專利名稱：電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子部件，特別是涉及內(nèi)置電容器的電子部件。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電子部件，眾所周知有例如專利文獻(xiàn)I所記載的芯片型電子部件。圖22是專利文獻(xiàn)I所記載的芯片型電子部件500的剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖22所示，芯片型電子部件500具備層疊體502、外部電極504a、外部電極504b、加強(qiáng)層506以及電容器C。層疊體502以層疊多個(gè)陶瓷層的方式構(gòu)成,并形成為長(zhǎng)方體狀。外部電極504a、504b分別以覆蓋層疊體502的相互對(duì)置的端面的方式設(shè)置，并折回 到上表面、下表面以及側(cè)面。電容器C內(nèi)置于層疊體502內(nèi)，多個(gè)電容器導(dǎo)體層以與陶瓷層交互層疊的方式構(gòu)成。加強(qiáng)層506內(nèi)置于層疊體502，設(shè)置于比電容器C靠層疊方向的上側(cè)以及下側(cè)。當(dāng)從層疊方向俯視觀察時(shí)，加強(qiáng)層506與外部電極504a、504b的端部重疊。在以上述方式構(gòu)成的芯片型電子部件500中，對(duì)彎曲、拉伸等機(jī)械應(yīng)力的耐老化性聞。更詳細(xì)地說(shuō)，在安裝于電路基板之后，有時(shí)分割電路基板，此時(shí)，向芯片型電子部件施加彎曲應(yīng)力，在外部電極504a和504b附近形成裂縫。然而，由于芯片型電子部件500設(shè)置有加強(qiáng)層506，因此即使在外部電極504a、504b附近形成有裂縫，利用加強(qiáng)層506也能抑制裂縫的擴(kuò)展。即，芯片型電子部件500對(duì)彎曲、拉伸等機(jī)械應(yīng)力的耐老化性提高。然而，芯片型電子部件500仍舊有時(shí)在層疊體502形成裂縫，裂縫到達(dá)電容器導(dǎo)體層。因?yàn)樵谛酒碗娮硬考?00中除了具有電容器電極之外還具有加強(qiáng)層506，因此電極個(gè)數(shù)增加而容易產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷，因此需要較薄地形成加強(qiáng)層506以及電容器導(dǎo)體層的厚度。當(dāng)以上述方式較薄地形成加強(qiáng)層506以及電容器導(dǎo)體層時(shí)，由于在加強(qiáng)層506以及電容器導(dǎo)體層形成較多的空孔(空孔)，因此裂縫以避開加強(qiáng)層506而通過(guò)空孔的方式延伸至電容器導(dǎo)體層附近為止。其結(jié)果是，水分通過(guò)裂縫而侵入電容器導(dǎo)體層，使作為電容器的可靠性降低?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-75780號(hào)公報(bào)
實(shí)用新型內(nèi)容因此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種電子部件，該電子部件能夠抑制裂縫越過(guò)偽導(dǎo)體層而到達(dá)電容器導(dǎo)體附近。用于解決問題的方法根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方式所涉及的電子部件，所述電子部件具備長(zhǎng)方體狀的層疊體，其由層疊多個(gè)電介質(zhì)層而成，并具有位于層疊方向的兩端且相互對(duì)置的上表面和底面、相互對(duì)置的兩個(gè)側(cè)面、以及相互對(duì)置的兩個(gè)端面；電容器導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述電介質(zhì)層上并構(gòu)成電容器；外部電極，其覆蓋所述端面，并且折回到所述上表面以及所述底面；以及偽導(dǎo)體層，其被設(shè)置在位于比設(shè)置有所述多個(gè)電容器導(dǎo)體的所述電介質(zhì)層更靠近所述底面的位置的所述電介質(zhì)層上，并且從層疊方向俯視觀察時(shí)，該偽導(dǎo)體層與所述外部電極中的折回到所述底面的部分的末端重疊，所述偽導(dǎo)體層的厚度比所述電容器導(dǎo)體層的厚度大。實(shí)用新型的效果根據(jù)本實(shí)用新型，能夠抑制裂縫越過(guò)偽導(dǎo)體層而到達(dá)電容器導(dǎo)體附近。

