專利名稱：一種隱腳式大功率led支架及封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種隱腳式大功率LED支架及封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種大功率LED支架，特指一種隱腳式大功率LED支架，另外本實(shí)用新型還公開了采用該支架的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
白光發(fā)光二極管(Lighting Emitting Diode)具有效率高,壽命長,可靠性高,環(huán)保節(jié)能，應(yīng)用靈活等諸多優(yōu)點(diǎn)，被普遍認(rèn)可為第四代的照明光源，具有廣闊的發(fā)展前景?，F(xiàn)在市面上的LED光源主要有仿流明型、貼片式、集成大功率型以及LAMP型四種，其中LAMP型為插腳式的燈珠，由于其散熱主要依靠引腳，因此只能做小功率的燈珠，主要應(yīng)用在裝飾燈、小功率便攜式燈具以及簡易顯示屏等產(chǎn)品上。貼片式LED受制于支架較小的散熱面積， 只能做小功率的封裝，如市面上主流的3528或者5050等，最大只能做到O. 2W，如要制作大功率的燈具只能采取后期燈珠模組化陣列的方式，效率很低。目前制作大功率的光源主要以仿流明型以及集成大功率型為主，其中仿流明型主要用來制作IW及IW以上的大功率燈珠，仿流明型燈珠占據(jù)了大功率LED照明的大部分市場。如圖I所示，包括基座200、固定在基座200內(nèi)的芯片、封蓋芯片的透鏡500以及從基座200兩側(cè)伸出的導(dǎo)電腳200a、200b，但其受制于導(dǎo)電腳200a、200b外漏的結(jié)構(gòu)無法而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，在后段的分光工序中由于導(dǎo)電腳2a、2b外漏無法通過自動(dòng)振盤，只能依靠人工手動(dòng)裝入料管，再安裝至分光機(jī)上分光，分光后再次裝入料管，然后再將料管中的LED放到編帶機(jī)中進(jìn)行編帶，整個(gè)過程都需要依靠手動(dòng)來完成，并且其制作透鏡的工藝繁瑣，需要耗費(fèi)大量的工時(shí)，因此仿流明型的LED制作工藝繁瑣、無法全面自動(dòng)化生產(chǎn)、生產(chǎn)效率低、價(jià)格高，以上這些缺點(diǎn)都是制約其推廣的技術(shù)難題。集成大功率型LED由于缺失行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，不能進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)，需要根據(jù)現(xiàn)有應(yīng)用廠商的需求來定制，且通用性不強(qiáng)，體積大，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，工藝繁瑣，生產(chǎn)效率低，也不能進(jìn)行自動(dòng)化生產(chǎn)加工。
實(shí)用新型內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)中大功率LED制造中存在的上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的首先在于提供一種可以實(shí)現(xiàn)大功率LED燈珠自動(dòng)化封裝的隱腳式LED封裝支架。為了達(dá)到上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)手段是一種隱腳式大功率LED支架，包括導(dǎo)電腳以及包裹所述導(dǎo)電腳的基座，所述基座的頂部形成一凹腔，所述凹腔底部固設(shè)一熱沉，其特征在于所述導(dǎo)電腳穿過基座的底面，所述導(dǎo)電腳的底面與所述基座的底面以及熱沉的底面平齊。本實(shí)用新型所謂的“隱腳式”指的是將導(dǎo)電腳隱藏于基座的框架內(nèi)，本實(shí)用新型提供的大功率LED封裝支架成功地將現(xiàn)有技術(shù)中仿流明燈珠兩側(cè)延伸的導(dǎo)電腳隱藏在基座的框架內(nèi)，使導(dǎo)電腳外漏的折邊隱藏于基座的底部，使其可以順利的通過振盤進(jìn)行后續(xù)的自動(dòng)化生產(chǎn)，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)巧妙，解決了本領(lǐng)域長期以來所面臨的大功率LED無法實(shí)現(xiàn)全面自動(dòng)化生產(chǎn)的技術(shù)難題，徹底顛覆了傳統(tǒng)大功率LED的半自動(dòng)封裝模式，推動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化封裝進(jìn)程，是大功率LED封裝領(lǐng)域的一次新的革命性突破。