專利名稱：一種疊層電容的結(jié)構(gòu)單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及疊層電容元件，尤其涉及一種疊層電容的結(jié)構(gòu)單元。
背景技術(shù)：
電容器作為三大無(wú)源元件之一，在電子系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。隨著電子技術(shù)進(jìn)入小型化、高密度的組裝時(shí)代，傳統(tǒng)的電解質(zhì)電容器已經(jīng)不能適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備的輕、薄、短和小的要求。因此，貼片式多層電容器應(yīng)運(yùn)而生并且得到了迅速發(fā)展，尤其是貼片式多層陶瓷電容器(MLCC)。貼片式多層陶瓷電容器(又稱瓷片疊層電容)由多層兩面具有金屬電極的薄瓷片疊加并引線形成，其中瓷片作為介質(zhì)層，兩個(gè)金屬電極面分別作為正極板與負(fù)極板，多個(gè)瓷片的正極板與負(fù)極板按其極性分別引線。瓷片疊層電容具有體積小、耐壓高的優(yōu)點(diǎn)，且品種多樣、規(guī)格齊全、價(jià)格便宜，因此得到了極廣泛的應(yīng)用，并且有可能取代鋁電解電容器及鉭電解電容器。 但是，在制備瓷片疊層電容時(shí)，瓷片疊層電容的內(nèi)部電極層會(huì)出現(xiàn)斷裂、脫落或者不均勻分布等工藝質(zhì)量問(wèn)題，這將對(duì)瓷片疊層電容的性能產(chǎn)生很大影響。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員致力于開(kāi)發(fā)一種疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，提高疊層電容的內(nèi)部電極層的可靠性，從而提高疊層電容的成品率。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，通過(guò)采用雙層導(dǎo)電層構(gòu)成疊層電容的內(nèi)部電極層，提高疊層電容的內(nèi)部電極層的可靠性。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其特征在于，包括第一雙層導(dǎo)電層、第一介質(zhì)層和第二雙層導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層在所述第一雙層導(dǎo)電層和所述第二雙層導(dǎo)電層之間，所述第一雙層導(dǎo)電層連接到第一極性電極，所述第二雙層導(dǎo)電層連接到第二極性電極，所述第一雙層導(dǎo)電層內(nèi)的導(dǎo)電層之間具有第二介質(zhì)層，所述第二雙層導(dǎo)電層內(nèi)的導(dǎo)電層之間具有第三介質(zhì)層。進(jìn)一步地，所述第一極性電極為正電極，所述第二極性電極為負(fù)電極。進(jìn)一步地，所述第一極性電極為負(fù)電極，所述第二極性電極為正電極。進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)層、所述第二介質(zhì)層與所述第三介質(zhì)層的材料皆為陶瓷。優(yōu)選地，所述第二介質(zhì)層與所述第三介質(zhì)層的厚度相同。進(jìn)一步地，所述厚度為所述第一介質(zhì)層的厚度的1/18到1/22。優(yōu)選地，所述第二介質(zhì)層與所述第三介質(zhì)層的厚度不同。進(jìn)一步地，所述第二介質(zhì)層的厚度與所述第三介質(zhì)層的厚度中的較大的厚度為所述第一介質(zhì)層的厚度的1/18到1/22。在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式中，疊層電容的結(jié)構(gòu)單元包括了第一雙層導(dǎo)電層、第一介質(zhì)層和第二雙層導(dǎo)電層。其中，第一介質(zhì)層在第一雙層導(dǎo)電層和第二雙層導(dǎo)電層之間，第一雙層導(dǎo)電層連接到正電極(或負(fù)電極)，第二雙層導(dǎo)電層連接到負(fù)電極(或正電極)。第一介質(zhì)層的材料是陶瓷；第一雙層導(dǎo)電層是兩層金屬銀導(dǎo)電層，之間具有第二介質(zhì)層；第二雙層導(dǎo)電層是兩層金屬銀導(dǎo)電層，之間具有第三介質(zhì)層。優(yōu)選地，第二介質(zhì)層和第三介質(zhì)層的材料都與第一介質(zhì)層的材料相同。第二介質(zhì)層與第三介質(zhì)層的厚度相同，并且此厚度為第一介質(zhì)層的厚度的1/18到1/22。