專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及發(fā)光模塊。
背景技術(shù)：
由于其物理和化學(xué)特性，II1-V族氮化物半導(dǎo)體被廣泛用作發(fā)光器件(例如，發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))的主要材料。通常，II1-V族氮化物半導(dǎo)體包括組分分子式為InxAlyGanyN (0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料。LED是半導(dǎo)體器件，其通過(guò)使用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成紅外線或光來(lái)傳送/接收信號(hào)。LED還用作光源。使用氮化物半導(dǎo)體材料的LED或LD主要用于發(fā)光器件以提供光。例如，LED或LD用作各種產(chǎn)品的光源，這些產(chǎn)品例如為移動(dòng)電話的鍵盤發(fā)光部件、電子廣告牌以及照明器件。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)施例提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。本實(shí)施例提供一種晶片級(jí)封裝發(fā)光器件。本實(shí)施例提供一種包括支撐元件的發(fā)光器件，該支撐元件具有布置在第一電極和第二電極周圍的陶瓷基添加劑。本實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，其中具有第一極性的多個(gè)連接電極被嵌入支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)的支撐元件中。 本實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，其中具有第一極性的第一連接電極被布置在具有第一極性的多個(gè)第二連接電極之間。本實(shí)施例提供一種具有發(fā)光器件和發(fā)光模塊的發(fā)光器件封裝。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方；以及有源層，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；支撐元件，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)下方；反射電極層，位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與支撐元件之間；以及第一連接電極至第三連接電極，在支撐元件中彼此間隔開，其中第二連接電極被布置在第一連接電極與第三連接電極之間，第一連接電極和第三連接電極彼此電性連接且與第二連接電極電性絕緣，以及支撐元件被布置在第一連接電極至第三連接電極的外圍部分。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件包括:透明襯底；支撐元件，位于透明襯底下方；發(fā)光結(jié)構(gòu)，布置在透明襯底與支撐元件之間，并且該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及有源層，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；反射電極層，位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與支撐元件之間；以及第一連接電極至第三連接電極，在支撐元件中彼此間隔開，其中第二連接電極被布置在第一連接電極與第三連接電極之間，第一連接電極和第三連接電極彼此電性連接且與第二連接電極電性絕緣，以及支撐元件被布置在第一連接電極至第三連接電極的外圍部分。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝包括:主體，具有空腔；第一引線電極，位于主體的空腔中；第三引線電極，位于主體的空腔中；第二引線電極，布置在空腔中的第一引線電極與第三引線電極之間；發(fā)光器件，布置在第一引線電極至第三引線電極上且電性連接至第一引線電極至第三引線電極；以及間隙部，置于第一引線電極至第三引線電極中，其中發(fā)光器件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及有源層，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；支撐元件，位于發(fā)光結(jié)構(gòu)下方；反射電極層，位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與支撐元件之間；以及第一連接電極至第三連接電極，在支撐元件中彼此間隔開，以及其中第二連接電極被布置在第一連接電極與第三連接電極之間，第一連接電極和第三連接電極彼此電性連接且與第二連接電極電性絕緣，支撐元件被布置在第一連接電極至第三連接電極的外圍部分；以及第一引線電極至第三引線電極以相同的間距與支撐元件和第一連接電極至第三連接電極間隔開。


圖1為示出根據(jù)第一實(shí)施例的具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖；圖2為圖1所示的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；圖3為圖2所示的發(fā)光器件的仰視圖；圖4為示出圖1的第一電極和第二電極的具體結(jié)構(gòu)的視圖；圖5為示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖；圖6為示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖；圖7為示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖；圖8為示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖；圖9為圖8所示的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖；圖10為示出圖1所示的發(fā)光器件的第一變型示例的視圖；圖11為示出圖1所示的發(fā)光器件的第二變型示例的視圖；圖12為示出根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖；圖13為示出圖12所示的發(fā)光器件封裝的發(fā)光器件的視圖；圖14為示出圖12所示的發(fā)光器件的第一變型示例的視圖；圖15為示出根據(jù)第七實(shí)施例的具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖；圖16為圖15所示的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；圖17至圖19為示出圖16所示的發(fā)光器件的第一連接電極至第三連接電極的示例的視圖；圖20為示出根據(jù)第七實(shí)施例的具有發(fā)光器件的發(fā)光模塊的側(cè)剖視圖；圖21為示出根據(jù)第八實(shí)施例的具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的平面圖；圖22為圖21所示的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖23為圖21所示的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；圖24至圖29為示出圖16所示的發(fā)光器件的制造過(guò)程的視圖；圖30為示出根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；圖31為示出根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；圖32為圖31所示的發(fā)光器件的第一示例的仰視圖；圖33為圖31所示的發(fā)光器件的第二示例的仰視圖；圖34為圖31所示的發(fā)光器件的第三示例的仰視圖；圖35為示出根據(jù)第十一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；圖36為圖35所不的發(fā)光器件的第一不例的仰視圖；圖37為圖35所示的發(fā)光器件的第二示例的仰視圖；圖38為示出根據(jù)第十二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；圖39為圖38所示的發(fā)光器件的第一示例的仰視圖；圖40為圖38所示的發(fā)光器件的第二示例的仰視圖；以及圖41為示出根據(jù)第十三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。圖42為示出根據(jù)實(shí)施例的具有發(fā)光器件封裝的顯示器顯示裝置的透視圖；圖43為示出根據(jù)實(shí)施例的具有發(fā)光器件封裝的顯示器顯示裝置的剖視圖；以及圖44為具有帶有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的照明單元的透視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)某一層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一個(gè)襯底、另一層(或膜)、另一個(gè)區(qū)域、另一個(gè)焊盤或另一個(gè)圖案的“上方”或“下方”時(shí)，其可“直接”或“間接”位于另一個(gè)襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊盤或圖案上方或下方，并且也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。參考附圖描述層的這種位置。為了方便或清晰起見，附圖所示的每一層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性示出。另外，元件的尺寸并不完全反映其實(shí)際尺寸。在下文中，將參考附圖來(lái)描述實(shí)施例。圖1為示出根據(jù)第一實(shí)施例的具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖，圖2為圖1所示的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖，以及圖3為圖2所示的發(fā)光器件的仰視圖。參照?qǐng)D1，發(fā)光器件封裝200包括:主體211，具有空腔212 ;第一引線電極215和第二引線電極217，其至少一部分布置在空腔212中；以及發(fā)光器件100。主體211可以包括絕緣材料或?qū)щ姴牧?。主體211可以包括樹脂材料(例如，聚酞酸酯(PPA)或聚對(duì)苯二甲酸環(huán)己二醇脂(polycyclohexyleneterephthalate) (PCT)、娃(Si ))、金屬材料、磷硅玻璃(PSG)、藍(lán)寶石(Al203 )以及印刷電路板(PCB )中的至少一個(gè)。例如，主體211通過(guò)使用樹脂材料(例如，環(huán)氧樹脂或硅樹脂)進(jìn)行注塑。主體211可以通過(guò)使用對(duì)從發(fā)光器件100發(fā)射的光反射50%或更多的材料形成。另外，主體211可以通過(guò)使用對(duì)從發(fā)光器件100發(fā)射的光傳送50%或更多的材料形成。主體211包括具有環(huán)氧樹脂的環(huán)氧塑封料(EMC)材料，并且EMC材料呈現(xiàn)經(jīng)改善的成形性、防潮性以及粘著性，并包括絕緣材料。為了增強(qiáng)反射效率，主體211可以具有包括金屬氧化物(例如，Ti02或SiO2)的填充劑。具有至少10wt% (例如，至少15wt%)的含量的填充劑可以包含于主體211中。主體211可以包括用于光反射的反射材料，或者可以包括用來(lái)擴(kuò)大光定向角(orientation angle)的分布的透明材料,但實(shí)施例不限于此。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，主體211可以包括樹脂襯底或陶瓷襯底，并能夠形成為單層襯底或復(fù)合層襯底。主體的空腔212是出光區(qū)域，并且空腔212的頂面是開放的。空腔212的側(cè)壁213傾斜或垂直于空腔212的底面。如果空腔的側(cè)壁213是傾斜的，則相對(duì)于空腔212的底面的傾斜角處于5°至90°的范圍中。空腔212的側(cè)壁213可以離發(fā)光器件100的支撐元件151比離襯底111近。空腔的底面可以用作第一引線電極215和第二引線電極217的頂面，但實(shí)施例不限于此。第一引線電極215和第二引線電極217的至少一部分布置在空腔212中。第一電極215的一部分在主體211中延伸的同時(shí)暴露于空腔212的底部。第一引線電極215和第二引線電極217可以包括包含T1、Cu、N1、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P以及Al中的至少一個(gè)的金屬材料。另外，第一引線電極215和第二引線電極217可以被制備為具有單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)的引線框，但實(shí)施例不限于此。第一引線電極215和第二引線電極217可以具有處于0.8mm至3_范圍中的厚度,但實(shí)施例不限于此。第二引線電極217的一部分在主體211中延伸的同時(shí)暴露于空腔212的底部。第一引線電極215和第二引線電極217可以暴露于主體211的底面，但實(shí)施例不限于此。第一引線電極215和第二引線電極217的底面在相同的平面上與主體211的底面對(duì)齊，以便容易地安裝到電路板上，但實(shí)施例不限于此。另外，第一引線電極215和第二引線電極217的底面可以高于或低于主體211的底面而對(duì)齊。第一引線電極215和第二引線電極217的至少一部分可以包括彎曲結(jié)構(gòu)，但實(shí)施例不限于此。粗糙表面可以形成在第一引線電極215和第二引線電極217的至少一個(gè)表面上，以增大主體211與間隙部214之間的接觸面積。這樣，能夠提供具有優(yōu)良耐濕性的發(fā)光器件封裝。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，凹部形成在空腔的底部，并且第一引線電極215和第二引線電極217被布置在凹部中。發(fā)光器件100的下部電極可以在凹部中彼此電性連接。凹部的深度可以低于發(fā)光器件100的支撐元件的底面與有源層之間的距離且高于支撐元件的頂面與有源層之間的距離。第一引線電極215的第一端子被布置在主體211的第一側(cè)面23下方或者在主體211的第一側(cè)面23下方突出。第二引線電極217的第二端子被布置在主體211的第二側(cè)面24下方或者在主體211的第二側(cè)面24下方突出。發(fā)光器件100經(jīng)由倒裝方案被接合到第一引線電極215和第二引線電極217上。具體而言，發(fā)光器件100的第一連接電極141被接合到第一引線電極215上,發(fā)光器件100的第二連接電極143被接合到第二引線電極217上。第一連接電極141經(jīng)由直接接合(例如，共熔(eutectic)接合)或經(jīng)由接合元件(例如,焊料)被接合到第一引線電極215。第二連接電極143經(jīng)由直接接合(例如，共熔接合)或經(jīng)由接合元件(例如，焊料)被接合到第二引線電極217。第一引線電極215與第一連接電極141之間的間距等于第二引線電極217與第二連接電極143之間的間距。另外，發(fā)光器件100的支撐元件151被布置得與第一引線電極215和第二引線電極217的頂面對(duì)應(yīng)，并且可以與第一引線電極215和第二引線電極217間隔相同的間距。發(fā)光器件100的支撐元件151直接或間接與第一引線電極和第二引線電極215和217的頂面接觸，使得經(jīng)由第一引線電極215和第二引線電極217實(shí)現(xiàn)熱傳導(dǎo)。第一連接電極141和第二連接電極143至少之一的數(shù)量可以是多個(gè)。多個(gè)第一連接電極141和/或多個(gè)第二連接電極143可以增大相對(duì)于第一引線電極215和/或第二引線電極217的電接合區(qū)域。這樣，能夠提高發(fā)光器件100的熱傳導(dǎo)效率。另外，空腔212的側(cè)壁213與發(fā)光器件的側(cè)面S2之間的間距Ml可以等于或窄于發(fā)光器件100的寬度D1。即，由于發(fā)光器件100是倒裝接合的，因而可不需要導(dǎo)線或用于使用導(dǎo)線連接發(fā)光器件100的過(guò)程，并且可不需要導(dǎo)線的接合面積(例如，150 u mxl50 y m)。這樣，能夠更加減小發(fā)光器件與空腔212的側(cè)壁213之間的間距M1，從而能夠減小主體211的尺寸。間距Ml可以根據(jù)側(cè)壁213的位置變化，并且可以大于Iiim (例如，處于0.0liim至2mm范圍中)。由于空腔212中的導(dǎo)線沒(méi)有光干擾，因而能夠通過(guò)控制間距Ml來(lái)調(diào)節(jié)光的定向角的分布。模塑元件218被布置在空腔212中。模塑元件218包括透明樹脂材料(例如，硅或環(huán)氧樹脂)。模塑元件218可以包括熒光粉(phosphor)。模塑元件218可以包括至少一個(gè)透明樹脂層，并且熒光粉與發(fā)光器件100的頂面接觸，或者與發(fā)光器件100的頂面間隔開。突光粉包括從由YAG、TAG、娃酸鹽、氮化物以及氮氧基(oxy-nitride-based)材料構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。例如，熒光粉包括紅色熒光粉、黃色熒光粉以及綠色熒光粉中的至少一個(gè)。當(dāng)安裝了具有發(fā)光熒光層的發(fā)光器件時(shí)，發(fā)光器件封裝200中的模塑元件218可以不另外添加熒光材料，而是添加互不相同的熒光粉或發(fā)出相似顏色的熒光粉。發(fā)光器件100能夠選擇性地發(fā)出在紫外(UV)線頻帶至可見光頻帶范圍中的預(yù)定波長(zhǎng)的光。例如，發(fā)光器件100可以從紅色LED芯片、藍(lán)色LED芯片、綠色LED芯片、黃綠色LED芯片、UV LED芯片以及白色LED芯片中選擇。發(fā)光器件100包括具有II1-V族化合物半導(dǎo)體和I1-VI族化合物半導(dǎo)體中的至少一個(gè)的LED芯片。保護(hù)芯片(未示出)可以被布置在發(fā)光器件封裝200中。該保護(hù)芯片可以包括晶閘管、齊納二極管或TVS (瞬態(tài)電壓抑制)，但實(shí)施例不限于此。從發(fā)光器件100的發(fā)光結(jié)構(gòu)120產(chǎn)生的光經(jīng)由發(fā)光器件100的頂面和側(cè)表面發(fā)出，并且所發(fā)出的光可以經(jīng)由模塑元件218釋放到外部。圖2為根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖，圖3為圖2所示的發(fā)光器件的仰視圖。參照?qǐng)D2和圖3，發(fā)光器件100包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143以及支撐元件151。襯底111可以包括透明襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。例如，襯底111可以包括A1203、SiC、S1、GaAs、GaN、ZnO, S1、GaP、InP、Ge以及Ga2O3中的至少一個(gè)。對(duì)將透明襯底作為進(jìn)行光提取的襯底111的示例進(jìn)行描述。光提取結(jié)構(gòu)(例如，凹凸圖案)可以形成在位于襯底111與第一半導(dǎo)體層113之間的襯底111的底面上。該凹凸圖案能夠通過(guò)蝕刻襯底111或在襯底111上形成粗糙部(roughness)而形成。該凹凸圖案可以具有條形形狀或凸透鏡形狀。襯底111可以是具有出光表面的透明襯底，并且可以具有處于30 至300 范圍中的厚度。第一半導(dǎo)體層113可以形成在襯底111的底面上。第一半導(dǎo)體層113可以包括選擇性地包括II族化合物半導(dǎo)體至VI族化合物半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體。