專利名稱：超快恢復(fù)外延二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二極管，尤其是一種超快恢復(fù)外延二極管。
背景技術(shù)：
目前市場(chǎng)上要實(shí)現(xiàn)同種功能的產(chǎn)品都只能采用多個(gè)單相交流開關(guān)相互連接的方式，這種結(jié)構(gòu)一方面體積較大，占用空間大，安裝復(fù)雜，而且相互干擾易產(chǎn)生較多次的諧波，嚴(yán)重影響產(chǎn)品使用，可靠性也不是很高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種體積小巧，安全可靠的超快恢復(fù)外延·
二極管。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種超快恢復(fù)外延二極管，包括封裝外殼以及嵌入外殼內(nèi)的DCB板，所述的DCB板上直接設(shè)置有兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片，所述的芯片通過邦定絲連接形成兩個(gè)獨(dú)立的電路，其功能端通過鍍金銅針引出。本實(shí)用新型所述的外殼兩端設(shè)置有安裝孔。本實(shí)用新型的有益效果是，解決了背景技術(shù)中存在的缺陷，產(chǎn)品熱阻低，損耗小，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，周期短，適合大批量生產(chǎn)。
以下結(jié)合附圖
和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。圖I是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型芯片的連接電路圖；圖中1、外殼；2、DCB板；3、邦定絲；4、快恢復(fù)二極管芯片；5、鍍金銅針；6、安裝孔。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。如圖I所示的一種超快恢復(fù)外延二極管，包括封裝外殼I以及嵌入外殼內(nèi)的DCB板2，所述的DCB板上直接設(shè)置有兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片4，所述的芯片通過邦定絲3連接形成兩個(gè)獨(dú)立的電路，其功能端通過鍍金銅針5引出。本實(shí)用新型所述的外殼兩端設(shè)置有安裝孔6。使用時(shí)，通過模塊兩端的安裝孔6將模塊緊密安裝在散熱器上，用戶可以采用焊接軟引線的方式焊接模塊的功能端，也可以采用線路板方式焊接模塊的功能端。以上說明書中描述的只是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，各種舉例說明不對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對(duì)以前所述的具體實(shí)施方式
做修改或變形，而不背離實(shí)用 新型的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.一種超快恢復(fù)外延二極管,包括封裝外殼以及嵌入外殼內(nèi)的DCB板,其特征在于所述的DCB板上直接設(shè)置有兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片，所述的芯片通過邦定絲連接形成兩個(gè)獨(dú)立的電路，其功能端通過鍍金銅針引出。
2.如權(quán)利要求I所述的超快恢復(fù)外延二極管，其特征在于所述的外殼兩端設(shè)置有安裝孔。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種超快恢復(fù)外延二極管，包括封裝外殼以及嵌入外殼內(nèi)的DCB板，所述的DCB板上直接設(shè)置有兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片，所述的芯片通過邦定絲連接形成兩個(gè)獨(dú)立的電路，其功能端通過鍍金銅針引出。本實(shí)用新型產(chǎn)品熱阻低，損耗小，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，周期短，適合大批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/48GK202695429SQ201220314748
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月30日
發(fā)明者沈富德 申請(qǐng)人:江蘇矽萊克電子科技有限公司