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多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:7126167閱讀:395來源:國知局
專利名稱:多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種普通電力整流管芯片,具體是一種多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
整流管是一種將交流電轉(zhuǎn)化為單一方向的脈動直流電的半導(dǎo)體器件。整流二極管具有單向?qū)щ娦裕诠ぷ麟娐分谐3@盟膯蜗驅(qū)щ娦?,對電路起到整流保護作用。整流二極管內(nèi)的芯片可用鍺或硅等半導(dǎo)體材料制造。電力整流管器件的芯片結(jié)面積較大,可通過較大電流(可達(dá)上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。傳統(tǒng)普通電力整流二極管的芯片結(jié)構(gòu)多為焊接式制造模式。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種新型結(jié)構(gòu)的電力整流二極管芯片結(jié)構(gòu),由于芯片結(jié)構(gòu)的改進(jìn),使二極管工作性能得到提高與改善。本實用新型采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題的一種多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu),包括單晶硅片、鑰片、鋁箔和鋁膜,整流管芯片結(jié)構(gòu)從下至上依次為鑰片、鋁箔、單晶娃片、招月旲。本實用新型的優(yōu)點在于由于結(jié)構(gòu)的改進(jìn),有效解決了電力整流管芯片的熱疲勞問題。整流管芯片漏電小、通態(tài)壓降小,性能良好。

圖I是本實用新型多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu)的剖視圖。
具體實施方式
請參閱圖I所示,本實用新型多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu)包括鑰片I、鋁箔2、 單晶硅片3,以及鋁膜4。多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu)從下至上依次為鑰片I、鋁箔2、單晶硅片3、鋁膜4。單晶硅片3是制作半導(dǎo)體元件的主要材料。鑰片I具有高強度,內(nèi)部組織均勻和優(yōu)良的抗高溫蠕變性能。用于整流管芯片結(jié)構(gòu)中,使整流管芯片具有良好的承載機械壓力的能力和熱傳導(dǎo)性。并且本實用新型結(jié)構(gòu)中的鋁箔2及鋁膜4具有鋁的良好的導(dǎo)電性能,使單晶硅片3和鑰片I及鋁膜具有良好的歐姆接觸,有利于后道封裝的焊接作業(yè)。以上所述僅為本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明創(chuàng)造,凡在本發(fā)明創(chuàng)造的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu),其特征在于包括單晶硅片、鑰片、鋁箔和鋁膜,整流管芯片結(jié)構(gòu)從下至上依次為鑰片、鋁箔、單晶硅片、鋁膜。
專利摘要本實用新型提供一種多層壓接式電力整流管芯片結(jié)構(gòu),包括單晶硅片、鉬片、鋁箔和鋁膜。芯片多層結(jié)構(gòu)從下至上依次為鉬片、鋁箔、單晶硅片、鋁膜。本實用新型的優(yōu)點在于取代了電力整流管芯片傳統(tǒng)的焊接式結(jié)構(gòu),并且由于壓接式多層結(jié)構(gòu)的存在,有效解決了電力整流管芯片的熱疲勞問題。整流管芯片漏電小、通態(tài)壓降小,性能良好。
文檔編號H01L29/45GK202721132SQ201220365620
公開日2013年2月6日 申請日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月26日
發(fā)明者戴立新 申請人:黃山市七七七電子有限公司
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