具體而言，第一半導(dǎo)體層113能夠通過(guò)使用II族化合物半導(dǎo)體至VI族化合物半導(dǎo)體形成單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體層113可以由II族化合物半導(dǎo)體至VI族化合物半導(dǎo)體中的II1-V族化合物半導(dǎo)體形成。例如，第一半導(dǎo)體層113可以包括GaN、InN, AIN, InGaN, AlGaN, InAlGaN以及AlInN中的至少一個(gè)。第一半導(dǎo)體層113可以包括氧化物(例如，ZnO)，但實(shí)施例不限于此。第一半導(dǎo)體層113可以包括緩沖層。該緩沖層能夠削弱襯底與氮化物半導(dǎo)體層之間的晶格失配。第一半導(dǎo)體層113可以包括非摻雜半導(dǎo)體層。該非摻雜半導(dǎo)體層可以被制備為包括II1-V族化合物半導(dǎo)體的GaN基半導(dǎo)體層。即使在制造過(guò)程中未有意添加導(dǎo)電摻雜劑，該非摻雜半導(dǎo)體層可以具有第一導(dǎo)電性能。另外，該非摻雜半導(dǎo)體層具有低于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的導(dǎo)電摻雜劑的摻雜劑濃度。第一半導(dǎo)體層113可以包括緩沖層和非摻雜半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)，但實(shí)施例不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以形成在第一半導(dǎo)體層113下方。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括I1-VI族化合物半導(dǎo)體中的II1-V族化合物半導(dǎo)體。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括組分分子式為InxAlyGanyN(O^x^ l,0^y^ 1,0^ x+y ( I)的半導(dǎo)體，并且能夠發(fā)出具有處于紫外線頻帶至可見光頻帶波長(zhǎng)范圍中的預(yù)定峰值波長(zhǎng)的光。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119以及位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119之間的有源層117。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1 15被布置在襯底111與有源層117之間。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可以包括摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑的II1-V族化合物半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115是組分分子式為InxAlyGa1IyN (0 ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0彡x+y彡I)的n型半導(dǎo)體層,而第一導(dǎo)電摻雜劑是包括S1、Ge、Sn、Se或Te的n型摻雜劑。包括交替疊置在彼此之上的各種半導(dǎo)體層的超晶格結(jié)構(gòu)可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與第一半導(dǎo)體層113之間。該超晶格結(jié)構(gòu)可以減少晶格缺陷。該超晶格結(jié)構(gòu)的每一層可以具有大約幾A或更大的厚度。第一導(dǎo)電包覆層(未不出)可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與有源層117之間。該第一導(dǎo)電包覆層可以包括GaN基半導(dǎo)體，并具有高于有源層117的帶隙。該第一導(dǎo)電包覆層限制(conf ine )載流子。有源層117形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下方。有源層117選擇性地包括單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，并且可以具有阱層和勢(shì)壘層的周期結(jié)構(gòu)。該講層可以具有組分分子式Ir^AlyGahiNCO x ^ 1,0 Sy彡1,0彡x+y彡I),該勢(shì)魚層可以具有組分分子式InxAlyGa1IyN (0: x: 1,0彡x+y彡I)。該阱層/ 勢(shì)壘層可以通過(guò)使用 InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN.1nAlGaN/InAlGaN或AlInN/InGaN的疊層結(jié)構(gòu)而具有至少一個(gè)周期。該勢(shì)壘層可以包括帶隙高于該阱層的半導(dǎo)體材料。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119形成在有源層117下方。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以包括摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑的半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以包括諸如GaN、InN、AIN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或AlInN等化合物半導(dǎo)體。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119是組分分子式為InxAlyGamN (0 ^ x ^ I, O ^ y ^ I, O ^ x+y ^ I)的P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電摻雜劑是P型摻雜劑(例如，Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以包括超晶格結(jié)構(gòu)(例如InGaN/GaN或AlGaN/GaN)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的超晶格結(jié)構(gòu)可以擴(kuò)散電壓中包含的異常電流，從而保護(hù)有源層117。第二包覆層和/或電子阻擋層(未示出)可以被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119與有源層117之間。第二包覆層可以具有高于電子阻擋層的帶隙并限制載流子。另外，電子阻擋層可以包括AlGaN基材料，并作為用于電子的勢(shì)壘。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可以被制備為p型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以被制備為n型半導(dǎo)體層。具有與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119相反極性的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下方?？梢酝ㄟ^(guò)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119來(lái)限定發(fā)光器件100的發(fā)光結(jié)構(gòu)120。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以具有n-p結(jié)結(jié)構(gòu)、p-n結(jié)結(jié)構(gòu)、n-p-n結(jié)結(jié)構(gòu)以及p-n-p結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。這種情況下，符號(hào)“n”和“p”分別表示n型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，符號(hào)表示兩個(gè)層直接或間接疊置在彼此之上。在下文中，為了方便說(shuō)明，將第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119稱為發(fā)光結(jié)構(gòu)120的最上層。反射電極層131被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下方。反射電極層131包括歐姆接觸層、反射層、擴(kuò)散阻擋層以及保護(hù)層中的至少一個(gè)。反射電極層131可以包括歐姆接觸層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、歐姆接觸層/反射層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散阻擋層、或反射層的結(jié)構(gòu)。歐姆接觸層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的底面接觸，其中歐姆接觸層的接觸面積與基于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的底面面積的70%或更大面積對(duì)應(yīng)。歐姆接觸層可以包括從由ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鋅錫氧化物)、AZO (氧化鋁鋅)、ATO (氧化鋁錫)、GZO (氧化鎵鋅)、SnO> InO、InZnO、ZnO、IrOx> RuO`x> NiO、N1、Cr構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其化合物或合金。歐姆接觸層可以包括厚度為大約IA至1000A的至少一個(gè)層。形成在歐姆接觸層下方的反射層可以包括反射率為大約70%或以上的材料。例如，反射層可以包括從由Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt、Ir構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及具有至少兩個(gè)上述元素的合金。反射層的金屬與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的底面歐姆接觸。這種情況下，能夠省略歐姆接觸層。反射層可以具有大約IA至10000八的厚度。擴(kuò)散阻擋層可以包括從由Au、Cu、Hf、N1、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti 構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及具有至少兩個(gè)上述元素的合金。擴(kuò)散阻擋層防止在兩個(gè)不同層之間的邊界區(qū)域處的層間擴(kuò)散。擴(kuò)散阻擋層可以具有大約IA至10000八的厚度。保護(hù)層可以包括從由Au、Cu、Hf、N1、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti 構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及具有至少兩個(gè)上述元素的合金。保護(hù)層可以具有大約IA至10000A的厚度。從發(fā)光結(jié)構(gòu)120向下行進(jìn)的光從布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120與支撐元件151之間的包括反射金屬的反射電極層131反射，從而能夠提高光提取效率。透明絕緣層可以被進(jìn)一步布置在反射電極層131與發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間。透明絕緣層可以擴(kuò)散從發(fā)光結(jié)構(gòu)120向下行進(jìn)的光，使得光能夠傳遞到反射電極層131。反射電極層131可以包括透明電極層/反射層的疊層結(jié)構(gòu)。透明電極層可以包括從由ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鋅錫氧化物)、AZ0 (氧化鋁鋅)、AT0 (氧化鋁錫)、GZ0 (氧化鎵鋅)、SnO、InO、InZn0、Zn0、IrOx以及RuOx構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。反射層可以形成在透明電極層下方。反射層包括具有第一折射率的第一層和具有第二折射率的第二層。反射層可以包括其中交替疊置有至少兩對(duì)第一層和第二層的疊層結(jié)構(gòu)。第一折射率與第二折射率不同，并且第一層和第二層可以包括折射率處于1.5至2.4范圍中的材料。例如，第一層和第二層可以包括導(dǎo)電材料或絕緣材料。這種結(jié)構(gòu)可以被定義為DBR (分布式布拉格反射)結(jié)構(gòu)。光提取結(jié)構(gòu)(例如，粗糙部或凹凸圖案)能夠形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和反射電極層131的至少一個(gè)的表面上。光提取結(jié)構(gòu)可以改變?nèi)肷涔獾呐R界角以提高光提取效率。第一電極135形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的局部區(qū)域Al下方,第二電極137形成在反射電極層131的預(yù)定區(qū)域下方。第一連接電極141形成在第一電極135下方，第二連接電極143形成在第二電極137下方。第一電極135和第一連接電極141可以被定義為第一電極元件，第二電極137和第二連接電極143可以被定義為第二電極元件。另外，第一連接電極141和第二連接電極143可以被定義為布置在支撐元件151中的通路電極，但實(shí)施例不限于此。第一電極135電性連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的局部區(qū)域Al。第一電極135可以包括電極焊盤，但實(shí)施例不限于此。除局部區(qū)域Al之外，第一電極135和第一連接電極141可以延伸到反射電極層131下方的區(qū)域。第二電極137可以延伸到布置在反射電極層131下方的絕緣層133，并可以連接至至少一個(gè)第二連接電極143。第一電極135和第二電極137可以具有小于第一連接電極141和第二連接電極143的厚度。第一電極135與有源層117的側(cè)面間隔開，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119具有小于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的局部區(qū)域Al的面積。第二電極137可以連接至反射電極層131和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119中的至少一個(gè)。第二電極137可以物理和/或電性連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119。第二電極137包括電極焊盤。一個(gè)或多個(gè)第二電極137和第二連接電極143可以形成在反射電極層131下方，但實(shí)施例不限于此。第一電極135和第二電極137可以包括Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、N1、Mo、W、La、Ta、Ti中的一個(gè)及其合金。第一電極和第二電極135和137可以具有相同的疊層結(jié)構(gòu)或互相不同的疊層結(jié)構(gòu)。第二電極137的疊層結(jié)構(gòu)可以小于第一電極135的疊層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極135可以具有粘合層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/接合層、或粘合層/擴(kuò)散阻擋層/接合層的疊層結(jié)構(gòu)，而第二電極137可以具有粘合層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/接合層、或粘合層/擴(kuò)散阻擋層/接合層的疊層結(jié)構(gòu)。第二電極137的頂面面積等于反射電極層131的底面面積或至少大于第二連接電極143的頂面面積。第一電極135和第二電極137中的至少一個(gè)可以包括具有從電極焊盤分支的臂結(jié)構(gòu)或指狀結(jié)構(gòu)的電流擴(kuò)散圖案。另外，第一電極和第二電極135和137可以包括一個(gè)電極焊盤或多個(gè)電極焊盤，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143可以用作用于供電的引線和散熱路徑。第一連接電極141和第二連接電極143可以具有柱形(column shape)。例如,第一連接電極141和第二連接電極143可以具有球形、圓柱形、多邊形柱形或不規(guī)則形狀。多邊形柱形可以是等角柱形或者也可以不是，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143的頂面和底面可以具有圓形或多邊形，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143的底面面積可以與第一連接電極141和第二連接電極143的頂面面積不同。例如，第一連接電極141和第二連接電極143的底面面積可以大于或小于第一連接電極141和第二連接電極143的頂面面積。第一連接電極141和第二連接電極143中的一個(gè)小于發(fā)光結(jié)構(gòu)120的底面的寬度且大于第一電極135和第二電極137的底面的直徑或?qū)挾取５谝贿B接電極141和第二連接電極143的直徑或?qū)挾忍幱贗 U m至100000 y m范圍中，第一連接電極和第二連接電極141和143的高度處于Iy m至IOOOOOiim范圍中。第一連接電極141的高度Hl可長(zhǎng)于第二連接電極143的高度H2，并且第一連接電極141和第二連接電極143的底面可以 在相同的平面上(即，水平面)對(duì)齊。第一連接電極141和第二連接電極143可以通過(guò)使用一個(gè)金屬或合金被制備為單層。該單層的寬度和高度處于Ium至lOOOOOym范圍中。例如，該單層的厚度大于第二連接電極143的厚度。第一連接電極141和第二連接電極143可以包括從由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金。為了提高針對(duì)第一電極和第二電極135和137的粘合強(qiáng)度，第一連接電極和第二連接電極141和143可以鍍有金屬，所述金屬包括從由In、Sn、N1、Cu構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金。此時(shí)，電鍍厚度可以處于I A至100000A范圍中。鍍層能夠進(jìn)一步形成在第一連接電極141和第二連接電極143的表面上。鍍層可以包括Tin或其合金、Ni或其合金、或Tin-Ag-Cu。此時(shí)，鍍層可以具有大約0.5 y m至IOum的厚度。鍍層能夠提高針對(duì)其它接合層的接合強(qiáng)度。絕緣層133可以形成在反射電極層131下方。具體而言，絕緣層133能夠形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的底面、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和有源層117的側(cè)面以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al的底面上。絕緣層133形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的除了用于反射電極層131、第一電極135以及第二電極137的區(qū)域之外的下部區(qū)域上，以電性保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部。