專利名稱：一種高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及硅太陽(yáng)能電池，特別是指一種高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
光伏行業(yè)的相關(guān)技術(shù)人員為了提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率，在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上做了大量的技術(shù)創(chuàng)新及改進(jìn)，例如已經(jīng)研發(fā)出一種結(jié)構(gòu)包括表層、緩沖層、含至少一個(gè)P-N結(jié)的光吸收區(qū)、過(guò)渡層、P或N型區(qū)的集電柵和電極的非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。這是一種受光面可以得到充分利用的結(jié)構(gòu)，同時(shí)由于底部P-N結(jié)的集柵型排布，增加了 P-N結(jié)的有效長(zhǎng)度，從而提高了薄膜太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化率，然而其結(jié)構(gòu)過(guò)于復(fù)雜，重復(fù)性不好；另一種利用N型晶體硅制成的單面電極太陽(yáng)能電池，具有合理的結(jié)構(gòu)，較高的轉(zhuǎn)化效率，遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于常規(guī)晶硅太陽(yáng)能電池。然而由于硅片的脆性，考慮到產(chǎn)品的良率，在大規(guī)模生產(chǎn)中也不容易達(dá)到最理想的結(jié)構(gòu)尺寸?！ぐl(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述已有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供了一種不易向薄膜中擴(kuò)散雜質(zhì)且能增加轉(zhuǎn)化率的高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題采取的技術(shù)方案是一種高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池包括透明襯底、N型多晶硅薄膜、上電極、背電極和鈍化層，N型多晶硅薄膜上制有P-n結(jié)，透明襯底設(shè)在背電極上，透明襯底上設(shè)有鈍化層，在上電極和N型多晶硅薄膜之間設(shè)有N+摻雜層。由于N型多晶娃薄膜中光生載流子壽命較長(zhǎng),故選擇N型多晶娃薄膜。進(jìn)一步地，所述的N型多晶硅薄膜的厚度是I微米-40微米，最優(yōu)值為3 O微米；透明襯底上還設(shè)有用于增加透光率的絨面層，可通過(guò)控制鍍膜工藝在薄膜表面生成絨面層。本實(shí)用新型具有以下有益效果本實(shí)用新型在晶硅薄膜的膜面使用鈍化層，可以阻擋襯底材料向多晶硅薄膜擴(kuò)散，鈍化多晶硅薄膜表面的化學(xué)活性，減小載流子在薄膜表面的復(fù)合率，從而增加轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)由于避免了使用易碎的晶硅而降低了使用材料的厚度，在節(jié)省了材料和提高光電轉(zhuǎn)化效率的同時(shí)也降低了生產(chǎn)的難度，易于形成大規(guī)模生產(chǎn)。

圖I是本實(shí)用新型所述的一種高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池整體結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中分述標(biāo)記如下1、透明襯底，1-1、絨面層，2、N型多晶硅薄膜，3、上電極，4、背電極，5、鈍化層,6、N+摻雜層。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖I對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。該附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。如圖I所示的一種高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，包括透明襯底I、N型多晶硅薄膜2、上電極3、背電極4和鈍化層5，N型多晶硅薄膜2上制有p-n結(jié)，透明襯底I設(shè)在背電極4上，透明襯底I上設(shè)有鈍化層5，在上電極3和N型多晶硅薄膜2之間設(shè)有N+摻雜層6。在晶硅薄膜的膜面使用鈍化層，可以阻擋襯底材料向多晶硅薄膜擴(kuò)散，鈍化多晶硅薄膜表面的化學(xué)活性，減小載流子在薄膜表面的復(fù)合率，從而增加轉(zhuǎn)換效率。采用的N型多晶硅薄膜2的厚度為I微米-40微米；透明襯底I上還設(shè)有用于增加透光率的絨面層1-1?？赏ㄟ^(guò)控制鍍膜工藝在薄膜表面生成絨面層。以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容，相關(guān)工作人 員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求1.一種高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于包括透明襯底(I)、N型多晶硅薄膜(2)、上電極(3)、背電極(4)和鈍化層(5)，N型多晶硅薄膜⑵上制有p-n結(jié)，透明襯底⑴設(shè)在背電極⑷上，透明襯底⑴上設(shè)有鈍化層(5)，在上電極(3)和N型多晶硅薄膜⑵之間設(shè)有N+摻雜層(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于所述N型多晶硅薄膜(2)的厚度是I微米-40微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于所述的透明襯底(I)上還設(shè)有用于增加透光率的絨面層(1-1)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高轉(zhuǎn)化率多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。該太陽(yáng)能電池解決了目前電池易向薄膜中擴(kuò)散雜質(zhì)且轉(zhuǎn)化率降低的問(wèn)題。所述的多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池包括透明襯底、N型多晶硅薄膜、上電極、背電極和鈍化層，N型多晶硅薄膜上制有p-n結(jié)，透明襯底設(shè)在背電極上，透明襯底上設(shè)有鈍化層，在上電極和N型多晶硅薄膜之間設(shè)有N+摻雜層。本實(shí)用新型在晶硅薄膜的膜面使用鈍化層，可以阻擋襯底材料向多晶硅薄膜擴(kuò)散，鈍化多晶硅薄膜表面的化學(xué)活性，減小載流子在薄膜表面的復(fù)合率，從而增加轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)H01L31/0368GK202678330SQ201220281200
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月14日
發(fā)明者王桂奮, 謝德兵, 王迎春 申請(qǐng)人:金壇正信光伏電子有限公司