圖1是一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子部件的外觀立體圖。圖2是圖1的電子部件的層疊體的分解立體圖。圖3是圖1的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。 圖4是比較例使用的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖5是示出解析結(jié)果的圖表。圖6是第一變形例所涉及的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖7是第二變形例所涉及的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖8是第三變形例所涉及的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖9是第四變形例所涉及的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖10是第五變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖11是第六變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖12是第七變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖13是第八變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖14是第九變形例所涉及的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖15是第九變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖16是第十變形例所涉及的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖17是第i^一變形例所涉及的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖18是第十二變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖19是第十三變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖20是第十四的變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖21是第十五變形例所涉及的電子部件的內(nèi)部俯視圖。圖22是專利文獻(xiàn)I所記載的芯片型電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖中SI上表面S2 底面S3、S4 端面S5、S6 側(cè)面Ta Td末端(先端)10、IOa IOo 電子部件11層疊體[0045]12a、12b 外部電極17a 17o 陶瓷層30a 30d、31a 31c 電容器導(dǎo)體層40a 40f、41a 41f 偽(夕' S — )導(dǎo)體層
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式所涉及的電子部件進(jìn)行說(shuō)明。(電子部件的結(jié)構(gòu))首先，參照附圖對(duì)一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子部件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是一個(gè) 實(shí)施方式所涉及的電子部件10的外觀立體圖。圖2是圖1的電子部件10的層疊體11的分解立體圖。在圖2中省略陶瓷層17g 17i。圖3是圖1的電子部件的剖面結(jié)構(gòu)圖。以下，將層疊體11的層疊方向定義為z軸方向。當(dāng)從z軸方向俯視觀察層疊體11時(shí)，將層疊體11的長(zhǎng)邊延伸的方向定義為X軸方向。當(dāng)從z軸方向俯視觀察層疊體11時(shí)，將層疊體11的短邊延伸的方向定義為y軸方向。如圖1 圖3所示，電子部件10是芯片電容器，具備層疊體11、外部電極12 (12a、12b)、電容器導(dǎo)體層30(30a 30d)、31(31a 31c)(在圖1中未圖示)以及偽導(dǎo)體層40 (40a 40f)、41 (41a 41f)(在圖1 中未圖示)。