絕緣層133包括通過(guò)使用包括Al、Cr、S1、T1、Zn以及Zr中的至少一個(gè)的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物形成的絕緣材料或絕緣樹脂。例如，絕緣層133可以包括從由Si02、Si3N4^Al2O3以及Ti02構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。絕緣層133可以被制備為單層或復(fù)合層，但實(shí)施例不限于此。為了進(jìn)行倒裝接合，當(dāng)金屬結(jié)構(gòu)形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)下方時(shí)，絕緣層133防止發(fā)光結(jié)構(gòu)120的層間短路。絕緣層133能夠僅形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的表面上，而不形成在反射電極層131的底面上。由于具有絕緣性能的支撐元件151形成在反射電極層131的底面上，因而絕緣層133可以不必延伸到反射電極層131的底面。絕緣層133具有折射率彼此不同的第一層和第二層交替對(duì)齊的DBR結(jié)構(gòu)。具體而言，第一層包括Si02、Si3N4、Al2O3以及Ti02中的一個(gè),第二層包括除第一層的材料外的材料。這種情況下，可以省略反射電極層。絕緣層133可以具有IOOA至10000A范圍中的厚度。如果絕緣層133被制備為復(fù)合層，則每一層可以具有IA至50000八成100八至10000八范圍中的厚度。具有復(fù)合層的絕緣層133的每一層的厚度可以根據(jù)發(fā)射波長(zhǎng)來(lái)改變反射效率。第一連接電極141和第二連接電極143可以包括Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W及其合金。另外，第一連接電極141和第二連接電極143可以具有包括In、Sn、N1、Cu及其合金的鍍層，以提高針對(duì)第一電極135和第二電極137的粘合強(qiáng)度。這種情況下，鍍層具有處3 I \ QOOOOO八范圍中的厚度。第一連接電極和第二連接電極141和143可以用作焊料球或金屬凸塊，但實(shí)施例不限于此。支撐元件151被布置在發(fā)光器件100下方，并用作支撐層以支撐發(fā)光器件100。支撐元件151可以與第一電極135和第二電極137、絕緣層133以及第一連接電極141和第二連接電極143物理接觸。支撐元件151在發(fā)光結(jié)構(gòu)120下方與發(fā)光結(jié)構(gòu)120垂直重疊。另夕卜，支撐元件151可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)120下方不向外突出于發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)面。另外，支撐元件的整個(gè)頂面低于發(fā)光結(jié)構(gòu)120。支撐元件151包括絕緣材料。例如，絕緣材料可以是包括娃或環(huán)氧樹脂的樹脂。另外，絕緣材料可以包括糊料(paste)或絕緣墨。絕緣材料還可以包括從由聚丙烯酸酯樹月旨、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰氨樹脂、聚酰亞胺樹脂、非飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂(PPE)、聚硫化亞苯樹脂(PP0)、聚苯硫醚樹脂、氰酸酯樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰胺大分子聚合物(Polyamido-amine Dendrimers, PAMAM)、聚丙烯亞胺大分子聚合物(PPI )、具有PAMAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)及有機(jī)硅外表面的PAMAM-OS (有機(jī)硅)構(gòu)成的組里選擇的樹脂及其組合。用于支撐元件151的材料可以與用于絕緣層133的材料不同。至少一個(gè)化合物(例如，包括Al、Cr、S1、T1、Zn以及Zr中的至少一個(gè)的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物)能夠被添加到支撐元件151。添加到支撐元件151的化合物可以是熱擴(kuò)散劑(未示出)。熱擴(kuò)散劑是具有預(yù)定尺寸的粉粒、顆粒、填充劑或添加劑。在以下描述中，為了方便說(shuō)明，將描述包括熱擴(kuò)散劑的支撐元件151。熱擴(kuò)散劑可以包括尺寸為IA至100000A的絕緣材料或?qū)щ姴牧稀榱颂岣邿釘U(kuò)散效率，熱擴(kuò)散劑可以具有1000A至50000A的尺寸。熱擴(kuò)散劑的顆粒可以具有球形或不規(guī)則形狀，但實(shí)施例不限于此。熱擴(kuò)散劑可以包括熱傳導(dǎo)系數(shù)高于構(gòu)成支撐元件151的絕緣材料的材料。熱擴(kuò)散劑包括陶瓷材料。陶瓷材料包括LTCC (低溫共燒陶瓷)、HTCC (高溫共燒陶瓷)、氧化鋁、石英、鋯酸鈣、鎂橄欖石、SiC、石墨、熔融石英、莫來(lái)石(mullite)、董青石、氧化鋯、氧化鈹以及氮化鋁中的至少一個(gè)。陶瓷材料可以包括熱傳導(dǎo)系數(shù)高于氮化物或氧化物的金屬氮化物。例如，金屬氮化物可以包括熱傳導(dǎo)系數(shù)等于或高于140W/mK的材料。例如，陶瓷材料包括從由 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、BN、Si3N4、SiC (SiC-BeO)、Be。、CeO 以及 AlN 構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。導(dǎo)熱材料可以包括C類化合物(C-component)(例如,金剛石或CNT)支撐元件151能夠被制備為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。當(dāng)支撐元件151被制備為復(fù)合層結(jié)構(gòu)時(shí)，下部支撐元件形成在上部支撐元件下方。支撐元件151中設(shè)置有陶瓷粉，從而能夠提高支撐元件151的強(qiáng)度和熱傳導(dǎo)系數(shù)。另外，添加到支撐元件151的樹脂材料的熱擴(kuò)散劑的量可以是lwt%至99wt%。為了提高熱擴(kuò)散效率，50wt%至99wt%的熱擴(kuò)散劑能夠被添加到支撐元件151。由于熱擴(kuò)散劑被添加到支撐元件151，因而能夠在支撐元件151的內(nèi)部更加提高熱傳導(dǎo)系數(shù)。另外，支撐元件151具有熱膨脹系數(shù)4-11。上述熱膨脹系數(shù)等于或類似于襯底111 (例如，藍(lán)寶石襯底)的熱膨脹系數(shù)，因而不會(huì)由于形成在襯底上的支撐元件151與發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的熱膨脹系數(shù)的差值而引起晶片扭曲或損壞，從而提高了發(fā)光器件的可靠性。支撐元件151的底面是與襯底111的頂面相對(duì)的表面，并且支撐元件151的底面可以對(duì)應(yīng)于或平行于襯底111的頂面。支撐元件151的底面面積基本等于支撐元件151的頂面面積。另外，支撐元件151的底面面積等于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂面面積。另外，支撐元件151的底面的寬度可以等于襯底111的頂面的寬度以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂面的寬度。這樣，由于在形成支撐元件151之后劃分各個(gè)芯片，因而支撐元件151、襯底111以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的側(cè)面能夠在相同的平面上對(duì)齊。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，支撐元件151的底面面積可以大于或窄于襯底111的頂面SI的面積，但實(shí)施例不限于此。支撐元件151的一個(gè)側(cè)面Sll可以在與襯底111的一個(gè)側(cè)面S2相同的平面上對(duì)齊，并且可以垂直對(duì)齊于支撐元件151的底面S12。參照?qǐng)D3，支撐元件151的側(cè)面Sll中的第一側(cè)面的長(zhǎng)度Dl與襯底111的對(duì)應(yīng)于支撐元件151的第一側(cè)面的第一側(cè)面的長(zhǎng)度基本相同。另外，支撐元件151的側(cè)面Sll中的第二側(cè)面的長(zhǎng)度D2與襯底111的對(duì)應(yīng)于支撐元件151的第二側(cè)面的第二側(cè)面的長(zhǎng)度基本相同。另外，支撐元件151的第一側(cè)面和第二側(cè)面的長(zhǎng)度Dl和D2可以長(zhǎng)于或短于襯底111的第一側(cè)面和第二側(cè)面的長(zhǎng)度，但實(shí)施例不限于此。另外，第一連接電極141和第二連接電極143之間的距離D5是兩個(gè)鄰近的電極焊盤之間的間距，并對(duì)應(yīng)于相對(duì)于發(fā)光器件的一個(gè)側(cè)面的長(zhǎng)度的1/2或更大。支撐元件151的底面是基本上平坦的表面或不規(guī)則的表面，但實(shí)施例不限于此。支撐元件151的第一區(qū)域的厚度Tl至少厚于第二連接電極143的厚度H2?？蛇x地，支撐元件151的第一區(qū)域的厚度Tl可以薄于第二連接電極143的厚度H2。如果絕緣層133的厚度厚于第二連接電極143的厚度，則支撐元件151的厚度可以變薄。另外，支撐元件151的第二區(qū)域的厚度T2可以厚于第一連接電極141的厚度。支撐元件151的厚度Tl可以處于Ium至IOOOOOiim或50 iim至IOOOiim范圍中。支撐元件151的厚度Tl可以厚于襯底111的厚度，但實(shí)施例不限于此。支撐元件151的底面低于第一電極135和第二電極137的底面，并且在相同的平面(即，水平面)上與第一連接電極141和第二連接電極143的底面對(duì)齊。支撐元件151與第一電極135和第二電極137以及第一連接電極141和第二連接電極143的外周表面接觸。這樣，從第一電極135和第二電極137以及第一連接電極141和第二連接電極143感生的熱能夠經(jīng)由支撐元件151擴(kuò)散并消散。能夠通過(guò)包含于支撐元件151中的熱擴(kuò)散劑提高支撐元件151的熱傳導(dǎo)系數(shù)，使得支撐元件151能夠經(jīng)由支撐元件151的整個(gè)表面散熱。這樣，發(fā)光器件100的耐熱可靠性得以提高。另外，支撐元件151的一個(gè)側(cè)面Sll能夠在相同的平面(S卩，垂直面)上與發(fā)光結(jié)構(gòu)120和襯底111的側(cè)面對(duì)齊。另外，支撐元件151的一個(gè)或至少一個(gè)側(cè)面可以突出于發(fā)光結(jié)構(gòu)120以及襯底111的側(cè)面S2，但實(shí)施例不限于此。發(fā)光器件100經(jīng)由倒裝方案安裝，因而大部分光朝向襯底111的頂面SI發(fā)出，一些光通過(guò)襯底111和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)面發(fā)出。這樣，能夠減小由于第一電極135和第二電極137造成的光損失。圖4為示出圖2的第一電極和第二電極的具體結(jié)構(gòu)的視圖。參照?qǐng)D4，第一電極135和第二電極137中的至少一個(gè)包括電極焊盤30A、位于電極焊盤30A下方的第一接合電極30B、以及位于第一接合電極30B下方的第二接合電極30C。第一電極135的電極焊盤30A可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115物理接觸，第二電極137的電極焊盤30A可以與反射電極層131物理接觸。第一接合電極30B在電極焊盤30A與第二接合電極30C之間對(duì)齊以將電極焊盤30A與第二接合電極30C接合，第二接合電極30C在第一接合電極30B與連接電極141和143之間對(duì)齊以將第一接合電極30B與連接電極141和143接合。電極焊盤30A、第一接合電極30B以及第二接合電極30C可以具有相同的寬度，或者電極焊盤30A、第一接合電極30B以及第二接合電極30C中的至少一個(gè)可以具有與其它部件寬度不同的寬度，但實(shí)施例不限于此。電極焊盤30A包括粘合層31、位于粘合層31下方的反射層32、位于反射層32下方的擴(kuò)散阻擋層33、以及位于擴(kuò)散阻擋層33下方的接合層34。粘合層31被接合到反射電極層131或第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的下部，并包括從由Cr、T1、Co、N1、V、Hf構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金。粘合層31具有大約I A至1000 A的厚度。反射層32形成在粘合層31下方，并包括從由Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金。反射層32具有大約IA至I 0000八的厚度。擴(kuò)散阻擋層33形成在反射層32下方，并包括從由N1、Mo、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金。擴(kuò)散阻擋層33具有大約I A至10000八的厚度。接合層34包括從由Al、Au、Cu、Hf、Pd、Ru、Rh、Pt構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金。接合層34具有大約IA至10000A的厚度。電極焊盤30A可以不包括反射層32。第一接合電極30B可以包括至少三個(gè)金屬層。第一接合電極30B包括粘合層35、位于粘合層35下方的支撐層36、以及位于支撐層36下方的保護(hù)層37。粘合層35被接合到電極焊盤30A，并包括從由Cr、T1、Co、Cu、N1、V、Hf構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及包含至少兩個(gè)上述元素的合金。粘合層35具有大約IA至10000八的厚度。支撐層36厚于粘合層35，并包括從由Ag、Al、Au、Co、Cu、Hf、Mo、N1、Ru、Rh、Pt、Pd構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及包含至少兩個(gè)上述元素的合金。支撐層36具有大約IA至500000 A或1000 AMl 0000八的厚度。保護(hù)層37保護(hù)半導(dǎo)體層免受外部沖擊，并包括從由Au、Cu、N1、Hf、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及包含至少兩個(gè)上述元素的合金。保護(hù)層37具有大約I A至50000 A的厚度。另外，第一接合電極30B的粘合層35和支撐層36可以至少重復(fù)疊置一個(gè)周期。第二接合電極30C包括至少三個(gè)金屬層。具體而言，第二接合電極30C包括粘合層38、位于粘合層38下方的擴(kuò)散阻擋層39、以及位于擴(kuò)散阻擋層39下方的接合層40。粘合層38被接合到第一接合電極30B，并包括從由Cr、T1、Co、N1、V、Hf構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及包含至少兩個(gè)上述元素的合金。粘合層38具有大約IA至1000A的厚度。擴(kuò)散阻擋層39防止層間擴(kuò)散，并包括從由N1、Mo、Hf、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及包含至少兩個(gè)上述元素的合金。擴(kuò)散阻擋層39具有大約IA至IOOOOA的厚度。接合層40被接合到連接電極141和143，并包括從由Au、Cu、N1、Hf、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La.Ta.Ti構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)以及包含至少兩個(gè)上述元素的合金。接合層40具有大約I A至10000 A的厚度。第二接合電極30C的粘合層38和擴(kuò)散阻擋層39可以至少重復(fù)疊置一個(gè)周期。在第一電極135和第二電極137中，電極焊盤30A、第一接合電極30B以及第二接合電極30C可以具有相同的疊層結(jié)構(gòu)或者互不相同的疊層結(jié)構(gòu)，但實(shí)施例不限于此。圖5為示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖。在第二實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D5，發(fā)光器件封裝201包括:主體211，具有空腔212 ;第一引線電極215和第二引線電極217，其至少一部分布置在主體211的空腔212中；模塑元件218 ；以及發(fā)光器件 100。空腔212可以具有離主體211的頂面預(yù)定深度的凹陷結(jié)構(gòu)，并且可以具有下部寬度M6較窄且上部寬度較寬的形狀。空腔212的側(cè)壁213A可以相對(duì)于空腔212的底部或發(fā)光器件100的支撐元件151的底面傾斜?？涨?12的側(cè)壁213A相對(duì)于空腔212的底部或發(fā)光器件100的支撐元件151的底面的傾斜角處于5°至90°的范圍中?？涨?12可以被配置成關(guān)于其中心線的線對(duì)稱結(jié)構(gòu)?？涨?12的底部寬度M6可以等于發(fā)光器件100的底部寬度(例如，圖3的寬度D1)，或者可以比發(fā)光器件100的底部寬度大出0.1iim至IOOiim的范圍。另外，空腔212的下部寬度可以等于空腔212的上部寬度，空腔212的側(cè)壁213A可以垂直于空腔212的底部或發(fā)光器件100的支撐元件151的底面。空腔212的側(cè)壁213A可以與發(fā)光器件100的側(cè)面S2間隔IOOiim或更小(例如，處于0.1umM 10011111范圍中)。另外，由于空腔212的底部面積具有與發(fā)光器件100的底部寬度對(duì)應(yīng)的尺寸，因而能夠更加容易地安裝發(fā)光器件100。另外，由于空腔212被布置得離發(fā)光器件100的側(cè)面S2較近，因而光提取效率能夠由于空腔212的傾斜側(cè)壁213A得以提高。另外，由于空腔212的底部面積小，從發(fā)光器件發(fā)出的光可以不行進(jìn)到空腔212的底部，從而能夠減小光損失。圖6為示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖。在第三實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D6，發(fā)光器件封裝202包括:主體211，具有空腔212 ;第一引線電極215和第二引線電極217，其至少一部分布置在主體211的空腔212中；模塑元件218 ；以及發(fā)光器件 100。發(fā)光器件100倒裝接合在布置在空腔212的底部上的第一引線電極和第二引線電極215和217上?？涨?12的側(cè)壁213B包括第一反射部F1、第二反射部F2以及第三反射部F3。第一反射部Fl被布置在空腔212的下部周圍，并當(dāng)與第三反射部F3比較時(shí)，其離發(fā)光器件100更近。第一反射部Fl傾斜或垂直于空腔212的底部或發(fā)光器件100的支撐元件151的底面。第一反射部Fl與發(fā)光器件100的側(cè)面之間的間距M5是100 ii m或更小(例如，處于0.0liim至IOOiim范圍中)。第一反射部Fl的厚度T5可以等于或不等于發(fā)光器件100的支撐元件151的厚度，并且可以薄于第三反射部F3的厚度(例如，垂直厚度)。第一反射部Fl的厚度T5可以處于Iiim至IOOOOOiim范圍中(例如，處于50 iim至IOOOiim范圍中)。第一反射部Fl和第三反射部F3可以非連續(xù)地形成。第一反射部Fl位于與反射電極層131下方的支撐元件151對(duì)應(yīng)的位置處，第三反射部F3位于與發(fā)光結(jié)構(gòu)120和襯底111對(duì)應(yīng)的位置處，以有效反射泄漏到反射電極層131外的光。