采用本實(shí)用新型的隱腳式大功率LED封裝支架的封裝技術(shù)可以提升300%的產(chǎn)能，使LED的成本縮減為現(xiàn)有售價(jià)的三分之一，從源頭上解決了 LED高昂的價(jià)格問題，有助于推動(dòng)整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化升級，并促使LED照明全面普及。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電腳包括焊盤以及沿焊盤向下折彎的延展部，所述延展部穿過基座的底部端面并在基座的底部端面形成一折邊，所述折邊的底面與熱沉的底面以及基座的底面平齊，所述焊盤與熱沉之間預(yù)留有絕緣間隙。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電腳包括正極導(dǎo)電腳以及負(fù)極導(dǎo)電腳，所述正極導(dǎo)電腳以及負(fù)極導(dǎo)電腳的焊盤位于凹腔的底部。優(yōu)選地，所述焊盤的上表面以及熱沉的上表面設(shè)置有反光層。優(yōu)選地，所述熱沉的頂部形成有一容置LED芯片的凹陷部。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電腳是一立方體，所述導(dǎo)電腳的上端部為焊線區(qū)，所述導(dǎo)電腳的底面與熱沉的底面以及基座的底面平齊，所述導(dǎo)電腳正對熱沉的外側(cè)面與基座的側(cè)面平齊，所述導(dǎo)電腳與熱沉之間預(yù)留有絕緣間隙。 本實(shí)用新型還提供了一種采用前述隱腳式大功率LED支架的隱腳式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其中LED芯片固定在熱沉上，所述芯片與所述導(dǎo)電腳電連接，封裝膠體填充在所述凹腔內(nèi)將LED芯片覆蓋。本實(shí)用新型提供的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)成功地將現(xiàn)有技術(shù)中仿流明燈珠兩側(cè)延伸的導(dǎo)電腳隱藏在基座的框架內(nèi)，使導(dǎo)電腳外漏的折邊隱藏于基座的底部，使其可以順利的通過振盤進(jìn)行后續(xù)的自動(dòng)化生產(chǎn)，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)巧妙，解決了本領(lǐng)域長期以來所面臨的大功率LED無法實(shí)現(xiàn)全面自動(dòng)化生產(chǎn)的技術(shù)難題，徹底顛覆了傳統(tǒng)大功率LED的半自動(dòng)封裝模式，推動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化封裝進(jìn)程，是大功率LED封裝領(lǐng)域的一次新的革命性突破。采用本實(shí)用新型的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)可以提升300%的產(chǎn)能，使LED的成本縮減為現(xiàn)有售價(jià)的三分之一，從源頭上解決了 LED高昂的價(jià)格問題，有助于推動(dòng)整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化升級，并促使LED照明全面普及。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電腳包括焊盤以及沿焊盤向下折彎的延展部，所述延展部穿過基座的底部端面并在基座的底部端面形成一折邊，所述折邊的底面與熱沉的底面以及基座的底面平齊，所述焊盤與熱沉之間預(yù)留有絕緣間隙。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電腳是一立方體，所述導(dǎo)電腳的上端部為焊線區(qū)，所述導(dǎo)電腳的底面與熱沉的底面以及基座的底面平齊，所述導(dǎo)電腳正對熱沉的外側(cè)面與基座的側(cè)面平齊，所述導(dǎo)電腳與熱沉之間預(yù)留有絕緣間隙。