層疊體11形成為長(zhǎng)方體狀，其具有位于z軸方向的兩端的上表面SI以及底面S2、相互對(duì)置(對(duì)向+ 3 )的端面S3、S4、以及相互對(duì)置的側(cè)面S5、S6。但是，層疊體11通過(guò)實(shí)施倒角而在角以及棱線中形成帶有圓形的形狀。以下，在層疊體11中，將z軸方向的正方向側(cè)的面設(shè)為上表面SI，將z軸方向的負(fù)方向側(cè)的面設(shè)為底面S2。并且，將X軸方向的負(fù)方向側(cè)的面設(shè)為端面S3，將X軸方向的正方向側(cè)的面設(shè)為端面S4。并且，將y軸方向的正方向側(cè)的面設(shè)為側(cè)面S5，將y軸方向的負(fù)方向側(cè)的面設(shè)為側(cè)面S6。當(dāng)電子部件10安裝于電路基板時(shí)，底面S2是與該電路基板的主面對(duì)置的安裝面。如圖2所示，層疊體11通過(guò)多個(gè)陶瓷層(電介質(zhì)層)17 (17a 17ο)以從ζ軸方向的正方向側(cè)向負(fù)方向側(cè)依次排列的方式層疊而構(gòu)成。陶瓷層17形成為長(zhǎng)方形，由以BaTiO3為主要成分且含有Bi2O3的電介質(zhì)陶瓷制成。以下，將陶瓷層17的ζ軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面，將陶瓷層17的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面。層疊體11的上表面SI由設(shè)置于ζ軸方向的最靠正方向側(cè)的陶瓷層17a的表面構(gòu)成。層疊體11的底面S2由設(shè)置于Z軸方向的最靠負(fù)方向側(cè)的陶瓷層17ο的背面構(gòu)成。并且，端面S3由陶瓷層17a 17ο的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊相連而構(gòu)成。端面S4由陶瓷層17a 17ο的χ軸方向的正方向側(cè)的短邊相連而構(gòu)成。側(cè)面S5由陶瓷層17a 17ο的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊相連而構(gòu)成。側(cè)面S6由陶瓷層17a 17ο的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊相連而構(gòu)成。電容器導(dǎo)體層30a 30d、31a 31c是以Al、N1、Cu等為主要成分的材料制成的導(dǎo)體層，并通過(guò)經(jīng)陶瓷層17相互對(duì)置而構(gòu)成電容器。如圖2以及圖3所示，電容器導(dǎo)體層30a 30d分別設(shè)置于陶瓷層17e、17g、171、17k的表面上，并內(nèi)置于層疊體11。電容器導(dǎo)體層30a 30d形成為長(zhǎng)方形，并在陶瓷層17e、17g、171、17k的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊抽出。[0058]如圖2以及圖3所示，電容器導(dǎo)體層31a 31c分別設(shè)置于陶瓷層17f、17h、17j的表面上，并內(nèi)置于層疊體11。電容器導(dǎo)體層31a 31c形成為長(zhǎng)方形,并在陶瓷層17f、17h、17j的X軸方向的正方向側(cè)的短邊抽出。當(dāng)從z軸方向俯視觀察時(shí)，電容器導(dǎo)體層30a 30d與電容器導(dǎo)體層31a 31c重疊。由此，在電容器導(dǎo)體層30、31之間形成有電容器C。外部電極12a、12b是涂敷Ag、Cu、Ni糊劑(paste)而形成的電極。外部電極12a覆蓋端面S3，并且向上表面S1、底面S2以及側(cè)面S5、S6折回。并且，外部電極12a與電容器導(dǎo)體層30a 30d連接。更詳細(xì)地說(shuō)，外部電極12a以覆蓋電容器導(dǎo)體層30a 30d從端面S3露出的部分的方式覆蓋層疊體11的端面S3的整面。外部電極12b覆蓋端面S4，并且向上表面S1、底面S2以及側(cè)面S5、S6折回。并且，外部電極12b與電容器導(dǎo)體層31a 31c連接。更詳細(xì)地說(shuō)，外部電極12b以覆蓋電容器導(dǎo)體層31a 31c從端面S4露出的部分的方式覆蓋層疊體11的端面S4的整面。偽導(dǎo)體層40a 40f、41a 41f是由以Al、N1、Cu為主要成分的材料制成的導(dǎo)體層。