第二反射部F2被布置在第一反射部Fl與第三反射部F3之間且平行于空腔212的底部或發(fā)光器件100的支撐元件151的底面。第一反射部Fl和第二反射部F2可以形成臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)，且第二反射部F2和第三反射部F3可以形成臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。第一反射部Fl和第三反射部F3是傾斜表面，而第二反射部F2是水平面，或者是傾斜角與第一反射部Fl和第三反射部F3的傾斜角不同的傾斜表面，但實(shí)施例不限于此。第一反射部Fl的第一角度0 I和第三反射部F3的第二角度0 2可以在10°至90°范圍內(nèi)彼此相等或不等。例如，第一反射部Fl的第一角度0 1是60°或更小，以有效反射從發(fā)光器件100的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)面S2發(fā)出的光,但實(shí)施例不限于此。第三反射部F3的第二角度02是45°或以上。第三反射部F3與發(fā)光器件100之間的間距大于第一反射部Fl與發(fā)光器件100之間的間距。即，第三反射部F3以45°或以上的角度傾斜，以均勻分布從發(fā)光器件100發(fā)出的光。圖7為示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖。在第四實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D7，發(fā)光器件封裝203包括:主體221，具有空腔222 ;第一引線電極225和第二引線電極227，其至少一部分布置在主體221的空腔222中；模塑元件228 ;以及發(fā)光器件 100。主體221包括支撐部221B和反射部221A。反射部221A可以由與支撐部221B相同的材料或具有高反射率的樹脂材料形成，但實(shí)施例不限于此。反射部221A可以由具有高透射率和低反射率的硅或環(huán)氧材料形成。第一引線電極225從空腔222的底部向主體的第一側(cè)面23突出，第二引線電極227從位于支撐部221B與反射部221A之間的空腔222的底部向主體221的第二側(cè)面24突出。連接至第一引線電極225的第一端子225A被布置在鄰近第一側(cè)面23的區(qū)域，連接至第二引線電極227的第二端子227A被布置在鄰近主體221下部的第二側(cè)面24的區(qū)域。凹陷226形成在空腔222的底部。凹陷226的深度T3可以比第一引線電極225和第二引線電極227的頂面與空腔222的底部之間的距離更淺。凹陷226的深度T3小于第一引線電極225和第二引線電極227的厚度并被限定在第一引線電極、間隙部224、以及第二引線電極227中，發(fā)光器件100被倒裝接合到布置在凹陷226中的第一引線電極225和第二引線電極227的頂面上。凹陷226的深度T3足夠容納發(fā)光器件100的至少一部分。例如，發(fā)光器件100的支撐元件151的至少一部分可以被插入到具有深度T3的凹陷226中。凹陷226的深度T3處于 IumM 100000 u m 范圍中(例如，50 y m 至 1000 u m)。由于凹陷226形成在空腔222的底部，并且發(fā)光器件100的下部被插入到凹陷226中，因而發(fā)光器件100的反射電極層131可以在相同的水平面上與第一引線電極225和第二引線電極227的頂面基本對(duì)齊。另外，凹陷226的深度T3可以等于或大于支撐元件151的厚度。因此，從發(fā)光器件100發(fā)出的光可以從反射電極層131、第一引線電極225和第二引線電極227以及空腔222的側(cè)壁223反射，從而能夠提高光提取效率。圖8為示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖，圖9為圖8所示的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖。在第五實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第
一實(shí)施例。參照?qǐng)D8和圖9，發(fā)光器件封裝204包括:主體231，具有空腔232 ;第一引線電極235和第二引線電極237，其至少一部分布置在主體231的空腔232中；模塑元件238 ;以及發(fā)光器件100?？涨?32的上部寬度M4可以寬于空腔的下部寬度。具體而言，空腔232從其下部到上部逐漸變寬?？涨?32的側(cè)壁233包括多個(gè)第一傾斜反射部F4和用于連接第一傾斜反射部F4的第二反射部F5。在空腔232中彼此對(duì)應(yīng)的兩個(gè)第一反射部F4之間的間距NI可以沿空腔232的向上方向變寬。第一反射部F4以第三角度0 3相對(duì)于空腔232的底部?jī)A斜。第三角度0 3處于5°至90°范圍中(例如，處于20°至70°范圍中)。第一反射部F4可以以相同的角度或互不相同的角度傾斜。另外，第一反射部F4可以被配置為使第三角度0 3可以沿空腔232的向上方向逐漸增大或減小。第一反射部F4的厚度T4可以薄于支撐元件151的厚度。例如，第一反射部F4的厚度T4處于Iiim至100000 ii m或50 ii m至IOOOiim范圍中。第一反射部F4可以沿著空腔232的外圍表面連續(xù)或非連續(xù)地布置。例如，第一反射部F4可以被布置在空腔232的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面上，而不是被布置在空腔232的其余兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面上。第二反射部F5可以被配置為彼此平行的平坦表面或者傾斜角與第一反射部F4不同的傾斜表面。第一引線電極235的第一端子235A從主體231的第一側(cè)面23向外突出，第二引線電極237的第二端子237A從主體231的第二側(cè)面24向外突出。在主體231的頂面中，第一側(cè)面23和第二側(cè)面24之間的間距可以等于或大于第三側(cè)面25和第四側(cè)面26之間的間距。例如，第一側(cè)面23和第二側(cè)面24之間的間距可以處于Imm至IOOmm范圍中(例如，處于2.5mm至9mm范圍中)。另外，第三側(cè)面25和第四側(cè)面26之間的間距可以處于Imm至IOOmm范圍中(例如，處于2.5mm至9mm范圍中)。在主體231的頂面中，空腔232與第二側(cè)面23之間的間距Wl可以處于0.1mm至50mm范圍中(例如，處于0.35mm至Imm范圍中)。在主體231的頂面中，空腔232與第四側(cè)面26之間的間距可以處于0.1mm至50mm范圍中(例如，處于0.35mm至Imm范圍中)。主體231可以具有處于0.3mm至IOOmm范圍中(例如，處于0.5mm至2mm范圍中)的厚度。第一引線電極235與第二引線電極237之間的間隙部234可以包括與主體231相同的材料或絕緣材料。間隙部234的寬度W3可以窄于鄰近的連接電極141和143之間的間距。間隙部234的寬度W3可以處于0.01mm至IOmm范圍中(例如，處于0.1mm至2mm范圍中)。第一引線電極235和第二引線電極237可以具有處于0.1mm至IOOOmm范圍中(例如，0.1mm至0.5mm)的厚度。圖10為示出圖2所示的發(fā)光器件的第一變型示例的視圖。在下文中，在圖10的以下描述中，與圖2相同的部件將參考圖2。參照?qǐng)D10，發(fā)光器件101包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143以及支撐元件151。第一圖案區(qū)11和第二圖案區(qū)12的至少一個(gè)可以被布置在襯底111上。第一圖案區(qū)11被配置為具有從襯底111的頂面SI突出的多個(gè)突起的第一凹凸結(jié)構(gòu)，第二圖案區(qū)12被配置為在第一凹凸結(jié)構(gòu)中具有多個(gè)凹陷的第二凹凸結(jié)構(gòu)。第二凹凸結(jié)構(gòu)被布置在第一凹凸結(jié)構(gòu)上，并由尺寸小于多個(gè)突起的尺寸的微凹凸配置來(lái)限定。第一圖案區(qū)11的突起可以從襯底111的頂面SI突出，或者可以具有壓印形狀(embossing shape)。根據(jù)另一個(gè)示例,第一圖案區(qū)11可以凹陷或以低于襯底111的頂面的較小深度來(lái)雕刻。第二圖案區(qū)12的凹面可以在第一圖案區(qū)11的表面上被布置成尺寸小于第一圖案區(qū)11的多個(gè)突起的尺寸的凹雕形狀或凹陷形狀。根據(jù)另一個(gè)示例，第二圖案區(qū)12可以具有壓印形狀或凸出形狀，并可以布置有尺寸小于第一圖案區(qū)11的多個(gè)突起的微突起。第一圖案區(qū)11可以以矩陣或晶格的形式對(duì)齊。第一圖案區(qū)11的突起可以具有半球、錐、多邊形錐、柱形(例如，圓柱或多角柱)或截圓錐的側(cè)剖形(side sectional shape)。當(dāng)從上看過(guò)去時(shí)，每一個(gè)突起可以具有圓形、多邊形、或球面與平面的混合形狀。第二圖案區(qū)12的凹面可以具有半球、錐、多邊形錐、柱形(例如，圓柱或多角柱)或截圓錐的側(cè)剖形。當(dāng)從上看過(guò)去時(shí)，第二圖案區(qū)12可以具有圓形、多邊形、或球面與平面的混合形狀。第一圖案區(qū)11的突起可以具有處于0.1iim至IOiim范圍中的寬度BI。例如，寬度BI小于襯底111的厚度。該突起的寬度可以大于該突起的厚度LI或高度，但實(shí)施例不限于此。第二圖案區(qū)12的凹面的深度或?qū)挾忍幱?.1nm至IOOnm范圍中或0.1nm至IOOiim范圍中。第一圖案區(qū)11的突起之間的距離段(period)Ll可以處于0.1iim至IOOiim范圍中，第二圖案區(qū)12的凹面之間的距離段可以處于0.1iim至IOOiim范圍中。第一圖案區(qū)11和第二圖案區(qū)12改變?nèi)肷涔獾呐R界角，以減小光的全反射的比例，從而提高光提取效率。這樣，如果發(fā)光器件被布置在圖1所示的發(fā)光器件封裝的空腔中，則能夠更加提高光提取效率。發(fā)光層可以被布置在襯底111上。發(fā)光層可以與襯底111的第一圖案區(qū)11和第二圖案區(qū)12接觸，或者可以與襯底111的第一圖案區(qū)11和第二圖案區(qū)12分隔開，但實(shí)施例不限于此。圖11為示出圖1所示的發(fā)光器件的第二變型示例的視圖。參照?qǐng)D11，發(fā)光器件102包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143、支撐元件152A和152B以及熒光層161。熒光層161被布置在襯底111的與支撐元件151相對(duì)的表面上，即，布置在出光表面上。熒光層161可以包括熒光膜或涂層，并能夠被制備為單層或復(fù)合層。熒光層161包括包含熒光粉的透明樹脂層。透明樹脂層包括硅或環(huán)氧樹脂，熒光粉包括從由YAG、TAG、硅酸鹽、氮化物以及氮氧基材料構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。熒光粉包括紅色熒光粉、黃色熒光粉以及綠色熒光粉中的至少一個(gè)，并且激發(fā)從有源層117發(fā)出的光的一部分以轉(zhuǎn)換待發(fā)射的光的波長(zhǎng)。熒光層161被布置在襯底111的頂面SI以及襯底111和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的至少一個(gè)側(cè)面S2上。熒光層161具有處于大約Iym至IOOOOOiim或Iiim至IOOOOiim范圍中的厚度。熒光層161的厚度是發(fā)光結(jié)構(gòu)120的橫向長(zhǎng)度(widthwise length)。熒光層161可以包括彼此不同的各種熒光層，其中第一層是紅色熒光層、黃色熒光層以及綠色熒光層中的一個(gè)，以及第二層被布置在第一層上且不同于第一層。兩個(gè)不同的熒光層能夠被分別布置在彼此不重疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域上。包括透明樹脂材料的保護(hù)層能夠被布置在突光層161和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)面上,但實(shí)施例不限于此。透明樹脂層或粘合層可以被進(jìn)一步布置在襯底111與熒光層161之間，但實(shí)施例不限于此。圖案區(qū)可以被布置在襯底111的上部和下部以提高光提取效率。如果圖案區(qū)被布置在襯底的上部，則熒光層161可以被制備為凹凸層，但實(shí)施例不限于此。另外，分隔槽152C被布置在支撐元件152A和152B之間。分隔槽152C將支撐元件152A和152B彼此劃分。第一支撐元件152A被布置在第一連接電極141周圍的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一側(cè)下方。第二支撐元件152B被布置在第二連接電極143周圍的發(fā)光結(jié)構(gòu)的另一側(cè)下方。分隔槽152C將第一支撐兀件152A與第二支撐兀件152B物理且電性分離，并暴露布置在分隔槽152C下方的絕緣層133。第一支撐元件152A和第二支撐元件152B可以包括絕緣材料或?qū)щ姴牧?。絕緣材料包括具有熱擴(kuò)散劑的樹脂材料。導(dǎo)電材料包括碳、SiC或金屬。如果第一支撐元件152A和第二支撐元件152B包括導(dǎo)電材料，則第一連接電極141和第二連接電極143包括與導(dǎo)電材料不同的材料。由于包括導(dǎo)電材料的第一支撐元件152A和第二支撐元件152B通過(guò)分隔槽152C彼此分離，因而能夠防止電性短路。分隔槽152C具有與第一支撐元件152A和第二支撐元件152B之間的距離對(duì)應(yīng)的寬度以及與第二支撐元件152B的厚度對(duì)應(yīng)的深度。分隔槽152C防止第一支撐元件152A和第二支撐元件152B之間的電性干擾。第一支撐元件152A和第二支撐元件152B的底面在相同的平面上與第一連接電極141和第二連接電極143的底面對(duì)齊。即使第一支撐元件152A和第二支撐元件152B包括導(dǎo)電材料，也能夠經(jīng)由第一連接電極141和第二連接電極143安裝第一支撐元件152A和第二支撐元件152B。包括陶瓷材料的絕緣材料能夠被進(jìn)一步布置在第一支撐元件152A與第二支撐元件152B之間。這種情況下，陶瓷材料在相同的水平面上與第一支撐元件152A和第二支撐元件152B的底面對(duì)齊。第一支撐元件152A和第二支撐元件152B可以應(yīng)用于圖2所示的結(jié)構(gòu)或其它實(shí)施例，而不受限制。圖12為示出根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖。在第六實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D12，發(fā)光器件封裝205包括:主體211，具有空腔212 ;第一引線電極215和第二引線電極217，其至少一部分布置在主體211的空腔212中；模塑元件218 ;光學(xué)透鏡129 ;以及發(fā)光器件104。
半導(dǎo)體層(例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層)而不是襯底可以被布置在發(fā)光器件104的最上層。粗糙結(jié)構(gòu)(例如，光提取結(jié)構(gòu))可以被布置在半導(dǎo)體層的頂面上。光學(xué)透鏡219被布置在主體211上。光學(xué)透鏡219可以包括樹脂材料(例如，包括硅或環(huán)氧樹脂的透明樹脂)或玻璃材料。光學(xué)透鏡219在與發(fā)光器件104對(duì)應(yīng)的區(qū)域布置有凹陷219A以提高光的定向角，并且凹陷219A向發(fā)光器件104凹陷。凹陷219A可以是相對(duì)于發(fā)光器件104的光軸傾斜的斜面，或是彎曲表面，并可以包括總反射表面或反射表面。圖13為示出圖12所示的發(fā)光器件封裝中的發(fā)光器件的視圖。參照?qǐng)D13，發(fā)光器件104包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143以及支撐元件151。襯底從發(fā)光器件104去除，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115被布置在出光區(qū)域。圖案區(qū)(例如，光提取結(jié)構(gòu)或凹凸結(jié)構(gòu))可以被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂面S3上。圖案區(qū)可以通過(guò)蝕刻第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的上部而布置形成，但實(shí)施例不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)面S4可以在相同的平面上與支撐元件151的側(cè)面Sll對(duì)齊，或者可以垂直對(duì)齊支撐元件151的底面S12，但實(shí)施例不限于此。另外，熒光材料被添加到布置在發(fā)光器件104上的模塑元件218或熒光層，但實(shí)施例不限于此。圖14為示出圖12所示的發(fā)光器件的第一變型示例的視圖。參照?qǐng)D14，發(fā)光器件104包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143、支撐元件151以及熒光層162。熒光層162可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂面S3和側(cè)面S4的至少一個(gè)上。例如，熒光層162可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂面S3和側(cè)面S4上，但實(shí)施例不限于此。熒光層162包括包含熒光材料的透明樹脂層。透明樹脂層包括硅或環(huán)氧樹脂，熒光材料包括從由YAG、TAG、硅酸鹽、氮化物以及氮氧基材料構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。熒光材料包括紅色熒光材料、黃色熒光材料以及綠色熒光材料中的至少一個(gè)，并激發(fā)從有源層117發(fā)出的光的一部分以轉(zhuǎn)換待發(fā)射的光的波長(zhǎng)。熒光層162具有處于大約I Pm至IOOOOOiim范圍中(例如，Iiim至IOOOOiim)的