圖I為現(xiàn)有大功率LED結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中A-A剖面的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型的底部結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式的底部結(jié)構(gòu)示意圖；[0021]圖7為本實(shí)用新型的另一優(yōu)選實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8所示為本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施方式示意圖；圖10為本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)選實(shí)施方式示意圖；圖11為本實(shí)用新型的封裝工藝流程框圖。
具體實(shí)施方式為了進(jìn)一步詳細(xì)的闡述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖2、圖3、圖4所示，本實(shí)用新型公開了一種隱腳式大功率LED支架，包括導(dǎo)電 腳la、lb以及包裹所述導(dǎo)電腳la、lb的基座2，所述基座2的頂部中央位置形成一凹腔6，所述凹腔6底部固設(shè)一熱沉3，導(dǎo)電腳la、lb包括焊盤11以及沿焊盤11向下折彎的延展部12，所述延展部12穿過基座2的底部端面20并在基座2的底部端面形成一折邊13，所述折邊13的底面10與熱沉3的底面30以及基座2的底面20平齊，所述焊盤11與熱沉3之間預(yù)留有絕緣間隙7。本實(shí)用新型所謂的“隱腳式”指的是將導(dǎo)電腳la、lb隱藏于基座2的框架內(nèi)，本實(shí)用新型提供的大功率LED封裝支架成功地將現(xiàn)有技術(shù)中仿流明燈珠兩側(cè)延伸的導(dǎo)電腳la、Ib隱藏在基座2的框架內(nèi)，使導(dǎo)電腳la、Ib外漏的折邊隱藏于基座2的底部，使其可以順利的通過振盤進(jìn)行后續(xù)的自動(dòng)化生產(chǎn)。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)巧妙，解決了本領(lǐng)域長期以來所面臨的大功率LED無法實(shí)現(xiàn)全面自動(dòng)化生產(chǎn)的技術(shù)難題，徹底顛覆了傳統(tǒng)大功率LED的半自動(dòng)封裝模式，推動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化封裝進(jìn)程，是大功率LED封裝領(lǐng)域的一次新的革命性突破。采用本實(shí)用新型的隱腳式大功率LED封裝支架的封裝技術(shù)可以提升300%的產(chǎn)能，使LED的成本縮減為現(xiàn)有售價(jià)的三分之一，從源頭上解決了 LED高昂的價(jià)格問題，有助于推動(dòng)整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化升級，并促使LED照明全面普及。本實(shí)用新型所述基座2采用硅樹脂制作。本實(shí)用新型所述基座2采用硅樹脂制作。硅樹脂與封裝膠體中的硅膠結(jié)合能力非常好，可以防止現(xiàn)有技術(shù)中LED受熱后封裝膠體(硅膠)與基座(PPA材料)發(fā)生崩裂的現(xiàn)象，提聞廣品的耐熱性能。娃樹脂還具有良好的光反射率，以監(jiān)光為例，娃樹脂的光反射率可以達(dá)到98%以上，而傳統(tǒng)的PPA材料的基座其光線反射率不足90%，因此引用硅樹脂制作基座2可以提升LED的光萃取效率。同時(shí)娃樹脂還具有良好的抗老化性能，在驅(qū)動(dòng)電流為60mA的情況下，LED點(diǎn)亮3000小時(shí)后，以PPA材料為基座的LED衰減高達(dá)40%，而以硅樹脂材料為基座的LED的衰減不足5%。另外硅樹脂具有良好的抗紫外線性能，傳統(tǒng)的PPA材質(zhì)的基座在紫外線照射5分鐘后開始變黃，而硅樹脂材質(zhì)的基座在紫外線照射20小時(shí)后外觀沒有任何變化。因此本實(shí)用新型率先采用硅樹脂這種材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的PPA材料，獲得了良好的粘接性能、超強(qiáng)的光反射率、優(yōu)良的抗老化性能以及優(yōu)質(zhì)的抗UV性能。