專利名稱：反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽。
背景技術(shù)：
目前，在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，晶圓經(jīng)常在反應(yīng)槽內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)。如圖I所示，通常，現(xiàn)有的反應(yīng)槽包括槽體110和設(shè)于所述槽體110內(nèi)部的支撐若干晶圓100的晶圓支撐機(jī)構(gòu)120，所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)120包括三根晶圓托架，所述三根晶圓托架位于晶圓的下方并呈與晶圓的周緣相匹配的圓弧形分布。當(dāng)晶圓100在反應(yīng)腔室的反應(yīng)槽內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)時(shí)，由于反應(yīng)槽內(nèi)時(shí)常有反應(yīng)氣體流·動(dòng)，尤其當(dāng)反應(yīng)氣體由下至上流動(dòng)時(shí)，由于晶圓100僅有三個(gè)晶圓托架托住晶圓100的下方，因此，向上流動(dòng)的反應(yīng)氣體非常容易帶動(dòng)晶圓100竄動(dòng)，使得晶圓100和晶圓托架發(fā)生碰撞。當(dāng)晶圓100和晶圓托架之間頻繁碰撞時(shí)，一方面容易導(dǎo)致晶圓100碰碎，產(chǎn)生大量的晶圓碎片，另一方面，晶圓100和晶圓托架間的碰擦容易產(chǎn)生大量的顆粒物質(zhì)，這些顆粒物質(zhì)粘附到晶圓100上會(huì)嚴(yán)重影響晶圓100的品質(zhì)，降低產(chǎn)品良率。當(dāng)槽體110的的底部積聚有晶圓碎片等其他雜質(zhì)，將后續(xù)批次的晶圓100放入晶圓支撐機(jī)構(gòu)120時(shí)，這個(gè)晶圓碎片容易劃傷后續(xù)批次的晶圓100，甚至?xí)捎诰A碎片占用了晶圓托架上的卡槽的位置，使得后續(xù)批次的晶圓100無法放置到安全、穩(wěn)定的位置，造成后續(xù)批次的晶圓100的倒坍，使得晶圓100遭到嚴(yán)重破壞，降低產(chǎn)品良率。因此，如何提供一種可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)槽體的底部狀況的在反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)槽體的底部狀況，以避免晶圓碎片對(duì)晶圓的影響。為了達(dá)到上述的目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，包括探測(cè)器和控制單元，所述探測(cè)器和所述控制單元連接，所述探測(cè)器設(shè)置于所述槽體的底部。優(yōu)選的，在上述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置中，所述探測(cè)器包括一對(duì)激光傳感器，所述激光傳感器相對(duì)設(shè)置于所述槽體的底部?jī)?nèi)側(cè)兩端。優(yōu)選的，在上述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置中，所述反應(yīng)槽內(nèi)部設(shè)有晶圓放置機(jī)構(gòu)，所述激光傳感器位于所述晶圓放置機(jī)構(gòu)的兩側(cè)。優(yōu)選的，在上述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置中，所述探測(cè)器還包括一電容傳感器，所述電容傳感器設(shè)置于所述槽體的底部外側(cè)。優(yōu)選的，在上述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置中，所述電容傳感器是長(zhǎng)條狀的。優(yōu)選的，在上述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置中，所述激光傳感器和所述電容傳感器通過或門控制器與所述控制單元連接。[0014]優(yōu)選的，在上述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置中，所述槽體的底部具有大于90度小于180度的夾角。優(yōu)選的，在上述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置中，所述槽體的底部具有120-150度的夾角。本實(shí)用新型還公開了一種反應(yīng)槽，包括槽體和如上所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置。本實(shí)用新型提供的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽設(shè)置了探測(cè)器和控制單元，所述探測(cè)器和所述控制單元連接，所述探測(cè)器設(shè)置于所述槽體的底部，采用探測(cè)器可以探測(cè)到位于槽體的底部的晶圓碎片，并將探測(cè)信息傳遞給控制器，使得操作人員及時(shí)知曉槽體的底部存在晶圓碎片，以便及時(shí)清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對(duì)后續(xù)批次的晶圓生產(chǎn)帶來不良影響，確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。

本實(shí)用新型的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽由以下的實(shí)施例及附圖給出。圖I為現(xiàn)有的反應(yīng)槽的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例的反應(yīng)槽的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例的反應(yīng)槽的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，100-晶圓，110、210_槽體，2101-底部，120、220-晶圓支撐機(jī)構(gòu)，230-激光傳感器，240-電容傳感器，250-控制單元，260-或門控制器。
具體實(shí)施方式
以下將對(duì)本實(shí)用新型的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。下面將參照附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須作出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。為使本實(shí)用新型的目的、特征更明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說明。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。請(qǐng)參閱圖2和圖3，本實(shí)施例提供的反應(yīng)槽，包括槽體210和反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置。所述反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，包括探測(cè)器和控制單元250，所述探測(cè)器和所述控制單元250連接，所述探測(cè)器設(shè)置于所述槽體210的底部2101。