專利名稱：一種陣列基板及顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及顯示器件。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示器具有低電壓、微功耗、易彩色化、輕便、高分辨率等特點，得到了極其廣泛的發(fā)展。液晶顯示器的顯示面板通常包括陣列基板、彩膜基板和滴注在兩者之間的液晶?，F(xiàn)有技術(shù)中常用的陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，玻璃基板I上形成有薄膜晶體管的柵極2和存儲電容的電容電極3，柵極2和電容電極3上覆蓋有柵絕緣層4，柵絕緣層4上形成有圖案化的由半導(dǎo)體層5和摻雜半導(dǎo)體層6組成的有源層，有源層上方形成有源電極 7、漏電極8和兩者之間的溝道區(qū)9，形成有源電極7、漏電極8和溝道區(qū)9的基板上覆蓋有保護(hù)層10，保護(hù)層10上開有過孔11，形成在保護(hù)層10上的圖案化透明像素電極層12通過過孔11與漏電極8相接觸。根據(jù)傳統(tǒng)的陣列基板的結(jié)構(gòu)，柵極與漏電極之間存在不可避免的重疊電容，當(dāng)有源層在柵極金屬的外側(cè)時，會因為光照射而引起光漏電流；而把有源層做在柵極金屬的內(nèi)側(cè)，則會使柵極與漏電極的重疊電容增大，從而使像素電位差波動增大，而且會在源電極和漏電極與有源層相接的地方，在柵極電壓為負(fù)值的時候，有源層會產(chǎn)生空穴漏電流，引起閃爍等顯示器的不良。

實用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實用新型要解決的技術(shù)問題是如何減小陣列基板中柵極與漏電極之間的重疊電容與漏電流，提聞廣品的良率。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種陣列基板，包括依次形成在基板上的柵極和電容電極、柵絕緣層、有源層、源漏電極層、保護(hù)層和透明像素電極層，所述有源層包括半導(dǎo)體層以及形成在所述半導(dǎo)體層和源漏電極層之間的摻雜半導(dǎo)體層，漏電極下方的半導(dǎo)體層上開設(shè)有孔，漏電極下方的摻雜半導(dǎo)體層通過所述孔與所述柵絕緣層連接。其中，所述孔與所述源漏電極層上的溝道區(qū)在豎直方向錯開。其中，所述柵極的邊緣與所述半導(dǎo)體層的邊緣在豎直方向錯開。其中，所述半導(dǎo)體層為非晶硅層，所述摻雜半導(dǎo)體層為輕摻雜的非晶硅層。本實用新型還公開了一種顯示器件，其包括上述任一項所述的陣列基板。(三)有益效果上述技術(shù)方案所提供的陣列基板，通過在漏電極下方的有源層半導(dǎo)體層上開孔，使有源層的摻雜半導(dǎo)體層通過該孔與柵絕緣層連接，從而將漏電極下方的半導(dǎo)體層與溝道區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體層隔離，不僅可以減小空穴漏電流，還可以減小柵極與漏電極的重疊電容，進(jìn)而降低顯示器的閃爍等不良，提高產(chǎn)品的良率；由于開孔的存在，半導(dǎo)體層與柵極在豎直方向上不完全重置，還可以減小TFT的光電流，提聞廣品的良率。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的機構(gòu)不意圖；圖2-6是本實用新型實施例的陣列基板在制作過程中各階段的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖6是本實用新型實施例的陣列基板制作完成后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1:基板；2 :柵極；3 :電容電極；4 :柵絕緣層；5 :半導(dǎo)體層；6 :摻雜半導(dǎo)體層；7 :源電極；8 :漏電極；9 :溝道區(qū)；10 :保護(hù)層；11 :過孔；12 :透明像素電極層。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。實施例1圖6是本實施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)相類似，包括依次形成在基板I上的柵極2和電容電極3、柵絕緣層4、有源層、源電極7、漏電極8、保護(hù)層10和透明像素電極12，有源層包括形成在柵絕緣層4上且位于柵極2上方的半導(dǎo)體層5以及分別形成在半導(dǎo)體層5和源電極7、漏電極8之間的摻雜半導(dǎo)體層6，其中與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別之處在于，漏電極8下方的半導(dǎo)體層5上開設(shè)有孔，漏電極8下方的摻雜半導(dǎo)體層6通過所述孔與所述柵絕緣層4連接，實現(xiàn)柵極2與半導(dǎo)體層5之間的不完全重疊，以及通過所述孔的設(shè)置，將漏電極下方的半導(dǎo)體層與溝道區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體層隔離。通過上述孔的設(shè)置半導(dǎo)體層5被分為兩個區(qū)域，半導(dǎo)體層5作為有源層，其間隔設(shè)置的兩個區(qū)域必然要實現(xiàn)電連接，采用摻雜半導(dǎo)體材料來連接所述兩個區(qū)域既能滿足以上要求，又能減小電容。優(yōu)選地，半導(dǎo)體層5選用非晶硅材料形成，摻雜半導(dǎo)體層6選用輕摻雜的非晶硅材料形成，摻雜半導(dǎo)體層6作為連接半導(dǎo)體層5兩個區(qū)域的介質(zhì)，能夠簡化本實施例陣列基板的制作工藝，減少制作工藝中掩膜版的使用數(shù)量，工藝簡單易操作，節(jié)省成本。