厚度。熒光層162的厚度是發(fā)光結(jié)構(gòu)120的橫向長(zhǎng)度。熒光層162可以包括彼此不同的各種熒光層，其中第一層是紅色熒光層、黃色熒光層以及綠色熒光層中的一個(gè)，以及第二層被布置在第一層上且不同于第一層。兩個(gè)不同的熒光層能夠被分別布置在彼此不重疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域上。包括透明樹脂材料的保護(hù)層能夠被布置在突光層162和發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面上,但實(shí)施例不限于此。圖15為示出根據(jù)第七實(shí)施例的具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖。參照?qǐng)D15，發(fā)光器件封裝207包括:主體251，具有空腔252 ;第一引線電極至第三引線電極255、257以及259，其至少一部分被布置在空腔252中；以及至少一個(gè)發(fā)光器件106。主體251以及主體251的空腔可以參考根據(jù)第一實(shí)施例的描述。例如，主體251通過(guò)選擇性地使用高反射性樹脂(例如，PPA)、聚合材料、塑料或樹脂材料(例如，硅或環(huán)氧樹脂)中的一個(gè)注塑而成，并且能夠被制備為具有單層或復(fù)合層的襯底。主體251可以由對(duì)從發(fā)光器件106發(fā)出的光的反射率為90%或更大或透射率為50%或更大的材料布置而成。主體251的空腔252是出光區(qū)域，并且空腔252的頂面是開放的?？涨?52的側(cè)壁253傾斜或垂直于空腔252的底面。空腔252的側(cè)壁253可以離支撐元件151比離發(fā)光器件106的襯底111近。第一引線電極至第三引線電極255、257以及259的至少一部分被布置在空腔252中。間隙部214被布置在第一引線電極至第三引線電極255、257以及259之間。間隙部214可以由與主體251相同的材料或其它絕緣材料布置而成。第一引線電極至第三引線電極255、257以及259可以包括包含T1、Cu、N1、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P以及Al中的至少一個(gè)的金屬材料。另外，第一引線電極至第三引線電極255,257以及259可以被制備為具有單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)的引線框，但實(shí)施例不限于此。第一引線電極至第三引線電極255、257以及259可以具有處于0.8mm至3mm范圍中的厚度，但實(shí)施例不限于此。 布置在空腔252的底部的第一引線電極至第三弓I線電極255、257以及259的底面可以在相同的平面上與主體251的底面對(duì)齊，但實(shí)施例不限于此。第一引線電極至第三引線電極255、257以及259的至少一部分可以包括彎曲結(jié)構(gòu)，但實(shí)施例不限于此。粗糙表面可以被布置在第一引線電極至第三引線電極255、257以及259的至少一個(gè)表面上，以增大主體251與間隙部254之間的接觸面積。這樣，能夠提供具有優(yōu)良耐濕性的發(fā)光器件封裝。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，凹部被布置在空腔252的底部，并且第一引線電極至第三引線電極255、257以及259被布置在凹部中。發(fā)光器件106的下部電極可以在凹部中彼此電性連接。凹部的深度可以低于發(fā)光器件106的支撐元件151的底面與有源層之間的距離且高于支撐元件151的頂面與有源層之間的距離。第一引線電極255和第三引線電極259在主體251的內(nèi)部或外部彼此連接。發(fā)光器件106經(jīng)由倒裝方案接合到第一引線電極至第三引線電極255、257以及259上。具體而言,發(fā)光器件106的第一連接電極141被接合到第一引線電極255上,發(fā)光器件106的第二連接電極143被接合到第二引線電極257上，以及發(fā)光器件106的第三連接電極145被接合到第三引線電極259上。第一連接電極至第三連接電極141至145的每一個(gè)經(jīng)由直接接合(共熔接合)或經(jīng)由接合元件(例如焊料)被接合到第一引線電極至第三引線電極255至259的每一個(gè)。發(fā)光器件106的第一連接電極141可以接合到第三弓I線電極259上，發(fā)光器件106的第三連接電極145可以接合到第一引線電極255上。即，由于第一連接電極141和第三連接電極145連接至發(fā)光器件106中相同的半導(dǎo)體層，即使當(dāng)其連接至第一引線電極255和第三引線電極259時(shí)，互換第一連接電極141和第三連接電極145的位置也不會(huì)改變電極性，從而能夠正常運(yùn)行發(fā)光器件106。具有第二極性的用于供電的第二連接電極143被布置在中心區(qū)域，具有第一極性的用于供電的第一連接電極141和第三連接電極145被布置在發(fā)光器件106下部的第二連接電極143的兩側(cè)，從而能夠解決第一極性和第二極性的位置混淆，并能夠防止安裝故障。即，由于裸眼不能夠識(shí)別連接電極141、143以及145的極性，因而具有一個(gè)極性的連接電極被放置在中心區(qū)域，以防止由于發(fā)光器件的安裝故障造成產(chǎn)品產(chǎn)量降低。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145可以以相同的間距與第一引線電極至第三引線電極255、257以及259間隔開。另外，發(fā)光器件106的支撐元件151的底面可以以相同的間距與第一引線電極至第三引線電極255、257以及259間隔開。因而，第一連接電極至第三連接電極141、143和145以及支撐元件151的底面可以以相同的間距與第一引線電極至第三引線電極255、257以及259的頂面間隔開。發(fā)光器件106的支撐元件151通過(guò)粘合元件被接合到第一引線電極至第三引線電極255、257以及259的頂面，從而經(jīng)由第一引線電極至第三引線電極255、257以及259實(shí)現(xiàn)熱傳導(dǎo)。粘合元件可以包括導(dǎo)熱材料(例如，焊料)。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145至少之一的數(shù)量多個(gè)，以增大針對(duì)第一引線電極至第三引線電極255、257以及259的電接合面積，并提高導(dǎo)熱效率。模塑元件258被布置在空腔252中。模塑元件258包括透明樹脂材料(例如，硅或環(huán)氧樹脂)。模塑元件258可以包括熒光粉。模塑元件258可以包括至少一個(gè)透明樹脂層，并且熒光粉能夠與發(fā)光器件106的頂面接觸，或者能夠與發(fā)光器件106的頂面間隔開?？梢允÷阅Ｋ茉?58。一個(gè)或多個(gè)發(fā)光器件能夠被安裝在發(fā)光器件封裝207中，但實(shí)施例不限于此。如果具有熒光層的發(fā)光器件被安裝在發(fā)光器件封裝207中，則模塑元件258可以不添加熒光材料。另外，模塑元件258能夠添加彼此不同的各種熒光材料或發(fā)出相似顏色的熒光材料。圖16為圖15所示的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖，圖17至圖19為示出圖16所示的發(fā)光器件的第一連接電極至第三連接電極的示例的視圖。在發(fā)光器件的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D16至圖19， 發(fā)光器件106包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極至第三電極135、137以及139、第一連接電極至第三連接電極141、143以及145以及支撐元件151。襯底111可以包括透明襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。例如，襯底111可以包括從由Al203、GaN、SiC、Zn0、S1、GaP、InP、Ga2O3 以及 GaAs 構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。第一半導(dǎo)體層113可以被布置在襯底111下方。第一半導(dǎo)體層113可以是緩沖層和/或非摻雜半導(dǎo)體層?？梢允÷缘谝话雽?dǎo)體層，或者可以布置緩沖層和非摻雜半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)，但實(shí)施例不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以布置在第一半導(dǎo)體層113或襯底111下方。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括II1-V族化合物半導(dǎo)體。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括組分分子式為InxAlyGamN (0彡x彡1，
1,0^ x+y ^ I)的半導(dǎo)體，并且能夠發(fā)出具有處于紫外線頻帶至可見光頻帶波長(zhǎng)范圍中的預(yù)定峰值波長(zhǎng)的光。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、以及位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119之間的有源層117。反射電極層131被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119與支撐元件151之間。反射電極層131包括歐姆接觸層、反射層、擴(kuò)散阻擋層以及保護(hù)層中的至少一個(gè)。光提取結(jié)構(gòu)(例如，粗糙部)能夠被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和反射電極層
131的至少一個(gè)的表面上。光提取結(jié)構(gòu)可以改變?nèi)肷鋵拥呐R界角以提高光提取效率。至少一個(gè)第一電極135和至少一個(gè)第一連接電極141被布置在支撐元件151的第一區(qū)域Al中，至少一個(gè)第一電極135和至少一個(gè)第一連接電極141離支撐元件151的側(cè)面Sll比離支撐元件151的中心區(qū)域近。至少一個(gè)第一連接電極141連接至至少一個(gè)第一電極135,至少一個(gè)第一電極135被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下方并電性連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115。至少一個(gè)第三電極139和至少一個(gè)第三連接電極145被布置在支撐兀件151的第二區(qū)域A2中，而至少一個(gè)第三電極139和至少一個(gè)第三連接電極145離支撐元件151的側(cè)面Sll比離支撐元件151的中心區(qū)域近。至少一個(gè)第三連接電極145連接至至少一個(gè)第三電極139,至少一個(gè)第三電極139被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下方并電性連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115。至少一個(gè)第一電極135和至少一個(gè)第三電極139能夠與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的互不相同的區(qū)域接觸，但實(shí)施例不限于此。在發(fā)光結(jié)構(gòu)120中，第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2可以是基于有源層117的面積的50%或更小面積。如果第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2的尺寸超過(guò)上述范圍，則可以減小發(fā)光面積，使得可以減小整體亮度。第一連接電極141和第三連接電極145可以關(guān)于支撐元件151的中心彼此相對(duì)。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的厚度可以比第一電極至第三電極135、137以及139的厚度更厚。至少一個(gè)第二電極137和至少一個(gè)第二連接電極143被布置在支撐元件151的中心區(qū)域。至少一個(gè)第二電極137被布置在第一電極135與第三電極139之間，至少一個(gè)第二連接電極143被布置在第一連接電極141與第三連接電極145之間。第一電極135和第三電極139與第二電極137電性絕緣。即，雖然圖中電極135至139或141至145在支撐元件151中順序?qū)R(aligned in series),然而電極135至139或141至145也可以不順序?qū)R。例如，至少一個(gè)第二電極137或第二連接電極143可以從其它電極或中心線偏離，但實(shí)施例不限于此。至少一個(gè)第二連接電極143被布置在至少一個(gè)第二電極137下方，并電性連接至至少一個(gè)第二電極137。第二電極137被布置在反射電極層131下方，并電性連接至反射電極層131。第一電極135和第三電極139與有源層117以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的側(cè)面間隔開，并且其尺寸可以小于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的暴露底面。第二電極137可以穿過(guò)反射電極層131與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119物理和/或電性接觸。第一電極至第三電極135至139可以包括電極焊盤，但實(shí)施例不限于此。已參考圖4描述了第一電極至第三電極135至139的結(jié)構(gòu)。第一電極至第三電極135至139可以具有相同的疊層結(jié)構(gòu)或互不相同的疊層結(jié)構(gòu)。第二電極137的疊層結(jié)構(gòu)可以小于第一電極135和第三電極139的疊層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極135和第三電極139可以具有粘合層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/接合層、或粘合層/擴(kuò)散阻擋層/接合層的疊層結(jié)構(gòu)，第二電極137可以具有粘合層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/接合層、或粘合層/擴(kuò)散阻擋層/接合層的疊層結(jié)構(gòu)。第二電極137的頂面面積等于反射電極層131的底面面積或至少大于第二連接電極143的頂面面積。第一電極至第三電極135至139中的至少一個(gè)可以包括具有從電極焊盤分支的臂結(jié)構(gòu)或指狀結(jié)構(gòu)的電流擴(kuò)散圖案。另外，第一電極至第三電極135至139可以包括一個(gè)電極焊盤或多個(gè)電極焊盤，但實(shí)施例不限于此。
絕緣層133可以被布置在反射電極層131與支撐元件151之間以及發(fā)光結(jié)構(gòu)120與支撐元件151之間。具體而言，絕緣層133能夠被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的底面、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和有源層117的側(cè)面、以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的底面上。絕緣層133布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的除了用于反射電極層131、第一電極135以及第一電極至第三電極135至139的區(qū)域之外的下部區(qū)域，以電性保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部。絕緣層133可以暴露于發(fā)光器件106的側(cè)面，但實(shí)施例不限于此。絕緣層133可以包括部分開放區(qū)域，而支撐元件151可以布置得穿過(guò)該部分開放區(qū)域。支撐元件151能夠經(jīng)由絕緣層133的開放區(qū)域與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的底面接觸,或者能夠與反射電極層131接觸。這樣,能夠提高支撐元件151與絕緣層133之間的率禹合力。絕緣層133可以由與支撐元件151的材料不同的材料布置而成，或者可以省略絕緣層 133。支撐元件151用作支撐發(fā)光器件的支撐層。支撐元件151包括絕緣材料(例如，包括硅或環(huán)氧樹脂的樹脂層)。熱擴(kuò)散劑可以被添加到支撐元件151。熱擴(kuò)散劑可以包括包含Al,Cr,Si,Ti,Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一個(gè)。熱擴(kuò)散劑可以被定義為具有預(yù)定尺寸的粉粒、顆粒、填充劑或添加劑。在以下描述中，為了方便說(shuō)明，將描述包括熱擴(kuò)散劑的支撐元件151。熱擴(kuò)散劑可以包括具有I y m至100000 y m尺寸的絕緣材料或?qū)щ姴牧?。為了提高熱擴(kuò)散效率，熱擴(kuò)散劑可以具有IOOOiim至50000 iim的尺寸。熱擴(kuò)散劑包括陶瓷材料。支撐元件151可以由透明材料或不透明材料布置而成，并被制備為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，但實(shí)施例不限于此。支撐元件151可以參考第一實(shí)施例。另外，添加到支撐元件151的熱擴(kuò)散劑的量可以是lwt%至99wt%。為了提高熱擴(kuò)散效率，50wt%至99wt%的熱擴(kuò)散劑能夠被添加到支撐元件151。由于熱擴(kuò)散劑被添加到支撐元件151，因而能夠在支撐元件151的內(nèi)部更加提高熱傳導(dǎo)系數(shù)。另外，支撐元件151具有熱膨脹系數(shù)4-11。上述熱膨脹系數(shù)等于或類似于襯底111 (例如，藍(lán)寶石襯底)的熱膨脹系數(shù)，因而不會(huì)由于布置在襯底上的支撐元件151與發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的熱膨脹系數(shù)的差值引起晶片的扭曲或損壞，從而提高發(fā)光器件的可靠性。支撐元件151的底面面積基本等于支撐元件151的頂面面積。另外，支撐元件151的底面面積等于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂面面積。進(jìn)而，支撐元件151的底面的寬度可以等于襯底111的頂面的寬度以及半導(dǎo)體層115的頂面的寬度。這樣，由于在布置支撐元件151之后劃分各個(gè)芯片，因而支撐元件151、襯底111以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的側(cè)面能夠在相同的平面上對(duì)齊。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145被布置在支撐元件151中并暴露于支撐元件151的下部，以用作用于供電的引線和散熱路徑。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145可以具有柱形。例如，第一連接電極至第三連接電極141、143以及1145可以具有球形、圓柱形、多邊形圓柱形或不規(guī)則形狀。多邊形柱形可以是等角柱形或者也可以不是，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的頂面和底面可以具有圓形或多邊形，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的底面面積可以與第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的頂面面積不同。例如，第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的底面面積可以大于或小于第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的頂面面積。
