專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種單晶硅太陽(yáng)能電池組件。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池工藝中，表面減反膜的工藝是很重要的一步，它直接決定了太陽(yáng)能電池能吸收了多少太陽(yáng)光。傳統(tǒng)的太陽(yáng)能電池表面減反膜是采用鍍一層氮化硅薄膜，氮化硅作為表面減反膜的特點(diǎn)是，工藝簡(jiǎn)單，易于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，成本較低，但缺點(diǎn)也很明顯是氮化硅作為減反膜在電池和組件上，氮化硅薄膜的折射率與厚度無(wú)法同時(shí)匹配到最佳值，導(dǎo)致組件端在封裝后存在一定的封裝損失；同時(shí)由于主要考慮氮化硅薄膜的光學(xué)性能，因此在鈍化效果上也無(wú)法達(dá)到最佳，造成電池效率一定程度上的損失；而且傳統(tǒng)的氮化硅減反膜在折射率與厚度的設(shè)計(jì)上，從電池角度與組件角度分別考慮存在較大的差異。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的是提供一種能有效降低太陽(yáng)電池表面反射率，提高鈍化效果且封裝損失小的單晶硅太陽(yáng)能電池組件。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是單晶硅太陽(yáng)能電池組件，其包括太陽(yáng)能單晶電池片，其不同之處在于，所述太陽(yáng)能單晶電池片的上表面鍍有折射率為
2.6 3. 0的第一層氮化娃減反射膜,第一層氮化娃減反射膜表面鍍有折射率為I. 9 2. 4的第二層氮化硅減反射膜，所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為30 44納米，所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為35 70納米，第二層氮化硅減反射膜向上依次設(shè)置有EVA膠膜、鋼化玻璃，太陽(yáng)能單晶電池片的底部依次設(shè)置有EVA膠膜、背板。本實(shí)用新型的有益效果是，本實(shí)用新型采用了雙層氮化硅減反射膜設(shè)計(jì)，提高了太陽(yáng)能電池表面鈍化效果，降低太陽(yáng)能電池表面反射率。第一層氮化硅減反射膜在工藝設(shè)計(jì)時(shí)可以充分考慮鈍化效果，使太陽(yáng)電池的表面鈍化效果提高，從而提升電池效率。第二層氮化硅減反射膜的折射率與組件封裝材料的折射率接近，所以封裝后不會(huì)因折射率不匹配而造成的光學(xué)損失。

圖I是本實(shí)用新型一種單晶硅太陽(yáng)能電池組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。如圖I所示，單晶硅太陽(yáng)能電池組件，包括太陽(yáng)能單晶電池片1，所述太陽(yáng)能單晶電池片I的上表面鍍有折射率為2. 6 3. 0的第一層氮化娃減反射膜2,第一層氮化娃減反射膜2表面鍍有折射率為I. 9 2. 4的第二層氮化硅減反射膜3，所述第一層氮化硅減反射膜2的厚度為30 44納米，所述第二層氮化硅減反射膜3的厚度為35 70納米，第二層氮化硅減反射膜3向上依次設(shè)置有EVA膠膜4、鋼化玻璃5，太陽(yáng)能單晶電池片I的底部依次設(shè)置有EVA膠膜4、背板6。本實(shí)用新型未公開(kāi)的具體細(xì)節(jié)屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)。在不脫離其精神與范圍的情況下，可以與上述特定的實(shí)施例的解釋與說(shuō)明不同的方式實(shí)施。因此這里所 公開(kāi)的具體細(xì)節(jié)不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，其只不過(guò)是向所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員傳授本實(shí)用新型的各種使用方式的代表性的基本方式。
權(quán)利要求1.單晶硅太陽(yáng)能電池組件，其包括太陽(yáng)能單晶電池片，其特征在于，所述太陽(yáng)能單晶電池片的上表面鍍有折射率為2. 6 3. O的第一層氮化硅減反射膜，第一層氮化硅減反射膜表面鍍有折射率為I. 9 2. 4的第二層氮化硅減反射膜，所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為30 44納米，所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為35 70納米，第二層氮化硅減反射膜向上依次設(shè)置有EVA膠膜、鋼化玻璃，太陽(yáng)能單晶電池片的底部依次設(shè)置有EVA膠膜、背板。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是單晶硅太陽(yáng)能電池組件，其包括太陽(yáng)能單晶電池片，其不同之處在于，所述太陽(yáng)能單晶電池片的上表面鍍有折射率為2.6～3.0的第一層氮化硅減反射膜，第一層氮化硅減反射膜表面鍍有折射率為1.9～2.4的第二層氮化硅減反射膜，所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為30～44納米，所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為35～70納米，第二層氮化硅減反射膜向上依次設(shè)置有EVA膠膜、鋼化玻璃，太陽(yáng)能單晶電池片的底部依次設(shè)置有EVA膠膜、背板。本實(shí)用新型采用了雙層氮化硅減反射膜設(shè)計(jì)，提高了太陽(yáng)能電池表面鈍化效果，降低太陽(yáng)能電池表面反射率，而且封裝后不會(huì)因折射率不匹配而造成的光學(xué)損失。
文檔編號(hào)H01L31/0216GK202503010SQ20122013694
公開(kāi)日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者夏天, 柏祎山 申請(qǐng)人:武漢興隆源太陽(yáng)能科技有限公司