專利名稱：一種鐵氧體開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及的是一種開關(guān)插口結(jié)構(gòu)，尤其是一種鐵氧體開關(guān)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，公知的技術(shù)是鏡多波束天線在國內(nèi)尚無具體應(yīng)用，在國際上也僅有美國有成熟產(chǎn)品。多數(shù)透鏡多波束天線饋電網(wǎng)絡(luò)中各輻射端口插損差別大，波束一致性不好，這是現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的，就是針對現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足，而提供一種鐵氧體開關(guān)技術(shù)方案，該方案采用圓弧形結(jié)構(gòu)，兩個I/o端口對應(yīng)位于開關(guān)體兩端并聯(lián)連接，能夠保持相同的插損值，同時還能減少插損值。本方案是通過如下技術(shù)措施來實(shí)現(xiàn)的:一種鐵氧體開關(guān)，包括有開關(guān)體，開關(guān)體為圓弧狀結(jié)構(gòu)；開關(guān)體兩端對稱設(shè)置有第一 I/O端口和第二 I/O端口，兩端口并聯(lián)連接；開關(guān)體外側(cè)設(shè)置有左右對稱的中空通道；開關(guān)體的內(nèi)側(cè)內(nèi)部設(shè)置有多個鐵氧體磁芯；每個鐵氧體磁芯各自對應(yīng)設(shè)置有一組激勵端子；激勵端子設(shè)置在中空通道上方；開關(guān)體的弧形內(nèi)側(cè)壁設(shè)置有輻射端口 ；輻射端口左右兩側(cè)設(shè)置有開口內(nèi)螺紋；輻射端口上下兩端的中部設(shè)置有銷釘。作為本方案的優(yōu)選:第一 I/O端口和第二 I/O端口為波導(dǎo)法蘭結(jié)構(gòu)。本方案的有益效果可根據(jù)對上述方案的敘述得知，由于在該方案中開關(guān)體兩端對稱設(shè)置有第一 I/O端口和第二 I/O端口，兩端口并聯(lián)連接，相對于串聯(lián)連接，當(dāng)輻射端口數(shù)量為偶數(shù)個時，其最大插損由原來的NX η減小到(N/2 -Dxn ;當(dāng)輻射端口數(shù)量為奇數(shù)個時，其最大插損由原來的NX η減小到(N — I)/2X η (其中N為輻射端口數(shù)，η為單個鐵氧體磁芯插損)，同時該結(jié)構(gòu)還能夠保證個端口插損值的一致性。由此可見，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比各端口插損值一致性更好，插損值更低，具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步，其實(shí)施的有益效果也是顯而易見的。

圖1為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的組合示意圖。圖中，1.第一 I/O端口，2.激勵端子，3.中空通道，5.第二 I/O端口，6.輻射端口，
7.銷釘，8.開口內(nèi)螺紋，9.鐵氧體磁芯。
具體實(shí)施方式
為能清楚說明本方案的技術(shù)特點(diǎn)，下面通過一個具體實(shí)施方式
，并結(jié)合其附圖，對本方案進(jìn)行闡述。[0012]通過附圖可以看出，本方案的鐵氧體開關(guān)中第一 I/O端口和第二 I/O端口對稱分布，構(gòu)成并聯(lián)方式，其結(jié)構(gòu)形式為波導(dǎo)法蘭；為于開關(guān)體中心左右兩側(cè)的鐵氧體磁芯9分別構(gòu)成串聯(lián)方式。激勵端子2的線纜按規(guī)則在鐵氧體磁芯9上纏繞，通過給激勵端子2施加正向脈沖，可以分別實(shí)現(xiàn)第一 I/O端口與左側(cè)輻射端口的導(dǎo)通和第二 I/O端口與右側(cè)輻射端口的導(dǎo)通，分別完成信號從第一 I/O端口到左側(cè)輻射端口的傳輸和從第二 I/O端口到右側(cè)輻射端口的傳輸，對所述激勵端子2施加反向脈沖時，可以分別實(shí)現(xiàn)信號的反向傳輸。
權(quán)利要求1.一種鐵氧體開關(guān)，包括有開關(guān)體，其特征是:所述開關(guān)體為圓弧狀結(jié)構(gòu)；所述開關(guān)體兩端對稱設(shè)置有第一 I/O端口( I)和第二 I/O端口(5)，兩端口并聯(lián)連接；所述開關(guān)體外側(cè)設(shè)置有左右對稱的中空通道(3);所述開關(guān)體的內(nèi)側(cè)內(nèi)部設(shè)置有多個鐵氧體磁芯(9);所述每個鐵氧體磁芯(9 )各自對應(yīng)設(shè)置有一組激勵端子(2 );所述激勵端子(2 )設(shè)置在中空通道上方；所述開關(guān)體的弧形內(nèi)側(cè)壁設(shè)置有輻射端口(6);所述輻射端口(6)左右兩側(cè)設(shè)置有開口內(nèi)螺紋(8);所述輻射端口(6)上下兩端的中部設(shè)置有銷釘(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鐵氧體開關(guān)，其特征是:所述第一I/O端口和第二 I/O端口為波導(dǎo)法蘭結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種鐵氧體開關(guān)的技術(shù)方案，該方案為一種鐵氧體開關(guān)，包括有開關(guān)體，開關(guān)體為圓弧狀結(jié)構(gòu)；開關(guān)體兩端對稱設(shè)置有第一I/O端口和第二I/O端口，兩端口并聯(lián)連接；開關(guān)體外側(cè)設(shè)置有左右對稱的中空通道；開關(guān)體的內(nèi)側(cè)內(nèi)部設(shè)置有多個鐵氧體磁芯；每個鐵氧體磁芯各自對應(yīng)設(shè)置有一組激勵端子；激勵端子設(shè)置在中空通道上方；開關(guān)體的弧形內(nèi)側(cè)壁設(shè)置有輻射端口；輻射端口左右兩側(cè)設(shè)置有開口內(nèi)螺紋；輻射端口上下兩端的中部設(shè)置有銷釘。能夠保持相同的插損值，同時還能減少插損值。
文檔編號H01P1/11GK202930509SQ201220564549
公開日2013年5月8日 申請日期2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月31日
發(fā)明者何華衛(wèi), 胡鑫, 謝尚豪, 邵士明, 杜珊 申請人:四川九洲電器集團(tuán)有限責(zé)任公司