第一連接電極至第三連接電極141、143以及145中的至少一個(gè)小于發(fā)光結(jié)構(gòu)120的底面的寬度，且大于第一電極至第三電極135、137以及139的底面的直徑或?qū)挾?。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的直徑或?qū)挾忍幱贗ym至100000 V- m范圍中，第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的高度處于I U m至IOOOOOiim范圍中。第一連接電極141和第三連接電極145的高度Hl長(zhǎng)于第二連接電極143的高度H2，并且第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的底面可以在相同的平面上(即，水平面)對(duì)齊。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的底面可以在相同的水平面上與支撐元件151平坦的底面S6對(duì)齊，并且第一連接電極至第三連接電極141U43以及145的底面的至少一部分可以在不同的平面上對(duì)齊。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的厚度方向與發(fā)光結(jié)構(gòu)120的厚度方向相同。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145可以通過(guò)使用一種金屬或合金被制備為單層。該單層的寬度和高度處于Ium至IOOOOOiim范圍中。例如，該單層的厚度大于第二連接電極143的厚度。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145可以包括從由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金。為了提高相對(duì)于第一電極至第三電極135、137以及139的粘合強(qiáng)度，第一連接電極至第三連接電極141、143以及145可以布置有包括從由In、Sn、N1、Cu構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金的金屬接合層。此時(shí)，該接合層具有處于I Pm至IOOOOOiim范圍中的厚度。鍍層能夠被進(jìn)一步布置在第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的表面上。鍍層可以包括Tin或其合金、Ni或其合金、或Tin-Ag-Cu。此時(shí)，鍍層可以具有大約0.5 ii m至10 ii m的厚度。鍍層能夠提高針對(duì)其它接合層的接合強(qiáng)度。發(fā)光器件106經(jīng)由倒裝方案安裝，因而大部分光朝向襯底111的頂面SI發(fā)出，一些光經(jīng)由襯底111和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)面發(fā)出。這樣，能夠減小由于第一電極至第三電極135至139造成的光損失。因此，能夠提高發(fā)光器件106的光提取效率和散熱效率。參照?qǐng)D16、圖17以及圖18，第一連接電極至第三連接電極141、143以及145能夠在支撐元件151中順序?qū)R(例如，能夠沿X軸方向順序?qū)R)。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的底面暴露于支撐元件151的底面S12，同時(shí)與支撐元件151的側(cè)面Sll間隔開。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的中心可以沿筆直方向或?qū)蔷€方向在相同的線上彼此對(duì)齊。第一連接電極141和第三連接電極145連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115，使得第一連接電極141和第三連接電極145彼此電性連接。另外，電流可以擴(kuò)散到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的互不相同的區(qū)域。具有第二極性的用于供電的第二連接電極143被布置在中心區(qū)域，具有第一極性的用于供電的第一連接電極141和第三連接電極145被布置在發(fā)光器件106下部的第二連接電極143的兩側(cè)，從而能夠解決第一極性和第二極性的位置混淆，并能夠防止安裝故障。即，由于裸眼不能夠識(shí)別連接電極141、143以及145的極性，因而具有一個(gè)極性的連接電極被放置在中心區(qū)域，以防止由于發(fā)光器件的安裝故障造成產(chǎn)品產(chǎn)量降低。支撐元件151的側(cè)面Sll中的第一側(cè)面的長(zhǎng)度Dll與襯底111的第一側(cè)面的長(zhǎng)度基本相同，支撐元件151的第二側(cè)面的長(zhǎng)度D12與襯底111的第二側(cè)面的長(zhǎng)度基本相同。另夕卜，第一連接電極141和第三連接電極145之間的距離D15是兩個(gè)鄰近的電極焊盤之間的間距，并與相對(duì)于發(fā)光器件的一個(gè)側(cè)面的長(zhǎng)度的1/2或更大對(duì)應(yīng)。另外，支撐元件151的側(cè)面Sll可以在相同的平面(即，垂直面)上與發(fā)光結(jié)構(gòu)120和襯底111的側(cè)面對(duì)齊。第一連接電極141與第二連接電極143之間的間距D16可以窄于第一連接電極141和第三連接電極145之間的間距D5。由于第一連接電極141與第三連接電極145彼此間隔了間距D15，電流能夠擴(kuò)散到發(fā)光器件的整個(gè)區(qū)域。支撐元件151的底面基本上是平的或不規(guī)則的，但實(shí)施例不限于此。支撐元件151與第一電極至第三電極135至139以及第一連接電極至第三連接電極141至145的外圍部分接觸。這樣，從第一電極至第三電極135至139以及第一連接電極至第三連接電極141至145傳遞的熱量能夠通過(guò)支撐元件151擴(kuò)散并消散。由于熱擴(kuò)散劑設(shè)置在支撐元件151中，因而能夠提高熱傳導(dǎo)系數(shù)，并且能夠通過(guò)支撐元件151的整個(gè)表面散熱。因此，發(fā)光器件106的耐熱可靠性得以提高。參照?qǐng)D18，發(fā)光器件包括用于將第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2彼此連接的第三區(qū)域All。第三區(qū)域All被蝕刻為使得第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115部分暴露，并且用于將第一電極135和第三電極139彼此連接的連接圖案可以被布置在第三區(qū)域All中。這樣，第一電極135和第三電極139能夠共同連接至第一連接電極141和第三連接電極145以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115。參照?qǐng)D19，在支撐元件151中，第一連接電極至第三連接電極141、143以及145暴露于支撐元件151的底面S12并在支撐元件151中沿至少兩排對(duì)齊(例如，以至少兩排沿X軸方向?qū)R)。圖20為示出圖16的具有發(fā)光器件的發(fā)光模塊的側(cè)剖視圖。參照?qǐng)D20，模塊襯底170包括第一焊盤至第三焊盤173、174以及175，其中發(fā)光器件106的第一連接電極141設(shè)置在第一焊盤173上方，發(fā)光器件106的第二連接電極143設(shè)置在第二焊盤174上方，以及發(fā)光器件106的第三連接電極145設(shè)置在第三焊盤175上方。第一焊盤至第三焊盤173、174以及175通過(guò)接合材料177 (即，通過(guò)接合元件)接合至第一連接電極至第三連接電極141、143以及145。即使當(dāng)其連接至第一焊盤和第三焊盤173和175時(shí)，互換第一連接電極141和第三連接電極145的位置也不會(huì)改變電極性。例如，第三連接電極145可以連接到第一焊盤174上，第一連接電極141可以連接到第三焊盤175上，即使在上述電路配置中，發(fā)光器件106也能夠正常運(yùn)行。具有第二極性的用于供電的第二連接電極143被布置在中心區(qū)域，具有第一極性的用于供電的第一連接電極141和第三連接電極145被布置在發(fā)光器件106下部的第二連接電極143的兩側(cè)，從而能夠解決第一極性和第二極性的位置混淆，并能夠防止安裝故障。即，當(dāng)裸眼通過(guò)支撐元件151不能夠識(shí)別連接電極141、143以及145的極性時(shí)，具有一個(gè)極性的連接電極被放置在中心區(qū)域，以防止由于發(fā)光器件的安裝故障造成產(chǎn)品產(chǎn)量降低。發(fā)光器件106通過(guò)從第一連接電極至第三連接電極141、143以及145供應(yīng)的電力運(yùn)行，并且從第一連接電極至第三連接電極141、143以及145傳遞的熱量通過(guò)支撐元件151的整個(gè)表面消散到外部。支撐元件151的底面與模塊襯底170的頂面間隔開與接合材料174的厚度對(duì)應(yīng)的距離。
發(fā)光器件106的第一連接電極至第三連接電極141、143和145以及支撐元件151的底面可以以相同的間距與模塊襯底170的頂面間隔開。雖然在模塊襯底170上僅布置了一個(gè)發(fā)光器件106,然而在模塊襯底170上也可排列多個(gè)發(fā)光器件，但實(shí)施例不限于此。圖21為示出根據(jù)第八實(shí)施例的具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的平面圖，圖22為圖21所示的發(fā)光器件封裝的側(cè)剖視圖，以及圖23為圖21所示的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。在第八實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D21和圖22，發(fā)光器件封裝206包括:主體251，具有空腔252 ;第一引線電極至第三引線電極255、257以及259，其至少一部分被布置在空腔252中；模塑元件258 ;以及發(fā)光器件107。第一引線電極255被布置在鄰近主體252的第一側(cè)面23的區(qū)域，第三引線電極259被布置在鄰近主體251的第二側(cè)面24的區(qū)域，以及第二引線電極257被布置在空腔252的底部的第一引線電極255與第三引線電極259之間。間隙部254被分別布置在第一引線電極255與第二引線電極257之間以及第二引線電極257與第三引線電極259之間。第一引線電極255可以被布置在主體251的第一側(cè)面23下方,并且第一引線電極255的部分255A可以從主體251突出。第二引線電極257可以被布置在主體251的第三側(cè)面25和第四側(cè)面26的至少一個(gè)下方，并且第二引線電極257的一部分可以從主體251突出。第三引線電極259可以被布置在主體251的第二側(cè)面24下方，并且第三弓I線電極259的部分259A可以從第二側(cè)面24突出。在發(fā)光器件107中，第一連接電極141和第三連接電極145被布置在第一引線電極255和第三弓I線電極259上，并電性連接至第一引線電極255和第三弓I線電極259。發(fā)光器件107的第二引線電極257被布置在第二連接電極143上，并電性連接至第二連接電極143。圖7所示的凹部可以被布置在空腔252的底部。第一引線電極至第三引線電極255、257以及259被布置在該凹部中，發(fā)光器件107的下部電性連接至該凹部中的第一引線電極至第三引線電極255、257以及259。該凹部的具體結(jié)構(gòu)可以參考圖7?？涨?52的上部寬度可以寬于空腔252的下部寬度。具體而言，空腔252可以從其下部到上部逐漸變寬?？涨?52的側(cè)壁253A包括多個(gè)第一傾斜反射部Fl以及用于連接第一傾斜反射部Fl的第二反射部F2。第一反射部Fl的厚度T4薄于支撐元件151的厚度，并可以處于I Pm至100000 ii m或50 ii m至IOOOiim范圍中。第一反射部Fl可以沿著空腔252的外圍表面連續(xù)或非連續(xù)地布置。例如，第一反射部Fl可以被布置在空腔252的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面上，而不被布置在空腔252的其余兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面上。第二反射部F2可以被配置為彼此平行的平坦表面或者傾斜角與第一反射部Fl不同的傾斜表面。圖23為圖21所示的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。參照?qǐng)D23，發(fā)光器件107包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143以及支撐元件151。
第一連接電極141和第三連接電極和145電性連接至布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上的第一電極135和第三電極139，第二連接電極143穿過(guò)第二電極137連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119。第一連接電極141和第三連接電極145與第二連接電極143間隔開，并關(guān)于第二連接電極143彼此相對(duì)或?qū)ΨQ。第一連接電極141與第三連接電極145之間的間距可以寬于第一連接電極141與第二連接電極143之間的間距，但實(shí)施例不限于此。根據(jù)實(shí)施例，對(duì)布置有第三連接電極145的區(qū)域A2進(jìn)行蝕刻處理。然而，也可以在將第一電極135和第三電極139彼此連接之后，來(lái)形成第三連接電極145。第一圖案區(qū)11和第二圖案區(qū)12中的至少一個(gè)可以被布置在襯底111上。第一圖案區(qū)11被配置為具有從襯底111的頂面SI突出的多個(gè)突起的第一凹凸結(jié)構(gòu)，第二圖案區(qū)12被配置為在第一凹凸結(jié)構(gòu)中具有多個(gè)凹陷的第二凹凸結(jié)構(gòu)。第二凹凸結(jié)構(gòu)被布置在第一凹凸結(jié)構(gòu)上并由尺寸小于多個(gè)突起的尺寸的微凹凸配置來(lái)限定。第一圖案區(qū)11的突起可以從襯底111的頂面SI突出，或者可以具有壓印形狀。根據(jù)另一個(gè)示例，第一圖案區(qū)11可以凹陷或以低于襯底111的頂面的較小深度來(lái)雕刻。第二圖案區(qū)12的凹面可以在第一圖案區(qū)11的表面上被布置成尺寸小于第一圖案區(qū)11的多個(gè)突起的尺寸的凹雕形狀或凹陷形狀。根據(jù)另一個(gè)示例，第二圖案區(qū)12可以具有壓印形狀或凸起形狀，并可以布置有尺寸小于第一圖案區(qū)11的多個(gè)突起的微突起。第一圖案區(qū)11可以以矩陣或晶格的形式對(duì)齊。第一圖案區(qū)11的突起可以具有半球、錐、多邊形錐、柱形(例如，圓柱或多邊柱)或截圓錐的側(cè)剖形。當(dāng)從上看過(guò)去時(shí)，每一個(gè)突起可以具有圓形、多邊形、或球面與平面的混合形狀。第二圖案區(qū)12的凹面可以具有半球、錐、多邊形錐、柱形(例如，圓柱或多邊柱)或截圓錐的側(cè)剖形。當(dāng)從上看過(guò)去時(shí)，第二圖案區(qū)12可以具有圓形、多邊形、或球面與平面的混合形狀。第一圖案區(qū)11和第二圖案區(qū)12改變?nèi)肷涔獾呐R界角，以減小光的全反射的比例，從而提高光提取效率。這樣，如果發(fā)光器件被布置在圖1所示的發(fā)光器件封裝的空腔中，則能夠更加提高光提取效率。熒光層可以被布置在襯底111上。熒光層可以與襯底111的第一圖案區(qū)11和第二圖案區(qū)12接觸，或者可以與襯底111的第一圖案區(qū)11和第二圖案區(qū)12分隔開，但實(shí)施例不限于此。圖24至圖29為示出圖16所示的發(fā)光器件的制造過(guò)程的視圖。雖然基于各個(gè)器件進(jìn)行以下描述以幫助說(shuō)明，對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行晶片級(jí)制造，并且通過(guò)后文描述的過(guò)程來(lái)制造各個(gè)器件。然而，各個(gè)器件的制造不限于后文描述的過(guò)程，而是可以增加或減少處理步驟以制造各個(gè)器件。參照?qǐng)D24，襯底111被裝載到生長(zhǎng)設(shè)備中，并且包括II族元素至VI族元素的化合物半導(dǎo)體以層或圖案的形式被布置在襯底111上。襯底111用作生長(zhǎng)襯底。襯底111可以包括透明襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。例如，襯底111可以包括從由Al203、GaN、SiC、Zn0、S1、GaP、InP、Ga2O3以及GaAs構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。襯底111可以在其頂面上布置有光提取結(jié)構(gòu)(例如，凹凸圖案)。該凹凸圖案改變光的臨界角，從而提高光提取效率。
生長(zhǎng)設(shè)備包括電子束蒸鍍機(jī)、PVD (物理氣相沉積)設(shè)備、CVD (化學(xué)氣相沉積)設(shè)備、PLD (等離子體激光沉積)設(shè)備、雙式熱蒸鍍機(jī)、濺鍍?cè)O(shè)備或MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備，但實(shí)施例不限于此。第一半導(dǎo)體層113被布置在襯底111上。第一半導(dǎo)體層113能夠通過(guò)使用包括II1-V族元素的化合物半導(dǎo)體布置而成。第一半導(dǎo)體層113可以用作緩沖層以減少相對(duì)于襯底的晶格失配。第一半導(dǎo)體層113可以是包括GaN基半導(dǎo)體(其并非是有意摻雜的)的非摻雜半導(dǎo)體層。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以被布置在第一半導(dǎo)體層113上。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括依次布置的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119。這樣,發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以具有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)的一個(gè)。參照?qǐng)D25，對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2進(jìn)行蝕刻處理。發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2可以暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的暴露部分可以低于有源層117的頂面。在蝕刻處理中，在使用掩模圖案將發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂面掩蔽(masking)之后,干蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第一區(qū)域Al。通過(guò)使用ICP (感應(yīng)耦合等離子體)設(shè)備、RIE (反應(yīng)離子蝕刻)設(shè)備、CCP (電容耦合等離子體)設(shè)備以及ECR (電子回旋共振)設(shè)備的至少一個(gè)，能夠進(jìn)行該干蝕刻。可以通過(guò)濕蝕刻處理而進(jìn)行該蝕刻處理，但實(shí)施例不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2是預(yù)定蝕刻區(qū)域，并且可以布置一個(gè)或多個(gè)區(qū)域Al和A2。參照?qǐng)D26，反射電極層131被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120上。反射電極層131的面積小于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的頂面面積，以防止制造反射電極層131時(shí)的短路。在使用掩模將與上邊緣間隔預(yù)定距離的區(qū)域以及發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第一區(qū)域Al掩蔽之后，通過(guò)使用濺鍍?cè)O(shè)備和/或沉積設(shè)備沉積反射層131。反射電極層131可以包括反射率為至少70%或90%的材料。反射電極層131可以包括歐姆接觸層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、歐姆接觸層/反射層/保護(hù)層、或反射層的結(jié)構(gòu)。每一層的材料和厚度可以參考第一實(shí)施例的描述。可以互換圖25和圖26所示的處理，但實(shí)施例不限于此。參照?qǐng)D27,第一電極135和第三電極139被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上,第二電極137被布置在反射電極層131上。在使用掩模將除了電極區(qū)域之外的區(qū)域掩蔽之后，能夠通過(guò)使用濺鍍?cè)O(shè)備和/或沉積設(shè)備來(lái)布置第一電極至第三電極135、137以及139，但實(shí)施例不限于此。第一電極至第三電極135、137以及139可以包括從由Cr、T1、Co、N1、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、N1、Mo、W、La、Ta、Ti構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其合金。第一電極至第三電極135、137以及139可以被制備為復(fù)合層。例如，第一電極至第三電極135、137以及139可以包括通過(guò)使用上述元素布置的粘合層、反射層、擴(kuò)散阻擋層以及接合層的至少兩個(gè)。