圖案層，13-有源層；14_透明導(dǎo)電薄膜，14a-第一電極,14b-第一透明導(dǎo)電圖案層，14c-第二透明導(dǎo)電圖案層；15_金屬薄膜，15a-源電極，15b-漏電極，15c-源漏金屬層保留圖案層；145-溝道；16-光刻膠,16a-光刻膠完全保留部分，16b-光刻膠半保留部分，16c-光刻膠完全去除部分；17_灰色調(diào)掩膜板，17a-不透明部分，17b-半透明部分，17c-透明部分；18_鈍化層，18a-第二過(guò)孔；19_第二電極。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，包括步驟1、在基板上形成包括柵電極的圖案層；步驟2、在完成前述步驟的基板上形成包括柵絕緣層的圖案層；步驟3、在完成前述步驟的基板上形成包括有源層的圖案層；步驟4、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)FT)溝道的圖案層；步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案層；步驟6、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中所述柵電極的圖案層、所述柵絕緣層的圖案層、所述有源層的圖案層、所述第一電極的圖案層、所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和TFT溝道的圖案層是構(gòu)成陣列基板的必不可少的圖案層；對(duì)于A(yíng)DS型陣列基板，所述鈍化層的圖案層以及第二電極的圖案層也是必不可少的圖案層。此外，在本發(fā)明所有實(shí)施例中所述一次構(gòu)圖工藝是對(duì)應(yīng)于一次掩膜工藝來(lái)說(shuō)的，應(yīng)用一次掩膜板制作完成某些圖案層稱(chēng)為進(jìn)行了一次構(gòu)圖工藝。
在本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成第一電極的圖案層和數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極的圖案層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層，本發(fā)明實(shí)施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。實(shí)施例一，所述陣列基板的制備方法，如圖1所示，包括如下步驟S10、在基板上制作金屬薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成如圖2所示的柵金屬層11，其中所述柵金屬層11包括柵電極Ila的圖案層、柵線(xiàn)(圖中未標(biāo)出)、以及柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb
的圖案層。具體的，可以使用磁控濺射方法，在玻璃基板上制備一層厚度在]000A至7000A的金屬薄膜。金屬材料通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩膜板通過(guò)曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在基板10的一定區(qū)域上形成柵電極11a、柵線(xiàn)(圖中為標(biāo)出)、以及柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層。S11、在完成步驟SlO的基板上制作絕緣薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成柵絕緣層12的圖案層。此處，如圖3所示，在所述柵絕緣層12的圖案層位于柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層上方的情況下，可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成帶有第一過(guò)孔12a的所述柵絕緣層12的圖案層，其中，所述第一過(guò)孔12a位于所述柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層上方。具體的，可以利用化學(xué)汽相沉積法在基板上連續(xù)沉積厚度為丨OOOA至6000 A的絕緣薄膜，絕緣薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等，用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕形成帶有第一過(guò)孔12a的柵絕緣層12的圖案層。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明所有實(shí)施例中，所指的上方為按照形成的先后順序，先形成的在下，后形成的在上。例如，所述柵絕緣層12的圖案層位于柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層上方，即，先形成所述柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層，再形成所述柵絕緣層12的圖案層。S12、在完成步驟Sll的基板上制作有源層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成如圖4所示的有源層13的圖案層。具體的，可以利用化學(xué)汽相沉積法在基板之上沉積厚度為1000人至6000人的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝即可形成有源層13的圖案層，即在光刻膠涂覆后，用普通的掩膜板對(duì)基板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕形成位于所述柵電極Ila的圖案層上方的有源層13的圖案層。S13、如圖5所示，在完成步驟S12的基礎(chǔ)上，依次制作透明導(dǎo)電薄膜14和金屬薄膜15，并在所述金屬薄膜15上涂覆光刻膠16。具體的，可以先利用化學(xué)汽相沉積法在整個(gè)基板上沉積一層厚度在丨OOA至IOOOA之間的透明導(dǎo)電薄膜層14，之后在基板上沉積一層厚度在1000人到7000人金屬薄膜15 ;其中常用的透明導(dǎo)電薄膜14可以為IT0(Indium Tin Oxides,銦錫氧化物)或IZO(Indium ZincOxide,銦鋅氧化物)薄膜；然后在所述金屬薄膜15上涂覆一層光刻膠16。