專(zhuān)利名稱(chēng)：基材包覆結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)于ー種包覆結(jié)構(gòu)，尤其是指ー種用于包覆光電元件的基材包覆結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體或發(fā)光二極管的后段制程中，晶片在制造完成之后會(huì)被粘貼到膜狀結(jié)構(gòu)上，再切割成多個(gè)晶粒，這些晶粒維持著貼附在膜狀結(jié)構(gòu)上的形式，接下來(lái)會(huì)被送入檢測(cè)設(shè)備之中。檢測(cè)設(shè)備將這些晶粒進(jìn)行檢驗(yàn)測(cè)試，并且依其等級(jí)做分類(lèi)，之后這些晶粒仍貼附于膜狀結(jié)構(gòu)上，以避免晶粒因滾動(dòng)而遷移或受損，并且會(huì)在膜狀結(jié)構(gòu)上貼附保護(hù)膜，以保護(hù)這些晶粒。然而，由于現(xiàn)有技術(shù)的保護(hù)膜會(huì)涂布化學(xué)物質(zhì)，以便讓保護(hù)膜與膜狀結(jié)構(gòu)進(jìn)行剝 離。然而，保護(hù)膜涂布化學(xué)物質(zhì)，會(huì)在覆蓋于這些晶粒上時(shí)，殘留化學(xué)物質(zhì)在這些晶粒上，而造成之后進(jìn)行的后段制程的良品率下降。因此，克服化學(xué)物質(zhì)殘留的問(wèn)題，將成為提升該制程良品率的重要原因。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種基材包覆結(jié)構(gòu)，以改善化學(xué)物質(zhì)殘留的問(wèn)題，因此改變保護(hù)膜的材料。由于保護(hù)膜上不另外涂布化學(xué)物質(zhì)，可減少化學(xué)物質(zhì)殘留的問(wèn)題，可有效提升后段制程的良品率。本實(shí)用新型提供一種基材包覆結(jié)構(gòu)，其包括一基材、一光電元件粘著層及至少ー絕緣層?；恼掣接诠怆娫持鴮由?，絕緣層接合于光電元件粘著層上，且絕緣層覆蓋基材。另外，絕緣層的面積大于光電元件粘著層的面積。在一實(shí)施例中，該基材為發(fā)光_■極管晶粒、監(jiān)寶石晶片、半導(dǎo)體晶片、單晶娃晶片、多晶硅晶片、太陽(yáng)能電池面板及芯片的其中ー種。在一實(shí)施例中，該光電兀件粘著層為膠膜本體、藍(lán)膜本體及UV膜本體的其中一種。在一實(shí)施例中，該絕緣層為聚こ烯本體、聚丙烯本體、聚氯こ烯本體、こ烯-醋酸こ烯脂共聚物本體、聚對(duì)苯ニ甲酸酯本體、聚こ烯醇本體、聚こ烯縮丁醛本體及甲基戊烯聚合物本體的其中ー種。在一實(shí)施例中，還包括在該絕緣層上涂布離型劑本體，該離型劑本體為硅硐離型劑本體及非硅硐離型劑本體的其中ー種。在一實(shí)施例中，還包括在該絕緣層上涂布離型劑本體，該離型劑本體為無(wú)溶劑形式，該離型劑本體為加熱硬化的離型劑本體及放射線硬化的離型劑本體的其中ー種。 在一實(shí)施例中，該絕緣層的表面形成凹陷區(qū)。本實(shí)用新型提供一種基材包覆結(jié)構(gòu)，其包括一基材、一光電元件粘著層、一離型層及ー抗靜電層?；恼掣接诠怆娫持鴮由?，離型層接合于光電元件粘著層上。抗靜電層通過(guò)離型層與光電元件粘著層接合，抗靜電層的面積大于光電元件粘著層的面積。在一實(shí)施例中，該光電兀件粘著層為膠膜本體、藍(lán)膜本體及UV膜本體的其中一種，該抗靜電層為離型紙本體。在一實(shí)施例中，該離型層以及該抗靜電層的表面為凹凸的形狀。綜上所述，本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)具有好的抗靜電及保護(hù)的功效，以及便于將絕緣層從光電元件粘著層上進(jìn)行剝離。并且，不會(huì)在發(fā)光二極管晶粒上產(chǎn)生殘留物，因此后段的封裝打線(Wire-bonding)的制程良品率可以提升。為更進(jìn)一歩了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅用以提供參考與說(shuō)明，并非用來(lái)對(duì)本實(shí)用新型加以限制。

·圖I為本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的片狀基材的立體示意圖。圖2為本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的塊狀基材的立體示意圖。圖3為本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的兩層絕緣層立體示意圖。圖4為本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的剖面示意圖。圖5為本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的立體示意圖。圖6為本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的剖面示意圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下基材包覆結(jié)構(gòu) I基材10光電元件粘著層20絕緣層30、31凹陷區(qū)32抗靜電層40離型層50
