專利名稱：一種二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二極管，屬于二極管制作技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前在現(xiàn)有的二極管生產(chǎn)技術(shù)中，普遍采用空腔封裝的方式進(jìn)行封裝，對(duì)于采用空腔封裝的方法，由于空腔封裝對(duì)密封性、多余物控制要求極高，很不易控制。若密封性不佳，產(chǎn)品極易受水汽影響，產(chǎn)品的反向特性將大大降低；若存在多余物(特別是封帽時(shí)產(chǎn)生的錫渣、錫珠)，極易造成產(chǎn)品短路，致使產(chǎn)品失效。因此，采用空腔封裝的此類二極管，由于
存在著工藝較復(fù)雜、成本較高、成品率較低等問題，所以還是不能滿足生產(chǎn)和使用的需要。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，提供一種制作容易、成本較低、成品率較高、并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的二極管，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型的一種二極管為該二極管包括管座，在管座的凹孔中焊接有~■極管芯片，在~■極管芯片上連接有S型引線，在管座的凹孔中的底部填充有硅橡膠層，硅橡膠層將焊接在管座凹孔中的二極管芯片全部遮蓋住，在硅橡膠層上灌封有將管座的凹孔填充滿的環(huán)氧樹脂層。上述硅橡膠層的厚度為管座凹孔深度的1/3 2/3。由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型采用兩種不同的原料進(jìn)行兩次灌封的方法，使在管座的凹孔中形成兩種不同材料的封裝層，完全排除了其它多余物存在的可能性，并能有效保證對(duì)二極管芯片的密封性；并且本實(shí)用新型先灌封的硅橡膠層，可使器件具有良好的應(yīng)力釋放能力，從而有效地消除了因封裝產(chǎn)生的應(yīng)力對(duì)二極管管芯的影響和破壞；而后灌封的環(huán)氧樹脂層，可使器件具有良好的抗拉伸能力，并且由于其不與二極管芯片接觸，因此不會(huì)對(duì)二極管產(chǎn)生應(yīng)力影響。同時(shí)本實(shí)用新型采用的兩種灌封材料的耐溫均超過240°C，因此，在保證器件具有較高的應(yīng)力釋放性能的同時(shí)也能保證器件具有良好的耐高溫能力。所以，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型不僅具有制作容易、成本較低、成品率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能可靠的優(yōu)點(diǎn)，而且還具有能完全避免其它多余物的存在、且其應(yīng)力釋放性、抗拉伸能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中的標(biāo)記為1_管座，2-S型引線，3-二極管芯片，4-硅橡膠層，5-環(huán)氧樹脂層，H-管座凹孔的深度。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明，但并不作為對(duì)本實(shí)用新型限制的依據(jù)。本實(shí)用新型的實(shí)施例本實(shí)用新型的一種二極管是根據(jù)下述制作方法構(gòu)建的該方法是在現(xiàn)有的二極管生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上進(jìn)行實(shí)施的，該方法包括采用現(xiàn)有的焊接工藝將連接有S型引線2的二極管芯片3焊接在管座I的凹孔中，在對(duì)管座I凹孔進(jìn)行封裝時(shí)，首先采用現(xiàn)有的硅橡膠材料灌注進(jìn)管座I的凹孔中，使硅橡膠將焊接好的二極管芯片3全部遮蓋住，待硅橡膠完全固化后形成一個(gè)硅橡膠層，然后采用現(xiàn)有的環(huán)氧樹脂材料灌注在硅橡膠層上并將管座I的凹孔填充滿，待環(huán)氧樹脂 固化形成環(huán)氧樹脂層后即可制得本實(shí)用新型的二極管產(chǎn)品。按照上述方法構(gòu)建的本實(shí)用新型的一種二極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖I所示，該二極管包括現(xiàn)有的二極管的管座1，在管座I的凹孔中焊接有傳統(tǒng)的二極管芯片3，在二極管芯片3上連接有S型引線2，在管座I的凹孔中的底部填充有硅橡膠層4，該硅橡膠層4將焊接在管座I凹孔中的二極管芯片3全部遮蓋住，其硅橡膠層4的厚度最好控制在管座I凹孔深度H的1/3 2/3的范圍內(nèi)，然后在硅橡膠層4上灌封上一層能將管座I的凹孔填充滿的環(huán)氧樹脂層5即成。
權(quán)利要求1.一種二極管，包括管座(1)，在管座(I)的凹孔中焊接有二極管芯片(3)，在二極管芯片(3)上連接有S型引線(2)，其特征在于在管座(I)的凹孔中的底部填充有硅橡膠層(4)，硅橡膠層(4)將焊接在管座(I)凹孔中的二極管芯片(3)全部遮蓋住，在硅橡膠層(4)上灌封有將管座(I)的凹孔填充滿的環(huán)氧樹脂層(5 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的二極管，其特征在于硅橡膠層(4)的厚度為管座(I)凹孔深度(H)的 1/3 2/3。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種二極管，包括管座(1)，在管座(1)的凹孔中焊接有二極管芯片(3)，在二極管芯片(3)上連接有S型引線(2)，其特征在于在管座(1)的凹孔中的底部填充有硅橡膠層(4)，硅橡膠層(4)將焊接在管座(1)凹孔中的二極管芯片(3)全部遮蓋住，在硅橡膠層(4)上灌封有將管座(1)的凹孔填充滿的環(huán)氧樹脂層(5)。本實(shí)用新型不僅具有制作容易、成本較低、成品率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能可靠的優(yōu)點(diǎn)，而且還具有能完全避免其它多余物的存在、且其應(yīng)力釋放性、抗拉伸能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L29/861GK202454562SQ201220046308
公開日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月14日
發(fā)明者李勇, 李響華, 楊華, 陳國(guó)輝 申請(qǐng)人:貴州雅光電子科技股份有限公司