偽導(dǎo)體層40a 40c、41a 41c分別設(shè)置于陶瓷層17b 17d的表面上，該陶瓷層 17b 17d位于比設(shè)置有電容器導(dǎo)體層30a 30d、31a 31c的陶瓷層17e 17k更靠近上表面SI的位置。偽導(dǎo)體層40d 40f、41d 41f分別設(shè)置于陶瓷層171 17η的表面上，該陶瓷層171 17η位于比設(shè)置有電容器導(dǎo)體層30a 30d、31a 31c的陶瓷層17e 17k靠近底面S2的位置。偽導(dǎo)體層40a 40f形成為長(zhǎng)方形，在陶瓷層17b 17d、171 17η的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊抽出。由此，偽導(dǎo)體層40a 40f與外部電極12a連接。并且，當(dāng)從z軸方向俯視觀察時(shí)，如圖3所示，偽導(dǎo)體層40a 40c與外部電極12a中的向上表面SI折回的部分的末端Ta重疊。當(dāng)從z軸方向俯視觀察時(shí)，如圖3所示，偽導(dǎo)體層40d 40f與外部電極12a中的向底面S2折回的部分的末端Tb重疊。偽導(dǎo)體層41a 41f形成為長(zhǎng)方形,在陶瓷層17b 17d、171 17η的χ軸方向的正方向側(cè)的短邊抽出。由此，偽導(dǎo)體層41a 41f與外部電極12b連接。并且,當(dāng)從z軸方向俯視觀察時(shí)，如圖3所示，偽導(dǎo)體層41a 41c與外部電極12b中的向上表面SI折回的部分的末端Tc重疊。當(dāng)從z軸方向俯視觀察時(shí)，如圖3所示，偽導(dǎo)體層41d 41f與外部電極12b中的向底面S2折回的部分的末端Td重疊。然而，電子部件10為了抑制裂縫到達(dá)電容器導(dǎo)體層而減少偽導(dǎo)體層40、41的空孔量并增加覆蓋度(coverage)。偽導(dǎo)體層40、41的覆蓋度優(yōu)選在70%以上且100%以下。在具有多層偽導(dǎo)體層的情況下，優(yōu)選為全部上述范圍內(nèi)。并且，為了防止層疊體11的結(jié)構(gòu)缺陷，電容器導(dǎo)體層30、31較薄，覆蓋度優(yōu)選在60%以上且70%以下。當(dāng)從z軸方向俯視觀察電容器導(dǎo)體層30、31以及偽導(dǎo)體層40、41時(shí)，覆蓋度是從100%減去形成于電容器導(dǎo)體層30、31以及偽導(dǎo)體層40、41的空孔的面積相對(duì)于電容器導(dǎo)體層30、31以及偽導(dǎo)體層40、41的面積的比例的值。在具有多層偽導(dǎo)體層的情況下為各層的平均值。覆蓋度的測(cè)定由以下的順序進(jìn)行。首先，剝離電子部件10的陶瓷層17而使電容器導(dǎo)體層30、31以及偽導(dǎo)體層40、41露出，并利用SEM進(jìn)行拍攝。對(duì)由SEM得到的圖像實(shí)施二進(jìn)制編碼(二值化)處理，來(lái)求出從電容器導(dǎo)體層30、31以及偽導(dǎo)體層40、41的間隙(空孔)觀察到的陶瓷層17的面積。然后，從100%減去將從電容器導(dǎo)體層30、31以及偽導(dǎo)體層40、41的間隙(空孔)觀察的陶瓷層17的面積除以電容器導(dǎo)體層30、31以及偽導(dǎo)體層40、41的面積并乘以100的值。由此，計(jì)算出覆蓋度。(電子部件的制造方法)接著，對(duì)電子部件10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。此外，附圖引用圖1 圖3。首先，向BaTi03、Bi203、BaCO3的原料粉末添加聚乙烯醇縮丁醛系('J ^ 二 > I' 7)粘合劑以及乙醇(工夕7 —> )等的有機(jī)溶劑并投入球磨機(jī)，進(jìn)行濕式調(diào)和而
得到陶瓷漿。原料粉末構(gòu)成為以BaTiO3為100摩爾量( >部)、Bi203為3摩爾量、BaCO3為2摩爾量的比例混合。利用刮片法將得到的陶瓷漿在載片(carrier sheet)上形成為片狀并使其干燥，從而制成應(yīng)成為陶瓷層17的陶瓷生料薄片(ceramic green sheet)。應(yīng)成為陶瓷層17的陶瓷生料薄片的厚度為例如6 μ m。接著，利用絲網(wǎng)印刷法在應(yīng)成為陶瓷層17的陶瓷生料薄片上涂敷由導(dǎo)電性材料 構(gòu)成的糊劑，由此形成電容器導(dǎo)體層30、31以及偽導(dǎo)體層40、41。由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的糊劑是通過(guò)向金屬粉末添加有機(jī)粘合劑以及有機(jī)溶劑而得到的。金屬粉末是Al、Cu、Ni。