專利名稱：一種amoled像素電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種AMOLED像素電容結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在平板顯示技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)顯示器以其輕薄、主動發(fā)光、快響應(yīng)速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是繼液晶顯示器(IXD)之后的第三代顯示技術(shù)。主動式0LED(ActiveMatrix OLED, AMOLED)也稱為有源矩陣OLED，AMOLED因通過在每個像素中集成薄膜晶體管(TFT )和電容器并由電容器維持電壓的方法進(jìn)行驅(qū)動，因而可以實現(xiàn)大尺寸、高分辨率面板，是當(dāng)前研究的重點(diǎn)及未來顯示技術(shù)的發(fā)展方向。AMOLED根據(jù)發(fā)光的方式可分為背面發(fā)光方式和全面發(fā)光方式兩種。全面發(fā)光方式對開口率沒有限制，因此不會出現(xiàn)開口率的問題，但是其制作單價很高。因此，很多公司為了解決制作單價的問題，正在開發(fā)背面發(fā)光式的AMOLED顯示裝置。背面發(fā)光雖然有開發(fā)單價低的優(yōu)點(diǎn)，但是開口率低，面板的品質(zhì)不好。因此，開發(fā)者為了提高開口率，盡了很多努力。AMOLED的基本像素電路結(jié)構(gòu)·是利用圖1所示的2TFT1CAP結(jié)構(gòu)，構(gòu)成面板，基本像素電路具體由2個晶體管和由I個電容Cl組成，所述的兩個晶體管一個是驅(qū)動晶體管，用于根據(jù)數(shù)據(jù)信號的驅(qū)動有機(jī)發(fā)光原件Dl發(fā)光，另一個是開關(guān)晶體管，用于打開和關(guān)閉數(shù)據(jù)信號寫入存儲電容的通路。在有機(jī)發(fā)光元件Dl上連接驅(qū)動用薄膜晶體管，提供發(fā)光的電流；另外，驅(qū)動用薄膜晶體管的電流量由通過開關(guān)薄膜晶體管輸入的DATA電壓來控制，此時電容Cl連接在驅(qū)動薄膜晶體管的源極和柵極之間用于在預(yù)定時間內(nèi)維持所施加電壓，開關(guān)薄膜晶體管的柵極和源極分別和掃描線和數(shù)據(jù)線連接。細(xì)看圖1的動作，會發(fā)現(xiàn)開關(guān)薄膜晶體管根據(jù)開關(guān)薄膜晶體管的柵極上輸入的信號而動作的話，數(shù)據(jù)電壓信號通過數(shù)據(jù)線輸入在驅(qū)動用薄膜晶體管的柵極上。輸入在柵極的數(shù)據(jù)電壓通過驅(qū)動用薄膜晶體管，有機(jī)發(fā)光元件上有電流流動，使其發(fā)光，有機(jī)發(fā)光元件根據(jù)注入的電流的大小，散發(fā)光。在現(xiàn)有的技術(shù)中，設(shè)計AMOLED的像素電路時使用數(shù)據(jù)金屬排線DATA和柵極金屬排線構(gòu)成電容，所述現(xiàn)有技術(shù)形成的存儲電容將會占用較大的面板面積，使面板的開口率受到限制。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是為了解決現(xiàn)有AMOLED像素結(jié)構(gòu)中使用數(shù)據(jù)金屬排線和柵極金屬排線構(gòu)成電容會占用較大的面板空間使制造的AMOLED面板的開口率受到限制的問題，提出了一種AMOLED像素結(jié)構(gòu)。本實用新型的技術(shù)方案是一種AMOLED像素電容，包括第一電極板和第二電極板，其特征在于，所述第一電極板為陰極金屬層，第二電極板為ITO電極層。所述ITO電極層通過導(dǎo)通孔(VIA hole)與一金屬層(Metal)連接。[0009]所述ITO電極層上依次覆蓋有保護(hù)層(bank)、有機(jī)材料層(OLED)和陰極金屬層(Metal cathode),所述陰極金屬層作為所述AMOLED像素電容的第一電極板。本實用新型的有益效果本實用新型通過使用陰極金屬層和ITO電極層作為存儲電容的兩電極，使構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)的開口率得到改善，同時也改善了顯示裝置的壽命，還能提高面板的色彩的純度。

圖1為現(xiàn)有的AMOLED的2T1C像素電路的原理圖。圖2為本實用新型的AMOLED的像素結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體的實施例對本實用新型作進(jìn)一步的闡述。本實用新型的目的是提供一種開口率更高的AMOLED像素結(jié)構(gòu)。如圖2所示為本實施例的一種AMOLED像素電容，包括第一電極板和第二電極板，其特征在于，所述第一電極板為陰極金屬層，第二電極板為ITO電極層。所述ITO電極層通過導(dǎo)通孔VIA hole與一金屬層Metal連接。所述ITO電極層上依次覆蓋有保護(hù)層bank、有機(jī)材料層OLED和陰極金屬層Metalcathode，所述陰極金屬層作為所述AMOLED像素電容的第一電極板。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會意識到，這里所述的實施例是為了幫助讀者理解本實用新型的原理，應(yīng)被理解為本實 用新型的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本實用新型公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本實用新型實質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種AMOLED像素電容,包括第一電極板和第二電極板，其特征在于，所述第一電極板為陰極金屬層，第二電極板為ITO電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種AMOLED像素電容，所述ITO電極層通過導(dǎo)通孔與一金屬層連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種AMOLED像素電容，所述ITO電極層上依次覆蓋有保護(hù)層、有機(jī)材料層和陰極金屬層，所述陰極金屬層作為所述AMOLED像素電容的第一電極板。
專利摘要本實用新型的為了解決現(xiàn)有AMOLED像素結(jié)構(gòu)中使用數(shù)據(jù)金屬排線和柵極金屬排線構(gòu)成電容會占用較大的面板空間使制造的AMOLED面板的開口率受到限制的問題，提出了一種AMOLED像素電容，包括第一電極板和第二電極板，其特征在于，所述第一電極板為陰極金屬層，第二電極板為ITO電極層。本實用新型的有益效果本實用新型通過使用陰極金屬層和ITO電極層作為存儲電容的兩電極，使構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)的開口率得到改善，同時也改善了顯示裝置的壽命，還能提高面板的色彩的純度。
文檔編號H01L27/32GK202905716SQ20122056742
公開日2013年4月24日 申請日期2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月31日
發(fā)明者洪宣杓, 金正學(xué) 申請人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司