專利名稱：芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造エ藝流程如下所示步驟一、參見(jiàn)圖3，取一玻璃纖維材料制成的基板，步驟ニ、參見(jiàn)圖4，在玻璃纖維基板上所需的位置上開(kāi)孔，步驟三、參見(jiàn)圖5，在玻璃纖維基板的背面被覆ー層銅箔，步驟四、參見(jiàn)圖6，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導(dǎo)電物質(zhì)，步驟五、參見(jiàn)圖7，在玻璃纖維基板的正面被覆ー層銅箔，步驟六、參見(jiàn)圖8，在玻璃纖維基板表面被覆光阻膜，步驟七、參見(jiàn)圖9，將光阻膜在需要的位置進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，步驟八、參見(jiàn)圖10，將完成開(kāi)窗的部分進(jìn)行蝕刻，步驟九、參見(jiàn)圖11，將基板表面的光阻膜剝除，步驟十、參見(jiàn)圖12，在銅箔線路層的表面進(jìn)行防焊漆(俗稱綠漆)的被覆，步驟十一、參見(jiàn)圖13，在防焊漆需要進(jìn)行后エ序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進(jìn)行開(kāi)窗，步驟十二、參見(jiàn)圖14，在步驟十一進(jìn)行開(kāi)窗的區(qū)域進(jìn)行電鍍，相對(duì)形成基島和引腳，步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關(guān)エ序。上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷I、多了ー層的玻璃纖維材料，同樣的也多了ー層玻璃纖維的成本；2、因?yàn)楸仨氁玫讲ＡЮw維，所以就多了ー層玻璃纖維厚度約10(Tl50Mm的厚度空間；3、玻璃纖維本身就是ー種發(fā)泡物質(zhì)，所以容易因?yàn)榉胖玫臅r(shí)間與環(huán)境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性等級(jí)；4、玻璃纖維表面被覆了ー層約5(Tl00Mffl的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因?yàn)槲g刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蝕刻間隙(蝕刻因子最好制做的能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度，參見(jiàn)圖15)，所以無(wú)法真正的做到高密度線路的設(shè)計(jì)與制造；5、因?yàn)楸仨氁褂玫姐~箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50Mm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等；6、也因?yàn)檎麄€(gè)基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度10(Tl50Mm，無(wú)法真正的做到超薄的封裝；[0023]7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的エ藝技術(shù)因?yàn)椴馁|(zhì)特性差異很大(膨脹系數(shù))，在惡劣環(huán)境的エ序中容易造成應(yīng)カ變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與
可靠性。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，其エ藝簡(jiǎn)單，不需使用玻璃纖維層，減少了制作成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來(lái)的環(huán)境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，它包括引腳，所述引腳正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有芯片，所述芯片正面與引腳正面之間用金屬線相連接，所述引腳與引腳之間的區(qū)域、引腳上部的區(qū)域、引腳下部的區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述引腳背面的塑封料上開(kāi)設(shè)有小孔，所述小 孔與引腳背面相連通，所述小孔內(nèi)設(shè)置有金屬球，所述金屬球與引腳背面相接觸，所述引腳與引腳之間跨接有無(wú)源器件，所述無(wú)源器件跨接于引腳正面與引腳正面之間或跨接于引腳背面與引腳背面之間。在所述引腳背面與金屬球之間還設(shè)置有金屬保護(hù)層。所述引腳包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果I、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層，所以可以減少玻璃纖維層所帯來(lái)的成本；2、本實(shí)用新型沒(méi)有使用玻璃纖維層的發(fā)泡物質(zhì)，所以可靠性的等級(jí)可以再提高，相對(duì)對(duì)封裝體的安全性就會(huì)提高；3、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層物質(zhì)，所以就可以減少玻璃纖維材料所帯來(lái)的環(huán)境污染；4、本實(shí)用新型的ニ維金屬基板線路層所采用的是電鍍方法，而電鍍層的總厚度約在l(Tl5Mffl，而線路與線路之間的間隙可以輕松的達(dá)到25Mm以下的間隙，所以可以真正地做到高密度內(nèi)引腳線路平鋪的技術(shù)能力；5、本實(shí)用新型的ニ維金屬基板因采用的是金屬層電鍍法，所以比玻璃纖維高壓銅箔金屬層的エ藝來(lái)得簡(jiǎn)單，且不會(huì)有金屬層因?yàn)楦邏寒a(chǎn)生金屬層不平整、金屬層破損以及金屬層延展移位的不良或困惑；6、本實(shí)用新型的ニ維金屬基板線路層是在金屬基材的表面進(jìn)行金屬電鍍，所以材質(zhì)特性基本相同，所以鍍層線路與金屬基材的內(nèi)應(yīng)カ基本相同，可以輕松的進(jìn)行惡劣環(huán)境的后工程(如高溫共晶裝片、高溫錫材焊料裝片以及高溫被動(dòng)元件的表面貼裝工作)而不容易產(chǎn)生應(yīng)カ變形。

