專利名稱：高度較高磁體輻射充磁導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種高度較高磁體福射充磁導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，磁性材料的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，但磁體并不是生產(chǎn)出來就具備磁性的，在磁體生產(chǎn)過程中，必須對磁體進(jìn)行充磁。不同領(lǐng)域的磁路設(shè)計不盡相同，所用的磁體形狀和充磁方向也各不相同，磁體形狀主要有柱形、環(huán)形、方形、瓦形，充磁方向可以分為軸向和徑向，在大部分領(lǐng)域中磁體的工作是單一的，對于這些磁體可以利用輻射磁場充磁來對磁體進(jìn)行充磁操作，在實際生產(chǎn)中，對于較低高度的磁體，充磁比較簡單，得到的磁體磁力比較均勻，但對于高度較高的磁體，仍存在著充磁不均等問題，而且充磁需要消耗大量電能，生產(chǎn)過程中充磁瞬間會產(chǎn)生大量的熱，易損壞充磁線圈。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的即在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種耐高溫，能夠?qū)Ω叨容^高的磁體進(jìn)行均勻充磁的高度較高磁體輻射充磁導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)。本實用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)高度較高磁體輻射充磁導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，包括由線圈繞制的上螺旋管和下螺旋管，上螺旋管的下底面和下螺旋管的上底面為平面，在下螺旋管的上底面中心設(shè)置有導(dǎo)磁定位柱和能自由活動的圓柱環(huán)形導(dǎo)磁套。導(dǎo)磁定位柱的半徑與導(dǎo)磁套的內(nèi)圓半徑之差等于磁體元件的厚度。本實用新型的有益效果是采用耐高溫線圈，延長設(shè)備的使用壽命；采用雙向?qū)Т沤Y(jié)構(gòu)，能使磁體元件均勻受力，保證磁體內(nèi)外磁力均勻，使磁體獲得較高的磁通密度；結(jié)構(gòu)簡單、操作方便。

圖I為本實用新型的工作狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型工作狀態(tài)下螺旋管平面俯視圖；圖中，I-上螺旋管,2-下螺旋管,3-定位柱,4-導(dǎo)磁套,5-磁體元件。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖進(jìn)一步說明本實用新型的技術(shù)方案，但本實用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。如圖1，圖2所示，高度較高磁體輻射充磁導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，包括由線圈繞制的上螺旋管I和下螺旋管2，上螺旋管I和下螺旋管2的接觸面為平面，在下螺旋管2的面中心設(shè)置有導(dǎo)磁定位柱3和能自由活動的圓柱環(huán)形導(dǎo)磁套4。導(dǎo)磁定位柱3的半徑與導(dǎo)磁套4的內(nèi)圓半徑之差等于磁體元件5的厚度。在充磁時，將磁體元件5放置在下螺旋管2上方，將磁體元件5套接于導(dǎo)磁定位柱3上，再將可以自由移動的導(dǎo)磁套4套在磁體元件5的外徑上，打開開關(guān)，進(jìn)行充磁操作。上螺旋管I的上方連有氣缸，氣缸通過總線與充磁控制機(jī)相連，通過控制機(jī)設(shè)定充磁時間、充磁電壓等，可以根據(jù)不同的需要設(shè)置不同的參數(shù)，對不同型號的磁體進(jìn)行充磁?！?br> 權(quán)利要求1.高度較高磁體輻射充磁導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括由線圈繞制的上螺旋管(I)和下螺旋管(2)，上螺旋管(I)的下底面和下螺旋管(2)的上底面為平面，在下螺旋管(2)的上底面中心設(shè)置有導(dǎo)磁定位柱(3)和能自由活動的圓柱環(huán)形導(dǎo)磁套(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述高度較高磁體輻射充磁導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導(dǎo)磁定位柱(3)的半徑與導(dǎo)磁套(4)的內(nèi)圓半徑之差等于磁體元件(5)的厚度。
專利摘要本實用新型公開了一種高度較高磁體輻射充磁導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，包括由線圈繞制的上螺旋管(1)和下螺旋管(2)，上螺旋管(1)的下底面和下螺旋管(2)的上底面為平面，在下螺旋管(2)的上底面中心設(shè)置有導(dǎo)磁定位柱(3)和能自由活動的圓柱環(huán)形導(dǎo)磁套(4)。充磁時，將磁體元件(5)放置在導(dǎo)磁定位柱(3)和導(dǎo)磁套(4)之間。本實用新型的優(yōu)點在于采用耐高溫線圈，提高設(shè)備的使用壽命；采用雙向?qū)Т沤Y(jié)構(gòu)，能使磁體元件均勻受力，保證磁體內(nèi)外磁力均勻，保證磁體獲得較高的磁通密度。
文檔編號H01F13/00GK202771892SQ20122045916
公開日2013年3月6日 申請日期2012年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月11日
發(fā)明者周勇 申請人:成都圖南電子有限公司