專利名稱：一種具有低摻雜度漏極的tft的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及AMOLED的驅(qū)動(dòng)電路的一種具有低摻雜度漏極的TFT。
背景技術(shù)：
在平板顯示技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)顯示器以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、快響應(yīng)速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗和耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是繼液晶顯示器(IXD)之后的第三代顯示技術(shù)。主動(dòng)式0LED(ActiveMatrix OLED, AMOLED)也稱為有源矩陣OLED，AMOLED因通過(guò)在每個(gè)像素中集成薄膜晶體管(TFT )和電容器并由電容器維持電壓的方法進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因而可以實(shí)現(xiàn)大尺寸、高分辨率面板，是當(dāng)前研究的重點(diǎn)及未來(lái)顯示技術(shù)的發(fā)展方向。AMOLED與IXD不同，AMOLED的驅(qū)動(dòng)方式是電流驅(qū)動(dòng)，TFT的電氣特性相當(dāng)重要，尤其是載流子(carrier)的遷移率特性良好才有利。常用的S1-TFT大致可分為非晶硅TFT(a-Si TFT)和多晶硅TFT(p_Si TFT)，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)非晶硅TFT(a_Si TFT)的生產(chǎn)率突出，均勻性高；多晶硅TFT(p-Si TFT)載流子遷移率特性優(yōu)秀。所以多晶硅TFT(p-SiTFT)更適合于制作AMOLED用的TFT。多晶硅TFT (p-si TFT)在現(xiàn)有的工藝中采用低溫結(jié)晶化方法(LTPS，LowTemperature Poly-Silicon)工序制造,這樣的低溫結(jié)晶化方法分為利用錯(cuò)射激光(Laser)的方法和Non Laser的方法。Laser的結(jié)晶化方法的優(yōu)點(diǎn)是每個(gè)晶粒都能顯示出完整的硅的特性，但是Laser光源自身的穩(wěn)定性問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致TFT特性的均勻性(Uniformity)變化嚴(yán)重，而且設(shè)備本身的費(fèi)用高，激光 源(Laser source)的大小對(duì)顯示屏面積有影響，尤其會(huì)對(duì)大面積顯示產(chǎn)生限制。相反，Non-Laser的結(jié)晶化方法相比Laser方式在電氣特性方面上略有不足，但也有節(jié)約成本 ，晶粒的均勻度高和適用于大面積顯示屏等眾多優(yōu)點(diǎn)。在擁有以上優(yōu)點(diǎn)的Non-Laser結(jié)晶化方式中，為最大化每個(gè)金屬結(jié)晶化(MIC, Matal InducedCrystallization)的優(yōu)點(diǎn)，改善高漏電流(High Leakage current)的特性,使用了低摻雜度漏極(LDD, Light Doped Drain)的器件結(jié)構(gòu)制作TFT。圖1所示為現(xiàn)有的LDD TFT制造過(guò)程中的TFT層結(jié)構(gòu)示意圖，其中包括依次覆蓋于玻璃基板I上的氧化物緩沖層2、非晶硅層3、柵極絕緣層4、柵極金屬層5和光阻層6，各層之間按照通常制造TFT的方法連接構(gòu)成TFT ；以上結(jié)構(gòu)的TFT其柵極絕緣層和柵極金屬層接觸面面積一致，故要是TFT形成低摻雜度漏極還需要使用mask經(jīng)過(guò)2道工序才能完成，工藝過(guò)程較復(fù)雜，成本較高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有的具有低摻雜度漏極的TFT的上述問(wèn)題，提出了一種具有低摻雜度漏極的TFT。本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種具有低摻雜度漏極的TFT，包括依次覆蓋于玻璃基板上的氧化物緩沖層、非晶硅層、柵極絕緣層和柵極金屬層，各層之間按照TFT的結(jié)構(gòu)連接構(gòu)成TFT ；其特征在于，所述非晶硅層經(jīng)過(guò)了結(jié)晶化處理，所述非晶硅層包含兩個(gè)低摻雜度離子注入?yún)^(qū)。上述柵極金屬層在非晶硅層的投影面積小于柵極絕緣層在非晶硅層的投影面積。上述兩個(gè)低摻雜度離子注入?yún)^(qū)關(guān)于中心對(duì)稱分布于非晶硅層中柵極絕緣層與柵極金屬層在非晶硅層的投影面的差集區(qū)域。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型的一種具有低摻雜度漏極的TFT，由于其使用了柵極金屬層在非晶硅層的投影面積小于柵極絕緣層在非晶硅層的投影面積的結(jié)構(gòu)，使得本實(shí)用新型的具備低摻雜度漏極的TFT在制造過(guò)程中無(wú)需使用兩張mask，簡(jiǎn)化了工藝工程并節(jié)約了工藝成本。