電容器導(dǎo)體層30、31的厚度在O.1 μ m以上且2. O μ m以下。偽導(dǎo)體層40、41的厚度在O.1 μ m以上且10. Ομπι以下。接著，層疊應(yīng)成為陶瓷層17的陶瓷生料薄片而得到未燒制的母層疊體。然后，利用靜水壓沖壓對(duì)未燒制的母層疊體實(shí)施壓焊。接著，將未燒制的母層疊體切成規(guī)定尺寸而得到多個(gè)未燒制的層疊體11。然后，對(duì)層疊體11的表面實(shí)施滾輪(/S' P barrel)研磨加工等的研磨加工。接著，在大氣環(huán)境中將未燒制的層疊體11加熱至270°C，并使未燒制的層疊體11中的粘合劑燃燒。進(jìn)而燒制未燒制的層疊體U。燒制溫度為例如650°c。接著，在層疊體11形成外部電極12。具體地說(shuō)，利用公知的浸泡法、狹縫方法(工法)等，在層疊體11的表面涂敷含有Bi2O3-SiO2-BaO系玻璃料的Ag糊劑。然后，在大氣中以600 900°C對(duì)Ag、Cu、Ni糊劑進(jìn)行燒上彩花(焼付(t )，由此形成外部電極12。根據(jù)以上的工序，電子部件10完成。(效果)根據(jù)以上的電子部件10，如以下說(shuō)明那樣，由于覆蓋度高、空孔少、且覆蓋度大，SP使在層疊體11形成裂縫，也能夠利用偽導(dǎo)體層來(lái)抑制裂縫到達(dá)電容器導(dǎo)體層附近，因不侵入水分而使得電容器可靠性提高。在電子部件10中，偽導(dǎo)體層40d 40f、41d 41f分別設(shè)置于陶瓷層171 17η的表面上，該陶瓷層171 17η位于比設(shè)置有電容器導(dǎo)體層30a 30d、31a 31c的陶瓷層17e 17k更靠近底面S2的位置。另外，當(dāng)從ζ軸方向俯視觀察時(shí)，如圖3所示，偽導(dǎo)體層40d 40f與外部電極12a中的向底面S2折回的部分的末端Tb重疊。當(dāng)從ζ軸方向俯視觀察時(shí)，如圖3所示，偽導(dǎo)體層41d 41f與外部電極12b中的向底面S2折回的部分的末端Td重疊。另外，偽導(dǎo)體層40、41的ζ軸方向的厚度比電容器導(dǎo)體層30、31的ζ軸方向的厚度大。由此，當(dāng)進(jìn)行基板分割工序時(shí)，在電子部件10以及電路基板產(chǎn)生變形而導(dǎo)致外部電極12a、12b被拉伸，由此即使裂縫從末端Tb、Td向ζ軸方向的正方向側(cè)延伸而產(chǎn)生，由于偽導(dǎo)體層40、41的厚度大(S卩，覆蓋度高)，也能抑制該裂縫自偽導(dǎo)體層40f、41f向ζ軸方向的正方向側(cè)擴(kuò)展。其結(jié)果是，抑制在層疊體11形成到達(dá)電容器導(dǎo)體層30、31的程度的裂縫。另外，在電子部件10中，偽導(dǎo)體層40、41較厚地形成，而電容器導(dǎo)體層30、31非較厚地形成。因此，能夠防止層疊體11的結(jié)構(gòu)缺陷。另外，對(duì)外部電極12a、12b實(shí)施電鍍處理。因此，當(dāng)實(shí)施電鍍處理時(shí)，電鍍液有可能侵入層疊體11內(nèi)。然而，在電子部件10中，由于偽導(dǎo)體層40、41的覆蓋度高，因此能夠抑制電鍍液侵入層疊體11內(nèi)。另外，陶瓷層17的破壞韌性(靭性)值為3MPav「m 7MPav「m。另一方面，覆蓋度高的偽導(dǎo)體層40、41的破壞韌性值在陶瓷層7的破壞韌性值的10倍以上。由此，在電子部件10中，在容易破損的末端Tb、Td附近設(shè)置偽導(dǎo)體層40、41，由此抑制層疊體11的破損。另外，在電子部件10中，外部電極12a、12b的末端Ta Td與偽導(dǎo)體層40、41處于相同電位，并且，偽導(dǎo)體層40、41的覆蓋度變高，因此能抑制從外部電極12a、12b的末端 Ta Td流通的泄漏電流向電容器導(dǎo)體層30、31輸入。(仿真結(jié)果)本申請(qǐng)的發(fā)明人為了更明確電子部件10起到的效果，進(jìn)行以下說(shuō)明的仿真。圖4是比較例所使用的電子部件Iio的剖面結(jié)構(gòu)圖。本申請(qǐng)的發(fā)明人制成具有電子部件10的結(jié)構(gòu)的第一模型以及具有電子部件110的結(jié)構(gòu)的第二模型。第一模型與第二模型之間的不同點(diǎn)在于偽導(dǎo)體層40、41的有無(wú)。然后，對(duì)第一模型以及第二模型中在外部電極12b的末端Td所產(chǎn)生的裂縫的擴(kuò)展進(jìn)行解析。圖5是示出解析結(jié)果的圖表。橫軸表示χ坐標(biāo),縱軸表示z坐標(biāo)。χ坐標(biāo)的原點(diǎn)為端面S3, z坐標(biāo)的原點(diǎn)為上表面SI。