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雙溝型gpp鈍化保護(hù)二極管芯片的制作方法

文檔序號(hào):7120321閱讀:262來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:雙溝型gpp鈍化保護(hù)二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及對(duì)雙溝型GPP鈍化保護(hù)二極管芯片結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。
背景技術(shù)
現(xiàn)有GPP (玻璃純化器件Glassivation passivation parts)臺(tái)面二極管芯片,如圖4所示,普遍采用從溝槽槽底切割劃片的分裂方案。主要存在以下兩方面的問(wèn)題一是切割刀片在溝槽20內(nèi)切割時(shí)易造成硅的隱裂,這種隱裂在材料中逐漸擴(kuò)展;二是由于切割點(diǎn)32距離PN結(jié)很近,因此容易造成PN結(jié)的損傷,從而容易導(dǎo)致芯片鈍化層隱裂而導(dǎo)致器件壽命降低或最終失效
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型針對(duì)以上問(wèn)題,提供了一種能避免產(chǎn)生隱裂和PN結(jié)損傷,且節(jié)約材料的雙溝型GPP鈍化保護(hù)二極管芯片。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是所述芯片的頂面開設(shè)有一圈凹槽,所述凹槽內(nèi)設(shè)置有GPP鈍化保護(hù)層;在所述凹槽外緣的外側(cè)還設(shè)有一圈切割保護(hù)區(qū)。所述切割保護(hù)區(qū)的寬度為所述凹槽寬度的5-35%。本實(shí)用新型從晶片正面的保護(hù)凹槽外部的保護(hù)區(qū)下刀切割,避免了現(xiàn)有技術(shù)中在切割溝槽底部的過(guò)程中對(duì)芯片PN結(jié)造成的應(yīng)力損傷,使得本實(shí)用新型產(chǎn)品正面的溝槽底部完全被玻璃填滿,能夠?qū)N結(jié)起到更好的鈍化保護(hù)作用,使得芯片品質(zhì)有很好地保證。此外,對(duì)切割保護(hù)區(qū)的尺寸,在滿足機(jī)械切割工具可靠工作的同時(shí),避免了材料的浪費(fèi)。

圖I是本實(shí)用新型芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,圖2是圖I的俯視圖,圖3是本實(shí)用新型晶片的結(jié)構(gòu)示意圖,圖4是本實(shí)用新型現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖中I是芯片,2是凹槽,21是GPP鈍化保護(hù)層,22是臺(tái)面,3是切割保護(hù)區(qū),31是切割線,20是溝槽,32是切割點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型如圖1、2所示,所述芯片I的頂面開設(shè)有一圈凹槽2,凹槽2內(nèi)部的芯片頂面為臺(tái)面22,所述凹槽2內(nèi)設(shè)置有GPP鈍化保護(hù)層21 ;在所述凹槽2外緣的外側(cè)還設(shè)有一圈切割保護(hù)區(qū)3。所述切割保護(hù)區(qū)3的寬度為所述凹槽2寬度的5-35%。加工本實(shí)用新型時(shí),如圖3所示,在晶片上逐個(gè)加工出凹槽2,相鄰凹槽2之間的間隙(即相鄰凹槽2外緣之間的距離)為切割保護(hù)區(qū)寬度的兩倍,該間隙的中心極為下刀分裂晶片的切割線31。逐個(gè)分裂以后,制得本實(shí)用新型的芯片I。本實(shí)用新型的芯片I的溝槽(凹槽2)完全由玻璃(即GPP鈍化保護(hù)層)填充,切割時(shí)從溝槽邊緣的切割線(硅片上)切割,使得本產(chǎn)品中玻璃對(duì)PN結(jié)保護(hù)的更好,不需從溝槽20底部切割,對(duì)PN結(jié)損傷 更小。
權(quán)利要求1.雙溝型GPP鈍化保護(hù)二極管芯片,所述芯片的頂面開設(shè)有一圈凹槽,所述凹槽內(nèi)設(shè)置有GPP鈍化保護(hù)層;其特征在于,在所述凹槽外緣的外側(cè)還設(shè)有一圈切割保護(hù)區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙溝型GPP鈍化保護(hù)二極管芯片,其特征在于,所述切割保護(hù)區(qū)的寬度為所述凹槽寬度的5-35%。
專利摘要雙溝型GPP鈍化保護(hù)二極管芯片。涉及對(duì)雙溝型GPP鈍化保護(hù)二極管芯片結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。提供了一種能避免產(chǎn)生隱裂和PN結(jié)損傷,且節(jié)約材料的雙溝型GPP鈍化保護(hù)二極管芯片。所述芯片的頂面開設(shè)有一圈凹槽,所述凹槽內(nèi)設(shè)置有GPP鈍化保護(hù)層;在所述凹槽外緣的外側(cè)還設(shè)有一圈切割保護(hù)區(qū)。本實(shí)用新型從晶片正面的保護(hù)凹槽外部的保護(hù)區(qū)下刀切割,避免了現(xiàn)有技術(shù)中在切割溝槽底部的過(guò)程中對(duì)芯片PN結(jié)造成的應(yīng)力損傷,使得本實(shí)用新型產(chǎn)品正面的溝槽底部完全被玻璃填滿,能夠?qū)N結(jié)起到更好的鈍化保護(hù)作用,使得芯片品質(zhì)有很好地保證。此外,對(duì)切割保護(hù)區(qū)的尺寸,在滿足機(jī)械切割工具可靠工作的同時(shí),避免了材料的浪費(fèi)。
文檔編號(hào)H01L23/00GK202585425SQ20122025960
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月4日
發(fā)明者汪良恩, 裘立強(qiáng), 王毅, 游佩武 申請(qǐng)人:揚(yáng)州杰利半導(dǎo)體有限公司
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