S14、利用如圖6所示的灰色調(diào)掩膜板17對(duì)形成有所述光刻膠16的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分16a、光刻膠半保留部分16b和光刻膠完全去除部分16c0其中，所述光刻膠完全保留部分16a至少對(duì)應(yīng)待形成的所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(圖中未標(biāo)出)、源電極15a和漏電極15b的圖案層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分16b至少對(duì)應(yīng)待形成的所述第一電極的圖案層16a的部分區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分16c對(duì)應(yīng)包括TFT溝道區(qū)域在內(nèi)的其他區(qū)域。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述光刻膠半保留部分16b的光刻膠厚度為2000人~ .10000人。這樣可以進(jìn)一步的增加工藝穩(wěn)定性以及節(jié)省工藝時(shí)間。此處，參考圖6所示，對(duì)灰色調(diào)掩膜板17的主要原理說(shuō)明如下灰色調(diào)掩膜板17是通過(guò)光柵效應(yīng)，使曝光在不同區(qū)域透過(guò)光的強(qiáng)度不同，而使光刻膠進(jìn)行選擇性曝光、顯影。在灰色調(diào)掩膜板17中，包括不透明部分17a、半透明部分17b和透明部分17c。光刻膠16曝光后，光刻膠完全保留部分16a對(duì)應(yīng)灰色調(diào)掩膜板17的不透明部分17a，光刻膠半保留部分16b對(duì)應(yīng)灰色調(diào)掩膜板17的半透明部分17b，光刻膠完全去除部分16c對(duì)應(yīng)灰色調(diào)掩膜板17的透明部分17c。所述的半色調(diào)掩膜板的原理與所述灰色調(diào)掩膜板17類(lèi)似，在此不再贅述。此外，對(duì)于所述光刻膠，其種類(lèi)很多，根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理，可分負(fù)性 膠和正性膠兩類(lèi)。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。不同種類(lèi)的光刻膠對(duì)應(yīng)有不同的掩膜板，例如，光刻膠為正性膠，則所述灰色調(diào)掩膜板17中，所述光刻膠完全去除部分16c對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆毓鈪^(qū)域，所用材料為透光材料；所述光刻膠半保留部分16b對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘肫毓鈪^(qū)域，所用材料為半透光材料，所述光刻膠完全保留部分16a對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴黄毓鈪^(qū)域，所用材料為不透光材料。反之，光刻膠為負(fù)性膠，則所述灰色調(diào)掩膜板17中，所述光刻膠完全去除部分16c對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴黄毓鈪^(qū)域，所用材料為不透光材料；所述光刻膠完全保留部分16a對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆毓鈪^(qū)域，所用材料為透光材料，所述光刻膠半保留部分16b對(duì)應(yīng)的區(qū)域仍然為半曝光區(qū)域，所用材料為半透光材料。由上述對(duì)所述光刻膠的描述可知，本發(fā)明實(shí)施例中以正性膠為例進(jìn)行說(shuō)明。S15、采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分16c的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，如圖7所示，至少形成位于TFT溝道145兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)(圖中為標(biāo)出)及源電極15a的圖案層、所述數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極的圖案層下方的第一透明導(dǎo)電圖案層14b和第一電極14a的圖案層、所述第一電極的圖案層上方的金屬薄膜。需要說(shuō)明的是，所述透明導(dǎo)電圖案層14b對(duì)于構(gòu)成陣列基板來(lái)說(shuō)是可有可無(wú)的，即不是構(gòu)成陣列基板的必要的圖案層，但在本發(fā)明實(shí)施例中，由于只經(jīng)過(guò)一次構(gòu)圖工藝，因此在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極15a圖案層下方形成了透明導(dǎo)電圖案層14b。當(dāng)然，按上述步驟的制備方法，如圖7所示，在去除所述光刻膠完全去除部分16c的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜后，還形成覆蓋所述第一過(guò)孔12a的第二透明導(dǎo)電圖案層14c和位于所述第二透明導(dǎo)電圖案層14c上方的源漏金屬層保留圖案層15c，通過(guò)所述第一過(guò)孔12a，所述第二透明導(dǎo)電圖案層14c和源漏金屬層保留圖案層15c與所述柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb電連接。此處，所述第一電極14a的圖案層、第一透明導(dǎo)電圖案層14b、以及第二透明導(dǎo)電圖案層14c形成在同一層；所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a、以及源漏金屬層保留圖案層15c形成在同一層；此外，第一透明導(dǎo)電圖案層14b、第二透明導(dǎo)電圖案層14c和源漏金屬層保留圖案層15c對(duì)于構(gòu)成陣列基板來(lái)說(shuō)是可有可無(wú)的，只是根據(jù)工藝不同形成在基板上的保留圖 案層。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕工藝分別去除所述光刻膠完全去除部分16c的金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜。S16、采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分16b的光刻膠，形成如圖8所示的基板。由于光刻膠完全保留部分16a比光刻膠半保留部分16b的光刻膠厚度厚，故將所述光刻膠半保留部分16b去除后，所述基板上的光刻膠還剩有光刻膠完全保留部分16a。S17、采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極14a的圖案層上方的部分金屬薄膜，形成如圖9所示的所述漏電極15b的圖案層。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕工藝去除露出的所述第一電極14a的圖案層上方的部分金