圖1為現(xiàn)有的TFT層結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的LDD TFT的柵極金屬層濕法刻蝕后的層結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型的LDD TFT的柵極絕緣層干法刻蝕后的層結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型的LDD TFT的離子注入后的層結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的闡述。本方案的目的提供一種具有低摻雜度漏極的TFT結(jié)構(gòu)，使所述的TFT的制造工藝過(guò)程簡(jiǎn)化。如圖4所示，本實(shí)施例的一種具有低摻雜度漏極的TFT，包括依次覆蓋于玻璃基板I上的氧化物緩沖層2、非晶硅層3、柵極絕緣層4和柵極金屬層5，各層之間按照TFT的結(jié)構(gòu)連接構(gòu)成TFT ；上述非晶硅層3經(jīng)過(guò)了結(jié)晶化處理，所述非晶硅層3包含兩個(gè)低摻雜度離子注入?yún)^(qū)7。上述柵極金屬層5在非晶硅層3的投影面積小于柵極絕緣層4在非晶硅層3的投影面積。上述兩個(gè)低摻雜度離子注入?yún)^(qū)7關(guān)于中心對(duì)稱分布于非晶硅層3中柵極絕緣層4與柵極金屬層5在非晶硅層的投影面的差集區(qū)域。下面結(jié)合圖2和圖3說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，如圖2所示為本實(shí)用新型的LDD TFT的柵極金屬層干法刻蝕后的層結(jié)構(gòu)示意圖，與現(xiàn)有工藝中對(duì)柵極金屬層干法刻蝕相比，本實(shí)用新型在此步驟中對(duì)柵極金屬層的刻蝕時(shí)間更長(zhǎng)，使得柵極金屬層5被刻蝕得更深，形成如圖2中所示的形狀。進(jìn)一步的，對(duì)經(jīng)過(guò)柵極金屬層5刻蝕后(如圖2所示)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行柵極絕緣層4干法刻蝕，形成如圖 3所示的略大于被刻蝕后的柵極金屬層5的柵極絕緣層
4。在進(jìn)一步進(jìn)行TFT制造的離子注入時(shí)，以上形成的柵極絕緣層4略大于柵極金屬層5的結(jié)構(gòu)就會(huì)因?yàn)闁艠O絕緣層的阻擋在兩者在非晶硅層的投影的差集區(qū)域形成低摻雜度的漏極。[0023]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本實(shí)用新型的原理，應(yīng)被理解為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)用新型公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本實(shí)用新型實(shí)質(zhì)的其它 各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種具有低摻雜度漏極的TFT，包括依次覆蓋于玻璃基板上的氧化物緩沖層、非晶硅層、柵極絕緣層和柵極金屬層，各層之間按照TFT的結(jié)構(gòu)連接構(gòu)成TFT ； 其特征在于，所述非晶硅層經(jīng)過(guò)了結(jié)晶化處理，所述非晶硅層包含兩個(gè)低摻雜度離子注入?yún)^(qū)，上述柵極金屬層在非晶硅層的投影面積小于柵極絕緣層在非晶硅層的投影面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有低摻雜度漏極的TFT，其特征在于所述兩個(gè)低摻雜度離子注入?yún)^(qū)關(guān)于中心對(duì)稱分布于非晶硅層中柵極絕緣層與柵極金屬層在非晶硅層的投影面的差集區(qū)域。
專利摘要本實(shí)用新型提出了一種具有低摻雜度漏極的TFT，包括依次覆蓋于玻璃基板上的氧化物緩沖層、非晶硅層、柵極絕緣層和柵極金屬層，各層之間按照TFT的結(jié)構(gòu)連接構(gòu)成TFT，所述非晶硅層經(jīng)過(guò)了結(jié)晶化處理，所述非晶硅層包含兩個(gè)低摻雜度離子注入?yún)^(qū)，所述柵極金屬層在非晶硅層的投影面積小于柵極絕緣層在非晶硅層的投影面積。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型的一種具有低摻雜度漏極的TFT，由于其使用了柵極金屬層在非晶硅層的投影面積小于柵極絕緣層在非晶硅層的投影面積的結(jié)構(gòu)，使得本實(shí)用新型的具備低摻雜度漏極的TFT在制造過(guò)程中無(wú)需使用兩張mask，簡(jiǎn)化了工藝工程并節(jié)約了工藝成本。
文檔編號(hào)H01L29/06GK202905722SQ20122056786
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月31日
發(fā)明者柳濟(jì)宣, 李惠元, 郭鐘云 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司