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高屏蔽性能半剛射頻電纜的制作方法

文檔序號:7118373閱讀:259來源:國知局
專利名稱:高屏蔽性能半剛射頻電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型專利涉及一種高屏蔽性能半剛射頻電纜,廣泛使用在微波、射頻設備和采用類似技術(shù)的高頻、超高頻電子裝置中。
背景技術(shù)
目前在普遍使用的射頻同軸電纜頻率較低,且屏蔽性能不是很好。同時對于絕緣外徑小于3mm的電纜外導體又不能進行焊接銅管。
發(fā)明內(nèi)容鑒于現(xiàn)有射頻電纜存在的不足,本實用新型提供了一種高屏蔽性能半剛射頻 電纜。本實用新型為實現(xiàn)上述目的。所采取的技術(shù)方案是一種高屏蔽性能半剛射頻電纜,其特征在于包括在鍍銀銅合金內(nèi)導體外依次設有一層聚四氟乙烯絕緣層、銅管外導體構(gòu)成。本實用新型的特點是具有較高的屏蔽性能和使用頻率。

圖I是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖I所示,一種高屏蔽性能半剛射頻電纜,包括在鍍銀銅合金內(nèi)導體I外依次設有一層聚四氟乙烯絕緣層2、銅管外導體3構(gòu)成的同軸電纜;即在絕緣層外2,首先穿過一根銅管外導體3,然后經(jīng)過拉拔,使銅管外導體3緊緊包覆在絕緣層2外,構(gòu)成了同軸電纜。
權(quán)利要求1.一種高屏蔽性能半剛射頻電纜,其特征在于包括在鍍銀銅合金內(nèi)導體(I)外依次設有一層聚四氟乙烯絕緣層(2)、銅管外導體(3)構(gòu)成。
專利摘要本實用新型專利涉及一種高屏蔽性能半剛射頻電纜,其特征在于包括在鍍銀銅合金內(nèi)導體外依次設有一層聚四氟乙烯絕緣層、銅管外導體構(gòu)成。本實用新型的特點是在絕緣層外,首先穿過一根銅管,然后經(jīng)過拉拔,使銅管緊緊包覆在絕緣層外,這樣電纜具有較高的屏蔽性能和使用頻率。
文檔編號H01P3/06GK202695687SQ20122022526
公開日2013年1月23日 申請日期2012年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月18日
發(fā)明者趙明哲, 史衛(wèi)箭, 徐曉茹, 趙喜春, 孟憲媛, 靳堃 申請人:天津安訊達科技有限公司
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