屬薄膜。S18、采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分16a的光刻膠，形成如圖10所示的基板。步驟S13 S18只進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成包括第一電極14a的圖案層和包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b的圖案層。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極14a的圖案層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b的圖案層，本發(fā)明實(shí)施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。此外，為了防止導(dǎo)電的薄膜(例如金屬薄膜或透明導(dǎo)電薄膜)裸露在空氣中發(fā)生氧化等，導(dǎo)致該陣列基板使用壽命降低，進(jìn)一步地，所述方法還可以包括如下步驟S19、完成步驟S18的基板上制作鈍化層薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成鈍化層18的圖案層。此處，如圖11所示，可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成帶有第二過(guò)孔18a的鈍化層18的圖案層，所述第二過(guò)孔18a露出位于下方的源漏金屬層保留圖案層15c。具體的，可以在整個(gè)基板上涂覆一層厚度在IOOOA到6000人的保護(hù)層，其材料通常是氮化硅或透明的有機(jī)樹(shù)脂材料。由于柵極Ila需要被驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)，才能實(shí)現(xiàn)顯示的作用，因此，在本發(fā)明實(shí)施例中，需形成帶有第二過(guò)孔18a的鈍化層18，以使驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)該第二過(guò)孔18a與所述柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb電連接。
此外，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板可以適用于高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型、TN型等類(lèi)型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。其中，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)，其核心技術(shù)特性描述為通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)?！ひ虼?，優(yōu)選的，在步驟S19的基礎(chǔ)上，所述方法還包括S20、在完成步驟S19的基板上再制作一層透明導(dǎo)電薄膜14，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成如圖12所示的第二電極19的圖案層。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例一僅是其中一種陣列基板的制備方法，本發(fā)明實(shí)施例并不限于此，也可以是陣列基板的其他的制備方法，例如還可以包括頂柵型陣列基板的制備方法，在此情況下，則不需要在形成所述柵絕緣層的圖案層時(shí)形成第一過(guò)孔，由于這些都是現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述，不管是哪種制備方法，在本發(fā)明實(shí)施例中，只需使構(gòu)成陣列基板的必不可少的第一電極的圖案層和數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成即可。實(shí)施例二，一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟S30、在基板上制作金屬薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成柵金屬層11，其中所述柵金屬層11包括柵電極11a、柵線(xiàn)(圖中未標(biāo)出)、以及柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層；在形成有所述柵金屬層的基板上制作絕緣薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成帶有第一過(guò)孔12a的柵絕緣層12的圖案層；在形成柵絕緣層12的圖案層的基板上制作包括一層非晶硅薄膜和一層η+非晶硅薄膜的有源層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成包括非晶硅圖案層13a和η+非晶硅圖案層13b的有源層13的圖案層，形成如圖13所示的基板。具體的，可以利用化學(xué)汽相沉積法在基板上沉積厚度為1000人至6000人的非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，用有源層的掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，在柵極Ila的上方形成有源層13。