專(zhuān)利名稱(chēng)：改良的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種可大幅減少封裝體面積的改良的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于目前各種高效能的電子產(chǎn)品不斷出現(xiàn)，且產(chǎn)品向輕、薄、短、小的方向發(fā)展，因此，電子封裝的技術(shù)也必須隨之而改變。傳統(tǒng)的采用金屬導(dǎo)線架進(jìn)行芯片安裝和打線的封裝工藝，具有價(jià)格低廉及散熱良好的優(yōu)點(diǎn)；多層壓合板輔以其底部呈陣列式排列的錫球作為引腳，具有在相同尺寸面積下，引腳數(shù)可以變多，封裝面積可以較為縮小的特點(diǎn)。但傳統(tǒng)的以導(dǎo)線架與多層壓合板為基材進(jìn)行芯片安裝，其整體的封裝的體積仍然不能滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電子零器件體積小和高密度越來(lái)越高的要求。
發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本實(shí)用新型通過(guò)將金屬線路的焊線區(qū)設(shè)置于芯片承載區(qū)下的設(shè)計(jì)，大幅減少封裝體面積，使其接近晶片芯片尺寸封裝的面積，以達(dá)到晶片封裝薄小化的目的。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)手段來(lái)實(shí)現(xiàn)的一種改良的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、絕緣層和導(dǎo)線，所述的芯片設(shè)置與絕緣層的上表面，芯片與絕緣層之間設(shè)有黏著層；所述的絕緣層的兩端下表面分別設(shè)有導(dǎo)電連接墊，所述的導(dǎo)電連接墊的兩端面和下表面設(shè)有表面金屬層，所述的導(dǎo)電連接墊的上表面兩端設(shè)有導(dǎo)電焊墊，該導(dǎo)電焊墊由導(dǎo)線電連接芯片；且導(dǎo)電焊墊與芯片的上表面設(shè)有封裝膠體用于包覆導(dǎo)線；所述的封裝膠體的上端還設(shè)有黏著層與上蓋基板連接，所述的上蓋基板與芯片之間形成一密閉空間。與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是由于采用上述結(jié)構(gòu)，使得金屬線路的焊線區(qū)域部分內(nèi)縮于芯片的承載區(qū)下，大幅減少封裝體面積，使其接近晶片芯片尺寸封裝的面積，縮短芯片上電性節(jié)點(diǎn)至焊線墊的間距，實(shí)現(xiàn)晶片封裝薄小化的目的。

附圖I為本實(shí)用新型改良的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。圖中各標(biāo)號(hào)分別是(I)芯片，⑵絕緣層，⑶黏著層，⑷(5)導(dǎo)電連接墊，(6)
(7)表面金屬層，(8) (9)導(dǎo)電焊墊，(10) (11)導(dǎo)線，(12)封裝膠體，(13) (14)黏著層，(15)
上蓋基板。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明[0010]參看圖1，本實(shí)用新型一種改良的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片I、絕緣層2和導(dǎo)線10、11，所述的芯片I設(shè)置與絕緣層2的上表面，芯片I與絕緣層2之間設(shè)有黏著層3 ;所述的絕緣層2的兩端下表面分別設(shè)有導(dǎo)電連接墊4、5，所述的導(dǎo)電連接墊4、5的兩端面和下表面設(shè)有表面金屬層6、7，所述的導(dǎo)電連接墊4、5的上表面兩端設(shè)有導(dǎo)電焊墊8、9，該導(dǎo)電焊墊8、9由導(dǎo)線10、11電連接芯片I ;且導(dǎo)電焊墊8、9與芯片I的上表面設(shè)有封裝膠體12用于包覆導(dǎo)線10、11 ;所述的封裝膠體11的上端還設(shè)有黏著層13、14與上蓋基板15連接，所述的上蓋基板15與芯片I之間形成一密閉空間。 本實(shí)用新型所例舉的實(shí)施例并非對(duì)自己的限定，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型的技術(shù)方案范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種改良的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、絕緣層和導(dǎo)線，其特征是所述的芯片設(shè)置與絕緣層的上表面，芯片與絕緣層之間設(shè)有黏著層；所述的絕緣層的兩端下表面分別設(shè)有導(dǎo)電連接墊，所述的導(dǎo)電連接墊的兩端面和下表面設(shè)有表面金屬層，所述的導(dǎo)電連接墊的上表面兩端設(shè)有導(dǎo)電焊墊，該導(dǎo)電焊墊由導(dǎo)線電連接芯片；且導(dǎo)電焊墊與芯片的上表面設(shè) 有封裝膠體用于包覆導(dǎo)線；所述的封裝膠體的上端還設(shè)有黏著層與上蓋基板連接，所述的上蓋基板與芯片之間形成一密閉空間。
專(zhuān)利摘要一種改良的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、絕緣層和導(dǎo)線，所述的芯片設(shè)置與絕緣層的上表面，芯片與絕緣層之間設(shè)有黏著層；所述的絕緣層的兩端下表面分別設(shè)有導(dǎo)電連接墊，所述的導(dǎo)電連接墊的兩端面和下表面設(shè)有表面金屬層，所述的導(dǎo)電連接墊的上表面兩端設(shè)有導(dǎo)電焊墊，該導(dǎo)電焊墊由導(dǎo)線電連接芯片；且導(dǎo)電焊墊與芯片的上表面設(shè)有封裝膠體用于包覆導(dǎo)線；所述的封裝膠體的上端還設(shè)有黏著層與上蓋基板連接，所述的上蓋基板與芯片之間形成一密閉空間。由于采用上述結(jié)構(gòu)，使得金屬線路的焊線區(qū)域部分內(nèi)縮于芯片的承載區(qū)下，大幅減少封裝體面積，使其接近晶片芯片尺寸封裝的面積，縮短芯片上電性節(jié)點(diǎn)至焊線墊的間距，實(shí)現(xiàn)晶片封裝薄小化的目的。
文檔編號(hào)H01L23/498GK202513148SQ201220112678
公開(kāi)日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月15日
發(fā)明者祁麗芬 申請(qǐng)人:祁麗芬