根據(jù)圖5，知曉第二模型通過(guò)在第一模型設(shè)置有偽導(dǎo)體層41的位置而向z軸方向的正方向側(cè)擴(kuò)展。另一方面，知曉在第一模型中，裂縫在設(shè)置有偽導(dǎo)體層41的位置停止向z軸方向的正方向側(cè)的行進(jìn)，而沿著偽導(dǎo)體層41向χ軸方向的正方向側(cè)行進(jìn)，即裂縫在殘留應(yīng)力高的部分延伸(進(jìn)行)。根據(jù)本仿真，知曉通過(guò)設(shè)置有覆蓋度高且厚度大的偽導(dǎo)體層40、41，而使殘留應(yīng)力變高，從而能夠控制大裂縫的擴(kuò)展方向。(第一變形例)以下，參照附圖對(duì)第一變形例所涉及的電子部件IOa進(jìn)行說(shuō)明。圖6是第一變形例所涉及的電子部件IOa的剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖6所示，偽導(dǎo)體層40、41也可以設(shè)置于上表面SI以及底面S2的附近。即，偽導(dǎo)體層40、41以與電容器導(dǎo)體層30、31分離的方式設(shè)置。由此，能抑制在偽導(dǎo)體層40、41與電容器導(dǎo)體層30、31之間產(chǎn)生靜電電容。其結(jié)果是，在電子部件IOa中，用于得到目標(biāo)的靜電電容值的設(shè)計(jì)變得容易。另外，當(dāng)偽導(dǎo)體層40、41與電容器導(dǎo)體層30、31分離時(shí)，由于在偽導(dǎo)體層40、41與電容器導(dǎo)體層30、31之間產(chǎn)生的靜電電容變小，因此即使在偽導(dǎo)體層40、41產(chǎn)生累積偏移(f Λ )，該靜電電容的變動(dòng)值小亦可。其結(jié)果是，在電子部件IOa中，用于得到目標(biāo)的靜電電容值的設(shè)計(jì)變得容易。(第二變形例)以下，參照附圖對(duì)第二變形例所涉及的電子部件IOb進(jìn)行說(shuō)明。圖7是第二變形例所涉及的電子部件IOb的剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖7所示，偽導(dǎo)體層40、41也可以設(shè)置于電容器導(dǎo)體層30、31的附近。S卩，偽導(dǎo)體層40、41以與上表面SI以及底面S2分離的方式設(shè)置。由此，偽導(dǎo)體層40、41不位于層疊體11的ζ軸方向的兩端。其結(jié)果是，能抑制層疊體11中在偽導(dǎo)體層40、41與陶瓷層17之間產(chǎn)生相關(guān)剝離。(第三變形例以及第四變形例)以下，參照附圖對(duì)第三變形例所涉及的電子部件IOc以及第四變形例所涉及的電子部件IOd進(jìn)行說(shuō)明。圖8是第三變形例所涉及的電子部件IOc的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖9是第四變形例所涉及的電子部件IOd的剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖8以及圖9所示，偽導(dǎo)體層40、41的χ軸方向的端部也可以不對(duì)齊。此外，當(dāng)從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視觀察時(shí)，在電子部件IOc中，與外部電極12a、12b的末端Ta Td重疊的偽導(dǎo)體層為偽導(dǎo)體層40c、40d、41c、41d。同樣地，當(dāng)從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視觀察時(shí),在電子部件IOd中，與外部電極12a、12b的末端Ta Td重疊的偽導(dǎo)體層為偽導(dǎo)體 層 40a、40f、41a、41f。(第五變形例以及第六變形例)以下，參照附圖對(duì)第五變形例所涉及的電子部件IOe以及第六變形例所涉及的電子部件IOf進(jìn)行說(shuō)明。圖10是第五變形例所涉及的電子部件IOe的內(nèi)部俯視圖。圖11是第六變形例所涉及的電子部件IOf的內(nèi)部俯視圖。如圖10以及圖11所示，偽導(dǎo)體層40不僅與形成于外部電極12a的端面S3的部分連接，還與形成于外部電極12a的側(cè)面S5、S6的部分連接。同樣地，偽導(dǎo)體層41不僅與形成于外部電極12b的端面S4的部分連接，還與形成于外部電極12b的側(cè)面S5、S6的部分連接。在具有以上那樣的結(jié)構(gòu)的電子部件10e、10f中，偽導(dǎo)體層40、41的y軸方向的寬度變寬。