專利名稱：一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型技術(shù)應(yīng)用于晶體硅太陽能電池片制程中，單晶硅片的化學(xué)腐蝕制程工藝，特別是涉及一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃。
背景技術(shù)：
目前，晶體硅太陽能電池制程中單晶硅片的化學(xué)腐蝕制程工藝中，硅片是垂直插在在片盒兩邊的卡槽中的，硅片在卡槽中是松動的，硅片一面的兩條邊隨機的貼在卡槽的一邊。在化學(xué)腐蝕液中，硅片貼在片盒卡槽上的兩條邊，由于與片盒接觸，該區(qū)域化學(xué)腐蝕會受到影響，導(dǎo)致相對于其他區(qū)域該區(qū)域外觀發(fā)白，形成單面片盒印，并且該區(qū)域光學(xué)反射率偏高，削弱化學(xué)腐蝕的作用降低硅片表面的光學(xué)反射，提高電池的吸光率。雖然晶體硅太陽電池只需選取硅片的一面作為受光面，但是由于硅片在片盒中是隨機的貼向一面的， 所以產(chǎn)生的片盒印是無序的，所以在進(jìn)入下道工序時，必須篩選硅片的無片盒印面作為電池的受光面。篩選時，增加人員的工作量，降低了生產(chǎn)效率，并且人為的篩選，總存在疏忽，仍有部分硅片的片盒印面被用作受光面，最終降低了產(chǎn)品的品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型提供一種通過對化學(xué)腐蝕花籃的底部墊入傾斜角度的斜板，從而達(dá)到花籃中的娃片向同一方向傾斜，產(chǎn)生的娃片盒印均在同一面，選取娃片同一方向無娃片盒印面作為電池的受光面的化學(xué)腐蝕花籃。本實用新型的技術(shù)方案是一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃，其中花籃中裝有硅片盒，花籃底部設(shè)有斜板。一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃，其中硅片盒位于花籃內(nèi)斜板上方。一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃，其中硅片盒與花籃的底板成5° -10°的夾角。本實用新型的優(yōu)點在于普通的化學(xué)腐蝕花籃中，硅片與硅片盒接觸，形成單面硅片盒印，由于硅片盒印是無序的，篩選硅片的無硅片盒印面作為電池的受光面時增加了工作量，降低了效率，并且由于人為的疏忽，部分硅片的硅片盒印面被用作受光面，降低了產(chǎn)品的品質(zhì)，本實用新型單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃就是將傳統(tǒng)花籃底部的增設(shè)一塊與水平面呈5° -10°的角度的斜板，使得硅片向同一方向傾斜，產(chǎn)生的片盒印均在同一面，解決了因花籃使用時需區(qū)分電池的受光面的煩惱，使得花籃在使用中更加方便。

圖1為本實用新型單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃改進(jìn)后的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖標(biāo)記花籃1、硅片盒2、斜板3。
具體實施方式
實施例1、一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃，其中花籃I中裝有硅片盒2，花籃I底部設(shè)有斜板3。實施例2、一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃，其中硅片盒2位于花籃I內(nèi)斜板3上方。實施例3、一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃，其中硅片盒2與花籃I的底板成5° -10°的夾角。
權(quán)利要求1.一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃，其特征在于花籃(I)中裝有硅片盒(2)，花籃(I)底部設(shè)有斜板(3)。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)腐蝕花籃，其特征在于硅片盒(2)位于花籃(I)內(nèi)斜板 (3)上方。
3.如權(quán)利要求1或2所述的化學(xué)腐蝕花籃，其特征在于硅片盒(2)與花籃(I)的底板成5° -10°的夾角。
專利摘要本實用新型涉及一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃。普通的化學(xué)腐蝕花籃中，硅片與硅片盒接觸，形成單面硅片盒印，由于硅片盒印是無序的，篩選硅片的無盒印面作為電池的受光面時增加了工作量，降低了效率，并且由于人為的疏忽，部分硅片的片盒印面被用作受光面，降低了產(chǎn)品的品質(zhì)，本實用新型單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃就是將傳統(tǒng)花籃底部的增設(shè)一塊與水平面呈5°-10°的角度的斜板，使得硅片向同一方向傾斜，產(chǎn)生的片盒印均在同一面，解決了因花籃使用時需區(qū)分電池的受光面的煩惱，使得花籃在使用中更加方便。
文檔編號H01L21/673GK202839708SQ201220254868
公開日2013年3月27日 申請日期2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月1日
發(fā)明者柳杉, 黃治國, 王鵬, 包兵兵, 梅超 申請人:上饒光電高科技有限公司