專利名稱：Led光源結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及LED封裝領(lǐng)域，特別涉及一種LED光源結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
LED的作用是將電能轉(zhuǎn)為光能，而在光能產(chǎn)生的過程會(huì)產(chǎn)生溫度，LED的輸入電能有80% 95%轉(zhuǎn)變成為熱量，且LED芯片面積很小，隨著輸入功率的增加，芯片上累積的熱量將越來越多，因此散熱是LED封裝必須解決的關(guān)鍵問題。LED的散熱方式是在LED封裝時(shí)結(jié)合一散熱基板，主要利用其散熱基板材料本身具有較佳的熱傳導(dǎo)性，以熱導(dǎo)的方式將熱源從LED晶粒導(dǎo)出。在現(xiàn)有的大功率LED照明散熱技術(shù)當(dāng)中，通常在大功率LED發(fā)光二極管的后面涂上一層導(dǎo)熱硅脂，然后把大功率LED的陽極和陰極焊接在散熱基板上面，LED發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱量通過導(dǎo)熱硅脂來傳導(dǎo)到散·熱基板上來進(jìn)行散熱，散熱效果并不好。因此，如何解決上述問題是業(yè)內(nèi)亟待解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的是提供一種LED光源結(jié)構(gòu)，旨在提高LED的散熱效率，解決LED的散熱問題。本實(shí)用新型提出一種LED光源結(jié)構(gòu)，包括位于底部的金屬基板、位于所述金屬基板上的導(dǎo)熱絕緣層、位于所述導(dǎo)熱絕緣層上的導(dǎo)電層和位于所述導(dǎo)電層上并與所述導(dǎo)電層電連接的LED，所述導(dǎo)熱絕緣層由二氧化硅層或氮化硅層或二氧化硅層與氮化硅層組合構(gòu)成，在所述導(dǎo)電層與所述LED之間通過金屬錫制成的散熱層焊接。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層為導(dǎo)電金屬制成的金屬膜，所述導(dǎo)電層根據(jù)所述LED的串聯(lián)或并聯(lián)連接關(guān)系構(gòu)成電路連線及圖形。優(yōu)選地，所述金屬基板的材料為銅、銅合金、鋁或鋁合金。優(yōu)選地，所述LED為功率在IW以上的大功率LED。本實(shí)用新型LED光源結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱絕緣層為二氧化硅層或氮化硅層或二氧化硅層與氮化硅層組合構(gòu)成，二氧化硅及氮化硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，使得導(dǎo)熱絕緣層的導(dǎo)熱性能優(yōu)異，導(dǎo)熱性大大提聞。在導(dǎo)電層與LED之間通過金屬錫制成的散熱層焊接，金屬錫的導(dǎo)熱系數(shù)為67W/Mk，是導(dǎo)熱硅脂的16. 75倍，用金屬錫來導(dǎo)熱能有效的降低LED的結(jié)溫，減小LED的光衰，從而提聞LED的壽命。

圖I為本實(shí)用新型LED光源結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。
具體實(shí)施方式
應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。參照圖1，提出本實(shí)用新型的LED光源結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例，包括位于底部的金屬基板10，金屬基板10的材料為鋁，導(dǎo)熱性能強(qiáng)，當(dāng)然，金屬基板10的材料還可為銅、銅合金或鋁合金。在金屬基板10的上表面上沉積有導(dǎo)熱絕緣層20，在導(dǎo)熱絕緣層20上設(shè)有導(dǎo)電層30，導(dǎo)電層30為導(dǎo)電金屬制成的金屬膜，若干個(gè)LED50焊接在導(dǎo)電層30上，導(dǎo)電層30根據(jù)LED50的串聯(lián)或并聯(lián)連接關(guān)系構(gòu)成電路連線及圖形，LED50均通過導(dǎo)電層30上的電路連線相連接，從導(dǎo)電層30引出陽極接點(diǎn)和陰極接點(diǎn)，用于與電源電連接。LED50為功率在IW以上的大功率LED50，發(fā)光亮度強(qiáng)，在LED50上覆蓋有熒光粉層，熒光粉層的周圍覆蓋硅膠或樹脂，形成保護(hù)層40，該保護(hù)層40將熒光粉層、LED50及導(dǎo)電層30上表面覆蓋，以防止觸
電，同時(shí)可保護(hù)LED50不受外界環(huán)境變化的影響。導(dǎo)熱絕緣層20由二氧化硅層與氮化硅層組合構(gòu)成，導(dǎo)熱絕緣層20的厚度越大，耐壓值也越大，導(dǎo)熱絕緣層20的耐壓值可大于1500V/min，使LED50光源結(jié)構(gòu)的使用更加安全；導(dǎo)熱絕緣層20也可以由二氧化硅層或氮化硅層單獨(dú)構(gòu)成，二氧化硅及氮化硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，使得導(dǎo)熱絕緣層20的導(dǎo)熱性能優(yōu)異，導(dǎo)熱性大大提高。在導(dǎo)電層30與LED50之間通過金屬錫制成的散熱層500焊接，金屬錫的導(dǎo)熱系數(shù)為67W/Mk，是導(dǎo)熱硅脂的16. 75倍，用金屬錫來導(dǎo)熱能有效的降低LED50的結(jié)溫，減小LED50的光衰，從而提高LED50的壽命。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種LED光源結(jié)構(gòu),其特征在于,包括位于底部的金屬基板、位于所述金屬基板上的導(dǎo)熱絕緣層、位于所述導(dǎo)熱絕緣層上的導(dǎo)電層和位于所述導(dǎo)電層上并與所述導(dǎo)電層電連接的LED，所述導(dǎo)熱絕緣層由二氧化硅層或氮化硅層或二氧化硅層與氮化硅層組合構(gòu)成，在所述導(dǎo)電層與所述LED之間通過金屬錫制成的散熱層焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層為導(dǎo)電金屬制成的金屬膜，所述導(dǎo)電層根據(jù)所述LED的串聯(lián)或并聯(lián)連接關(guān)系構(gòu)成電路連線及圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬基板的材料為銅、銅合金、招或招合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED為功率在IW以上的大功率LED。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種LED光源結(jié)構(gòu)，包括金屬基板、導(dǎo)熱絕緣層、導(dǎo)電層和位于導(dǎo)電層上并與該導(dǎo)電層電連接的LED，導(dǎo)熱絕緣層為二氧化硅層或氮化硅層或二氧化硅層與氮化硅層組合構(gòu)成，二氧化硅及氮化硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，使得導(dǎo)熱絕緣層的導(dǎo)熱性能優(yōu)異，導(dǎo)熱性大大提高。在導(dǎo)電層與LED之間通過金屬錫制成的散熱層焊接，金屬錫的導(dǎo)熱系數(shù)為67W/Mk，是導(dǎo)熱硅脂的16.75倍，用金屬錫來導(dǎo)熱能有效的降低LED的結(jié)溫，減小LED的光衰，從而提高LED的壽命。
文檔編號(hào)H01L33/64GK202721198SQ201220465229
公開日2013年2月6日 申請日期2012年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月13日
發(fā)明者潘振華 申請人:中山市澳克士照明電器有限公司