當(dāng)疊層電容的結(jié)構(gòu)單元的第一雙層導(dǎo)電層中與第一介質(zhì)層相鄰的導(dǎo)電層發(fā)生斷裂、脫落或者不均勻分布等工藝質(zhì)量問(wèn)題的時(shí)候，第一雙層導(dǎo)電層中的另一導(dǎo)電層直接起到替代作用；當(dāng)疊層電容的結(jié)構(gòu)單元的第二雙層導(dǎo)電層中與第一介質(zhì)層相鄰的導(dǎo)電層發(fā)生斷裂、脫落或者不均勻分布等工藝質(zhì)量問(wèn)題的時(shí)候，第二雙層導(dǎo)電層中的另一導(dǎo)電層直接起到替代作用?？梢?jiàn)，本實(shí)用新型的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元通過(guò)采用由雙層導(dǎo)電層構(gòu)成疊層電容的內(nèi)部電極層，在雙層導(dǎo)電層中的一個(gè)導(dǎo)電層發(fā)生斷裂、脫落或者不均勻分布等工藝質(zhì)量問(wèn)題的時(shí)候，另一個(gè)導(dǎo)電層直接地起到替代作用，由此提高了疊層電容的內(nèi)部電極層的可靠性，并且由于雙層導(dǎo)電層之間的間距較小，此導(dǎo)電層的替代對(duì)電容器的性能產(chǎn)生的影響也 較小。以下將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說(shuō)明，以充分地了解本實(shí)用新型的目的、特征和效果。

圖I是本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖I所示，在一個(gè)較佳實(shí)施例中，本實(shí)用新型的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元包括了第一雙層導(dǎo)電層、第一介質(zhì)層30和第二雙層導(dǎo)電層。其中，第一介質(zhì)層30在第一雙層導(dǎo)電層和第二雙層導(dǎo)電層之間，第一雙層導(dǎo)電層連接到正電極，第二雙層導(dǎo)電層連接到負(fù)電極；或者，第一雙層導(dǎo)電層連接到負(fù)電極，第二雙層導(dǎo)電層連接到正電極。第一介質(zhì)層30的材料是陶瓷(或其它電介質(zhì)材料)；第一雙層導(dǎo)電層是兩層金屬銀(或其它導(dǎo)電材料)導(dǎo)電層11和12，導(dǎo)電層11和12之間具有第二介質(zhì)層31 ;第二雙層導(dǎo)電層是兩層金屬銀(或其它導(dǎo)電材料)導(dǎo)電層21和22，導(dǎo)電層21和22之間具有第三介質(zhì)層32。優(yōu)選地，第二介質(zhì)層31和第三介質(zhì)層32的材料都與第一介質(zhì)層30的材料相同。第一介質(zhì)層30的厚度為h,第二介質(zhì)層31的厚度為Ii1,第三介質(zhì)層32的厚度為h2。其中，Ii1 = h2，并且Ii^h2為h的1/18到1/22。例如，當(dāng)?shù)谝唤橘|(zhì)層30的厚度h為200 μ m，那么第二介質(zhì)層31的厚度Ii1和第三介質(zhì)層32的厚度112在911111到Ilym的范圍內(nèi)?；蛘?，Ii1 Φ h2，但兩者中較大的那個(gè)厚度為h的1/18到1/22。例如，當(dāng)?shù)谝唤橘|(zhì)層30的厚度h為200 μ m,第二介質(zhì)層31的厚度Ii1比第三介質(zhì)層32的厚度為h2大,那么第二介質(zhì)層31的厚度到11 μ m的范圍內(nèi)。在本實(shí)用新型的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元的工作中，第一雙層導(dǎo)電層的導(dǎo)電層11、第一介質(zhì)層30和第二雙層導(dǎo)電層的導(dǎo)電層21構(gòu)成電容器單兀,在該電容器單兀內(nèi)存儲(chǔ)電荷。當(dāng)?shù)谝浑p層導(dǎo)電層中的導(dǎo)電層11發(fā)生斷裂、脫落或者不均勻分布等工藝質(zhì)量問(wèn)題的時(shí)候，第一雙層導(dǎo)電層中的導(dǎo)電層12直接起到替代作用，彌補(bǔ)因?yàn)閷?dǎo)電層11的斷裂、脫落或者不均勻分布等工藝質(zhì)量問(wèn)題造成的電容器單元內(nèi)存儲(chǔ)的電荷的損失。并且，由于導(dǎo)電層12與導(dǎo)電層11之間的間距(即第二介質(zhì)層的厚度4)與第一介質(zhì)層的厚度h相比，是較小的(h/hC 1/18)，所以導(dǎo)電層12替代導(dǎo)電層11后，該電容器單元內(nèi)存儲(chǔ)的電荷變化較小，即此替代作用對(duì)電容器的性能影響較小。同樣，當(dāng)?shù)诙p層導(dǎo)電層中的導(dǎo)電層21發(fā)生斷裂、脫落或者不均勻分布等工藝質(zhì)量問(wèn)題的時(shí)候，第二雙層導(dǎo)電層中的導(dǎo)電層22直接起到替代作用，彌補(bǔ)因?yàn)閷?dǎo)電層21的斷裂、脫落或者不均勻分布等工藝質(zhì)量問(wèn)題造成的電容器單元內(nèi)存儲(chǔ)的電荷的損失。