專利名稱：一種v型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，屬于高壓電器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著我國用電負荷的急劇增長，以及我國供需位置的大跨度，近年來國家電網(wǎng)的高壓輸電線路和輸電等級都進一步提升，使得高壓斷路器設(shè)備的需求急劇增長，同時對高壓斷路器的穩(wěn)定運行和環(huán)保要求也隨之提高。目前，電網(wǎng)中高壓超高壓斷路器的絕緣介質(zhì)主要采用SF6, SF6是造成溫室效應(yīng)氣體之一。隨著全球變暖，人類對環(huán)保保護意識逐漸加強，以及京都議定書的簽訂，世界各國的開關(guān)行業(yè)都在尋找一種絕緣性能優(yōu)良且環(huán)保的絕緣介質(zhì)來替代SF6。目前電網(wǎng)中大量應(yīng)用真空絕緣的中壓真空斷路器具有很好的運行效果，表明真空是一種優(yōu)良的絕緣介質(zhì)，但真空主要應(yīng)用于中壓領(lǐng)域，將真空介質(zhì)用于高壓超高壓斷路器取代SF6絕緣介質(zhì)將具有重要意義。經(jīng)研究表明真空介質(zhì)在大開距下耐壓呈現(xiàn)一定飽和特性，真空具有短間隙絕緣優(yōu)良的特點，因此開展真空短間隙串聯(lián)可提高絕緣耐壓等級。真空滅弧室是真空斷路器的重要組成部件，目前已經(jīng)投入電網(wǎng)運行的單個真空滅弧室為72.5kV，研制出的單個滅弧室最高電壓可達126kV，通過真空滅弧室串聯(lián)技術(shù)可將真空介質(zhì)的電壓應(yīng)用進一步提升到超高壓斷路器。有鑒于此，本實用新型提供一種V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，以滿足工業(yè)應(yīng)用需要。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于將真空絕緣介質(zhì)應(yīng)用到超高壓斷路器，實現(xiàn)斷路器的環(huán)保，降低溫室效應(yīng)。本實用新型的技術(shù)方案是:一種V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，包括兩個真空斷路器、均壓電容器、連接件、絕緣支柱、鋼支架、光纖、高壓端控制器、斷路器進線、斷路器出線、戶外機箱、V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器，其特征在于，通過兩個真空斷路器利用V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)，單個真空斷路器為126kv，串聯(lián)后提高整機斷路器的電壓水平達到252kV ;采用均壓電容器對兩個真空斷路器進行均壓，使單個真空斷路器斷口耐壓值均分，V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)能夠降低污穢對均壓電容值的影響。如上所述的V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，其特征在于，高壓端控制器通過光纖與V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器進行收發(fā)分合閘命令，串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器同時控制三相真空斷路器，通過擴展能夠控制變電站內(nèi)多臺同結(jié)構(gòu)的真空斷路器。如上所述的V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，其特征在于，光纖預先埋入絕緣支柱內(nèi)壁，并通過螺旋式布置在絕緣支柱內(nèi)部，絕緣支柱再通過環(huán)氧樹脂進行澆注灌封，能夠?qū)崿F(xiàn)高低電位的隔離，使高壓端真空斷路器控制器與串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器電氣隔離。[0009]如上所述的V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，其特征在于，V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器可以實現(xiàn)多臺斷路器的控制，只需增加光纖的路數(shù)，即可實現(xiàn)多個真空斷路器的控制。如上所述的V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，其特征在于，單個真空斷路器內(nèi)部為永磁操動機構(gòu)，可確保單個真空斷路器分合閘時間的分散性很小，通過設(shè)置各單個真空斷路器的延時使多個斷路器在同一時間同步開斷，提高斷路器的開斷能力，可以作為選相斷路器使用。本實用新型的有益效果是:(1)通過兩個真空斷路器利用V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)，單個真空斷路器為126kV，串聯(lián)后提高整機斷路器的電壓水平達到252kV ；(2)采用均壓電容器對兩個真空斷路器進行均壓，使單個真空斷路器斷口耐壓值均分，V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)能夠降低污穢對均壓電容值的影響；(3)串聯(lián)后達到252kV的真空斷路器整機控制器在低電位，高電位與低電位的信號傳送通過光纖實現(xiàn)，同時光纖具有良好的絕緣性能，可以良好的隔離高低電位，避免信號干擾。(4 )串聯(lián)真空斷路器整機通過絕緣支柱支撐高電位，光纖預先埋入絕緣支柱內(nèi)壁，并通過螺旋式布置在絕緣支柱內(nèi)部，絕緣支柱再通過環(huán)氧樹脂進行澆注灌封，可實現(xiàn)高低電位的隔離；(5) V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器可以實現(xiàn)多臺斷路器的控制，只需增加光纖的路數(shù)，即可實現(xiàn)多個真空斷路器的控制；(6)單個真空斷路器內(nèi)部為永磁操動機構(gòu)，可確保單個真空斷路器模塊分合閘時間的分散性很小，通過設(shè)置各個單獨真空斷路器模塊的延時使多個斷路器在同一時間同步開斷，提高斷路器的開斷能力，可作為選相斷路器使用。

圖1是本實用新型實施例的一種V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超聞壓真空斷路器的結(jié)構(gòu)不意圖。
具體實施方式