由此，即使側(cè)面S5或者側(cè)面S6被用作安裝面且電子部件10e、10f安裝于電路基板，也能夠抑制在層疊體11產(chǎn)生裂縫。(第七變形例以及第八變形例)以下，參照附圖對(duì)第七變形例所涉及的電子部件IOg以及第八變形例所涉及的電子部件IOh進(jìn)行說(shuō)明。圖12是第七變形例所涉及的電子部件IOg的內(nèi)部俯視圖。圖13是第八變形例所涉及的電子部件IOh的內(nèi)部俯視圖。如圖12以及圖13所示，偽導(dǎo)體層40、41也可以被分割為多個(gè)。(第九變形例)以下，參照附圖對(duì)第九變形例所涉及的電子部件IOi進(jìn)行說(shuō)明。圖14是第九變形例所涉及的電子部件IOi的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖15是第九變形例所涉及的電子部件IOi的內(nèi)部俯視圖。如圖14以及圖15所示，偽導(dǎo)體層40、41也可以不與外部電極12a、12b連接。如上所述，偽導(dǎo)體層40、41不與外部電極12a、12b連接，由此偽導(dǎo)體層40、41的面積變小。其結(jié)果是，能抑制在設(shè)置有偽導(dǎo)體層40、41的陶瓷層17之間產(chǎn)生層間剝離。另外，偽導(dǎo)體層40、41不與外部電極12a、12b連接，由此偽導(dǎo)體層40、41不在層疊體11的端面S3、S4以及側(cè)面S5、S6露出。因此，能抑制在進(jìn)行層疊體11的切除、滾輪(レル)時(shí)，在設(shè)置有偽導(dǎo)體層40、41的陶瓷層17之間產(chǎn)生層間剝離。另外，能抑制水分從設(shè)置有偽導(dǎo)體層40、41的陶瓷層17之間侵入。(第十變形例)以下，參照附圖對(duì)第十變形例所涉及的電子部件10J進(jìn)行說(shuō)明。圖16是第十變形例所涉及的電子部件10j的剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖16所示，偽導(dǎo)體層40、41也可以設(shè)置于上表面SI以及底面S2的附近。由此，與第一變形例所涉及的電子部件1Oa相同地，在電子部件1Oj中，用于得到目標(biāo)靜電電容值的設(shè)計(jì)變得容易。(第十一變形例)以下，參照附圖對(duì)第十一變形例所涉及的電子部件1Ok進(jìn)行說(shuō)明。圖17是第十一變形例所涉及的電子部件IOk的剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖17所示，偽導(dǎo)體層40、41也可以設(shè)置于電容器導(dǎo)體層30、31的附近。由此，與第二變形例所涉及的電子部件IOb相同地，在電子部件1Ok中，能抑制層疊體11中在偽導(dǎo)體層40、41與陶瓷層17之間產(chǎn)生相關(guān)剝離。(第十二變形例以及第十三變形例)以下，參照附圖對(duì)第十二變形例所涉及的電子部件101以及第十三變形例所涉及的電子部件IOm進(jìn)行說(shuō)明。圖18是第十二變形例所涉及的電子部件101的內(nèi)部俯視圖。圖19是第十三變形例所涉及的電子部件IOm的內(nèi)部俯視圖。如圖18以及圖19所示，偽導(dǎo)體層40也可以僅與形成于外部電極12a的側(cè)面S5、S6的部分連接。同樣地，偽導(dǎo)體層41也可以僅與形成于外部電極12b的側(cè)面S5、S6的部分連接。(第十四的變形例以及第十五變形例)以下，參照附圖對(duì)第十四的變形例所涉及的電子部件IOn以及第十五變形例所涉及的電子部件IOo進(jìn)行說(shuō)明。圖20是第十四的變形例所涉及的電子部件IOn的內(nèi)部俯視圖。圖21是第十五變形例所涉及的電子部件1Oo的內(nèi)部俯視圖。如圖20以及圖21所示，偽導(dǎo)體層40、41也可以分割為多個(gè)。(其它的實(shí)施方式)以上述方式構(gòu)成的電子部件并不局限于所述實(shí)施方式所涉及的電子部件10、IOa 10ο，在其主旨的范圍內(nèi)能夠變更。在電子部件10的制造方法中，雖然偽導(dǎo)體層40、41由印刷法形成，但也可以由其他方法形成。其他方法可以舉出例如，將金屬箔粘貼于陶瓷生料薄片而形成偽導(dǎo)體層40、41的方法、通過(guò)注射模塑成形來(lái)形成偽導(dǎo)體層40、41的方法等。首先，對(duì)將金屬箔粘貼于陶瓷生料薄片而形成偽導(dǎo)體層40、41的方法進(jìn)行說(shuō)明。利用靜電將金屬箔粘貼于薄膜(film)。