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖I及圖2所示，本實(shí)用新型提供一種基材包覆結(jié)構(gòu)1，其包括一基材10、一光電元件粘著層20及至少ー絕緣層30。首先，光電元件粘著層20具有粘性，可將基材10粘附于光電元件粘著層20上。如圖I所示，基材10可為片狀的形式，因此基材10可為藍(lán)寶石晶片、半導(dǎo)體晶片、單晶硅晶片、多晶硅晶片或太陽(yáng)能電池面板。如圖2所示，基材10可為塊狀的形式，因此基材10可為發(fā)光二極管晶粒或芯片，然而基材10的元件不以上述為限。另外，光電元件粘著層20可為膠膜本體、藍(lán)膜(Blue tape)本體或UV膜本體，然而光電元件粘著層20的材質(zhì)不以上述為限。在本實(shí)施例中是將發(fā)光二極管晶粒置于膠膜本體或藍(lán)膜本體上，通過(guò)膠膜本體或藍(lán)膜本體本身的粘性，將發(fā)光二極管晶粒粘附于膠膜本體或藍(lán)膜本體上。之后，再將絕緣層30覆蓋于光電元件粘著層20上，也即絕緣層30是接合于光電元件粘著層20上。并且，絕緣層30充分地覆蓋于基材10上，以達(dá)到保護(hù)基材10以及抗靜電的效果。其中，絕緣層30的面積大于光電元件粘著層20的面積，以方便將絕緣層30從光電元件粘著層20上進(jìn)行剝離。如圖3所示，絕緣層30，31也可設(shè)計(jì)為兩層結(jié)構(gòu)，也即于絕緣層30上可再増加絕緣層31而形成兩層結(jié)構(gòu)，達(dá)到更好的抗靜電及保護(hù)的功效。然而絕緣層30也可設(shè)計(jì)為多層結(jié)構(gòu)，并不限定絕緣層30的層數(shù)。其中，絕緣層30的材質(zhì)可為聚乙烯(Polyethylene)、聚丙烯(Polypropylene)、聚氯こ烯(PolyVinyl Chloride) >こ烯-醋酸こ烯脂共聚物(Ethylene Vinyl Acetate)、聚對(duì)苯ニ甲酸酯(PolyethyleneTerephthalate)、聚こ烯醇(Polyvinyl alcohol)、聚こ烯醇縮丁醒(Polyvinyl butyral)或甲基戊烯聚合物(TPX)，然而絕緣層30的材質(zhì)不以上述為限。除此之外，可在絕緣層30上選擇性地涂布離型劑本體，離型劑本體可為硅硐(silicone)離型劑本體或非硅硐離型劑本體。或是離型劑本體為ー種無(wú)溶劑形式，其可為加熱硬化的離型劑本體或放射線硬化的離型劑本體，加熱硬化的離型劑本體可經(jīng)由加熱而產(chǎn)生硬化的效果，放射線硬化的離型劑本體可經(jīng)由紫外光照射而產(chǎn)生硬化的效果。另外，將放射線硬化的離型劑本體涂布于絕緣層30上，可方便用于觀察晶粒。并且使用放射性硬 化的方式，不會(huì)有離型劑遷移(migration)且殘留于晶粒上的問(wèn)題，因此后段的封裝打線(Wire-bonding)的制程良品率可以提升。請(qǐng)參考圖4所示，絕緣層30的表面亦可形成凹陷區(qū)32，凹陷區(qū)32將于該絕緣層30的表面形成紋路，其目的在于減少與光電元件粘著層20接觸的面積，以便于將絕緣層30從光電元件粘著層20上進(jìn)行剝離。且粘合時(shí)所產(chǎn)生的氣泡，氣體可從凹陷區(qū)32中排出，以維持絕緣層30的平整性。請(qǐng)參考圖5所示，本實(shí)用新型另提供一種基材包覆結(jié)構(gòu)1，其包括一基材10、一光電兀件粘著層20、一離型層50及ー抗靜電層40。首先，光電元件粘著層20具有粘性，可將基材10粘附于光電元件粘著層20上。然而基材10可為片狀或塊狀的形式，因此基材10可為發(fā)光二極管晶粒、藍(lán)寶石晶片、半導(dǎo)體晶片、單晶硅晶片、多晶硅晶片、太陽(yáng)能電池面板或芯片，然而基材10的元件不以上述為限。另外，光電元件粘著層20可為膠膜本體、藍(lán)膜本體或UV膜本體，然而光電元件粘著層20的材質(zhì)不以上述為限。在本實(shí)施例中是將發(fā)光二極管晶粒置于膠膜或藍(lán)膜上，通過(guò)膠膜或藍(lán)膜本身的粘性，將發(fā)光二極管晶粒粘附于膠膜或藍(lán)膜上。此后，再將離型層50及抗靜電層40覆蓋于光電元件粘著層20上，也即離型層50接合于光電元件粘著層20上，因此抗靜電層40通過(guò)離型層50與光電元件粘著層20進(jìn)行接合，并且抗靜電層40的面積大于光電元件粘著層20的面積，方便將抗靜電層40從光電元件粘著層20上進(jìn)行剝離。其中，抗靜電層40為離型紙本體。