專利名稱：Tft-lcd陣列基板及其構(gòu)成的液晶面板、顯示裝置和顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
TFT-LCD陣列基板及其構(gòu)成的液晶面板、顯示裝置和顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種薄膜晶體管-液晶顯示器 (TFT-LCD)陣列基板及其構(gòu)成的液晶面板、顯示裝置和顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
[0002]目前，TFT-1XD陣列基板的柵極掃描線和信號(hào)掃描線是相互交錯(cuò)的，二者通過(guò)絕緣層和有源層隔離。一般來(lái)講，在TFT-LCD陣列基板結(jié)構(gòu)中，信號(hào)流向是驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加到柵極掃描線上，圖像數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)信號(hào)掃描線施加到像素電極上。但是，由于所述柵極掃描線和信號(hào)掃描線相互距離較近，容易引起電容效應(yīng)，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，往往會(huì)在兩線交錯(cuò)位置處發(fā)生信號(hào)掃描線斷路，以致造成亮線等不良現(xiàn)象。因此，在信號(hào)掃描線和柵極掃描線交錯(cuò)位置亟需一種簡(jiǎn)單易行的預(yù)防措施，以減少造成亮線等這類不良現(xiàn)象的發(fā)生
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種TFT-1XD陣列基板及其構(gòu)成的液晶面板、顯示裝置和顯示設(shè)備，以預(yù)防信號(hào)掃描線斷路。[0004]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的[0005]本實(shí)用新型一方面提供一種TFT-LCD陣列基板，包括玻璃基板；分布于所述玻璃基板上TFT陣列和信號(hào)掃描線；在所述TFT陣列中的柵極掃描線與所述信號(hào)掃描線交錯(cuò)位置處，在所述信號(hào)掃描線上形成有兩個(gè)PVX側(cè)孔、以及將所述兩個(gè)PVX側(cè)孔連接形成的ITO 引線。[0006]進(jìn)一步的，所述ITO引線由兩個(gè)PVX側(cè)孔通過(guò)ITO連接形成。[0007]進(jìn)一步的，所述ITO引線為在所述信號(hào)掃描線斷路時(shí)，用于導(dǎo)通電流的ΓΓ0引線。[0008]進(jìn)一步的，所述TFT陣列中的柵極掃描線、柵電極形成于所述玻璃基板底層。該 TFT-1XD陣列基板上還包括柵絕緣層，形成于所述柵極掃描線和柵電極之上，并將所述柵極掃描線和柵電極覆蓋；有源層，形成于所述柵絕緣層上，并位于所述柵電極之上；TFT溝道圖形，形成于所述有源層上。該TFT-LCD陣列基板上進(jìn)一步包括鈍化保護(hù)層，形成于所述TFT溝道圖形上；ΙΤ0像素電極，形成于所述鈍化保護(hù)層上。[0009]本實(shí)用新型另一方面提供一種液晶面板，包括彩膜基板和上述陣列基板。本實(shí)用新型另一方面提供一種顯示裝置，采用該液晶面板。[0010]本實(shí)用新型最后提供一種顯示設(shè)備，采用上述的陣列基板。[0011]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)勢(shì)[0012]本實(shí)用新型實(shí)施例涉及一種TFT-1XD陣列基板及其構(gòu)成的液晶面板、顯示裝置和顯示設(shè)備，所述TFT-LCD陣列基板的創(chuàng)新之處在于采用雙通道的結(jié)構(gòu)，以防止在柵極掃描線和信號(hào)掃描線交錯(cuò)的位置處發(fā)生斷路；而且，所述TFT-LCD陣列基板的形成不需要在現(xiàn)有工藝基礎(chǔ)上另行增加掩膜板曝光工藝的數(shù)量。[0013]進(jìn)一步來(lái)講，本實(shí)用新型實(shí)施例針對(duì)在TFT-LCD陣列基板中，柵極掃描線與信號(hào)掃描線交錯(cuò)位置處信號(hào)掃描線發(fā)生斷路的現(xiàn)象，設(shè)計(jì)了一種TFT-1XD陣列基板。