本實(shí)用新型的導(dǎo)電腳Ia為正極導(dǎo)電腳，導(dǎo)電腳Ib為負(fù)極導(dǎo)電腳，所述正極導(dǎo)電腳Ia以及負(fù)極導(dǎo)電腳Ib的焊盤11位于凹腔6的底部；上述焊盤11分布在熱沉3的兩側(cè)。本實(shí)用新型所述焊盤11的上表面以及熱沉3的上表面設(shè)置有反光層8 ;該反光層8可以是鍍銀層或者其它形式的金屬鍍層。本實(shí)用新型所述熱沉3的頂部形成有一凹陷部31，該凹陷部31用來盛放LED芯片。本實(shí)用新型所述熱沉3的形狀為上大下小的倒金字塔形，以提供更大的反光面積，提升光萃取率；所述熱沉3上表面可以是長方形；所述熱沉3的材料為銅、鋁、石墨、陶瓷或其它金屬合金，如招合金、鶴銅合金。本實(shí)用新型絕緣間隙7的寬度H為0. Imm 0. 3mm,優(yōu)選0. Imm或0. 2mm,以提供
更大的反光區(qū)域，提升光萃取效率。本實(shí)用新型導(dǎo)電腳la、lb的折邊13可以如圖3、圖4所示向基座2的中央?yún)^(qū)域折彎，以達(dá)到隱藏導(dǎo)電腳la、lb的目的，如圖5、圖6所示，本實(shí)用新型導(dǎo)電腳la、lb的折邊13也可以向基座2的周邊區(qū)域折彎，同樣可以達(dá)到隱藏導(dǎo)電腳la、lb的目的，即導(dǎo)電腳la、lb的折邊13向左、或者向右折彎均可。本實(shí)用新型的另ー種優(yōu)選的實(shí)施方式如圖7所示，即導(dǎo)電腳la、lb是ー立方體， 所述導(dǎo)電腳la、lb的上端部IlaUlb為焊線區(qū)，所述導(dǎo)電腳la、lb的底面10與熱沉3的底面30以及基座2的底面20平齊，所述導(dǎo)電腳la、lb正對熱沉3的外側(cè)面12與基座2的側(cè)面22平齊，所述導(dǎo)電腳la、lb與熱沉3之間預(yù)留有絕緣間隙。如圖8、圖9所示，本實(shí)用新型還提供一種采用前述隱腳式大功率LED支架的隱腳式大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括LED支架9、固定在LED支架9內(nèi)的LED芯片4以及覆蓋LED芯片4的封裝膠體5，所述支架9包括導(dǎo)電腳la、lb以及包裹所述導(dǎo)電腳la、lb的基座2，所述基座2的頂部形成一凹腔6，所述凹腔6底部固設(shè)ー熱沉3，所述導(dǎo)電腳包括焊盤11以及沿焊盤向下折彎的延展部12，所述延展部12穿過基座2的底部端面20并在基座的底部端面20形成ー折邊13，所述焊盤11與熱沉3之間預(yù)留有絕緣間隙7，所述LED芯片4固定在熱沉3上，所述芯片4與所述焊盤11電連接，所述封裝膠體5填充在所述凹腔6內(nèi)將LED芯片4覆蓋；所述折邊13的底面10與熱沉3的底面30以及基座2的底面20平齊，以便于后續(xù)的LED燈珠的自動(dòng)化分光。本實(shí)用新型所述熱沉3的頂部形成有一凹陷部31，該凹陷部31用來盛放LED芯片4。本實(shí)用新型所述封裝膠體5為熒光膠體，該熒光膠體為均勻混合有熒光粉的封裝膠體。優(yōu)選LED芯片4為藍(lán)光LED芯片，所述熒光膠體為黃色熒光膠體，此時(shí)藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃色熒光膠體可以得到白光。以上均是方便說明本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，本實(shí)用新型的保護(hù)范疇不局限于此。本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)的另ー實(shí)施方式如圖10所示，即導(dǎo)電腳la、lb是ー立方體，導(dǎo)電腳la、lb的上端部IlaUlb為焊線區(qū)，所述導(dǎo)電腳la、lb的底面10與熱沉3的底面30以及基座2的底面20平齊，所述導(dǎo)電腳la、lb正對熱沉3的外側(cè)面12與基座2的側(cè)面22平齊，所述導(dǎo)電腳la、lb與熱沉3之間預(yù)留有絕緣間隙，LED芯片4固定在熱沉3上，封裝膠體5覆蓋LED芯片4。如圖8、圖9、圖11所示，本實(shí)用新型的大功率LED封裝エ藝，包括如下步驟第一歩，預(yù)備并清洗LED支架9 ；第二歩，將LED芯片4固定在LED支架9內(nèi)的熱沉3上，然后進(jìn)行烘烤；并將LED芯片4與LED支架9內(nèi)的焊盤11通過導(dǎo)線電連接，如圖6所示；第三步，在LED支架9的凹腔6內(nèi)填充覆蓋所述LED芯片4的封裝膠體5，并進(jìn)行烘烤；第四步，通過自動(dòng)卸料機(jī)裁剪形成單顆LED，并通過振盤輸送到分光機(jī)進(jìn)行分光；第五步，將進(jìn)行分光后的LED傳送至編帶機(jī)進(jìn)行自動(dòng)編帶，然后完成外包裝。