專利名稱：一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體元器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^。
背景技術(shù)：
[0002]在半導(dǎo)體元器件封裝的過程中，經(jīng)常需要利用壓模頭將熔融的焊錫聚集在一起的水滴狀壓扁成片狀，從而使得晶片與焊錫的接觸面更大，元器件的接觸可靠性更高。[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的壓模頭，包括壓模頭本體，在壓模頭本身設(shè)置有矩形的壓模凹腔，利用這種壓模頭對(duì)熔融的焊錫進(jìn)行加工，用于壓模凹腔為矩形形狀的限制，通過壓模頭壓出來的熔融焊錫為片狀的矩形，此時(shí)再用晶片與熔融焊錫接觸，由于晶片對(duì)熔融焊錫的擠壓， 部分焊錫會(huì)被擠出矩形，造成焊錫的浪費(fèi)。實(shí)用新型內(nèi)容[0004]本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種有效控制焊錫溢出的用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^。[0005]本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)[0006]提供了一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^，包括有矩形壓模頭本體，所述矩形壓模頭本體開設(shè)有矩形壓模凹腔，所述矩形壓模凹腔的四條邊均設(shè)置為弧形且弧凸朝向內(nèi)。[0007]其中，沿所述矩形壓模凹腔的腔底的四條邊開設(shè)有第一導(dǎo)流槽。[0008]其中，沿所述第一導(dǎo)流槽的對(duì)角分別開設(shè)有與所述第一導(dǎo)流槽連通的第二導(dǎo)流槽。[0009]本實(shí)用新型的有益效果[0010]一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^，包括有矩形壓模頭本體，所述矩形壓模頭本體開設(shè)有矩形壓模凹腔，所述矩形壓模凹腔的四條邊均設(shè)置為弧形且弧凸朝向內(nèi)。利用這種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^對(duì)熔融的焊錫進(jìn)行加工，經(jīng)加工后的熔融焊錫為與所述矩形壓模凹腔形狀相對(duì)應(yīng)的片狀，再用晶片與熔融焊錫接觸，由于晶片對(duì)熔融焊錫的擠壓，部分焊錫會(huì)往外溢出，此時(shí)的焊錫會(huì)被擠壓成與晶片相對(duì)應(yīng)的矩形。通過對(duì)所述壓模凹腔形狀的控制從而控制焊錫的溢出，焊錫有效的溢出減少了焊錫的浪費(fèi)， 節(jié)約了成本。


[0011]利用附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的任何限制，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)以下附圖獲得其它的附圖。[0012]圖I為本實(shí)用新型的一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^的結(jié)構(gòu)示意圖。[0013]附圖標(biāo)記[0014]I-壓模頭本體、11-矩形壓模凹腔、111-第一導(dǎo)流槽、112-第二導(dǎo)流槽。
具體實(shí)施方式
[0015]結(jié)合附圖I與以下實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。[0016]一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^，包括有矩形壓模頭本體I，所述矩形壓模頭本體I開設(shè)有矩形壓模凹腔11，所述矩形壓模凹腔11的四條邊均設(shè)置為弧形且弧凸朝向內(nèi)。[0017]利用這種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^對(duì)熔融的焊錫進(jìn)行加工，經(jīng)加工后的熔融焊錫為與所述矩形壓模凹腔11形狀相對(duì)應(yīng)的片狀，再用晶片與熔融焊錫接觸，由于晶片對(duì)熔融焊錫的擠壓，部分焊錫會(huì)往外溢出，此時(shí)的焊錫會(huì)被擠壓成與晶片相對(duì)應(yīng)的矩形。通過對(duì)所述矩形壓模凹腔11形狀的控制從而控制焊錫的溢出，在保證半導(dǎo)體元器件封裝效果的前提下，焊錫有效的溢出減少了焊錫的浪費(fèi)，節(jié)約了成本。[0018]沿所述矩形壓模凹腔的腔底的四條邊開設(shè)有第一導(dǎo)流槽111，及沿所述第一導(dǎo)流槽111的對(duì)角分別開設(shè)有與所述第一導(dǎo)流槽111連通的第二導(dǎo)流槽112。所述用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^對(duì)熔融焊錫壓扁的過程，熔融焊錫可以沿著所述第一導(dǎo)流槽111 和所述第二導(dǎo)流槽112進(jìn)行導(dǎo)流，提高熔融焊錫的流動(dòng)性，壓出來的片狀焊錫更為均勻，使得半導(dǎo)體元器件有很好的封裝效果。[0019]最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^，包括有矩形壓模頭本體，所述矩形壓模頭本體開設(shè)有矩形壓模凹腔，其特征在于所述矩形壓模凹腔的四條邊均設(shè)置為弧形且弧凸朝向內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^，其特征在于沿所述矩形壓模凹腔的腔底的四條邊開設(shè)有第一導(dǎo)流槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^，其特征在于 沿所述第一導(dǎo)流槽的對(duì)角分別開設(shè)有與所述第一導(dǎo)流槽連通的第二導(dǎo)流槽。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體元器件封裝用技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種有效控制焊錫溢出的用于半導(dǎo)體元器件封裝用的改良?jí)耗ｎ^；其結(jié)構(gòu)包括有矩形壓模頭本體，所述矩形壓模頭本體開設(shè)有矩形壓模凹腔，所述矩形壓模凹腔的四條邊均設(shè)置為弧形且弧凸朝向內(nèi)；本實(shí)用新型通過對(duì)所述壓模凹腔形狀的控制從而控制焊錫的溢出，焊錫有效的溢出減少了焊錫的浪費(fèi)，節(jié)約了成本。
文檔編號(hào)H01L21/67GK202803802SQ20122044048
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月31日
發(fā)明者羅艷玲, 陶少勇 申請(qǐng)人:杰群電子科技(東莞)有限公司