在步驟S30中，形成包括柵電極11a、柵線(xiàn)、以及柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層的所述柵金屬層和帶有第一過(guò)孔12a的所述柵絕緣層12的圖案層與上述步驟SlO-Sll相同，在此不再贅述。S31、在完成步驟S30的基礎(chǔ)上，依次制作透明導(dǎo)電薄膜14和金屬薄膜15，并在所述金屬薄膜15上涂覆光刻膠，利用灰色調(diào)掩膜板對(duì)形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分16a、光刻膠半保留部分16b和光刻膠完全去除部分16c (圖14未標(biāo)出)；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分16c的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，至少形成位于TFT溝道145兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)(圖中為標(biāo)出)及源電極15a的圖案層、所述數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極的圖案層下方的第一透明導(dǎo)電圖案層14b和第一電極14a的圖案層、所述第一電極的圖案層上方的金屬薄膜，形成如圖14所示的基板。其中，所述光刻膠完全保留部分16a至少對(duì)應(yīng)待形成的所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(圖中未標(biāo)出)、源電極15a和漏電極15b的圖案層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分16b至少對(duì)應(yīng)待形成的所述第一電極的圖案層16a的部分區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分16c對(duì)應(yīng)包括TFT溝道145區(qū)域在內(nèi)的其他區(qū)域。當(dāng)然，按上述步驟的制備方法，如圖14所示，在去除所述光刻膠完全去除部分16c的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜后，還形成覆蓋所述第一過(guò)孔12a的第二透明導(dǎo)電圖案層14c和位于所述第二透明導(dǎo)電圖案層14c上方的源漏金屬層保留圖案層15c，通過(guò)所述第一過(guò)孔12a，所述第二透明導(dǎo)電圖案層和源漏金屬層保留圖案層15c與所述柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb電連接。優(yōu)選的，所述光刻膠半保留部分16b的光刻膠厚度為2000A H 0000A。這樣可以進(jìn)一步的增加工藝穩(wěn)定性以及節(jié)省工藝時(shí)間。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕工藝分別去除所述光刻膠完全去除部分16c的金屬薄膜15和所述透明導(dǎo)電薄膜14。 在步驟S31中，至少形成位于溝道145兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極15a的圖案層、所述數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極的圖案層下方的透明導(dǎo)電圖案層14b和第一電極14a的圖案層、所述第一電極的圖案層上方的金屬薄膜與上述步驟S13-S15相同，在此不再贅述。S32、采用干法刻蝕去除所述溝道145區(qū)域的部分η+非晶硅圖案層，形成如圖15所示的基板。S33、采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分16b的光刻膠，采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極14a的圖案層上方的部分金屬薄膜，形成如圖16所示的所述漏電極15b的圖案層。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕去除露出的所述第一電極14a的圖案層上方的部分金屬薄膜。S34、采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分16a的光刻膠，形成如圖17所示的基板。后續(xù)步驟與上述的S19-S20相同，在此不再贅述。在本發(fā)明實(shí)施例中，刻蝕順序依次為濕法刻蝕-濕法刻蝕-干法刻蝕-干法刻蝕-濕法刻蝕，由此可以看出，前面的兩次濕法刻蝕可以在一個(gè)反應(yīng)腔中進(jìn)行，后面的兩次干法刻蝕也可以在一個(gè)反應(yīng)腔中進(jìn)行，這樣有利于提升刻蝕的產(chǎn)能。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括第一電極14a的圖案層和包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b的圖案層；相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極14a的圖案層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b的圖案層，本發(fā)明實(shí)施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。實(shí)施例三，一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟S40、在基板10上制作金屬薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成柵金屬層，其中所述柵金屬層包括柵電極11a、柵線(xiàn)(圖中未標(biāo)出)、以及柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層；在形成有所述柵金屬層的基板上制作絕緣層薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成帶有第一過(guò)孔12a的柵絕緣層12的圖案層；在形成柵絕緣層12的圖案層的基板上制作包括一層非晶硅薄膜和一層n+非晶硅薄膜的有源層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成包括非晶硅圖案層13a和η+非晶硅圖案層13b的有源層13的圖案層，形成參考圖13所示的基板。