本實(shí)用新型所述第二步中的烘烤溫度在120°C 175°C之間，烘烤時(shí)間在20min 30min之間。烘烤時(shí)可進(jìn)行階梯式遞增的溫度進(jìn)行烘烤，如先在120°C烘烤5min，然后升溫至130°C烘烤5min，最后在升溫至150°C進(jìn)行烘烤，三段烘烤中間可分別短暫的停留30S，以消除內(nèi)應(yīng)カ，有助于提聞廣品的良率。本實(shí)用新型優(yōu)選第三步中的烘烤溫度在100°C 150°C之間，烘烤時(shí)間在IOmin 20min之間。烘烤時(shí)可進(jìn)行階梯式遞增的溫度進(jìn)行烘烤，如先在100°C烘烤5min，然后升溫至120°C烘烤5min，最后在升溫至130°C進(jìn)行烘烤，三段烘烤中間可分別短暫的停留20S，以消除內(nèi)應(yīng)力，有助于封裝膠體的固化，減少內(nèi)應(yīng)力，提高產(chǎn)品的穩(wěn)固性。其中第二步中優(yōu)選的烘烤溫度為150°C，烘烤時(shí)間為15min，所述第三步中優(yōu)選的烘烤溫度為120°C，烘烤時(shí)間為15min。如圖8、圖9所示，本實(shí)用新型的導(dǎo)電腳la、lb包括焊盤11以及沿焊盤11向下折彎的延展部12，所述延展部12穿過基座2的底部端面20并在基座2的底部端面形成一折邊13，所述折邊13的底面10與熱沉3的底面30以及基座2的底面20平齊，所述焊盤11與熱沉3之間預(yù)留有絕緣間隙7。本實(shí)用新型的基座2為硅樹脂制作。本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)的另ー實(shí)施方式如圖10所示，即導(dǎo)電腳la、lb是ー立方體，導(dǎo)電腳la、lb的上端部IlaUlb為焊線區(qū)，所述導(dǎo)電腳la、lb的底面10與熱沉3的底面30以及基座2的底面20平齊，所述導(dǎo)電腳la、lb正對熱沉3的外側(cè)面12與基座2的側(cè)面22平齊，所述導(dǎo)電腳la、lb與熱沉3之間預(yù)留有絕緣間隙。本實(shí)用新型提供的大功率LED封裝エ藝，由于采用了隱腳式的大功率LED支架，成功地將現(xiàn)有技術(shù)中仿流明燈珠兩側(cè)延伸的導(dǎo)電腳隱藏在基座的框架內(nèi)，使導(dǎo)電腳外漏的折邊隱藏于基座的底部，使其可以順利的通過振盤進(jìn)行后續(xù)的自動(dòng)化生產(chǎn)，本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)巧妙，簡化了整個(gè)大功率LED的封裝エ藝，解決了本領(lǐng)域長期以來所面臨的大功率LED無法實(shí)現(xiàn)全面自動(dòng)化生產(chǎn)的技術(shù)難題，徹底顛覆了傳統(tǒng)大功率LED的手動(dòng)封裝模式，推動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化封裝進(jìn)程，是大功率LED封裝領(lǐng)域的一次新的革命性突破。采用本實(shí)用新型的隱腳式大功率LED封裝エ藝可以提升300%的產(chǎn)能，使LED的成本縮減為現(xiàn)有售價(jià)的三分之一，從源頭上解決了 LED高昂的價(jià)格問題，有助于推動(dòng)整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化升級，并促使LED照明全面普及。以上所述僅以方便說明本實(shí)用新型，在不脫離本實(shí)用新型的創(chuàng)作精神范疇內(nèi)，熟知此技術(shù)的人員所做的任何簡單的修飾與變形，仍屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種隱腳式大功率LED支架，包括導(dǎo)電腳以及包裹所述導(dǎo)電腳的基座，所述基座的頂部形成一凹腔，所述凹腔底部固設(shè)一熱沉，其特征在于所述導(dǎo)電腳穿過基座的底面，所述導(dǎo)電腳的底面與所述基座的底面以及熱沉的底面平齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種隱腳式大功率LED支架，