該TFT-1XD陣列基板的優(yōu)勢(shì)在于在形成鈍化保護(hù)層的同時(shí)，利用光刻技術(shù)在信號(hào)掃描線上方與柵極掃描線交錯(cuò)位置的兩側(cè)形成鈍化層側(cè)孔，最后在形成氧化銦錫(ITO)像素電極層時(shí)，再利用掩膜板曝光和刻蝕，使得ITO將上述兩個(gè)PVX側(cè)孔連接。當(dāng)下層的信號(hào)掃描線正常時(shí)，電流可以同時(shí)由信號(hào)掃描線和ITO引線通過(guò)；而當(dāng)下層的信號(hào)掃描線被擊穿斷路時(shí)，電流則可以由ITO形成的ITO引線通過(guò)。由此可見(jiàn)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的TFT-1XD陣列基板，能夠有效防止柵極掃描線與信號(hào)掃描線交錯(cuò)位置的信號(hào)掃描線斷路。也就是說(shuō)，即使下層的信號(hào)掃描線金屬被擊穿，電子也能由ITO形成的通道通過(guò)，從而降低了亮線等不良現(xiàn)象的發(fā)生。

圖1為依次在玻璃基板上形成的柵極掃描線、信號(hào) 掃描線、源電極和漏電極的示意圖；圖2為鈍化層過(guò)孔及鈍化層(PVX)側(cè)孔的示意圖；圖3為PVX側(cè)孔及將其連接形成的ITO引線的示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明I——柵極掃描線2——信號(hào)掃描線3——源電極4——漏電極5——PVX過(guò)孔6——PVX側(cè)孔9——ITO像素電極10——ITO引線
具體實(shí)施方式
針對(duì)TFT-LCD陣列基板結(jié)構(gòu)中，柵極掃描線與信號(hào)掃描線交錯(cuò)位置處信號(hào)掃描線發(fā)生斷路的現(xiàn)象，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種TFT-LCD陣列基板及其構(gòu)成的液晶面板和顯示裝置，該TFT-LCD陣列基板通過(guò)采用雙通道的結(jié)構(gòu)，能夠防止在柵極掃描線和信號(hào)掃描線的交錯(cuò)位置處發(fā)生斷路。下面結(jié)合圖1至圖3，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的TFT-1XD陣列基板的結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步說(shuō)明。本實(shí)施例中，該TFT-LCD陣列基板包括玻璃基板，以及分布于所述玻璃基板的TFT陣列和信號(hào)掃描線2，其中，在該TFT陣列中的柵極掃描線I與信號(hào)掃描線2交錯(cuò)位置處，在信號(hào)掃描線2上形成有兩個(gè)PVX側(cè)孔6、以及由兩個(gè)PVX側(cè)孔6連接形成的ITO引線10，如圖3所示。本實(shí)施例中，PVX側(cè)孔6和ITO引線10的形成過(guò)程如下如圖1至3所示，在玻璃基板上形成有TFT-1XD陣列的柵極掃描線1，柵極掃描線I上形成有柵絕緣層，在柵絕緣層上形成有信號(hào)掃描線2 ;在信號(hào)掃描線2上與柵極掃描線I交錯(cuò)位置的兩側(cè)，通過(guò)在玻璃基板上形成鈍化保護(hù)層，并利用光刻技術(shù)形成PVX側(cè)孔6，繼而沉積ITO薄膜層，再利用掩膜板曝光和刻蝕工藝形成ITO引線10，即該ITO引線10將兩個(gè)PVX側(cè)孔6連接，形成如圖3所示的PVX側(cè)孔6及ITO引線10的圖案。在另一優(yōu)選實(shí)施例中，TFT-1XD陣列基板包括玻璃基板，以及分布于所述玻璃基板的TFT陣列和信號(hào)掃描線2，其中，在該TFT陣列中的柵極掃描線I與信號(hào)掃描線2交錯(cuò)位置處，在信號(hào)掃描線2上形成有兩個(gè)PVX側(cè)孔6、以及由兩個(gè)PVX側(cè)孔6通過(guò)ITO連接形成的ITO引線10。所述ITO引線為在所述信號(hào)掃描線斷路時(shí)，用于導(dǎo)通電流的ITO引線。[0028]其中，TFT陣列中的柵極掃描線I及柵電極形成于所述玻璃基板底層；并且，在柵極掃描線I和所述柵電極之上形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋柵極掃描線I和所述柵電極。