專利名稱：晶體模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
晶體模塊技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及固體激光器生產(chǎn)領(lǐng)域，具體涉及用于設(shè)置在激光器內(nèi)部的晶體模塊。
背景技術(shù)：
[0002]銦金屬呈銀白略帶淡藍(lán)色，光澤亮麗，在彎曲時(shí)會(huì)發(fā)出鳴音。熔點(diǎn)是156.61°C，沸點(diǎn)為2080°C，延展性和傳導(dǎo)性較好。從常溫到熔點(diǎn)之間，銦與空氣中的氧作用緩慢，表面形成極薄的氧化膜。銦可作為包覆層或與其它金屬制成合金，以增強(qiáng)發(fā)動(dòng)機(jī)軸承耐腐蝕性。銦具有優(yōu)良的反射性，可用來制造反射鏡。利用銦合金熔點(diǎn)低的特點(diǎn)可以制成特殊合金，用于消防系統(tǒng)的短路保護(hù)裝置及自動(dòng)控制系統(tǒng)的熱控裝置。在光電子領(lǐng)域，銦及其化合物半導(dǎo)體具有廣泛的用途。在銦基III-V族化合物半導(dǎo)體如銻化銦(INSB)、磷化銦(INP)、砷化銦 (INAS)等中，研究和應(yīng)用最早的是銻化銦(INSB)，而最受重視并具有潛在應(yīng)用前景的是磷化銦(INP)，它在微波通訊向毫米波通訊方面，作為光纖通訊的激光光源和異質(zhì)結(jié)太陽能電池材料方面，都有突破性進(jìn)展，展現(xiàn)了銦應(yīng)用的可喜前景。銻化銦和砷化銦在紅外探測(cè)和光磁器件方面也有重要用途。在太陽能電池中，含銦化合物薄膜材料正異軍突起，以其高轉(zhuǎn)換率、低成本、便于攜帶等優(yōu)勢(shì)受到矚目。激光器使用過程中易發(fā)熱，而現(xiàn)有的激光器內(nèi)部模塊導(dǎo)熱性能差，不易導(dǎo)出產(chǎn)生的熱量，使激光器內(nèi)部溫度升高，影響各模塊的性能。發(fā)明內(nèi)容[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供晶體模塊，具有傳熱快、傳熱徹底、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。[0004]為解決上述現(xiàn)有的技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下方案晶體模塊，包括晶體熱沉、固定在晶體熱沉上的晶體拐角、放置在晶體拐角與晶體熱沉之間的晶體，所述晶體外包有一層導(dǎo)熱層。[0005]作為優(yōu)選，所述導(dǎo)熱層采用銦，利用銦良好的導(dǎo)熱性能，快速將產(chǎn)生的熱能傳導(dǎo)到晶體外，避免了晶體溫度過高而影響各模塊的功能。[0006]作為優(yōu)選，所述晶體熱沉上設(shè)有方孔，所述晶體拐角設(shè)在方孔內(nèi)，從而使晶體的結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定，同時(shí)增大了晶體與晶體熱沉的接觸面積，使產(chǎn)生的熱量能更快地傳導(dǎo)出去。[0007]作為優(yōu)選，晶體熱沉和晶體拐角采用頂絲固定，從而使模塊的結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。[0008]有益效果[0009]本實(shí)用新型采用上述技術(shù)方案提供的晶體模塊，能夠快速且徹底地將激光器內(nèi)部產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)到外界，避免了激光器內(nèi)部溫度過高而影響各模塊的功能，同時(shí)，晶體熱沉上的方孔和晶體拐角臺(tái)階的設(shè)計(jì)以及銦的使用都加快了內(nèi)部熱量的傳導(dǎo)。


[0010]圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。[0011]圖中，晶體熱沉I、方孔11、晶體拐角2、晶體3、導(dǎo)熱層4、頂絲5。
具體實(shí)施方式
[0012]如圖I所示，晶體模塊，包括晶體熱沉I、固定在晶體熱沉I上的晶體拐角2、放置在晶體拐角2與晶體熱沉I之間的晶體3，所述晶體3外包有一層導(dǎo)熱層4，所述導(dǎo)熱層4 采用銦，所述晶體熱沉I上設(shè)有方孔11，所述晶體拐角2設(shè)在方孔11內(nèi)，晶體熱沉I和晶體拐角2采用頂絲5固定。[0013]實(shí)際工作時(shí)，將包有一層導(dǎo)熱層4銦的晶體安裝在晶體拐角2上，將晶體拐角2安裝在晶體熱沉I的方孔11內(nèi)，并用頂絲5頂住晶體拐角2，使其更穩(wěn)固。[0014]本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型精神作舉例說明。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會(huì)偏離本實(shí)用新型的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。[0015]盡管本文較多地使用了晶體熱沉I、方孔11、晶體拐角2、晶體3、導(dǎo)熱層4、頂絲 5等術(shù)語，但并不排除使用其它術(shù)語的可能性。使用這些術(shù)語僅僅是為了更方便地描述和解釋本實(shí)用新型的本質(zhì)；把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實(shí)用新型精神相違背的。
權(quán)利要求1.晶體模塊，包括晶體熱沉(I)、固定在晶體熱沉(I)上的晶體拐角(2)、放置在晶體拐角(2)與晶體熱沉(I)之間的晶體(3)，其特征在于所述晶體(3)外包有一層導(dǎo)熱層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體模塊，其特征在于所述導(dǎo)熱層(4)采用銦。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體模塊，其特征在于所述晶體熱沉(I)上設(shè)有方孔(11)，所述晶體拐角(2)設(shè)在方孔(11)內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體模塊，其特征在于晶體熱沉(I)和晶體拐角(2)采用頂絲(5)固定。
專利摘要本實(shí)用新型提供晶體模塊，包括晶體熱沉、固定在晶體熱沉上的晶體拐角、放置在晶體拐角與晶體熱沉之間的晶體，所述晶體外包有一層導(dǎo)熱層，具有傳熱快、傳熱徹底、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01S3/042GK202817479SQ201220400448
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月13日
發(fā)明者徐小紅 申請(qǐng)人:嘉興市光辰光電科技有限公司