其特征在于所述導(dǎo)電腳包括焊盤以及沿焊盤向下折彎的延展部，所述延展部穿過基座的底部端面并在基座的底部端面形成一折邊，所述折邊的底面與熱沉的底面以及基座的底面平齊，所述焊盤與熱沉之間預(yù)留有絕緣間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種隱腳式大功率LED支架，其特征在于所述導(dǎo)電腳包括正極導(dǎo)電腳以及負(fù)極導(dǎo)電腳，所述正極導(dǎo)電腳以及負(fù)極導(dǎo)電腳的焊盤位于凹腔的底部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種隱腳式大功率LED支架，其特征在于所述焊盤的上表面以及熱沉的上表面設(shè)置有反光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種隱腳式大功率LED支架，其特征在于所述熱沉的頂部形成有一容置LED芯片的凹陷部。
6 根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種隱腳式大功率LED支架，其特征在于所述導(dǎo)電腳是一立方體，所述導(dǎo)電腳的上端部為焊線區(qū)，所述導(dǎo)電腳的底面與熱沉的底面以及基座的底面平齊，所述導(dǎo)電腳正對熱沉的外側(cè)面與基座的側(cè)面平齊，所述導(dǎo)電腳與熱沉之間預(yù)留有絕緣間隙。
7.一種采用如權(quán)利要求I所述的隱腳式大功率LED支架的隱腳式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于LED芯片固定在熱沉上，所述芯片與所述導(dǎo)電腳電連接，封裝膠體填充在所述凹腔內(nèi)將LED芯片覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種隱腳式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)電腳包括焊盤以及沿焊盤向下折彎的延展部，所述延展部穿過基座的底部端面并在基座的底部端面形成一折邊，所述折邊的底面與熱沉的底面以及基座的底面平齊，所述焊盤與熱沉之間預(yù)留有絕緣間隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種隱腳式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)電腳是一立方體，所述導(dǎo)電腳的上端部為焊線區(qū)，所述導(dǎo)電腳的底面與熱沉的底面以及基座的底面平齊，所述導(dǎo)電腳正對熱沉的外側(cè)面與基座的側(cè)面平齊，所述導(dǎo)電腳與熱沉之間預(yù)留有絕緣間隙。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種隱腳式大功率LED支架及封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電腳以及包裹所述導(dǎo)電腳的基座，所述基座的頂部形成一凹腔，所述凹腔底部固設(shè)一熱沉，所述導(dǎo)電腳穿過基座的底面，所述導(dǎo)電腳的底面與所述基座的底面以及熱沉的底面平齊。本實(shí)用新型提供的大功率LED封裝支架成功地將現(xiàn)有技術(shù)中仿流明燈珠兩側(cè)延伸的導(dǎo)電腳隱藏在基座的框架內(nèi)，使其可以順利的通過振盤進(jìn)行后續(xù)的自動(dòng)化生產(chǎn)，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)巧妙，解決了本領(lǐng)域長期以來所面臨的大功率LED無法實(shí)現(xiàn)全面自動(dòng)化生產(chǎn)的技術(shù)難題，徹底顛覆了傳統(tǒng)大功率LED的半自動(dòng)封裝模式，推動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化封裝進(jìn)程，是大功率LED封裝領(lǐng)域的一次新的革命性突破。另外本實(shí)用新型還公開了采用該支架的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L33/48GK202523753SQ20122003044
公開日2012年11月7日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者盧志榮, 黃勇智 申請人:深圳市灝天光電有限公司