S41、在完成步驟S40的基礎(chǔ)上，依次制作透明導(dǎo)電薄膜14和金屬薄膜15，并在所述金屬薄膜15上涂覆光刻膠，利用灰色調(diào)掩膜板對(duì)形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分16a、光刻膠半保留部分16b和光刻膠完全去除部分16c ;采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分16c的所述金屬薄膜15和所述透明導(dǎo)電薄膜14，至少形成位于TFT溝道145兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)(圖中為標(biāo)出)及源電極15a的圖案層、所述數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極的圖案層下方的第一透明導(dǎo)電圖案層14b和第一電極14a的圖案層、所述第一電極的圖案層上方的金屬薄膜，形成參考圖14所示的基板。當(dāng)然，按上述步驟的制備方法，在去除所述光刻膠完全去除部分16c的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜后，還形成覆蓋所述第一過(guò)孔12a的第二透明導(dǎo)電圖案層14c和位于所述第二透明導(dǎo)電圖案層14c上方的源漏金屬層保留圖案層15c，通過(guò)所述第一過(guò)孔12a，所述第二透明導(dǎo)電圖案層和源漏金屬層保留圖案層15c與所述柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb電連接。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕工藝分別去除所述光刻膠完全去除部分16c的金屬薄膜15和所述透明導(dǎo)電薄膜14。 S42、采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分16b的光刻膠，采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極14a的圖案層上方的部分金屬薄膜，形成如圖18所示的所述漏電極15b的圖案層。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕工藝去除露出的所述第一電極14a的圖案層上方的部分金
屬薄膜。S43、采用干法刻蝕去除所述溝道區(qū)域的部分η+非晶硅圖案層13b，形成參考圖16所示的基板。S44、采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分16a的光刻膠，形成參考圖17所不的基板。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝便形成包括第一電極14a的圖案層和包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b的圖案層；相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成第一電極14a的圖案層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b的圖案層，本發(fā)明實(shí)施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例二和實(shí)施例三僅是其中一種陣列基板的制備方法，本發(fā)明實(shí)施例并不限于此，也可以是陣列基板的其他的制備方法，例如還可以包括頂柵型陣列基板的制備方法。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，參考圖10所示，包括設(shè)置在基板10上的柵金屬層11，柵絕緣層12、有源層13、包括第一電極圖案層14a的第一電極層、及包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b圖案層的源漏金屬層；其中，所述第一電極層設(shè)置于所述源漏金屬層下方。其中，柵金屬層11包括柵電極Ila的圖案層、柵線(xiàn)(圖中未標(biāo)出)、以及柵線(xiàn)引線(xiàn)Ilb的圖案層。所述柵絕緣層12a為帶有第一過(guò)孔12a的柵絕緣層12a。此外，在本發(fā)明實(shí)施中所述第一電極層中的第一電極圖案層，以及源漏金屬層中的數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b圖案層是構(gòu)成陣列基板的必不可少的圖案層，也就是說(shuō)，在第一電極層和中可能還包括其他圖案層對(duì)于構(gòu)成陣列基板非必須的圖案層。在本發(fā)明實(shí)施例中，由于構(gòu)圖工藝的限制，所述第一電極層例如還包括設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極15a圖案層下方的第一透明導(dǎo)電圖案層14b，覆蓋所述第一過(guò)孔12a的第二透明導(dǎo)電圖案層14c ;所述源漏金屬層還包括設(shè)置于所述第二透明導(dǎo)電圖案層14c上方的源漏金屬層保留圖案層15c。具體可參照上述方法實(shí)施例，在此不再贅述。進(jìn)一步地，參考圖11所示，所述陣列基板還包括帶有第二過(guò)孔18a的鈍化層18，所述第二過(guò)孔18a露出位于所述鈍化層18下方的導(dǎo)電部分。此處，參考圖11，位于所述鈍化層18下方的為源漏金屬層，因此，第二過(guò)孔18a則露出所述源漏金屬層中的源漏金屬層保留圖案層15c。進(jìn)一步地，參考圖12所示，所述陣列基板還包括還包括位于所述鈍化層上的第