接著，向形成陶瓷生料薄片的偽導(dǎo)體層40,41的部分印刷粘合劑。使粘貼有金屬箔的薄膜與陶瓷生料薄片貼合，僅將薄膜從陶瓷生料薄片剝離。由此，形成偽導(dǎo)體層40、41。另外，將金屬箔粘貼于陶瓷生料薄片而形成偽導(dǎo)體層40、41的方法，也可以由以下的注射模塑成形來(lái)實(shí)現(xiàn)。具體地說(shuō)，在陶瓷生料薄片的形成偽導(dǎo)體層40、41的部分印刷并層疊進(jìn)行了滲碳(力一# >Λ·9 )的陶瓷糊劑，并進(jìn)行切割、燒制。進(jìn)行了滲碳的部分上涂敷陶瓷糊劑后的部分燒失而成為空洞。通過(guò)向該空洞注入金屬糊劑來(lái)形成偽導(dǎo)體層40、41。工業(yè)上的可利用性如上所述，本實(shí)用新型對(duì)于電子部件是有用 的，特別是在能夠抑制裂縫越過(guò)偽導(dǎo)體層而到達(dá)電容器導(dǎo)體附近的點(diǎn)上優(yōu)異。
權(quán)利要求1.一種電子部件，其特征在于， 具備 長(zhǎng)方體狀的層疊體，其由層疊多個(gè)電介質(zhì)層而成，并具有位于層疊方向的兩端且相互對(duì)置的上表面和底面、相互對(duì)置的兩個(gè)側(cè)面、以及相互對(duì)置的兩個(gè)端面； 電容器導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述電介質(zhì)層上并構(gòu)成電容器； 外部電極，其覆蓋所述端面，并且折回到所述上表面以及所述底面；以及偽導(dǎo)體層，其被設(shè)置在位于比設(shè)置有所述多個(gè)電容器導(dǎo)體的所述電介質(zhì)層更靠近所述底面的位置的所述電介質(zhì)層上，并且從層疊方向俯視觀察時(shí)，該偽導(dǎo)體層與所述外部電極中的折回到所述底面的部分的末端重疊， 所述偽導(dǎo)體層的厚度比所述電容器導(dǎo)體層的厚度大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于， 所述偽導(dǎo)體層的覆蓋度在70 %以上且100 %以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于， 當(dāng)從層疊方向俯視觀察所述偽導(dǎo)體層時(shí)，覆蓋度是從100%減去形成于該偽導(dǎo)體層的空孔的面積相對(duì)于該偽導(dǎo)體層的面積的比例的值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于， 所述偽導(dǎo)體層與所述外部電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于， 所述偽導(dǎo)體層不與所述外部電極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于， 所述外部電極折回到兩個(gè)所述側(cè)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件，其特征在于， 所述外部電極折回到兩個(gè)所述側(cè)面。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子部件，其特征在于， 所述外部電極折回到兩個(gè)所述側(cè)面。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種能夠抑制在層疊體產(chǎn)生較大裂縫的電子部件。層疊體(11)層疊多個(gè)陶瓷層而成，具有上表面(S1)和底面(S2)、以及相互對(duì)置的兩個(gè)端面(S3、S4)。電容器導(dǎo)體層(30、31)設(shè)置于陶瓷層上，從而構(gòu)成電容器。外部電極(12a、12b)覆蓋端面(S3、S4)，并且向上表面(S1)以及底面(S2)折回。偽導(dǎo)體層(40、41)設(shè)置于陶瓷層上，該陶瓷層位于比設(shè)置有電容器導(dǎo)體(30、31)的陶瓷層更靠近底面(S2)的位置，當(dāng)從z軸方向俯視觀察時(shí)，與外部電極(12a、12b)中的向底面(S2)折回的部分的末端(Tb、Td)重疊。偽導(dǎo)體層(40、41)的厚度比電容器導(dǎo)體層(30、31)的厚度大。
文檔編號(hào)H01G4/002GK202855551SQ20122054080
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者大塚善弘 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所