采用探測(cè)器可以探測(cè)到位于槽體210的底部2101的晶圓碎片，并將探測(cè)信息傳遞給控制器，使得操作人員及時(shí)知曉槽體210的底部2101存在晶圓碎片，以便及時(shí)清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對(duì)后續(xù)批次的晶圓生產(chǎn)帶來不良影響，確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。[0028]較佳的，在本實(shí)施例中，所述探測(cè)器包括一對(duì)激光傳感器230，所述激光傳感器230相對(duì)設(shè)置于所述槽體210的底部2101內(nèi)側(cè)兩端，具體的所述激光傳感器230位于所述晶圓放置機(jī)構(gòu)的兩側(cè)。當(dāng)其中一個(gè)激光傳感器230接收不到相對(duì)的激光傳感器230發(fā)出的激光時(shí)，說明有晶圓碎片存在擋在了激光的傳輸，此時(shí)，激光傳感器230向控制單元250發(fā)送報(bào)警信息。較佳的，在本實(shí)施例中，所述探測(cè)器還包括一電容傳感器240，所述電容傳感器240設(shè)置于所述槽體210的底部2101外側(cè)。所述電容傳感器240可以監(jiān)測(cè)到位于上方的反應(yīng)槽的槽體210的底部2101是否具有晶圓碎片，即該電容傳感器可以感知位于其上方的反應(yīng)槽的槽體210內(nèi)的物質(zhì)變化，一旦槽體210的底部2101有晶圓碎片，該電容傳感器可以感知，并向控制單元250發(fā)送報(bào)警信息。較佳的，在本實(shí)施例中，所述電容傳感器240是長(zhǎng)條狀的，所述電容傳感器240的長(zhǎng)度與所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)220的長(zhǎng)度相匹配且對(duì)應(yīng)設(shè)置。從而，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)槽的槽體210的底部2101的全面監(jiān)測(cè)，防止晶圓碎片影響位于晶圓支撐機(jī)構(gòu)220上的晶圓。
較佳的，在本實(shí)施例中，所述激光傳感器230和所述電容傳感器240通過或門控制器260與所述控制單元250連接。無論激光傳感器230還是電容傳感器240，只要監(jiān)測(cè)到晶圓碎片的存在就想控制單元250發(fā)送報(bào)警信息，從而使得監(jiān)測(cè)更加全面，防止晶圓碎片殘留而影響晶圓。較佳的，所述槽體210的底部2101具有大于90度小于180度的夾角。更佳的，在本實(shí)施例中，所述槽體210的底部2101具有120-150度的夾角。通過將槽體210的底部2101從原先的平底設(shè)置成具有一定夾角的底部2101，可以使得晶圓碎片盡可能的離開晶圓支撐機(jī)構(gòu)220，進(jìn)一步防止晶圓碎片影響晶圓支撐機(jī)構(gòu)220上的晶圓，確保晶圓安全穩(wěn)定的進(jìn)行制程反應(yīng)，提聞廣品良率。綜上所述，本實(shí)用新型提供的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽，通過設(shè)置探測(cè)器和控制單元250，所述探測(cè)器和所述控制單元250連接，所述探測(cè)器設(shè)置于所述槽體210的底部2101，采用探測(cè)器可以探測(cè)到位于槽體210的底部2101的晶圓碎片，并將探測(cè)信息傳遞給控制器，使得操作人員及時(shí)知曉槽體210的底部2101存在晶圓碎片，以便及時(shí)清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對(duì)后續(xù)批次的晶圓生產(chǎn)帶來不良影響，確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。綜上所述，本實(shí)用新型提供的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽，通過設(shè)置探測(cè)器和控制單元，所述探測(cè)器和所述控制單元連接，所述探測(cè)器設(shè)置于所述槽體的底部，采用探測(cè)器可以探測(cè)到位于槽體的底部的晶圓碎片，并將探測(cè)信息傳遞給控制器，使得操作人員及時(shí)知曉槽體的底部存在晶圓碎片，以便及時(shí)清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對(duì)后續(xù)批次的晶圓生產(chǎn)帶來不良影響，確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，用于監(jiān)測(cè)反應(yīng)槽的槽體的底部是否具有晶圓碎片，其特征在于，包括探測(cè)器和控制單元，所述探測(cè)器和所述控制單元連接，所述探測(cè)器設(shè)置于所述槽體的底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述探測(cè)器包括一對(duì)激光傳感器，所述激光傳感器相對(duì)設(shè)置于所述槽體的底部?jī)?nèi)側(cè)兩端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述反應(yīng)槽內(nèi)部設(shè)有晶圓支撐機(jī)構(gòu)，所述激光傳感器位于所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)的兩側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述探測(cè)器還包括一電容傳感器，所述電容傳感器設(shè)置于所述槽體的底部外側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述電容傳感器是長(zhǎng)條狀的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述激光傳感器和所述電容傳感器通過或門控制器與所述控制單元連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述槽體的底部具有大于90度小于180度的夾角。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述槽體的底部具有120-150度的夾角。
9.一種反應(yīng)槽,包括槽體,其特征在于,還包括如權(quán)利要求I、中任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置，用于監(jiān)測(cè)反應(yīng)槽的槽體的底部是否具有晶圓碎片，其特征在于，包括探測(cè)器和控制單元，所述探測(cè)器和所述控制單元連接，所述探測(cè)器設(shè)置于所述槽體的底部。本實(shí)用新型提供的反應(yīng)槽底部監(jiān)測(cè)裝置及反應(yīng)槽，通過設(shè)置探測(cè)器和控制單元，所述探測(cè)器和所述控制單元連接，所述探測(cè)器設(shè)置于所述槽體的底部，采用探測(cè)器可以探測(cè)到位于槽體的底部的晶圓碎片，并將探測(cè)信息傳遞給控制器，使得操作人員及時(shí)知曉槽體的底部存在晶圓碎片，以便及時(shí)清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對(duì)后續(xù)批次的晶圓生產(chǎn)帶來不良影響，確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。
文檔編號(hào)H01L21/66GK202601582SQ201220263118
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月5日
發(fā)明者吳良輝, 胡婷芳 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司, 武漢新芯集成電路制造有限公司