本實施例中，所述孔與所述源漏電極層上的溝道區(qū)在豎直方向錯開，以避免破壞溝道區(qū)9，從而將漏電極下方的半導(dǎo)體層與溝道區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體層隔離，以減少柵極2和漏電極8之間的重疊電容和空穴漏電流，降低顯示器的閃爍等不良，提高產(chǎn)品的良率。同時，柵極2的邊緣和半導(dǎo)體層5的邊緣在豎直方向錯開，即柵極2和其上方的半導(dǎo)體層5之間有一定的錯位，由此可以減少薄I旲晶體管的光電流，提聞廣品良率。本實施例的陣列基板的制作工藝步驟如下步驟1:提供基板1，在基板I上表面形成第一金屬層，并利用光刻技術(shù)圖案化第一金屬層，在基板I上形成薄膜晶體管的柵極2和儲存電容的電容電極3，如圖2所示。步驟2 :在柵極2和電容電極3形成后，在其上沉積柵絕緣層4，在柵絕緣層4上覆蓋由非晶硅層形成的半導(dǎo)體層5和由輕摻雜的非晶硅層形成的摻雜半導(dǎo)體層6，其中，利用光刻技術(shù)圖案化半導(dǎo)體層5，在對應(yīng)形成漏電極的半導(dǎo)體層5的區(qū)域上開設(shè)孔，在半導(dǎo)體層5上形成摻雜半導(dǎo)體層6時，摻雜半導(dǎo)體層6將所述孔填充，將半導(dǎo)體層5分為兩個區(qū)域，如圖3所示。步驟3 :在完成步驟2后，在基板上覆蓋第二金屬層，并利用光刻技術(shù)圖案化第二層金屬層，形成薄膜晶體管的源電極7、漏電極8以及源電極7和漏電極8之間的溝道區(qū)9，如圖4所示。步驟4 :在完成步驟3后，在第二金屬層上覆蓋保護(hù)層10，并利用光刻技術(shù)圖案化保護(hù)層10，在漏電極8處形成過孔11，以便漏電極8和透明像素電極連接，如圖5所示。步驟5 :在完成步驟4后，在保護(hù)層10上覆蓋透明電極，并利用光刻技術(shù)圖案化透明像素電極層12，如圖6所示。實施例2本實施例提供了一種基于實施例1中所述陣列基板的顯示器件，具體地，可利用上述陣列基板制備形成薄膜晶體管液晶顯示器件。該顯示器件可以為液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、電子紙、數(shù)碼相框、電子紙、AMOLED顯示器等，由于該顯示器件陣列基板上漏電極下方的半導(dǎo)體層與溝道區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體層隔離，空穴漏電流減小，柵極與漏電極的重疊電容也相應(yīng)減小，能夠顯著降低顯示器的閃爍等不良，提高產(chǎn)品的良率。由以上實施例可以看出，本實用新型通過在漏電極下方的有源層半導(dǎo)體層上開孔，使有源層的摻雜半導(dǎo)體層通過該孔與柵絕緣層連接，從而將漏電極下方的半導(dǎo)體層與溝道區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體層隔離，不僅可以減小空穴漏電流，還可以減小柵極與漏電極的重疊電容，進(jìn)而降低顯示器的閃爍等不良，提高產(chǎn)品的良率；由于開孔的存在，半導(dǎo)體層與柵極在豎直方向上不完全重置，還可以減小TFT的光電流，提聞廣品的良率。以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括依次形成在基板上的柵極和電容電極、柵絕緣層、有源層、源漏電極層、保護(hù)層和透明像素電極層，其特征在于，所述有源層包括半導(dǎo)體層以及形成在所述半導(dǎo)體層和源漏電極層之間的摻雜半導(dǎo)體層，漏電極下方的半導(dǎo)體層上開設(shè)有孔，漏電極下方的摻雜半導(dǎo)體層通過所述孔與所述柵絕緣層連接。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述孔與所述源漏電極層上的溝道區(qū)在豎直方向錯開。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極的邊緣與所述半導(dǎo)體層的邊緣在豎直方向錯開。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層為非晶硅層，所述摻雜半導(dǎo)體層為輕摻雜的非晶娃層。
5.一種顯示器件，其特征在于，包括上述權(quán)利要求1-4中任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板及顯示器件，包括依次形成在基板上的柵極和電容電極、柵絕緣層、有源層、源漏電極層、保護(hù)層和透明像素電極層，有源層包括半導(dǎo)體層以及形成在半導(dǎo)體層和源漏電極層之間的摻雜半導(dǎo)體層，漏電極下方的半導(dǎo)體層上開設(shè)有孔，漏電極下方的摻雜半導(dǎo)體層通過孔與柵絕緣層連接。本實用新型中，有源層的摻雜半導(dǎo)體層通過孔與柵絕緣層連接，從而將漏電極下方的半導(dǎo)體層與溝道區(qū)對應(yīng)的半導(dǎo)體層隔離，不僅可以減小空穴漏電流，還可以減小柵極與漏電極的重疊電容，進(jìn)而降低顯示器的閃爍等不良，提高產(chǎn)品的良率；由于開孔的存在，半導(dǎo)體層與柵極在豎直方向上不完全重疊，還可以減小TFT的光電流，提高產(chǎn)品的良率。
文檔編號H01L27/12GK202839613SQ201220542058
公開日2013年3月27日 申請日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月22日
發(fā)明者趙利軍, 林允植 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司