專利名稱：一種led芯片封裝基板結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于LED燈具技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED芯片封裝基板結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極度管LED作為新一代綠色環(huán)保型固體照明光源，具有耗電量少、光色純、全固態(tài)、質(zhì)量輕、體積小、環(huán)保等一系列的優(yōu)點(diǎn)。LED裸芯片技術(shù)有兩種主要形式一種是COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)。目前LED的基板主要分為鋁基板和銅基板兩種，而在COB技術(shù)中常采用銅基板作為LED芯片的主板材，銅基板是金屬基板中最貴的一種，散熱效果比鋁基板和鐵基板都好很多倍，適用于特殊的產(chǎn)品和行業(yè)。一般有沉金銅基板、鍍銀銅基板、噴錫銅基板、抗氧化銅基板等。在使用銅基板進(jìn)行封裝LED芯片時，目前的技術(shù)是采用凹型銅基板，即LED裸片封裝于銅基板的凹形槽內(nèi)，并覆蓋以膠體使表面與外圍的銅基板 相平。這樣做會使得LED的部分光被膠體和基板板材阻擋，無法發(fā)揮LED的最大光效，也無法快速的將LED芯片的熱量傳遞出去，導(dǎo)致芯片出射的光子減少，色溫質(zhì)量下降，加快芯片老化，縮短器件壽命等嚴(yán)重的后果。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種能快速的將LED芯片的溫度傳遞出去、延長器件使用壽命的LED芯片封裝基板結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種LED芯片封裝基板結(jié)構(gòu)，設(shè)置有無氧銅基板，其特征在于所述的無氧銅基板表面嵌設(shè)有鎢銅合金嵌板，鎢銅合金嵌板表面設(shè)置陣列凸臺，陣列凸臺頂面設(shè)置有LED裸片；鎢銅合金嵌板表面的凸臺臺下部分設(shè)置有電路層，采用金線將LED裸片的PN結(jié)連通到電路層上。所述的鎢銅合金嵌板與電路層之間夾設(shè)有微米級的超薄陶瓷絕緣層。所述的LED裸片外罩設(shè)有封裝膠體透鏡。本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型采用凸臺封裝熱沉材料的方式在基板上承載LED芯片，使LED芯片高出電路層，再配以膠體透鏡覆蓋LED芯片，有效的將光向最大角度發(fā)散出去。本發(fā)明基板主材采用具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性和耐蝕性的無氧銅；配以鎢銅合金的封裝熱沉材料，該材料具有與半導(dǎo)體材料相匹配的熱膨脹系數(shù)和良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性，既能保證散熱的同時，又能防止芯片因熱脹冷縮造成疲勞失效，確保了 LED的超長壽命。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)圖。圖中，I-無氧銅基板，2-鎢銅合金嵌板，3-超薄陶瓷絕緣層，4-電路層，5-LED裸片，6-封裝膠體透鏡。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明。本實(shí)用新型涉及的一種LED芯片封裝基板結(jié)構(gòu)，設(shè)置有無氧銅基板1，無氧銅基板I表面設(shè)置有下凹的安裝槽，槽內(nèi)嵌設(shè)有鎢銅合金嵌板2，要求鎢銅合金嵌板2的導(dǎo)熱系數(shù)大于200W/m k、熱膨脹系數(shù)小于6X 10_6m/k。鎢銅合金嵌板2表面設(shè)置陣列凸臺，陣列凸臺頂面設(shè)置有LED裸片5，鎢銅合金嵌板2表面的凸臺臺下部分設(shè)置有電路層4，使用金線將LED裸片5的PN結(jié)連通到電路層4上，形成LED裸片5高于基板的結(jié)構(gòu)，能令LED光更有效地發(fā)散出去，提高光照亮度。LED裸片5外罩設(shè)有半球蓋形的封裝膠體透鏡6，令光照更柔和。鎢銅合金嵌板2與電路層4之間夾設(shè)有微米級的超薄陶瓷絕緣層3，要求超薄陶瓷絕緣層3的導(dǎo)熱系數(shù)的范圍為25-170W/m*k，擊穿電壓大于14KV，既能實(shí)現(xiàn)絕緣功能，又能 提高散熱效率。
權(quán)利要求1.一種LED芯片封裝基板結(jié)構(gòu)，設(shè)置有無氧銅基板(1)，其特征在于 所述的無氧銅基板(I)表面嵌設(shè)有鎢銅合金嵌板(2 )，鎢銅合金嵌板(2 )表面設(shè)置陣列凸臺，陣列凸臺頂面設(shè)置有LED裸片(5 ); 鎢銅合金嵌板(2 )表面的凸臺臺下部分設(shè)置有電路層(4 )，采用金線將LED裸片(5 )的PN結(jié)連通到電路層(4)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種LED芯片封裝基板結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的鎢銅合金嵌板(2)與電路層(4)之間夾設(shè)有微米級的超薄陶瓷絕緣層(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種LED芯片封裝基板結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的LED裸片(5)外罩設(shè)有封裝膠體透鏡(6)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種LED芯片封裝基板結(jié)構(gòu)。目前的LED芯片封裝技術(shù)主要是采用凹型銅基板并覆蓋以膠體使表面與外圍的銅基板相平，部分光被膠體和基板板材阻擋，熱量無法快速傳遞出去，色溫質(zhì)量下降，加快芯片老化。本實(shí)用新型在無氧銅基板表面嵌設(shè)鎢銅合金嵌板，鎢銅合金嵌板表面設(shè)置陣列凸臺，陣列凸臺頂面設(shè)置LED裸片；鎢銅合金嵌板表面的凸臺臺下部分設(shè)置電路層；鎢銅合金嵌板與電路層之間夾設(shè)微米級的超薄陶瓷絕緣層；LED裸片外罩設(shè)封裝膠體透鏡。本實(shí)用新型的LED芯片高出電路層，配以膠體透鏡覆蓋LED芯片，有效的將光向最大角度發(fā)散出去；無氧銅基板和鎢銅合金嵌板的組合，有效提高了散熱效率，延長了使用壽命。
文檔編號H01L33/54GK202513203SQ20122016840
公開日2012年10月31日 申請日期2012年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月20日
發(fā)明者胡民浩, 高輝 申請人:陜西唐華能源有限公司