在玻璃基板上連續(xù)沉積柵絕緣層(SiNx)、半導(dǎo)體層(a-Si)、摻雜半導(dǎo)體層(n+a-Si)， 通過(guò)光刻和刻蝕工藝在所述柵電極之上形成有源層圖案，所述有源層位于所述柵絕緣層之上，并位于所述柵電極之上。有源層形成后，在玻璃基板上沉積源漏金屬薄膜，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝形成信號(hào)掃描線2、源電極3和漏電極4的圖案；同時(shí)，刻蝕掉暴露的摻雜半導(dǎo)體，形成TFT溝道圖形。形成TFT溝道后，在所述TFT溝道上形成鈍化保護(hù)層，并在形成鈍化保護(hù)層的同時(shí)，通過(guò)掩膜板遮光，對(duì)漏電極4位置處、信號(hào)掃描線2和柵極掃描線I交錯(cuò)位置的兩側(cè)進(jìn)行曝光，再通過(guò)顯影工藝形成PVX過(guò)孔5和兩個(gè)PVX側(cè)孔6。繼而在玻璃基板上沉積ITO薄膜層，再利用掩膜板曝光和刻蝕工藝形成ITO像素電極9同時(shí)使得ITO將上述兩個(gè)PVX側(cè)孔6連接。從而形成ITO引線10。其中，ITO像素電極9，通過(guò)PVX過(guò)孔5與漏電極4相連。[0029]這樣，當(dāng)下層的信號(hào)掃描線2正常時(shí)，電流可以同時(shí)由信號(hào)掃描線2和ITO引線 10通過(guò)；而當(dāng)下層 的信號(hào)掃描線2被擊穿斷路時(shí)，電流則可以由ITO形成的ITO引線10通過(guò)。[0030]由此可見(jiàn)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT-LCD陣列基板，能夠有效防止柵極掃描線I與信號(hào)掃描線2交錯(cuò)位置處的斷路，即如果下層的信號(hào)掃描線2金屬被擊穿，電流也能由ITO形成的通道——ITO引線10通過(guò)，從而降低了亮線等不良現(xiàn)象的發(fā)生。[0031]需要指出的是，本實(shí)施例的TFT-1XD陣列基板ITO引線10的形成不需要在現(xiàn)有工藝基礎(chǔ)上增加掩膜板曝光工藝的數(shù)量，進(jìn)而節(jié)省了形成的工藝流程，這是因?yàn)閮蓚€(gè)PVX側(cè)孔6與PVX過(guò)孔5同時(shí)形成，ITO引線10與ITO像素電極9同時(shí)形成。但需要說(shuō)明的是， PVX和ITO薄膜層的掩膜曝光板(Mask)需要按本實(shí)施例的要求來(lái)設(shè)計(jì)和制造，即PVX薄膜層的Mask版圖增加側(cè)孔圖案，ITO薄膜層的Mask版圖增加ITO引線圖案。[0032]本實(shí)用新型實(shí)施例的TFT-1XD陣列基板可以采用下述方法制造得出[0033]步驟1:在玻璃基板上沉積柵金屬薄膜，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝形成柵電極和柵極掃描線I圖案；[0034]步驟2 :在形成有柵電極和柵極掃描線圖案的玻璃基板上，連續(xù)沉積柵絕緣層 (SiNx)、半導(dǎo)體層(a-Si)、摻雜半導(dǎo)體層(n+a-Si)，通過(guò)光刻和刻蝕工藝在柵電極之上形成有源層硅島圖案；[0035]步驟3 :在柵電極之上形成有有源層硅島圖案的玻璃基板上，沉積源漏金屬薄膜， 并通過(guò)光刻和刻蝕工藝形成信號(hào)掃描線、源電極3和漏電極4的圖案，同時(shí)刻蝕掉暴露的摻雜半導(dǎo)體，形成TFT溝道圖形；[0036]以上步驟與一般的TFT陣列制造工藝類似。[0037]步驟4 :在完成步驟3的玻璃基板上形成鈍化保護(hù)層，通過(guò)掩膜板遮光，對(duì)漏電極4 位置處以及信號(hào)掃描線2和柵極掃描線I交錯(cuò)位置的兩側(cè)進(jìn)行曝光，再通過(guò)顯影工藝形成 PVX過(guò)孔5和兩個(gè)PVX側(cè)孔6 ；[0038]步驟5 :在完成步驟4的玻璃基板上沉積透明ITO薄膜，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝形成ITO像素電極9的圖案和ITO引線10的圖案，該ITO引線10將兩個(gè)PVX側(cè)孔6連接。