第一電極至第三電極135、137以及139經(jīng)由相同的制造過(guò)程能夠被布置得具有相同的疊層結(jié)構(gòu)，但實(shí)施例不限于此。第二電極137可以與反射電極層131和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119物理接觸。絕緣層133經(jīng)由濺射或沉積處理被布置在反射電極層131上。絕緣層133被布置在反射電極層131的除了用于第一電極至第三電極135、137以及139的區(qū)域之外的整個(gè)面積上方，從而覆蓋反射電極層131和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的暴露部分的頂面。絕緣層133包括通過(guò)使用包括Al、Cr、S1、T1、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物布置的絕緣材料或絕緣樹脂。例如，絕緣層133可以包括從由Si02、Si3N4、Al203以及Ti02構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。絕緣層133可以被制備為單層或復(fù)合層，但實(shí)施例不限于此。圖27所示的用于形成電極135、137以及139的處理可以與圖26所示的用于形成絕緣層133的處理互換。參照?qǐng)D28，第一連接電極141被接合到第一電極135上，第二連接電極143被接合到第二電極137上，以及第三連接電極145被接合到第三電極139上。第一連接電極141和第三連接電極145包括導(dǎo)電焊盤(例如，焊料球和/或金屬凸塊)，并被分別接合到第一電極135和第三電極139上。第一連接電極141和第三連接電極145能夠垂直對(duì)齊于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂面。第二連接電極143包括導(dǎo)電焊盤(例如，焊料球和/或金屬凸塊)，并被接合到第二電極137上。第二連接電極143能夠垂直對(duì)齊于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的頂面。參照?qǐng)D29,支撐元件151經(jīng)由刮板方案(squeegee scheme)、點(diǎn)膠方案(dispensing scheme)或模塑方案以預(yù)定厚度布置在絕緣層133上。通過(guò)將熱擴(kuò)散劑添加到樹脂(例如，硅或環(huán)氧樹脂)，支撐元件151被制備為絕緣支撐層。熱擴(kuò)散劑可以包括包含Al、Cr、S1、T1、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一個(gè)。例如，熱擴(kuò)散劑可以包括陶瓷材料。熱擴(kuò)散劑可以被定義為具有預(yù)定尺寸的粉粒、顆粒、填充劑或添加劑。熱擴(kuò)散劑包括陶瓷材料。該陶瓷材料包括LTCC (低溫共燒陶瓷)或HTCC (高溫共燒陶瓷)。該陶瓷材料可以包括熱傳導(dǎo)系數(shù)高于氮化物或氧化物的金屬氮化物。例如，所述金屬氮化物可以包括熱傳導(dǎo)系數(shù)等于或高于140W/mK的材料。例如，陶瓷材料包括從由Si02、Six0y、Si3N4' SixNy、SiOxNy' Al2O3' BN、Si3N4' SiC (SiC-BeO), Be。、CeO 以及 AlN 構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。導(dǎo)熱材料可以包括C類化合物(C-component)(例如,金剛石或CNT)。另夕卜，添加到支撐元件151的熱擴(kuò)散劑的量可以是1被％至99被％。為了提高熱擴(kuò)散效率，至少50wt%的熱擴(kuò)散劑能夠被添加到支撐元件151。能夠通過(guò)使用球磨機(jī)、行星式球磨機(jī)、推進(jìn)器(impellor)混料、珠磨機(jī)或籃式砂磨機(jī)(basket mill)將聚合物與墨水或糊料混合來(lái)布置支撐元件151。這種情況下，溶劑和分散劑能夠用來(lái)使混合物均勻分布。添加溶劑以調(diào)節(jié)粘度。在是墨水的情況下，添加3Cps至400Cps的溶劑。另外，在是糊料的情況下，添加IOOCps至lOOOOOOCps的溶齊U。該溶劑可以包括從由水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁基卡必醇(butylcabitol)、MEK>甲苯、二甲苯、二甘醇(DEG)、甲酰胺(FA)、松油醇(TP)、丁內(nèi)酯(BL)、甲基溶纖劑(MCS)、丙基甲基溶纖劑(Propylmethylcellosolve) (PM)構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)及其組合。為了加強(qiáng)顆粒之間的耦合強(qiáng)度，硅烷基添加劑(例如，1-三甲基硅烷基丁 -1-炔-3-醇(1-Trimethylsi lylbut-l-yne-3-ol )、烯丙基三甲基娃燒(Al lyltrimethylsi lane)、三甲基娃燒基甲橫酸酯(Trimethylsilyl methanesulfonate)、三甲基娃燒基三氯乙酸酯(Trimethylsilyltrichloroacetate)、三甲基娃燒基乙酸甲酯(Methyl trimethyl si Iylacetate )或三甲基娃燒基丙酸(Trimethylsilyl propionic acid))能夠被添加到溶劑。這種情況下,可能會(huì)出現(xiàn)凍結(jié)(gelation)，從而必須慎重考慮硅烷基添加劑的添加?？梢栽陬A(yù)定溫度(例如，2000C ± IO(TC)下固化支撐元件151，并且該固化溫度不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層產(chǎn)生影響。在制造過(guò)程中，預(yù)先制造并接合連接電極(例如，焊料凸點(diǎn))，并且支撐元件被設(shè)置在連接電極周圍。與之對(duì)照，在對(duì)包括墨水或糊料的絕緣層印刷或點(diǎn)膠之后，固化絕緣層，然后將導(dǎo)電材料填充到與連接電極對(duì)應(yīng)的孔中，從而形成連接電極。支撐元件151被填充在第一連接電極至第三連接電極141、143和145以及第一電極至第三電極135、137以及139的周圍。第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的頂面穿過(guò)支撐元件151的頂面暴露。支撐元件151是支撐第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的絕緣支撐層。在另一個(gè)示例中，第一連接電極141和第二連接電極143能夠在支撐元件151中被布置在連接電極孔之后。支撐元件151的厚度與第一連接電極141和第二連接電極143的頂面對(duì)應(yīng)，或足以暴露第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的頂面。然后，襯底111的頂面被拋光，使襯底111具有300 iim或更小的厚度，具體而言，處于130iim至150 iim的范圍(例如，大約150 ym)中。由于支撐元件151在發(fā)光器件100中被設(shè)置得與襯底111相對(duì)，襯底111能夠用作發(fā)光層，使得襯底111的厚度可以變薄?？蓪?duì)支撐元件151以及第一連接電極至第三連接電極141、143以及145的表面進(jìn)行CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)，但實(shí)施例不限于此。另外，對(duì)襯底111的頂面進(jìn)行蝕刻處理以形成具有多個(gè)凸部的圖案區(qū)。熒光層可以被布置在襯底111的頂面和側(cè)面的至少一個(gè)上。熒光層161包括包含熒光粉的透明樹脂層。透明樹脂層包括硅或環(huán)氧樹脂，熒光粉包括從由YAG、TAG、硅酸鹽、氮化物以及氮氧基材料構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。熒光粉包括紅色熒光粉、黃色熒光粉以及綠色熒光粉中的至少一個(gè)，并激發(fā)從有源層117發(fā)出的光的一部分以轉(zhuǎn)換光的波長(zhǎng)。熒光層具有處于大約Ium至IOOOOOiim或Iiim至IOOOOiim范圍中的厚度。熒光層的厚度是發(fā)光結(jié)構(gòu)120的橫向長(zhǎng)度。對(duì)經(jīng)由上述處理而制造的發(fā)光器件進(jìn)行晶片級(jí)封裝，并經(jīng)由切片、切斷和/或切割作業(yè)而將該發(fā)光器件劃分成各個(gè)芯片，從而能夠設(shè)置如圖1所示的發(fā)光器件。由于發(fā)光器件被晶片級(jí)封裝，發(fā)光器件能夠經(jīng)由倒裝接合方案被安裝在模塊襯底上，而不用使用導(dǎo)線。另外，由于出光表面向發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂面和側(cè)面對(duì)齊，而不是與電極對(duì)齊，因而能夠減少光損失并能夠提高亮度和光分布。圖30為示出根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。在第九實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D30，發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極至第三電極135、137以及139、第一連接電極至第三連接電極141、143以及145、支撐元件151以及熒光層161。將圖2所示的襯底從發(fā)光器件中的發(fā)光結(jié)構(gòu)120去除。能夠經(jīng)由物理方案和化學(xué)方案中的一個(gè)來(lái)去除該襯底。例如，通過(guò)在襯底上照射激光可以將襯底從發(fā)光結(jié)構(gòu)120分離，但實(shí)施例不限于此。
圖案區(qū)(例如，凹凸圖案)可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂面上。圖案區(qū)可以通過(guò)蝕刻第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的上部而布置形成，但實(shí)施例不限于此。另外，在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂面和側(cè)面中，熒光層161可以至少被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂面上。熒光層161可以轉(zhuǎn)換從發(fā)光結(jié)構(gòu)120發(fā)出的光。熒光層161包括包含熒光材料的透明樹脂層。透明樹脂層包括硅或環(huán)氧樹脂，熒光材料包括從由YAG、TAG、娃酸鹽、氮化物以及氮氧基材料構(gòu)成的組里選擇的一個(gè)。該突光材料包括紅色熒光材料、黃色熒光材料以及綠色熒光材料中的至少一個(gè)，并激發(fā)從有源層117發(fā)出的光的一部分以轉(zhuǎn)換光的波長(zhǎng)。圖31為示出根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖，圖32為圖31所示的發(fā)光器件的第一示例的仰視圖，圖33為圖31所示的發(fā)光器件的第二示例的仰視圖，以及圖34為圖31所示的發(fā)光器件的第三示例的仰視圖。在第十實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D31和圖32，發(fā)光器件108包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極至第三電極135、137以及138、第一連接電極至第三連接電極142、144以及146以及支撐元件151。根據(jù)實(shí)施例，連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的至少一個(gè)第一電極135被布置在中心區(qū)域A3，連接至反射電極層131的至少一個(gè)第二電極137和至少一個(gè)第三電極138被布置在至少一個(gè)第一電極135的兩側(cè)。在支撐元件151中，至少一個(gè)第一連接電極142被布置在至少一個(gè)第一電極135下方，至少一個(gè)第二連接電極144被布置在至少一個(gè)第二電極137下方，以及至少一個(gè)第三連接電極146被布置在至少一個(gè)第三電極138下方。至少一個(gè)第二電極137和至少一個(gè)第三電極138被布置在反射電極層131下方，并電性連接至反射電極層131。至少一個(gè)第二電極137和至少一個(gè)第三電極138可以連接至反射電極層131互相不同的區(qū)域，但實(shí)施例不限于此。如圖31和圖32所示，至少一個(gè)第二連接電極144被布置得相對(duì)于支撐元件151的底面S12的中心區(qū)域而離支撐元件151的側(cè)面Sll更近，至少一個(gè)第三連接電極146被布置得相對(duì)于支撐元件151的底面S12的中心區(qū)域離支撐元件151的側(cè)面Sll更近。第一電極至第三電極135、137以及138中的至少一個(gè)可以包括具有從電極焊盤分支的臂結(jié)構(gòu)或指狀結(jié)構(gòu)的電流擴(kuò)散圖案。另外，第一電極至第三電極135、137以及138可以包括一個(gè)電極焊盤或多個(gè)電極焊盤，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極至第三連接電極142、144以及146被布置在支撐元件151中并暴露于支撐元件151的下部以用作供電的引線和散熱路徑。第一連接電極至第三連接電極142、144以及146可以具有柱形。例如，第一連接電極至第三連接電極142、144以及146可以具有球形、圓柱形、多邊形柱形或不規(guī)則形狀。該多邊形柱形可以是等角柱形或者也可以不是，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的頂面和底面可以具有圓形或多邊形，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的底面面積可以與第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的頂面面積不同，但實(shí)施例不限于此。例如，第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的底面面積可以大于或小于第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的頂面面積。第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的底面可以在相同的平面(即，7欠平面)上對(duì)齊。第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的底面可以在相同的水平面上與支撐元件151的平坦的底面S12對(duì)齊，第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的底面的至少一部分可以在不同的平面上對(duì)齊。在支撐元件151中，第一連接電極至第三連接電極142、144以及146可以如圖14所示沿一排對(duì)齊或者如圖15所示沿至少兩排對(duì)齊。第一連接電極至第三連接電極142、144以及146的中心可以在相同的線上彼此對(duì)齊。沿互不相同的排對(duì)齊的第一連接電極至第三連接電極142、144以及146可以被布置在相同的中心線上，但實(shí)施例不限于此。第一電極142和第三電極146連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119，使得第一電極142和第三電極146電性連接至彼此。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，第一電極135的數(shù)量可以小于第二電極和第三電極137和138的數(shù)量，從而能夠增大有源層117的面積，使得能夠防止發(fā)光面積的減小。另外，即使互換第二連接電極144和第三連接電極146的安裝位置，發(fā)光器件的電極性也沒(méi)有改變。具有第一極性的供電的第一連接電極142被布置在中心區(qū)域，具有第二極性的供電的第二連接電極144和第三連接電極146被布置在發(fā)光器件中的第一連接電極142的兩側(cè)，從而能夠解決第一極性和第二極性的位置混淆，并能夠防止安裝故障。即，由于裸眼不能夠識(shí)別連接電極142、144以及146的極性，因而具有一個(gè)極性的連接電極被放置在預(yù)定中心區(qū)域，以防止由于發(fā)光器件的安裝故障造成產(chǎn)品產(chǎn)量降低。參照?qǐng)D34，發(fā)光器件包括布置在支撐元件151的角部區(qū)域的第二連接電極144和第三連接電極146。另外，至少一個(gè)第一連接電極142被布置在支撐元件151的中心區(qū)域。根據(jù)該配置，當(dāng)具有其它極性的連接電極的數(shù)量相比，具有一個(gè)極性的連接電極的數(shù)量可以增大四倍。另外，由于連接電極被布置在支撐元件151的每一個(gè)角部區(qū)域，因而電流可以被擴(kuò)散到發(fā)光結(jié)構(gòu)的整個(gè)面積。圖35為示出根據(jù)第十一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖，圖36為圖35所示的發(fā)光器件的第一示例的仰視圖，以及圖37為圖35所示的發(fā)光器件的第二示例的仰視圖。在第i 實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D35，發(fā)光器件109包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135和第三電極139、多個(gè)第二電極137和137A、第一連接電極141和第三連接電極145、多個(gè)第二連接電極143和143A以及支撐元件151。發(fā)光器件包括處于支撐元件151的中心區(qū)域的第二電極137和137A以及第二連接電極143和143A。第二連接電極143和143A可以連接至第二電極137和137A中的至少一個(gè)，但實(shí)施例不限于此。第二連接電極143和143A可以彼此間隔開并電性連接至反射電極層131。第一電極135和第三電極139被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與第一連接電極141和第三連接電極145之間。在支撐元件151中，第一連接電極至第三連接電極141、143和143A以及145可以如圖36所示沿一排對(duì)齊或者如圖37所示沿至少兩排對(duì)齊。在另一個(gè)示例中，在支撐元件151中，第一連接電極141沿第一排對(duì)齊，第二連接電極143和143A中的至少一個(gè)沿第二排對(duì)齊，以及第三連接電極145沿第一排和第二排中的至少一個(gè)對(duì)齊或者可以從這些排偏離，但實(shí)施例不限于此。圖38為示出根據(jù)第十二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖，圖39為圖38所示的發(fā)光器件的第一示例的仰視圖，以及圖40為圖38所示的發(fā)光器件的第二示例的仰視圖。在第十二實(shí)施例的以下描述中，與第一實(shí)施例相同的部件可以參考第一實(shí)施例。參照?qǐng)D38，發(fā)光器件109A包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、多個(gè)第一電極135和135A、第二電極137和第三電極138、多個(gè)第一連接電極141和141A、第二連接電極147和第三連接電極148以及支撐元件151。發(fā)光器件109A包括處于支撐元件151的中心區(qū)域的第一電極135和135A以及第一連接電極141和141A。第一連接電極141和141A可以連接至第一電極135和135A中的至少一個(gè)，或者可以一對(duì)一地連接至第一電極135和135A，但實(shí)施例不限于此。第一連接電極141和141A可以彼此間隔開，并且可以與第二電極147和第三電極148電性絕緣，但實(shí)施例不限于此。