二電極層。 其中，第二電極層包括第二電極19圖案層，且所述第二電極做成包括多個(gè)電連接的條形電極。此外，在本發(fā)明實(shí)施中，所述第一電極可以為像素電極，第二電極為公共電極。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括設(shè)置在基板10上的柵金屬層11，柵絕緣層12、有源層13，包括第一電極14a圖案層的第一電極層、及包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極15a和漏電極15b圖案層的源漏金屬層，其中所述第一電極層設(shè)置于所述源漏金屬層下方；在制作過(guò)程中，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極圖案層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極圖案層，本發(fā)明實(shí)施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括對(duì)盒后的彩膜基板和陣列基板，其中，所述陣列基板可以是上述的任一種的陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制備方法,包括 步驟1、在基板上形成包括柵電極的圖案層； 步驟2、在完成前述步驟的基板上形成包括柵絕緣層的圖案層； 步驟3、在完成前述步驟的基板上形成包括有源層的圖案層； 步驟4、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT溝道的圖案層； 步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案層； 步驟6、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4的構(gòu)圖工藝包括 在所述金屬薄膜上涂覆光刻膠； 采用灰色調(diào)掩膜板或半色調(diào)掩膜板對(duì)形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分至少對(duì)應(yīng)待形成的所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分至少對(duì)應(yīng)待形成的所述第一電極的圖案層的部分區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對(duì)應(yīng)包括TFT溝道區(qū)域在內(nèi)的其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，至少形成位于所述TFT溝道兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極的圖案層、所述數(shù)據(jù)線(xiàn)及源電極的圖案層下方的第一透明導(dǎo)電圖案層和第一電極的圖案層、所述第一電極的圖案層上方的金屬薄膜； 采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠； 采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極的圖案層上方的部分金屬薄膜，形成所述漏電極的圖案層； 采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層位于所述柵電極的圖案層上方，且所述有源層的圖案層包括非晶硅圖案層和n+非晶硅圖案層，所述采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜之后，且所述采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之前，所述方法還包括 采用干法刻蝕去除所述TFT溝道區(qū)域的n+非晶硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和漏電極的圖案層位于所述柵電極的圖案層上方，且所述有源層的圖案層包括非晶硅圖案層和n+非晶硅圖案層，所述采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極的圖案層上方的部分金屬薄膜之后，所述采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠之前，所述方法還包括 采用干法刻蝕去除所述TFT溝道區(qū)域的n+非晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜包括 采用濕法刻蝕去除所述光刻膠完全去除部分的金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜； 采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極的圖案層上方的部分金屬薄膜包括 采用濕法刻蝕去除露出的所述第一電極的圖案層上方的部分金屬薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述光刻膠半保留部分的光刻膠厚度為2000A ~ IOOOOA0
7.—種陣列基板，包括設(shè)置在基板上的柵金屬層，柵絕緣層、有源層、包括第一電極圖案層的第一電極層、及包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極和電漏極圖案層的源漏金屬層；其特征在于，所述第一電極層設(shè)置于所述源漏金屬層下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，還包括帶有第二過(guò)孔的鈍化層，所述第二過(guò)孔露出位于所述鈍化層下方的導(dǎo)電部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述鈍化層上的第二電極層。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本；該方法包括步驟1、在基板上形成包括柵電極的圖案層；步驟2、在完成前述步驟的基板上形成包括柵絕緣層的圖案層；步驟3、在完成前述步驟的基板上形成包括有源層的圖案層；步驟4、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極和薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT溝道的圖案層；步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案層；步驟6、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。用于制備陣列基板、顯示裝置等。
文檔編號(hào)H01L27/12GK103022055SQ20121058568
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
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