并且，由于導(dǎo)電層22與導(dǎo)電層21之間的間距(即第三介質(zhì)層的厚度h2)與第一介質(zhì)層的厚度h相t匕，是較小的(h2/h< 1/18)，所以導(dǎo)電層22替代導(dǎo)電層21后，該電容器單元內(nèi)存儲(chǔ)的電荷變化較小，即此替代作用對(duì)電容器的性能影響較小。以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本實(shí)用新型的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員依本實(shí)用新型的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)·驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書(shū)所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其特征在于，包括第一雙層導(dǎo)電層、第一介質(zhì)層和第二雙層導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層在所述第一雙層導(dǎo)電層和所述第二雙層導(dǎo)電層之間，所述第一雙層導(dǎo)電層連接到第一極性電極，所述第二雙層導(dǎo)電層連接到第二極性電極，所述第一雙層導(dǎo)電層內(nèi)的導(dǎo)電層之間具有第二介質(zhì)層，所述第二雙層導(dǎo)電層內(nèi)的導(dǎo)電層之間具有第三介質(zhì)層。
2.如權(quán)利要求I所述的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其中所述第一極性電極為正電極，所述第二極性電極為負(fù)電極。
3.如權(quán)利要求I所述的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其中所述第一極性電極為負(fù)電極，所述第二極性電極為正電極。
4.如權(quán)利要求2或3所述的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其中所述第一介質(zhì)層、所述第二介質(zhì)層與所述第三介質(zhì)層的材料皆為陶瓷。
5.如權(quán)利要求2或3所述的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其中所述第二介質(zhì)層與所述第三介質(zhì)層的厚度相同。
6.如權(quán)利要求5所述的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其中所述厚度為所述第一介質(zhì)層的厚度的 1/18 到 1/22。
7.如權(quán)利要求2或3所述的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其中所述第二介質(zhì)層與所述第三介質(zhì)層的厚度不同。
8.如權(quán)利要求7所述的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，其中所述第二介質(zhì)層的厚度與所述第三介質(zhì)層的厚度中的較大的厚度為所述第一介質(zhì)層的厚度的1/18到1/22。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種疊層電容的結(jié)構(gòu)單元，包括第一雙層導(dǎo)電層、第一介質(zhì)層和第二雙層導(dǎo)電層。其中，第一介質(zhì)層在第一雙層導(dǎo)電層和第二雙層導(dǎo)電層之間，第一雙層導(dǎo)電層連接到第一極性電極，第二雙層導(dǎo)電層連接到第二極性電極，第一雙層導(dǎo)電層內(nèi)的導(dǎo)電層之間具有第二介質(zhì)層，第二雙層導(dǎo)電層內(nèi)的導(dǎo)電層之間具有第三介質(zhì)層。本實(shí)用新型的疊層電容的結(jié)構(gòu)單元通過(guò)采用雙層導(dǎo)電層構(gòu)成疊層電容的內(nèi)部電極層，提高了疊層電容的內(nèi)部電極層的可靠性。
文檔編號(hào)H01G4/30GK202616044SQ20122011621
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月26日
發(fā)明者林華森, 袁德喜, 汪陽(yáng) 申請(qǐng)人:成都市華森電子信息產(chǎn)業(yè)有限責(zé)任公司