請(qǐng)參考圖6所示，離型層50以及抗靜電層40的表面可為凹凸的形狀，其目的在于減少與光電元件粘著層20接觸的面積，以便于將抗靜電層40及離型層50從光電元件粘著層20上進(jìn)行剝離。且粘合時(shí)所產(chǎn)生的氣泡，氣體可從凹凸的形狀中排出，以維持抗靜電層40的平整性。綜上所述，本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)具有好的抗靜電及保護(hù)的功效，以及方便將絕緣層從光電元件粘著層上進(jìn)行剝離。并且，不會(huì)產(chǎn)生殘留物于發(fā)光二極管晶粒上，因此后段的封裝打線(Wire-bonding)的制程良品率可以提升。但是以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，非意欲局限本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù) 范圍，故舉凡運(yùn)用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所做的等效變化，同理皆包含于本實(shí)用新型的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)，合予陳明。
權(quán)利要求1.一種基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基材；一光電元件粘著層，該基材粘附于該光電元件粘著層上；以及至少一絕緣層，其接合于該光電元件粘著層，且該絕緣層覆蓋該基材，該絕緣層的面積大于該光電元件粘著層的面積。
2.如權(quán)利要求I所述的基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基材為發(fā)光二極管晶粒、藍(lán)寶石晶片、半導(dǎo)體晶片、單晶硅晶片、多晶硅晶片、太陽(yáng)能電池面板及芯片的其中一種。
3.如權(quán)利要求I所述的基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，該光電元件粘著層為膠膜本體、藍(lán)膜本體及UV膜本體的其中一種。
4.如權(quán)利要求I所述的基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層為聚乙烯本體、聚丙烯本 體、聚氯乙烯本體、乙烯-醋酸乙烯脂共聚物本體、聚對(duì)苯二甲酸酯本體、聚乙烯醇本體、聚乙烯醇縮丁醛本體及甲基戊烯聚合物本體的其中一種。
5.如權(quán)利要求I所述的基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括在該絕緣層上涂布離型劑本體，該離型劑本體為硅硐離型劑本體及非硅硐離型劑本體的其中一種。
6.如權(quán)利要求I所述的基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括在該絕緣層上涂布離型劑本體，該離型劑本體為無(wú)溶劑形式，該離型劑本體為加熱硬化的離型劑本體及放射線硬化的離型劑本體的其中一種。
7.如權(quán)利要求I所述的基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層的表面形成凹陷區(qū)。
8.一種基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基材；一光電元件粘著層，該基材粘附于該光電元件粘著層上；一離型層，其接合于該光電元件粘著層；以及一抗靜電層，其通過(guò)該離型層與該光電兀件粘著層接合，該抗靜電層的面積大于該光電元件粘著層的面積。
9.如權(quán)利要求8所述的基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，該光電元件粘著層為膠膜本體、藍(lán)膜本體及UV膜本體的其中一種，該抗靜電層為離型紙本體。
10.如權(quán)利要求8所述的基材包覆結(jié)構(gòu)，其特征在于，該離型層以及該抗靜電層的表面為凹凸的形狀。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種基材包覆結(jié)構(gòu)，其包括一基材、一光電元件粘著層及至少一絕緣層?；恼掣接诠怆娫持鴮由?，絕緣層接合于光電元件粘著層上，且絕緣層覆蓋基材。另外，絕緣層的面積是大于光電元件粘著層的面積。本實(shí)用新型的基材包覆結(jié)構(gòu)具有好的抗靜電及保護(hù)的功效，以及便于將絕緣層從光電元件粘著層上進(jìn)行剝離。并且，不會(huì)在發(fā)光二極管晶粒上產(chǎn)生殘留物，因此可以提升后段的封裝打線(Wire-bonding)的制程良品率。
文檔編號(hào)H01L21/683GK202633263SQ201220262740
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月5日
發(fā)明者汪秉龍, 張正光, 劉華湘, 蕭漢璁, 陳裕旺 申請(qǐng)人:久元電子股份有限公司