這樣，形成的TFT-LCD陣列基板在信號(hào)掃描線2和柵極掃描線I交錯(cuò)位置為電流提供了兩個(gè)通道，使得當(dāng)傳統(tǒng)的信號(hào)掃描線2通道發(fā)生斷路時(shí)，電流仍然可以由ITO引線10通道通過(guò)，降低了亮線等不良現(xiàn)象發(fā)生的幾率。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種液晶面板，該液晶面板包括彩膜基板和陣列基板，其中所述陣列基板為上述任一實(shí)施例中所述的TFT-LCD陣列基板。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置采用上述實(shí)施例中所述的液晶面板。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示設(shè)備，顯示設(shè)備采用述任一實(shí)施例中所述的TFT-LCD陣列基板。 以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種TFT-LCD陣列基板，包括玻璃基板；分布于所述玻璃基板上TFT陣列和信號(hào)掃描線；其特征在于，在所述TFT陣列中的柵極掃描線與所述信號(hào)掃描線交錯(cuò)位置處，在所述信號(hào)掃描線上形成有兩個(gè)PVX側(cè)孔、以及將所述兩個(gè)PVX側(cè)孔連接形成的ITO引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述ITO引線由兩個(gè)PVX側(cè)孔通過(guò)ITO連接形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述ITO引線為在所述信號(hào)掃描線斷路時(shí)，用于導(dǎo)通電流的ITO引線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列中的柵極掃描線、柵電極形成于所述玻璃基板底層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，該TFT-1XD陣列基板上還包括 柵絕緣層，形成于所述柵極掃描線和柵電極之上，并將所述柵極掃描線和柵電極覆蓋； 有源層，形成于所述柵絕緣層上，并位于所述柵電極之上； TFT溝道圖形，形成于所述有源層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，該TFT-1XD陣列基板上還包括 鈍化保護(hù)層，形成于所述TFT溝道圖形上； ITO像素電極，形成于所述鈍化保護(hù)層上。
7.一種液晶面板，包括彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的TFT-1XD陣列基板。
8.—種顯示裝置，其特征在于，采用權(quán)利要求7所述的液晶面板。
9.一種顯示設(shè)備，其特征在于，采用權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的TFT-1XD陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種TFT-LCD陣列基板及其構(gòu)成的液晶面板、顯示裝置和顯示設(shè)備，該TFT-LCD陣列基板包括玻璃基板、分布于所述玻璃基板上TFT陣列和信號(hào)掃描線；其中，在所述TFT陣列中的柵極掃描線與所述信號(hào)掃描線交錯(cuò)位置處，在所述信號(hào)掃描線上形成有兩個(gè)PVX側(cè)孔、以及由所述兩個(gè)PVX側(cè)孔連接形成的ITO引線。本實(shí)用新型公開的液晶面板、顯示裝置和顯示設(shè)備采用了上述的TFT-LCD陣列基板。因此，本實(shí)用新型能夠有效防止柵極掃描線與信號(hào)掃描線交錯(cuò)位置處的斷路，從而降低了亮線等不良現(xiàn)象的發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L27/12GK202839612SQ20122038912
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月7日
發(fā)明者盧凱, 宋省勳, 朱海波 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司