為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合實施例進一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明的內(nèi)容不僅僅局限于下面的實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣在本申請所列權(quán)利要求書限定范圍之內(nèi)。圖1中標記的說明:1 一真空斷路器、2—均壓電容器、3—連接件、4一絕緣支柱、5—鋼支架、6—光纖、7—高壓端控制器、8—斷路器進線、9 一斷路器出線、10—戶外機箱、11—V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的整機控制器。以一種V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的252kV超高壓真空斷路器為例說明，斷路器主要通過滅弧室開斷短路電流，真空斷路器的滅弧室為真空絕緣介質(zhì)，本實例的單個真空斷路器為126kV，通過多個真空斷路器I利用V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)，串聯(lián)后提高斷路器整體的電壓水平達到252kV。采用均壓電容2對兩個真空斷路器進行均壓，使單個真空斷路器斷口耐壓值均分避免重燃擊穿，同時采用V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)可降低污穢對均壓電容值的影響，避免均壓失敗。V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的252kV超高壓真空斷路器采用雙穩(wěn)態(tài)永磁機構(gòu)，分合閘通過永磁機構(gòu)的分合閘線圈驅(qū)動動導桿實現(xiàn)分合，分合閘線圈中的電流通過電容器放電提供。電容器的能量通過高電位獲取電流對電容器充電，整個永磁機構(gòu)及控制回路在單個真空斷路器內(nèi)部，處于高電位。串聯(lián)后達到252kV的真空斷路器整機控制器在低電位，高電位與低電位的信號傳送通過光纖實現(xiàn)，同時光纖具有良好的絕緣性能，可以良好的隔離高低電位，避免信號干擾。串聯(lián)真空斷路器整機通過絕緣支柱支撐高電位，光纖預先埋入絕緣支柱內(nèi)壁，并通過螺旋式布置在絕緣支柱內(nèi)部，絕緣支柱再通過環(huán)氧樹脂進行澆注灌封，可實現(xiàn)高低電位的隔離，使高壓端真空斷路器內(nèi)置的控制器與串聯(lián)真空斷路器整機控制器連接控制，通過低電位的串聯(lián)真空斷路器整機控制器發(fā)送分合閘命令給高壓端真空斷路器內(nèi)置的控制器實現(xiàn)分合閘操作，光纖解決了高低電位隔離。串聯(lián)真空斷路器整機控制器可以實現(xiàn)多臺斷路器的控制，只需增加光纖的路數(shù)，即可實現(xiàn)多個真空斷路器的控制；單個真空斷路器內(nèi)部為永磁操動機構(gòu)，可確保單個真空斷路器模塊分合閘時間的分散性很小，通過設(shè)置各個單獨真空斷路器模塊的延時使多個斷路器在同一時間同步開斷，提高斷路器的開斷能力，可作為選相斷路器使用。本說明書中未作詳細描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求1.一種V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，包括兩個真空斷路器(I)、均壓電容器(2)、連接件(3)、絕緣支柱(4)、鋼支架(5)、光纖(6)、高壓端控制器(7)、斷路器進線(8)、斷路器出線(9)、戶外機箱(10)、V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器(11)，其特征在于，通過兩個真空斷路器(I)利用V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)，單個真空斷路器(I)為126kV，串聯(lián)后提高整機斷路器的電壓水平達到252kV ;采用均壓電容器(2)對兩個真空斷路器(I)進行均壓，使單個真空斷路器(I)斷口耐壓值均分，V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)能夠降低污穢對均壓電容值的影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，其特征在于，高壓端控制器(7)通過光纖(6)與V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器(11)進行收發(fā)分合閘命令，串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器(11)同時控制三相真空斷路器，通過擴展能夠控制變電站內(nèi)多臺同結(jié)構(gòu)的真空斷路器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，其特征在于，光纖(6)預先埋入絕緣支柱(4)內(nèi)壁，并通過螺旋式布置在絕緣支柱(4)內(nèi)部，絕緣支柱(4)再通過環(huán)氧樹脂進行澆注灌封，能夠?qū)崿F(xiàn)高低電位的隔離，使高壓端真空斷路器控制器與串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器電氣隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，其特征在于，V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器(11)可以實現(xiàn)多臺斷路器的控制，只需增加光纖(6)的路數(shù)，即可實現(xiàn)多個真空斷路器的控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，其特征在于，單個真空斷路器(I)內(nèi)部為永磁操動機構(gòu)，可確保單個真空斷路器(I)分合閘時間的分散性很小，通過設(shè)置各單個真空斷路器(I)的延時使多個斷路器在同一時間同步開斷，提高斷路器的開斷能力，可以作為選相斷路器使用。
專利摘要本實用新型涉及一種V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)的超高壓真空斷路器，包括兩個真空斷路器、均壓電容器、連接件、絕緣支柱、鋼支架、光纖、高壓端控制器、斷路器進線、斷路器出線、戶外機箱、V型串聯(lián)結(jié)構(gòu)整機控制器，其特征在于，通過兩個真空斷路器利用V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)，單個真空斷路器為126kV，串聯(lián)后提高整機斷路器的電壓水平達到252kV；采用均壓電容器對兩個真空斷路器進行均壓，使單個真空斷路器斷口耐壓值均分，V型結(jié)構(gòu)串聯(lián)能夠降低污穢對均壓電容值的影響。本實用新型結(jié)構(gòu)使真空斷路器達到超高壓斷路器水平。
文檔編號H01H33/66GK203070999SQ20122064287
公開日2013年7月17日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者李輝, 陳軒恕, 陳江波, 尹婷 申請人:中國電力科學研究院, 國網(wǎng)電力科學研究院, 國家電網(wǎng)公司