在支撐元件151中，第一連接電極至第三連接電極141、141A、147以及148可以如圖39所示沿一排對(duì)齊或者如圖40所示沿至少兩排對(duì)齊。在另一個(gè)示例中，在支撐元件151中，第一連接電極141沿第一排對(duì)齊，第一連接電極141A中的至少一個(gè)沿第二排對(duì)齊，以及第二連接電極147和148沿第一排和第二排中的至少一個(gè)對(duì)齊或者可以從這些排偏離,但實(shí)施例不限于此。圖41為示出根據(jù)第十三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。參照?qǐng)D41、發(fā)光器件109B包括襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135B、第二電極137和第三電極138、多個(gè)第一連接電極141和141A、第二連接電極147和第三連接電極148以及支撐元件151。第一連接電極141和141A被布置在第一電極135B下方并彼此連接。與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115接觸的第一電極135B的上部的寬度窄于第一電極135B的下部的寬度，并且第一電極135B與第一連接電極141和141A對(duì)應(yīng)。圖案區(qū)112 (例如，凹凸圖案)和熒光層161中的至少一個(gè)可以被布置在襯底111的頂面上?！凑彰飨到y(tǒng)〉根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝適用于照明系統(tǒng)。照明系統(tǒng)包括其中排列有多個(gè)發(fā)光器件或多個(gè)發(fā)光器件封裝的結(jié)構(gòu)。照明系統(tǒng)包括圖42和圖43所示的顯示裝置、圖44所示的照明裝置、照明燈、信號(hào)燈、用于車輛的頭燈以及電子顯示器。圖42為示出根據(jù)實(shí)施例的具有發(fā)光器件封裝的顯示器顯示裝置的分解透視圖。參照?qǐng)D42，根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置1000包括:導(dǎo)光板1041 ;發(fā)光模塊1031，用來(lái)將光供應(yīng)到導(dǎo)光板1041 ;反射元件1022，位于導(dǎo)光板1041下方；光學(xué)片1051，位于導(dǎo)光板1041上；顯不面板1061,位于光學(xué)片1051上；以及底蓋1011,用來(lái)容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射元件1022,但實(shí)施例不限于此。底蓋1011、反射板1022、導(dǎo)光板1041、光學(xué)片1051以及照明單元1050可以被定義為照明單元1050。導(dǎo)光板1041將從發(fā)光模塊1031供應(yīng)的光擴(kuò)散以提供表面光。導(dǎo)光板1041可以包括透明材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包括丙烯基樹脂(例如，PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)、PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、C0C (cyclic olefin copolymer,環(huán)烯烴共聚物))和PEN (聚萘二甲酸乙二醇酯)樹脂的一個(gè)。發(fā)光模塊1031被布置在導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)上以將光供應(yīng)到導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)。發(fā)光模塊1031用作顯示器件的光源。布置至少一個(gè)發(fā)光模塊1031以直接或間接供應(yīng)來(lái)自導(dǎo)光板1041的一側(cè)的光。發(fā)光模塊1031可以包括板1033和根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝200。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝200或/和發(fā)光器件被布置在板1033上，同時(shí)彼此間隔預(yù)定間距。板1033可以包括包含電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。另外，板1033還可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或柔性(FPCB)以及典型PCB，但實(shí)施例不限于此。如果發(fā)光器件封裝200被布置在底蓋1011側(cè)部或散熱板上，則可以省略板1033。散熱板與底蓋1011的頂面部分接觸。另外，在板1033上，發(fā)光器件封裝200被布置為使釋放發(fā)光器件封裝200的光的出光表面與導(dǎo)光板1041間隔預(yù)定距離，但實(shí)施例不限于此。發(fā)光器件封裝200可以直接或間接將光供應(yīng)到入射光表面(其為導(dǎo)光板1041的一側(cè)),但實(shí)施例不限于此。反射元件1022被布置在導(dǎo)光板1041下面。反射元件1022將穿過(guò)導(dǎo)光板1041的底面向下行進(jìn)的光向顯示面板1061反射，從而提高照明單元1050的亮度。例如，反射元件1022可以包括PET、PC或PVC樹脂，但實(shí)施例不限于此。反射元件1022可以用作底蓋1011的頂面，但實(shí)施例不限于此。底蓋1011可以將導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射元件1022容納于其中。為此目的，底蓋1011具有容納區(qū)1012，該容納區(qū)具有頂面開放的箱形，但實(shí)施例不限于此。底蓋1011能夠與頂蓋(未示出)耦合，但實(shí)施例不限于此。能夠通過(guò)使用金屬材料或樹脂材料經(jīng)由壓制處理或擠壓處理制造底蓋1011。另夕卜，底蓋1011可以包括具有優(yōu)良熱傳導(dǎo)系數(shù)的金屬或非金屬材料，但實(shí)施例不限于此。顯示面板1061例如是包括彼此相對(duì)的第一透明襯底和第二透明襯底以及置于第一襯底與第二襯底之間的液晶層的LCD面板。偏振片能夠附接至顯示面板1061的至少一個(gè)表面，但實(shí)施例不限于此。顯示面板1061通過(guò)允許光從其穿過(guò)而顯示信息。顯示器件1000能夠應(yīng)用于各種便攜式終端、筆記本電腦的監(jiān)控器、手提電腦的監(jiān)控器以及電視。光學(xué)片1051被布置在顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間，并包括至少一個(gè)透射片。例如，光學(xué)片1051包括從由擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片以及增亮片構(gòu)成的組里選擇的至少一個(gè)。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光聚集到顯示面板1061上，以及增亮片通過(guò)對(duì)損失的光的再次利用來(lái)提高亮度。另外，保護(hù)片能夠被布置在顯示面板1061上，但實(shí)施例不限于此。導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051能夠作為光學(xué)兀件被布置在發(fā)光模塊1031的光路徑中，但實(shí)施例不限于此。圖43為示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。參照?qǐng)D43，顯示器件1100包括底蓋1152、其上排列有發(fā)光器件封裝200的板1120、光學(xué)元件1154以及顯示面板1155。板1120和發(fā)光器件封裝200可以構(gòu)成發(fā)光模塊1160。另外，底蓋1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1160以及光學(xué)元件1154可以構(gòu)成照明單元。底蓋1151能夠布置有容納區(qū)1153，但實(shí)施例不限于此。發(fā)光模塊1160包括板1120、以及布置在板1120或發(fā)光器件封裝200上的多個(gè)發(fā)光器件。光學(xué)元件1154可以包括從由透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片以及增亮片構(gòu)成的組里選擇的至少一個(gè)。該導(dǎo)光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)?？梢允÷栽搶?dǎo)光板。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光聚集到顯示區(qū)域上，而增亮片通過(guò)對(duì)損失的光的再次利用來(lái)提高亮度。光學(xué)兀件1154被布置在發(fā)光模塊1160上方，以便將從發(fā)光模塊1160發(fā)出的光轉(zhuǎn)換成表面光。圖44為根據(jù)實(shí)施例的照明單元的透視圖。參照?qǐng)D44,照明單兀1200可以包括:夕卜殼1210 ;發(fā)光模塊1230,包含于外殼1210中；以及連接端子1220，包含于外殼1210中并供應(yīng)有來(lái)自外部電源的電力。外殼1210可以優(yōu)選由具有良好防熱特性的材料(例如，金屬材料或樹脂材料)布置rfu 。發(fā)光模塊1230可以包括板1232以及安裝在板1232上的根據(jù)實(shí)施例的至少一個(gè)發(fā)光器件封裝200。發(fā)光器件封裝200可以包括多個(gè)發(fā)光器件封裝，該發(fā)光器件封裝在矩陣配置中相隔預(yù)定距離而排列。板1232可以是其上印刷有電路圖案的絕緣體襯底，并且可以包括例如印刷電路板(PCB )、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4襯底等。而且，板1232可以由用來(lái)有效反射光的材料布置而成，并且其表面可以布置成能夠有效反射光的顏色(例如，白色或銀色)。至少一個(gè)發(fā)光器件封裝200可以被安裝在板1232上。發(fā)光器件封裝200的每一個(gè)可以包括至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片。LED芯片可以包括發(fā)出紅光、綠光或白光的彩色LED以及發(fā)出紫外光(UV)的UV LED。發(fā)光模塊1230可以具有各種發(fā)光器件的組合，以便獲得所需的顏色和光亮度。例如，發(fā)光模塊1230可以具有白色LED、紅色LED以及綠色LED的組合，以便獲得高顯色指數(shù)(CRI)0連接端子1220可以電性連接至發(fā)光模塊1230以供電。連接端子1220可以插座形式螺紋連接和耦接至外部電力，但本公開文本不限于此。例如，連接端子1220可以制成針型并插入到外部電源中，或者可以經(jīng)由電源線連接至外部電源。本說(shuō)明書中任何提及的“一個(gè)實(shí)施例”，“一實(shí)施例”，“示例性實(shí)施例”等等是指結(jié)合這些實(shí)施例所描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性都包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。本說(shuō)明書中多處出現(xiàn)的這些語(yǔ)句并不必然全部涉及相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任一實(shí)施例來(lái)描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為其落入到本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其他實(shí)施例來(lái)實(shí)施該特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)參照其中的多個(gè)闡釋性實(shí)施例來(lái)對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述，但是應(yīng)該理解的是，在發(fā)明的精神或范圍中，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種改進(jìn)和實(shí)施例。更具體而言，在本說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以在組成部件和/或組合排列布局上進(jìn)行多種改進(jìn)和變型。除了組成部件和/或布局上的多種改進(jìn)和變型以外，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，選擇性的使用也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方；以及有源層，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間； 支撐元件，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下方； 反射電極層，位于所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述支撐元件之間；以及 第一連接電極至第三連接電極，在所述支撐元件中彼此間隔開， 其中所述第二連接電極被布置在所述第一連接電極與所述第三連接電極之間， 所述第一連接電極和所述第三連接電極彼此電性連接且與所述第二電極電性絕緣，以及 所述支撐元件被布置在所述第一連接電極至所述第三連接電極的外圍部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括:第一電極，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第一連接電極和所述第三連接電極之間；以及第二電極，位于所述反射電極層與所述第二連接電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括:第二電極，位于所述反射電極層與所述第一連接電極和所述第三連接電極之間；以及第二電極，位于所述第二連接電極與所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接電極至所述第三連接電極中的至少一個(gè)包括彼此間隔的多個(gè)連接電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接電極至所述第三連接電極的每一個(gè)均形成為多個(gè)，并且所述多個(gè)第一連接電極至第三連接電極彼此間隔開。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個(gè)所述的發(fā)光器件，其中所述支撐元件的厚度厚于所述第一連接電極至所述第三連接電極的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個(gè)所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接電極至所述第三連接電極的底面暴露于所述支撐元件的底面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述支撐元件的底面在相同的平面上與所述第一連接電極至所述第三連接電極的底面對(duì)齊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個(gè)所述的發(fā)光器件，其中所述支撐元件包括添加有陶瓷材料的樹脂材料，并且所述支撐元件的側(cè)面在相同的平面上與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面對(duì)齊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，還包括位于所述反射電極層與所述支撐元件之間的絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，還包括位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的透明襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極包括與所述第一連接電極和所述第三連接電極對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述支撐元件的厚度厚于所述透明襯底的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，還包括位于所述透明襯底的頂面和底面中的至少一個(gè)上的光提取結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，還包括位于所述透明襯底上的熒光層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述支撐元件的厚度厚于所述第一連接電極至所述第三連接電極的厚度，并且所述支撐元件的的底面平行于所述透明襯底的頂面。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述支撐元件的底面的寬度等于所述透明襯底的頂面的寬度。
18.一種發(fā)光器件封裝，包括: 主體，具有空腔； 第一引線電極，位于所述主體的所述空腔中； 第三引線電極，位于所述主體的所述空腔中； 第二引線電極，布置在所述空腔中的所述第一引線電極與所述第三引線電極之間； 發(fā)光器件，布置在所述第一引線電極至所述第三引線電極上且電性連接至所述第一引線電極至所述第三引線電極；以及 間隙部，置于所述第一引線電極至所述第三引線電極中， 其中所述發(fā)光器件包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方；以及有源層，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間； 支撐元件，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下方； 反射電極層，位于所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述支撐元件之間；以及 第一連接電極至第三連接電極，在所述支撐元件中彼此間隔開，以及 其中所述第二連接電極被布置在`所述第一連接電極與所述第三連接電極之間， 所述第一連接電極和所述第三連接電極彼此電性連接且與所述第二連接電極電性絕緣， 所述支撐元件被布置在所述第一連接電極至所述第三連接電極的外圍部分；以及所述第一引線電極至所述第三引線電極以相同的間距與所述支撐元件和所述第一連接電極至所述第三連接電極間隔開。
全文摘要
本文公開了一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及發(fā)光模塊。該發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及有源層，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；支撐元件，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)下方；反射電極層，位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與支撐元件之間；以及第一連接電極至第三連接電極，在支撐元件中彼此間隔開。第二連接電極被布置在第一連接電極與第三連接電極之間，第一連接電極和第三連接電極彼此電性連接，以及支撐元件被布置在第一連接電極至第三連接電極的外圍部分。
文檔編號(hào)H01L33/48GK103187512SQ20121059306
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月3日
發(fā)明者裴錫訓(xùn), 崔錫范, 姜弼根, 黃德起, 韓伶妵, 崔熙石, 樸永錄, 李泰暾, 吳賢成, 朱志熙, 姜東祐, 金成植 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司