圖I為本實(shí)用新型芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I的俯視圖。[0037]圖:T圖14為傳統(tǒng)的高密度基板封結(jié)構(gòu)的制造エ藝流程圖。圖15為玻璃纖維表面銅箔金屬層的蝕刻狀況示意圖。其中引腳I導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)2芯片3 金屬線4塑封料5小孔6金屬保護(hù)層7金屬球8無(wú)源器件9。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖I和圖2，圖I本實(shí)用新型芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)不意圖。圖2為圖I的俯視圖。由圖I和圖2可以看出，本實(shí)用新型芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，它包括引腳1，所述引腳I正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)2設(shè)置有芯片3，所述芯片3正面與引腳I正面之間用金屬線4相連接，所述引腳I與引腳I之間的區(qū)域、引腳I上部的區(qū)域、引腳I下部的區(qū)域以及芯片3和金屬線4外均包封有塑封料5，所述引腳I背面的塑封料5上開(kāi)設(shè)有小孔6，所述小孔6與引腳I背面相連通，所述小孔6內(nèi)設(shè)置有金屬球8，所述金屬球8與引腳I背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層7，所述金屬球8采用錫或錫合金材料，所述引腳2由引腳上部、中間阻擋層和引腳下部組成，引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層，所述引腳I與引腳I之間通過(guò)導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)跨接無(wú)源器件9，所述無(wú)源器件9可以跨接于引腳I正面與引腳I正面之間，也可以跨接于引腳I背面與引腳I背面之間。
權(quán)利要求1.一種芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括引腳(1)，所述引腳(I)正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(2)設(shè)置有芯片(3)，所述芯片(3)正面與引腳(I)正面之間用金屬線(4)相連接，所述引腳(I)與引腳(I)之間的區(qū)域、引腳(I)上部的區(qū)域、引腳(I)下部的區(qū)域以及芯片(3)和金屬線(4)外均包封有塑封料(5)，所述引腳(I)背面的塑封料(5)上開(kāi)設(shè)有小孔(6)，所述小孔(6)與引腳(I)背面相連通，所述小孔(6)內(nèi)設(shè)置有金屬球(8)，所述金屬球(8)與引腳(I)背面相接觸，所述引腳(I)與引腳(I)之間跨接無(wú)源器件(9)，所述無(wú)源器件(9)跨接于引腳(I)正面與引腳(I)正面之間或跨接于引腳(I)背面與引腳(I)背面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述引腳(I)背面與金屬球(8)之間還設(shè)置有金屬保護(hù)層(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述引腳(I)包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種芯片直放型單圈單芯片正裝無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，它包括引腳(1)，所述引腳正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(2)設(shè)置有芯片(3)，所述芯片正面與引腳正面之間用金屬線(4)相連接，所述引腳與引腳之間的區(qū)域、引腳上部的區(qū)域、引腳下部的區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料(5)，所述引腳背面的塑封料上開(kāi)設(shè)有小孔(6)，所述小孔(6)與引腳(1)背面相連通，所述小孔(6)內(nèi)設(shè)置有金屬球(8)，所述金屬球(8)與引腳(1)背面相接觸，所述引腳(1)與引腳(1)之間跨接無(wú)源器件(9)。本實(shí)用新型的有益效果是降低了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了環(huán)境污染，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。
文檔編號(hào)H01L23/49GK202564271SQ201220204329
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月9日
發(fā)明者王新潮, 李維平, 梁志忠 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司